JP2016054156A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】第１の基板８０１及び封止材８０５に囲まれた空間内に、発光素子１３０及び隔壁１２４を含む発光部８０２を備え、発光素子１３０は、第１の基板８０１上に設けられた第１の電極１１８、第１の電極１１８上に設けられた発光性の有機化合物を含む層１２０、及び発光性の有機化合物を含む層１２０上に設けられた第２の電極１２２を備え、隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆い、かつ発光素子１３０の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、隔壁１２４は、最大粒径が１ナノメートル以上発光性の有機化合物を含む層１２０の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤１２５を含む発光装置を提供する。【選択図】図１

Description

有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと
も記す）現象を利用した発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

有機ＥＬ現象を利用した発光素子（有機ＥＬ素子とも記す）の研究開発が盛んに行われて
いる。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟
んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光
を得ることができる。

薄型軽量化が容易であること、入力信号に対し高速に応答可能であること、直流低電圧電
源を用いて駆動可能であること等の特徴を有する有機ＥＬ素子は、次世代のフラットパネ
ルディスプレイや照明への応用が検討されている。特に、有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に
優位性があると考えられている。

一方で、有機ＥＬ素子は、外部から侵入する水分や酸素などの不純物により信頼性が損な
われてしまうという課題がある。

有機ＥＬ素子の外部から、水分や酸素などの不純物が、有機ＥＬ素子を構成する有機化合
物や金属材料に侵入することで、有機ＥＬ素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合があ
る。有機ＥＬ素子に用いる有機化合物や金属材料が、水分や酸素などの不純物と反応し、
劣化してしまうためである。

したがって、不純物の侵入を防ぐために有機ＥＬ素子を封止する技術について、研究開発
が進められている。

例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を封止するために用いることができる、第１のガ
ラス板と第２のガラス板とをフリットで接着させて封止したガラスパッケージが開示され
ている。

特許文献１に開示されたガラスパッケージで有機ＥＬ素子を封止した発光装置は、封止後
に、外部から該発光装置内に不純物が侵入することを抑制することができると考えられる
。しかし、発光装置の作製工程において、発光装置を構成する材料に水分が少なからず吸
着され、発光装置の内部に水分が残留してしまうことが一般に知られている。特許文献１
に記載の封止技術では、発光装置の内部に一度入ってしまった水分に関して、除去する手
段等が設けられていないため、封止前に発光装置内に侵入し、かつ封止後に発光装置内に
残留している水分の、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物や金属材料への侵入を防ぐこと
は困難である。

また、特許文献２には、各発光画素間に、有機材料からなる画素間隔壁が形成された電気
光学表示装置が開示されている。さらに、該画素間隔壁には、該有機材料より低分子の材
料からなる充填物が含有されている構成、及び、該充填物が脱水材である構成が開示され
ている。

特許文献２に開示された表示装置は、装置内部に脱水材を備えるため、画素間隔壁等に含
まれる水分の、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物や金属材料への侵入を防ぐことができ
る。

米国特許公開第２００４−０２０７３１４号公報 特開２００４−２３５０１４号公報

ところで、有機ＥＬ素子において、下部電極の表面が平坦化されていない、又は下部電極
上にゴミが存在するために、下部電極上にＥＬ層が均一に成膜されず、ＥＬ層が欠損する
場合がある。このような場合、該ＥＬ層上に上部電極が形成されると、ＥＬ層が形成され
ていない欠損箇所において、下部電極及び上部電極（陽極及び陰極）が接し、短絡すると
いう不具合が生じる。

特許文献２に開示された表示装置において、画素電極（下部電極に相当）の端部を覆う画
素間隔壁は、発光素子の発光領域と重なる位置に開口部を有する。この隔壁の端部（開口
端）に充填物（例えば脱水材）に由来する凹凸が存在すると、発光素子において、発光層
（又は有機機能層）が形成されない欠損箇所が生じる可能性がある。該欠損箇所では、下
部電極及び上部電極が接し、短絡するという不具合が生じることがある。

したがって、本発明の一態様は、有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部
電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、該発
光装置を備えた、信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することを目的の一とする。

有機ＥＬ素子は、第１の電極と、第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層
（以下、ＥＬ層とも記す）と、ＥＬ層上に設けられた第２の電極と、を備える。本発明者
らは、有機ＥＬ素子において、該第１の電極の端部を覆う隔壁が、水分を物理吸着する材
料（以下、物理吸着型乾燥剤とも記す）を含む構成、具体的には、最大粒径がＥＬ層の膜
厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む構成、に想到した。

よって、本発明の一態様は、第１の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光素子及び隔
壁を含む発光部を備え、発光素子は、第１の基板上に設けられた第１の電極、第１の電極
上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発光性の有機化合物を含む層上に設け
られた第２の電極を備え、隔壁は、第１の電極の端部を覆い、かつ発光素子の発光領域と
重なる位置に開口部が設けられ、隔壁は、最大粒径が１ナノメートル以上発光性の有機化
合物を含む層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む発光装置である。

封止体としては、例えば、透湿性の低い薄膜を用いることができる。または、対向基板及
び封止材（ガラスフリット等を用いたガラスや、樹脂など）を用いることができる。ガラ
スは封止性が高いため、封止材として、ガラスを用いることが好ましい。また、樹脂は耐
衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくいため、封止材として、樹脂を用い
ることが好ましい。

また、本発明の一態様は、互いに対向する第１の基板及び第２の基板と、発光素子及び隔
壁を含む発光部と、発光部の外周を囲むように設けられた封止材と、を有し、第１の基板
、第２の基板及び封止材に囲まれた空間内に発光部を備え、発光素子は、第１の基板上に
設けられた第１の電極、第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発
光性の有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極を備え、隔壁は、第１の電極の端部
を覆い、かつ発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、隔壁は、最大粒径が
１ナノメートル以上該発光性の有機化合物を含む層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、含
む発光装置である。

本発明の一態様の発光装置は、第１の基板、及び封止体（又は、第１の基板、第２の基板
及び封止材）に囲まれた空間内に、発光素子（有機ＥＬ素子）が設けられている。したが
って、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子が劣化することを
抑制できる。かつ、本発明の一態様の発光装置は、隔壁に物理吸着型乾燥剤を含む。した
がって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤
によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光
素子が劣化することを抑制できる。

例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第１の基板、封止体（第２の基板など）、第１の基板上
に設けられた各膜、又は第２の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した
不純物を吸着することができる。特に、隔壁と近接している膜等（第１の基板や、第１の
基板と有機ＥＬ素子との間に設けられた下地膜、有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタを
構成する膜等）の表面や内部に侵入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。

また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物による発光素子の
劣化を抑制することができる。

また、本発明の一態様の発光装置において、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、最大粒
径が１ｎｍ以上ＥＬ層の膜厚以下である。物理吸着型乾燥剤の最大粒径がＥＬ層の膜厚以
下であるため、隔壁に乾燥剤を含ませても、該乾燥剤に由来する凹凸により、ＥＬ層が形
成されない欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁の端部付近において第１の電極と第２の
電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、物理吸着型乾
燥剤は、最大粒径が１ｎｍ以上であると作製が容易であるため好ましい。

