JP2008134647A - 有機el装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機EL素子の膜構造を、基板1上に陰極2、発光層3、正孔注入層4、透明陽極5の順の積層構造とした。
【選択図】図1
Description
本実施形態では、基板上に少なくとも陰極、発光層、透明陽極、正孔輸送層そして/または正孔注入層が、この順序で積層されている例を示す。図1に本実施形態の有機EL装置の断面を示す。
本実施形態では、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属の酸化物または弗化物の積層からなる具体例を示す。実施形態1の方法において、陰極としてアルミニウムを製膜した後にフォトリソグラフィ工程を通してパターニングし、酸素プラズマ処理したところ、表面に20オングストロームの酸化物層ができていた。この陰極付き基板を用いて、実施形態1の残りの工程を行って、有機EL装置を作成したところ、発光効率が実施例1の2倍(0.2lm/W)であった。
本実施形態では、図3に示す構造であって、基板1上に発光画素群に対応する陰極群2が形成されており、発光画素群間に絶縁体からなる画素間隔壁6が形成されており、画素間隔壁6上に導電性材料から成る補助陽極7が、画素間隔壁6とほぼ同じパターンで形成されている例を示す。
本実施形態では、前記基板上に発光画素群に対応する陰極群が形成されており、発光画素群間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成されており、画素においては少なくとも陰極、発光層、透明陽極、補助陽極が、この順序で積層されている例を示す。
本実施形態では、前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材料である例を示す。
本実施形態では、前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材料、特にカーボンである例を示す。
本実施形態では、基板上にスイッチング素子を含むアクティブマトリックス構造が積層され、平面視において、少なくともそのアクティブマトリックス構造、特に当該スイッチング素子の少なくとも一部が重複するように陰極、発光層、陽極の積層画素構造が形成されている例を示す。図5に本実施形態の有機EL装置の断面構造を示す。
本実施形態では、用いる基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする。本実施例では、シリコン基板上に携帯電話用の電子回路、ディスプレイ駆動用のコントローラ、ドライバー、有機EL装置駆動用のトランジスタまで形成して、表示部に有機EL装置を形成した例を