上記発光装置において、該隔壁が、０重量パーセント（ｗｔ％）より多く３０重量パーセ
ント以下の割合で該物理吸着型乾燥剤を含むことが好ましい。

隔壁に物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、隔壁としての機能を果たせなくなる恐れがある
ため、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、５０ｗｔ％以下が好ましく、３０ｗｔ％以下
がさらに好ましい。また、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤が少ないと、隔壁表面に、該
乾燥剤に由来する凹凸が形成されにくくなり、ＥＬ層が形成されない欠損箇所が生じるこ
とを抑制できるため、好ましい。

上記発光装置において、物理吸着型乾燥剤が、ゼオライトであると好ましい。

乾燥剤には、水分等を化学吸着する材料（化学吸着型乾燥剤と記す）と、物理吸着する材
料（物理吸着型乾燥剤と記す）とに大きく分けられる。化学吸着型乾燥剤は、水分等の吸
着時に、化学反応により熱が発生する場合や、該乾燥剤自体が別の物質に変化し、体積変
化が起こる場合がある。これにより、隔壁からの熱の発生や、隔壁の体積変化が生じると
、有機ＥＬ素子にダメージを与えるため、好ましくない。よって、本発明では、ゼオライ
トやシリカゲル等の物理吸着型乾燥剤を用いる。特に、ゼオライトは、粒径を十分に小さ
くする、隔壁を構成する樹脂材料に含ませる、湿度が低い環境下でも水分等を吸着する、
等の観点からも好適に用いることができるため好ましい。

上記発光装置において、隔壁が、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、
又はフェノール系樹脂を含むことが好ましい。

アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂は、透湿性
や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾燥剤が水分
等をより吸着しやすく、好ましい。

上記発光装置において、隔壁が、該物理吸着型乾燥剤を含まない第１の層と、該物理吸着
型乾燥剤を含む第２の層と、の積層構造であると好ましい。

隔壁が、積層構造からなる場合、物理吸着型乾燥剤を少なくともいずれか一層に含めば良
い。例えば、２層構造の場合は、物理吸着型乾燥剤を含まない第１の層上に、物理吸着型
乾燥剤を含む第２の層が設けられた積層構造が好ましい。このような構成とすることで、
隔壁の端部（特に末端）は、物理吸着型乾燥剤を含まない層からなるため、隔壁の端部付
近において、第１の電極と第２の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現するこ
とができる。また、第１の層上に第２の層が設けられていると、設けられていない場合に
比べて、第１の層とＥＬ層（又は第２の電極）が接する面積が小さく、第１の層に残留す
る不純物は、第１の層からＥＬ層（又は第２の電極）に直接侵入しづらい。該不純物は、
ＥＬ層に侵入する前に、第２の層内に侵入する可能性が高くなる。よって、該不純物を、
第２の層に含まれる物理吸着型乾燥剤によって吸着しやすくなるため、不純物が発光素子
に侵入することを抑制することができる。

また、物理吸着型乾燥剤を含む第１の層を、物理吸着型乾燥剤を含まない第２の層が覆う
積層構造が好ましい。このような構成とすることで、隔壁の表面は物理吸着型乾燥剤を含
まない第２の層からなる。よって、該乾燥剤に由来する凹凸が第１の層に存在したとして
も、第１の層を覆う第２の層により平坦化されるため、ＥＬ層が形成されない欠損箇所が
生じることを特に抑制し、隔壁上に形成する膜の被覆性を高め、第１の電極と第２の電極
が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。このような積層構造の隔
壁を採用する場合、物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、ＥＬ層の膜厚と第２の層の膜厚の和
よりも小さければ良い。

また、先に挙げた理由から、物理吸着型乾燥剤を含む層に、アクリル系樹脂、シロキサン
系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂を用いることが好ましい。

上記発光装置において、隔壁上にスペーサを備え、スペーサは、最大粒径が１ｎｍ以上該
スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含
むことが好ましい。特にスペーサは、最大粒径が１ｎｍ以上該スペーサの膜厚以下の物理
吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。

発光装置において、隔壁上にスペーサを備えることで、一対の基板（第１の基板及び第２
の基板）の間隔を一定に保つことができる。隔壁だけでなく、スペーサにも物理吸着型乾
燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する不純物を、より吸着することができる。し
たがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することができる。

上記発光装置において、発光部は、第１の電極と電気的に接続するトランジスタを備え、
トランジスタ及び発光素子の間に設けられた絶縁膜は、最大粒径が１ｎｍ以上該絶縁膜の
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含むことが好
ましい。特に該絶縁膜は、最大粒径が１ｎｍ以上該絶縁膜の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤
を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。

発光装置を構成する絶縁膜に物理吸着型乾燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する
不純物を、より吸着することができる。トランジスタ及び発光素子の間に設けられた絶縁
膜（層間絶縁膜）や、第１の基板と有機ＥＬ素子との間に設けられた下地膜等に、該乾燥
剤を含む構成も、本発明の一態様に含まれる。これら絶縁膜に含まれる乾燥剤は、有機Ｅ
Ｌ素子を駆動するトランジスタの表面や内部に侵入し残留した不純物を、吸着することが
できる。したがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することができ
る。

上記発光装置において、第２の基板は、発光素子の発光領域と重なる位置に着色層を備え
、着色層は、最大粒径が１ｎｍ以上該着色層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％
より多く５０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特に着色層は、最大粒径が１ｎｍ
以上該着色層の膜厚の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含
むことが好ましい。特に、着色層に含まれる物理吸着型乾燥剤の最大粒径は３００ｎｍ以
下であることが好ましい。

上記発光装置において、第２の基板は、発光素子の発光領域と重ならない位置に、ブラッ
クマトリクスを備え、ブラックマトリクスは、最大粒径が１ｎｍ以上該ブラックマトリク
スの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含むこと
が好ましい。特にブラックマトリクスは、最大粒径が１ｎｍ以上該ブラックマトリクスの
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好
ましい。

上記発光装置において、第２の基板は、発光素子の発光領域と重なる位置に設けられた着
色層と、発光領域と重ならない位置に設けられたブラックマトリクスと、着色層及びブラ
ックマトリクスを覆うオーバーコート層と、を有し、オーバーコート層は、最大粒径が１
ｎｍ以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗ
ｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特にオーバーコート層は、最大粒径が１ｎｍ以上
該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下
の割合で含むことが好ましい。

本発明の一態様の発光装置は、着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層の少なく
ともいずれか一に物理吸着型乾燥剤を含むことで、作製工程中等に、発光装置の内部に侵
入し発光装置の内部に残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によって吸着することがで
きる。

例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第１の基板、第２の基板、第１の基板上に設けられた各
膜、又は第２の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、該乾燥剤を含む層と近接している膜等（第２の基板や、第２の基
板上に設けられた着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層等）の表面や内部に侵
入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。

また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物により発光素子が
劣化することをさらに抑制することができる。

なお、スペーサ、絶縁膜、着色層、ブラックマトリクス、及びオーバーコート層において
、物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、それぞれの層が担う機能を果たせなくなる恐れがあ
るため、それぞれの層に含まれる物理吸着型乾燥剤は、５０ｗｔ％以下、好ましくは３０
ｗｔ％以下であることが好ましい。

また、オーバーコート層及び着色層は、発光素子が発する光を発光装置の外部に取り出す
際に、該光が通過する層であるため、光の散乱が起こりにくいことが好ましい。よって、
オーバーコート層及び着色層に含む物理吸着型乾燥剤は、最大粒径が１ｎｍ以上３００ｎ
ｍ以下であることが好ましい。

また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置を表示部に有する電子機器である。また、
本発明の一態様は、上記構成の発光装置を照明部に有する照明装置である。本発明の一態
様の発光装置は、有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難
いため、電子機器又は照明装置に適用することで、信頼性の高い電子機器又は照明装置を
実現することができる。

有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難い、信頼性の高い
発光装置を提供することができる。また、該発光装置を備えた、信頼性の高い電子機器又
は照明装置を提供することができる。

本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 ＥＬ層の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器及び照明装置の一例を示す図。 本発明の一態様の照明装置の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置、及び比較の発光装置の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図１、図２及び図１０を用いて説
明する。

本発明の一態様の発光装置は、第１の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光部を備え
る。本実施の形態では、封止体として第２の基板及び封止材を用いる構成を例に挙げて説
明する。第１の基板及び第２の基板は互いに対向している。封止材は、発光部の外周を囲
むように設けられている。発光部は、発光素子（有機ＥＬ素子）及び隔壁を含む。該発光
素子は、第１の基板上に第１の電極を有し、第１の電極上に発光性の有機化合物を含む層
（ＥＬ層）を有し、ＥＬ層上に第２の電極を有する。該隔壁は、第１の電極の端部を覆い
、かつ発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。

本発明の一態様では、第１の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光部（発光素子）を
備えることから、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子が劣化
することを抑制できる。

かつ、本発明の一態様の発光装置において、隔壁は、最大粒径が１ｎｍ（ナノメートル）
以上ＥＬ層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む。したがって、本発明の一態様では、作
製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によって吸
着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光素子が劣化
することを抑制できる。

例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第１の基板、第２の基板、第１の基板上に設けられた各
膜、又は第２の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、隔壁と近接する膜等（第１の基板や、第１の基板と有機ＥＬ素子
との間に設けられた下地膜、有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタを構成する膜等）の表
面や内部に侵入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。

また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物による発光素子の
劣化を抑制することができる。

ところで、有機ＥＬ素子において、下部電極（本実施の形態では第１の電極）の表面が平
坦化されていない、又は第１の電極上にゴミが存在するために、第１の電極上にＥＬ層が
均一に成膜されず、ＥＬ層が欠損する場合がある。このような場合、該ＥＬ層上に上部電
極（本実施の形態では第２の電極）が形成されると、ＥＬ層が形成されていない欠損箇所
において、第１の電極及び第２の電極（陽極及び陰極）が接し、短絡するという不具合が
生じる。

第１の電極の端部を覆う隔壁は、発光素子の発光領域と重なる位置に開口部を有する。こ
の隔壁の端部（開口端）に凹凸が存在すると、発光素子において、ＥＬ層が形成されない
欠損箇所が生じる可能性がある。そして、ＥＬ層が形成されていない欠損箇所において、
第１の電極及び第２の電極（陽極及び陰極）が接し、短絡するという不具合が生じる。

この観点から、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、十分に小さい粒径であることが好ま
しい。かつ、隔壁中に、物理吸着型乾燥剤を多く含みすぎないことが好ましい。なお、物
理吸着型乾燥剤は、粒径が小さいほど表面積が大きくなるため、少量でより大きな吸湿効
果を得ることができる。

具体的に、本発明の一態様の発光装置と比較の発光装置を用いて説明する。図１０（Ａ）
に本発明の一態様の発光装置を示し、図１０（Ｂ）に比較の発光装置を示す。図１０（Ａ
）（Ｂ）に示す発光装置は、第１の基板８０１上に有機ＥＬ素子である発光素子１３０を
有する。

図１０（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置は、第１の基板８０１上に、第１の電極１１８が形成
されている。また、第１の電極１１８の端部は、隔壁１２４で覆われている。また、第１
の電極１１８上にはＥＬ層１２０が形成されており、ＥＬ層１２０上には第２の電極１２
２が形成されている。

図１０（Ａ）に示す本発明の一態様の発光装置と、図１０（Ｂ）に示す比較の発光装置の
違いは、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤である。

図１０（Ｂ）に示す比較の発光装置において、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１
２６は、粒径がＥＬ層１２０の膜厚よりも大きい。図１０（Ａ）に示す本発明の一態様の
発光装置において、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２５は、物理吸着型乾燥剤
１２６に比べて、粒径が小さく、ＥＬ層１２０の膜厚よりも小さい。

図１０（Ｂ）に示すように、隔壁１２４の端部（開口端）に物理吸着型乾燥剤１２６に由
来する凹凸が存在すると、発光素子１３０において、ＥＬ層１２０が形成されない欠損箇
所が生じる。そして、該欠損箇所では、第１の電極１１８及び第２の電極１２２が接し、
短絡するという不具合が生じる。

しかし、本発明の一態様の発光装置において、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１
２５は、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層１２０の膜厚以下である。よって、図１０（Ａ）に
示すように、物理吸着型乾燥剤１２５に由来する凹凸により、ＥＬ層１２０が形成されな
い欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁１２４の端部付近において第１の電極１１８と第
２の電極１２２が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供することができる。

また、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２５の割合が低いほど、乾燥剤に由来す
る凹凸が隔壁の端部に生じる確率が低くなり、ＥＬ層が形成されない欠損箇所が生じるこ
とを抑制することができる。具体的には、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２５
の割合は、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下が好ましく、３０ｗｔ％以下であることがさ
らに好ましい。

また、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２５は、ナノサイズ（つまり最大粒径が
１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることが特に
好ましい。最大粒径が３００ｎｍ以下であると、物理吸着型乾燥剤１２５に由来する凹凸
により、ＥＬ層１２０が形成されない欠損箇所が生じることを特に抑制することができ、
隔壁１２４の端部付近において第１の電極１１８と第２の電極１２２が短絡し難い、信頼
性の高い発光装置を提供することができる。

以下に本発明の一態様の発光装置の一例を示す。

（構成例１）
図１（Ａ）に、本発明の一態様の発光装置の平面図を示す。図１（Ａ）におけるＡ−Ｂ間
の断面図を図１（Ｂ）に示す。

図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置は、第１の基板８０１、第２の基板８０６、及び封止材
８０５に囲まれた空間８１０内に、発光部８０２が設けられている。

発光部８０２は、発光素子１３０（第１の電極１１８、ＥＬ層１２０、及び第２の電極１
２２）を有する。隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆い、かつ発光素子１３０の
発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。また、隔壁１２４は、最大粒径が１ｎ
ｍ以上ＥＬ層１２０の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤１２５を含む。

隔壁１２４は、樹脂を用いて形成することができる。例えば、ポリイミド系樹脂、アクリ
ル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂等を用いることが
できる。

特に、隔壁１２４の作製が容易となるため、感光性の光によってエッチャントに不溶解性
となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感
光性樹脂を用いることが好ましい。

特に、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂は、
透湿性や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾燥剤
が水分等をより吸着しやすく、好ましい。

隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆って設けられている。隔壁１２４の上層に形
成されるＥＬ層１２０や第２の電極１２２の被覆性を良好なものとするため、隔壁１２４
の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、
隔壁１２４の上端部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせ
るのが好ましい。

物理吸着型乾燥剤１２５としては、例えば、シリカゲルやゼオライトを用いることができ
る。特に、ゼオライトは、粒径を十分に小さくする、隔壁を構成する樹脂材料に含ませる
、湿度が低い環境下でも水分等を吸着する、等の観点からも好適に用いることができるた
め好ましい。

物理吸着型乾燥剤１２５は、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層１２０の膜厚以下である。好ま
しくは、１０００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは、３００ｎｍ以下である。このよう
に、物理吸着型乾燥剤１２５がナノサイズの構成であると、隔壁１２４に用いる樹脂中で
凝集しやすい場合がある。シランカップリング剤で表面を修飾した物理吸着型乾燥剤１２
５を用いることで凝集を抑制することができる。

本実施の形態の発光装置は、第１の基板８０１、第２の基板８０６、及び封止材８０５に
囲まれた空間８１０内に、発光部８０２（発光素子１３０）を備えることから、発光装置
の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制でき
る。

かつ、本実施の形態の発光装置において、隔壁１２４は、物理吸着型乾燥剤１２５を含む
。したがって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾
燥剤１２５によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物に
より、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。

さらに、本実施の形態の発光装置において、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２
５は、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層１２０の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤
１２５に由来する凹凸により、ＥＬ層１２０が形成されない欠損箇所が生じることを抑制
し、隔壁１２４の端部付近において第１の電極１１８と第２の電極１２２が短絡すること
を抑制することができる。

なお、本発明において、隔壁１２４は、単層に限られず、複数の層からなっていても良い
。隔壁１２４が、複数の層からなる場合、物理吸着型乾燥剤１２５を少なくともいずれか
一層に含めば良い。複数の層からなる隔壁１２４を備える本発明の一態様の発光装置の例
を以下に示す。

（構成例２）
図１（Ａ）におけるＡ−Ｂ間の断面図を図１（Ｃ）に示す。

図１（Ｃ）に示す発光装置は、第１の基板８０１、第２の基板８０６、及び封止材８０５
に囲まれた空間８１０内に、発光部８０２が設けられている。

発光部８０２は、発光素子１３０（第１の電極１１８、ＥＬ層１２０、及び第２の電極１
２２）を有する。隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆い、かつ発光素子１３０の
発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。

図１（Ｃ）に示す発光装置において、隔壁１２４は、第１の層１２４ａ及び第２の層１２
４ｂからなる。具体的には、第１の層１２４ａ上に第２の層１２４ｂが設けられている。
第１の層１２４ａは、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤１２５
を含む。かつ、第２の層１２４ｂは、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない。

物理吸着型乾燥剤１２５を含む層（構成例２では、第１の層１２４ａ）は、アクリル系樹
脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール系樹脂を用いて形成することが
好ましい。アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びフェノール系樹脂
は、透湿性や透水性が高いため、隔壁の材料として用いることで、該隔壁中に含まれる乾
燥剤が水分等をより吸着しやすく、好ましい。

また、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない層（構成例２では、第２の層１２４ｂ）は、物
理吸着型乾燥剤１２５を含む層と同じ材料で形成しても良く、異なる材料で形成しても良
い。例えば、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あ
るいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、
酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

（構成例３）
図２（Ａ）に示す隔壁２０４のように、第１の層２０４ａの上面形状に比べて、第２の層
２０４ｂの下面形状が小さい構成であっても良い。第１の層２０４ａは、物理吸着型乾燥
剤１２５を含み、かつ、第２の層２０４ｂは、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない。

（構成例４）
図２（Ｂ）に示す隔壁２１４のように、第２の層２１４ｂが、第１の層２１４ａを覆う構
成であっても良い。第１の層２１４ａは、物理吸着型乾燥剤１２５を含み、かつ、第２の
層２１４ｂは、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない。

図２（Ｂ）の構成を適用した発光装置において、隔壁２１４の表面は物理吸着型乾燥剤を
含まない第２の層２１４ｂからなるため、隔壁２１４の端部付近において、第１の電極と
第２の電極がより短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

図２（Ｂ）の構成を適用した発光装置において、物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、第２の
層２１４ｂの膜厚とＥＬ層の膜厚の和より小さければ、隔壁２１４の端部付近において、
第１の電極と第２の電極がより短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができ
る。よって、ＥＬ層が薄い場合であっても、比較的最大粒径の大きな物理吸着型乾燥剤を
適用できる。

（構成例５）
図２（Ｃ）に示す隔壁２２４は、第１の層２２４ａ及び第２の層２２４ｂからなる。具体
的には、第２の層２２４ｂが、第１の層２２４ａを覆う構成である。第１の層２２４ａは
、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない。かつ、第２の層２２４ｂは、最大粒径が１ｎｍ以
上ＥＬ層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤１２５を含む。

（構成例６）
図２（Ｄ）に示す隔壁２３４のように、第１の層２３４ａの上面形状と、第２の層２３４
ｂの下面形状が等しい構成であっても良い。第１の層２３４ａは、物理吸着型乾燥剤１２
５を含まない。かつ、第２の層２３４ｂは、物理吸着型乾燥剤１２５を含む。

（構成例７）
図２（Ｅ）に示す隔壁２４４のように、第１の層２４４ａの上面形状に比べて、第２の層
２４４ｂの下面形状が小さい構成であっても良い。第１の層２４４ａは、物理吸着型乾燥
剤１２５を含まない。かつ、第２の層２４４ｂは、物理吸着型乾燥剤１２５を含む。

構成例５〜７のように、第１の層上に、物理吸着型乾燥剤１２５を含む第２の層が設けら
れていると、設けられていない場合（つまり、隔壁が乾燥剤を含まない従来の隔壁である
場合）に比べて、第１の層とＥＬ層（又は第２の電極）が接する面積が小さく（特に構成
例５では、第１の層２２４ａは、ＥＬ層や第２の電極と接しない）、第１の層に残留する
不純物は、第１の層からＥＬ層（又は第２の電極）に直接侵入しづらい。該不純物は、Ｅ
Ｌ層に侵入する前に、第２の層内に侵入する可能性が高くなる。よって、該不純物を、第
２の層に含まれる物理吸着型乾燥剤１２５によって吸着しやすくなるため、不純物が発光
素子に侵入することを抑制することができる。

特に、構成例６、７は、隔壁の端部（特に末端）が、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない
第１の層からなる。よって、物理吸着型乾燥剤１２５に由来する凹凸が第１の層に存在し
たとしても、第１の層を覆う第２の層により平坦化されるため、ＥＬ層が形成されない欠
損箇所が生じることを特に抑制し、隔壁上に形成する膜の被覆性を高め、第１の電極と第
２の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

＜本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料＞
以下に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、隔壁
及び物理吸着型乾燥剤については先の記載を参酌できる。

［第１の基板８０１、第２の基板８０６］
基板としては、ガラス、石英、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光素子から
の光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアク
リルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート
（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフ
ィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。

なお、第１の基板８０１に含まれる不純物が第１の基板８０１上に設けられる各素子に拡
散することを抑制するため、基板８０１の表面には絶縁層を設けることが好ましい。

［発光素子１３０］
第１の電極１１８は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて
形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用
いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの
合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金
）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が
高いため好ましい。

ＥＬ層１２０は、少なくとも発光物質を含む層（発光層）を有する。そのほか、電子輸送
性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層
、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。ＥＬ層の構成
例は実施の形態４で詳細に説明する。

第２の電極１２２に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、
ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いる
ことができる。

また、第２の電極１２２として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデ
ン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又
は、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。又は、グラフェ
ン等を用いても良い。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する
程度に薄くすればよい。

なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示したが
、ボトムエミッション構造（下面射出構造）又はデュアルエミッション構造（両面射出構
造）の発光装置としても良い。

［封止材８０５］
封止材８０５は、公知のシール材やガラスフリット等を用いて形成できる。具体的には、
熱硬化樹脂、又は光硬化樹脂などの有機樹脂や、低融点ガラスなどの材料を用いることが
できる。また、シール材に乾燥剤が含まれていても良い。

［封止体］
本実施の形態では、封止体として、第２の基板及び封止材を用いる構成を例に説明したが
、封止体として、透湿性の低い薄膜を用いることもできる。透湿性の低い薄膜としては、
無機絶縁膜を用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜等を用いることができる。封止体として、透湿性の低い薄膜を単層又は積層で
用いることができる。また、透湿性の低い薄膜は、第２の基板及び封止材と組み合わせて
適用することもできる。

［空間８１０］
空間８１０は、希ガスもしくは窒素ガスなどの不活性ガス、又は有機樹脂などの固体で充
填されていてもよく、減圧雰囲気であってもよい。

以上のように、本発明の一態様の発光装置は、第１の基板及び封止体に囲まれた空間内に
、発光部（発光素子）を備えることから、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が
侵入し、発光素子が劣化することを抑制できる。

かつ、本発明の一態様の発光装置において、隔壁は、物理吸着型乾燥剤を含む。したがっ
て、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾燥剤によっ
て吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、発光素子が
劣化することを抑制できる。

さらに、本発明の一態様の発光装置において、隔壁に含まれる物理吸着型乾燥剤は、最大
粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤に由来する凹凸に
より、ＥＬ層が形成されない欠損箇所が生じることを抑制し、隔壁の端部付近において第
１の電極と第２の電極が短絡することを抑制することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図３及び図４を用い
て説明する。特に、発光部８０２の作製方法を説明する。

本実施の形態では、隔壁に感光性樹脂を用い、物理吸着型乾燥剤１２５としてゼオライト
を用いる場合を例に挙げて説明する。

（構成例１）
はじめに、構成例１（図１（Ｂ））の作製方法の一例について、図３を用いて説明する。

まず、第１の基板８０１上に第１の電極１１８を形成する（図３（Ａ））。

次に、第１の電極１１８上に、物理吸着型乾燥剤１２５を含む樹脂層１３４を形成する（
図３（Ｂ））。

ここで、樹脂層１３４を形成するための材料について説明する。

まず、物理吸着型乾燥剤１２５として用いる、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層の膜厚以下で
あるゼオライトを、凍結乾燥等で乾燥させる。特に最大粒径が、１ｎｍ以上１０００ｎｍ
以下であることが好ましく、さらに３００ｎｍ以下であることが好ましい。

次に、シランカップリング剤等を用いて、ゼオライトの表面修飾を行う。これにより、樹
脂中でのゼオライトの凝集を抑制することができる。

最後に、押し出し機等を用いて、樹脂層１３４に用いる感光性樹脂にゼオライトを分散さ
せる。このとき、感光性樹脂に含まれるゼオライトの割合は、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ
％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。

以上の工程で得た、物理吸着型乾燥剤１２５を含む感光性樹脂を用いて、樹脂層１３４を
形成する。例えば、不活性雰囲気下で、スピナー、スリットコーター等のコーティング装
置を用いて、ゼオライトを含む感光性樹脂を塗布すれば良い。

そして、マスク１３５を用いて樹脂層１３４に対して選択的に露光を行う。なお、ゼオラ
イトを含む感光性樹脂は、酸素存在下で、光による硬化が起こりにくい場合がある。この
場合、窒素雰囲気やアルゴン雰囲気等の不活性雰囲気で、樹脂層１３４を硬化させること
が好ましい。ここでは、窒素雰囲気下で露光を行う。

その後、現像を行うことで、樹脂層１３４から隔壁１２４を形成する（図３（Ｃ））。

なお、隔壁１２４の形成方法はこれに限られず、スクリーン印刷法や、インクジェット法
を用いて形成しても良い。

次に、隔壁１２４に含まれる水分等の不純物を除去するため、加熱処理を行う。本実施の
形態では、第１の基板８０１を洗浄し、窒素雰囲気下で２００〜３００℃（好ましくは２
５０〜３００℃）の加熱処理を行い、さらに真空中で２００〜３００℃（好ましくは２５
０〜３００℃）の加熱処理を行う。

真空中での加熱処理の後は、大気にさらすことなく第１の基板８０１を搬送し、蒸着を行
い、第１の電極１１８及び隔壁１２４上にＥＬ層１２０を形成する。そして、ＥＬ層１２
０上に、第２の電極１２２を形成する。以上の工程により、第１の基板８０１上に発光素
子１３０を作製することができる。

（構成例２）
次に、構成例２（図１（Ｃ））の作製方法の一例について、図３、４を用いて説明する。

まず、第１の基板８０１上に第１の電極１１８を形成する（図３（Ａ））。

次に、第１の電極１１８上に、物理吸着型乾燥剤１２５を含む第１の層１２４ａを形成す
る。第１の層１２４ａは、構成例１を作製する際の樹脂層１３４の形成方法と同様の方法
で形成することができる。本実施の形態では、ゼオライトを含む感光性樹脂を塗布するこ
とで第１の樹脂層１３４ａを形成し、マスク１３５を用いて第１の樹脂層１３４ａに対し
て選択的に露光を行う（図４（Ａ））。そして、現像を行った後、加熱処理を行うことで
第１の層１２４ａを形成する（図４（Ｂ））。

次に、第１の層１２４ａ上に、物理吸着型乾燥剤１２５を含まない第２の樹脂層１３４ｂ
を形成する。本実施の形態では、窒素雰囲気下で、コーティング装置を用いて、第１の樹
脂層１３４ａに用いる感光性樹脂と同じ樹脂を塗布する。

次に、マスク１３５を用いて第２の樹脂層１３４ｂに対して選択的に露光を行う（図４（
Ｃ））。

その後、現像を行い、加熱処理を行うことで、第２の層１２４ｂを形成する。以上により
、第１の層１２４ａ及び第２の層１２４ｂからなる隔壁１２４を形成する（図４（Ｄ））
。本作製方法では、第１の層１２４ａ及び第２の層１２４ｂを、一つのフォトマスクを用
いて形成することができ、作製に要するマスク枚数が増えないため、好ましい。

なお、第１の樹脂層１３４ａ及び第２の樹脂層１３４ｂを順に塗布した後、一度に露光や
現像、加熱処理を行うことで、第１の層１２４ａ及び第２の層１２４ｂを形成しても良く
、作製工程が少なくなるため、好ましい。

以降は、構成例１と同様の工程を行うことで、第１の基板８０１上に発光素子１３０を作
製することができる（図４（Ｃ））。

（構成例３）
構成例３（図２（Ａ））は、例えば、構成例２の作製方法において、第１の樹脂層１３４
ａに用いる感光性樹脂と、第２の樹脂層１３４ｂに用いる感光性樹脂を異なる材料とし、
第１の層２０４ａと第２の層２０４ｂの現像のレートに差をつけることで作製することが
できる。

（構成例４）
構成例４（図２（Ｂ））は、例えば、構成例２の作製方法において、第１の樹脂層１３４
ａを露光する際に用いるマスクと、第２の樹脂層１３４ｂを露光する際に用いるマスクと
を異なるものとすることで、作製することができる。

（構成例５〜７）
構成例５〜７（図２（Ｃ）〜（Ｅ））では、第１の樹脂層１３４ａを、物理吸着型乾燥剤
１２５を含まない感光性樹脂を用いて形成し、第２の樹脂層１３４ｂを、物理吸着型乾燥
剤１２５を含む感光性樹脂を用いて形成する。それ以外の方法は、構成例５は、構成例４
と同じ方法を適用することができる。同様に、構成例６は、構成例２と同じ方法を、構成
例７は、構成例３と同じ方法を適用することができる。

構成例２、３、６、７は、隔壁が複数の層からなるが、単層の場合と同じ枚数のマスクで
作製することができるため、好ましい。

以上のように、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図５を用いて説明する。図５（Ａ
）は本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、発光装置が備える発
光部の一例を示す断面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）を鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面
図である。

本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板８０１上に、発光
部８０２、駆動回路部８０３（ゲート側駆動回路部）、駆動回路部８０４（ソース側駆動
回路部）及び封止材８０５を有する。発光部８０２及び駆動回路部８０３、８０４は、第
１の基板８０１、第２の基板８０６及び封止材８０５で形成された空間に封止されている
。

該発光装置は、第１の基板８０１、第２の基板８０６、及び封止材８０５に囲まれた空間
８１０内に、発光部８０２（発光素子１３０）を備えることから、発光装置の外部から水
分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。

図５（Ｃ）に示す発光部８０２は、スイッチング用のトランジスタ１４０ａと、電流制御
用のトランジスタ１４０ｂと、電流制御用トランジスタ１４０ｂの配線（ソース電極また
はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１１８とを含む複数の発光ユニットに
より形成されている。

発光素子１３０は、第１の電極１１８、発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層）１２０、
及び第２の電極１２２によって構成されている。また、第１の電極１１８の端部を覆って
隔壁１２４が形成されている。また、隔壁１２４は、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層１２０
の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤１２５を含む。

本実施の形態の発光装置において、隔壁１２４は、物理吸着型乾燥剤１２５を含む。した
がって、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した不純物を、物理吸着型乾燥剤１
２５によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した不純物により、
発光素子１３０が劣化することを抑制できる。

さらに、本実施の形態の発光装置において、隔壁１２４に含まれる物理吸着型乾燥剤１２
５は、最大粒径が１ｎｍ以上ＥＬ層１２０の膜厚以下である。よって、物理吸着型乾燥剤
１２５に由来する凹凸により、ＥＬ層１２０が形成されない欠損箇所が生じることを抑制
し、隔壁１２４の端部付近において第１の電極１１８と第２の電極１２２が短絡すること
を抑制することができる。

図５（Ｂ）に、発光部８０２の別の構成を示す。図５（Ｂ）に示す発光部８０２は、隔壁
１２４上にスペーサ１３７を有する。発光装置において、隔壁１２４上にスペーサ１３７
を備えることで、一対の基板（第１の基板８０１及び第２の基板８０６）の間隔を一定に
保つことができる。スペーサ１３７の形状は逆テーパ形状に限られず、テーパ形状であっ
ても良い。

なお、図２（Ａ）に示した本発明の一態様の隔壁１２４は、膜厚等を適宜選択することで
、第２の層１２４ｂがスペーサの機能を担う構成とすることができる。

第１の基板８０１上には、駆動回路部８０３、８０４に外部からの信号（ビデオ信号、ク
ロック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接
続するための引き回し配線が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８（
Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を設ける例を示している。なお、
ＦＰＣ８０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書に
おける発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にＦＰＣまたはＰＷＢが取り
付けられた状態のものも範疇に含むものとする。

駆動回路部８０３、８０４は、トランジスタを複数有する。図５では、駆動回路部８０３
が、ｎチャネル型のトランジスタ１５２及びｐチャネル型のトランジスタ１５３を組み合
わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のＣＭＯＳ回路
、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の形態では、発
光部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこ
の構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形
成することもできる。

＜本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料＞
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、
発光素子、封止材、空間、物理吸着型乾燥剤及び隔壁については、実施の形態１で例示し
た材料を適用することができる。

［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタ（トランジスタ１４０ａ、１４０ｂ、１
５２、１５３等）の構造は特に限定されない。トップゲート型のトランジスタを用いても
良いし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、チャネ
ルエッチ型やチャネルストップ（チャネル保護）型としても良い。また、トランジスタに
用いる材料についても特に限定されない。

ゲート電極は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用
いて、単層で又は積層して形成することができる。

ゲート絶縁層は、例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は酸化アルミニウムを単層で
又は積層して形成することができる。

半導体層は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半
導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層１
１０としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電
流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子１３０のオフ時のリーク電流が
抑制できるため、好ましい。

ソース電極層及びドレイン電極層としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は該元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、
窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕな
どの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜又はそれ
らの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させ
た構成としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂは、導電
性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２
Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に
酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

［第１の絶縁層１１４、第２の絶縁層１１６］
第１の絶縁層１１４は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果
を奏する。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化ア
ルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

第２の絶縁層１１６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシク
ロブテン等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料
（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を
複数積層させることで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。

第１の絶縁層１１４や第２の絶縁層１１６は、最大粒径が１ｎｍ以上各絶縁層の膜厚以下
の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含んでいても良い。特
に該絶縁膜が、最大粒径が１ｎｍ以上各絶縁層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ
％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。

発光装置を構成する絶縁膜に物理吸着型乾燥剤を含むことで、発光装置の内部に存在する
不純物を、より吸着することができる。よって、トランジスタ及び発光素子の間に設けら
れた絶縁膜（層間絶縁膜）や、第１の基板と有機ＥＬ素子との間に設けられた下地膜等に
、該乾燥剤を含む構成も、本発明の一態様に含まれる。これら絶縁膜に含まれる乾燥剤は
、有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタの表面や内部に侵入し残留した不純物を、吸着す
ることができる。したがって、不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制するこ
とができる。

［スペーサ１３７］
スペーサ１３７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料を用いて形成することができ
る。例えば、無機絶縁材料としては、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることがで
きる。有機絶縁材料としては、感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。ま
た、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。

スペーサは、最大粒径が１ｎｍ以上該スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ
％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特にスペーサが、最大粒径が１
ｎｍ以上該スペーサの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下
の割合で含むことが好ましい。隔壁だけでなく、スペーサにも物理吸着型乾燥剤を含むこ
とで、発光装置の内部に存在する不純物を、より吸着することができる。したがって、発
光装置の内部に存在する不純物により発光素子が劣化することをさらに抑制することがで
きる。

［カラーフィルタ１６６、ブラックマトリクス１６４］
基板８０６には、発光素子１３０（の発光領域）と重なる位置に、着色層であるカラーフ
ィルタ１６６が設けられている。カラーフィルタ１６６は、発光素子１３０からの発光色
を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装
置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の発光ユニットを用いる。そ
の場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用いても良いし、これに黄色（Ｙ
）を加えた４色とすることもできる。

カラーフィルタは、最大粒径が１ｎｍ以上該カラーフィルタの膜厚以下の物理吸着型乾燥
剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含んでいても良い。特にカラーフィルタ
は、最大粒径が１ｎｍ以上該カラーフィルタの膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％
より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特に、カラーフィルタに含まれる
物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、３００ｎｍ以下であることが好ましい。

また、隣接するカラーフィルタ１６６の間（発光素子１３０の発光領域と重ならない位置
）にはブラックマトリクス１６４が設けられている。ブラックマトリクス１６４は隣接す
る発光ユニットの発光素子１３０からの光を遮光し、隣接する発光ユニット間における混
色を抑制する。ここで、カラーフィルタ１６６の端部を、ブラックマトリクス１６４と重
なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス１６
４は、発光素子１３０からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、有機樹脂
などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス１６４は、駆動回
路部８０３などの発光部８０２以外の領域に設けても良い。

ブラックマトリクスは、最大粒径が１ｎｍ以上該ブラックマトリクスの膜厚以下の物理吸
着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含んでいても良い。特にブラッ
クマトリクスは、最大粒径が１ｎｍ以上該ブラックマトリクスの膜厚以下の物理吸着型乾
燥剤を、０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。

また、カラーフィルタ１６６及びブラックマトリクス１６４を覆うオーバーコート層１６
８が形成されている。オーバーコート層１６８は、発光素子１３０からの発光を透過する
材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバ
ーコート層１６８は不要ならば設けなくても良い。

オーバーコート層は、最大粒径が１ｎｍ以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型
乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含んでいても良い。特にオーバーコ
ート層は、最大粒径が１ｎｍ以上該オーバーコート層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、
０ｗｔ％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特に、オーバーコート層
に含まれる物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、３００ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の一態様の発光装置は、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、オーバーコート層
の少なくともいずれか一に物理吸着型乾燥剤を含む構成とすることで、作製工程中等に、
発光装置の内部に侵入し発光装置の内部に残留した不純物を、該物理吸着型乾燥剤によっ
て吸着することができる。

例えば、該物理吸着型乾燥剤は、第１の基板、第２の基板、第１の基板上に設けられた各
膜、又は第２の基板上に設けられた各膜の、表面や内部に侵入し残留した不純物を吸着す
ることができる。特に、該乾燥剤を含む層と近接している膜等（第２の基板や、第２の基
板上に設けられた着色層、ブラックマトリクス、オーバーコート層等）の表面や内部に侵
入し残留した不純物を、容易に吸着することができる。

また、封止能力が低下し、外部から発光装置内に不純物が侵入した場合でも、該物理吸着
型乾燥剤によって不純物を吸着することができる。したがって、不純物により発光素子が
劣化することをさらに抑制することができる。

なお、スペーサ、絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、及びオーバーコート層
において、物理吸着型乾燥剤を含みすぎると、それぞれの層が担う機能を果たせなくなる
恐れがあるため、それぞれの層に含まれる物理吸着型乾燥剤は、５０ｗｔ％以下が好まし
く、３０ｗｔ％以下がさらに好ましい。

また、オーバーコート層及びカラーフィルタは、発光素子が発する光を発光装置の外部に
取り出す際に、該光が通過する層であるため、光の散乱が起こりにくいことが好ましい。
よって、オーバーコート層及びカラーフィルタに含む物理吸着型乾燥剤は、最大粒径が１
ｎｍ以上３００ｎｍ以下であると好ましい。

なお、本実施の形態では、カラーフィルタ方式を用いた発光装置を例に説明したが、本発
明の構成はこれに限られない。例えば、塗り分け方式や、色変換方式を適用しても良い。
なお、着色層の一例である、色変換方式を適用する際に用いる色変換層についても、物理
吸着型乾燥剤を含ませることができる。具体的には、最大粒径が１ｎｍ以上該色変換層の
膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下の割合で含んでいても
良い。特に、最大粒径が１ｎｍ以上該色変換層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を、０ｗｔ
％より多く３０ｗｔ％以下の割合で含むことが好ましい。特に、色変換層に含まれる物理
吸着型乾燥剤の最大粒径は、３００ｎｍ以下が好ましい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用することができるＥＬ層の構成例に
ついて、図６を用いて説明する。

ＥＬ層には公知の物質を用いることができ、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれ
を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する物質には、有機化合物のみから成るもの
だけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。

図６（Ａ）では、第１の電極１１８及び第２の電極１２２の間にＥＬ層１２０を有する。
図６（Ａ）に示すＥＬ層１２０は、第１の電極１１８側から、正孔注入層７０１、正孔輸
送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４及び電子注入層７０５の順で積層されてい
る。

ＥＬ層は、図６（Ｂ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間に複数
積層されていても良い。この場合、積層された第１のＥＬ層１２０ａと第２のＥＬ層１２
０ｂとの間には、電荷発生層７０９を設けることが好ましい。このような構成を有する発
光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がるこ
とで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方
のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層
の構造と組み合わせて用いることができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１
のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合する
と無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得
られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有する
発光素子の場合でも同様である。

ＥＬ層１２０は、図６（Ｃ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間
に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入
バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極１２２と接する複合材料層７
０８を有していても良い。

第２の電極１２２と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用
いて第２の電極１２２を形成する際に、ＥＬ層１２０が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。

電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との
間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層
７０４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成す
ることが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の
高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに
送ることが可能となる。

複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた
構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限ら
れず、二層以上積層しても良い。

正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、銅（ＩＩ）フ
タロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物等を用いることができる
。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）
（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ
［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェ
ニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−
ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌ
ｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシ
チオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポ
リ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いる
ことができる。

特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極１１８からの正孔注入性を良好に
し、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高
い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料
を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極１１８からＥＬ層１２０へ
の正孔注入が容易となる。

複合材料に用いる有機化合物は、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質で
あることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の
ものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列
挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−
４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ
）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：Ｃ
ＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：Ｔ
ＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９
，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ
−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、
９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，
１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス
［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。

また、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物を用いる
ことができる。

電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロ
キノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物
を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化
物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸
化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容
性が高いため好ましい。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、
扱いやすいため、特に好ましい。

正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチ
ルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）
、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導
体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体や、ＰＶＫ、
ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる
。

発光層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いるこ
とができる。

発光層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバ
ゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（
略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙
げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリ
ル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、
Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９
，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェ
ニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル
−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレン
ジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−
２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル
アントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアン
トラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光
材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１
−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−
ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジ
アミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光
材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］
イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス
［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略
称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニ
ル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩ
ｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェ
ニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス
（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（
略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃ
ａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料と
して、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４
’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチ
アゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ
）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニ
ル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）
_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，
５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）_２（ａ
ｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキ
ノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フ
ェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉ
ｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フ
ェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ
））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））など
が挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α
］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’
）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセト
ナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェ
ニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白
金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチ
ルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ
）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノ
フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、
トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナン
トロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類
金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）を有するため、
燐光性化合物として用いることができる。

なお、発光層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（発光物質、ゲスト材料）を
他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のも
のを用いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高
被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（Ｉ
Ｉ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（
ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’
，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−ア
ントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称
：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称
：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、
９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイ
ル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル
）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５
−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称
：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−
Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−
アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：Ｐ
ＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）
、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレ
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層７０３の結晶化を抑
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。

また、発光層７０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発
光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ
）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメ
トキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオ
クチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）
−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９
，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３
］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチ
ル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−
エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系
の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フ
ェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シ
アノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシ
ロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５
−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ
−ＤＰＤ）などが挙げられる。

また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全
体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を２つ有する発光素子に
おいて、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層
を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。

電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベン
ゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、ビス［２−（２−ヒドロキシフ
ェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒド
ロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾー
ル系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯
体以外にも、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができ
る。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であ
る。

電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４
、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗
布法等の方法で形成することができる。

図６（Ｂ）に示す電荷発生層７０９は上述の複合材料で形成することができる。また、電
荷発生層７０９は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この
場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層
や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。

図６（Ｃ）に示す複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプ
ター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。

電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウ
ム等の炭酸塩を含む）等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（酸化リチウム等の酸化
物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）の他、テトラチアナ
フタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用
いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０
４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭ
Ｏ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送
層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０
４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬ
ＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とすると
よい。

電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、Ｓ
ｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ
（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌ
ｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌ
ｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６，
２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の
いずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）
、ＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏｍ
ｐｌｅｘ）は、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、ア
クセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（酸化リチウム等の酸
化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）の他、ＴＴＮ、ニ
ッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレ
ー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発
光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙
げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］
フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオ
ロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤ
Ｉ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５
’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル）等を用いるこ
とができる。

なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すれば良い。

以上により、本実施の形態のＥＬ層を作製することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および
照明器具の一例について、図７乃至図９を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置は、有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電
極が短絡し難い。したがって、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高
い電子機器及び照明装置を実現することができる。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図７乃至図９に示す。

図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐
体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示す
ることが可能であり、本発明の一態様の発光装置を表示部７１０３に用いることができる
。本発明の一態様の発光装置を表示部７１０３に用いることで、信頼性の高いテレビジョ
ン装置を実現することができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１
を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー
７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機
７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キー
ボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。
なお、コンピュータは、本発明の一態様の発光装置をその表示部７２０３に用いることに
より作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部７２０３に用いることで、信頼性の
高いコンピュータを実現することができる。

図７（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成され
ており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７
３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図７
（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、
ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１
１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学
物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えてい
る。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０
４および表示部７３０５の両方、又は一方に本発明の一態様の発光装置を用いていればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明の一態様の発光装
置を表示部７３０４又は／及び表示部７３０５に用いることで、信頼性の高い携帯型遊技
機を実現することができる。図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されてい
るプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線
通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図７（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に
組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピ
ーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本発明
の一態様の発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の一態様の
発光装置を表示部７４０２に用いることで、信頼性の高い携帯電話機を実現することがで
きる。

図７（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表
示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

図７（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部７５０１、傘７５０２、可変アーム７５０３、
支柱７５０４、台７５０５、電源７５０６を含む。なお、卓上照明器具は、本発明の一態
様の発光装置を照明部７５０１に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装
置を照明部７５０１に用いることで、信頼性の高い卓上照明器具を実現することができる
。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。

図８は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置８１１に用いた例である。本発明
の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置に用いることができ
る。その他、ロール型の照明装置８１２として用いることもできる。なお、図８に示すよ
うに、室内の照明装置８１１を備えた部屋で、図７（Ｅ）で説明した卓上照明器具８１３
を併用してもよい。

図９（Ａ）（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図９（Ａ）は、開いた状態
であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、表
示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切り替えスイ
ッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。

表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示され
た操作キー９０３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、残りの半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６
３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９
６３１ａの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを
表示画面として用いることができる。

また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部
をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタンを表示することができる。

また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタ
ッチ入力することもできる。

また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。

また、図９（Ａ）では表示部９６３１ａと表示部９６３１ｂの表示面積が同じ例を示して
いるが特に限定されず、一方の表示部のサイズと他方の表示部のサイズが異なっていても
よく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える
表示パネルとしてもよい。

図９（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６３
３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有す
る。なお、図９（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、Ｄ
ＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。

なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態に
することができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐
久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。

また、この他にも図９（Ａ）（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、
動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機
能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフト
ウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。

タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の一面または二面に設けることで、効率的なバッテリー９６３５の充電を行
う構成とすることができるため好適である。なお、バッテリー９６３５としては、リチウ
ムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。

また、図９（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成及び動作について、図９（Ｃ）に
ブロック図を示し説明する。図９（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、
ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部
９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コン
バータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図９（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３
４に対応する箇所となる。

まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太
陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９
６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部
９６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオン
にしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。

なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧
電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッ
テリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受
信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。

以上のように、本発明の一態様の発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることがで
きる。本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適
用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。

１１０ 半導体層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１４ 第１の絶縁層
１１６ 第２の絶縁層
１１８ 第１の電極
１２０ ＥＬ層
１２０ａ 第１のＥＬ層
１２０ｂ 第２のＥＬ層
１２２ 第２の電極
１２４ 隔壁
１２４ａ 第１の層
１２４ｂ 第２の層
１２５ 物理吸着型乾燥剤
１２６ 物理吸着型乾燥剤
１３０ 発光素子
１３４ 樹脂層
１３４ａ 第１の樹脂層
１３４ｂ 第２の樹脂層
１３５ マスク
１３７ スペーサ
１４０ａ トランジスタ
１４０ｂ トランジスタ
１５２ トランジスタ
１５３ トランジスタ
１６４ ブラックマトリクス
１６６ カラーフィルタ
１６８ オーバーコート層
２０４ 隔壁
２０４ａ 第１の層
２０４ｂ 第２の層
２１４ 隔壁
２１４ａ 第１の層
２１４ｂ 第２の層
２２４ 隔壁
２２４ａ 第１の層
２２４ｂ 第２の層
２３４ 隔壁
２３４ａ 第１の層
２３４ｂ 第２の層
２４４ 隔壁
２４４ａ 第１の層
２４４ｂ 第２の層
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
７０９ 電荷発生層
８０１ 第１の基板
８０２ 発光部
８０３ 駆動回路部
８０４ 駆動回路部
８０５ 封止材
８０６ 第２の基板
８１０ 空間
８１１ 照明装置
８１２ 照明装置
８１３ 卓上照明器具
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７５０１ 照明部
７５０２ 傘
７５０３ 可変アーム
７５０４ 支柱
７５０５ 台
７５０６ 電源
９０３３ 具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９０３７ 操作キー
９０３８ 操作スイッチ
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ コンバータ
９６３９ ボタン

Claims (1)

1. 第１の基板と、第２の基板と、封止材とで囲まれた空間内に発光部を有し、
   前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタ上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層上に設けられ、前記トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極の端部を覆う隔壁と、
   前記第１の電極上及び前記隔壁上のＥＬ層と、
   前記ＥＬ層上の第２の電極と、
   前記第２の基板に接して設けられたブラックマトリクスと、
   前記ブラックマトリクスの端部を覆うカラーフィルタと、
   前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、を有し、
   前記絶縁層は、第１の物理吸着型乾燥剤を有し、
   前記隔壁は、第２の物理吸着型乾燥剤を有し、
   前記ブラックマトリクスは、第３の物理吸着型乾燥剤を有し、
   前記カラーフィルタは、第４の物理吸着型乾燥剤を有し、
   前記オーバーコート層は、第５の物理吸着型乾燥剤を有し、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下
   前記第１の物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、１ｎｍ以上前記絶縁層の膜厚以下であり、
   前記第２の物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、１ｎｍ以上前記ＥＬ層の膜厚以下であり、
   前記第３の物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、１ｎｍ以上前記ブラックマトリクスの膜厚以下であり、
   前記第４の物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
   前記第５の物理吸着型乾燥剤の最大粒径は、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。

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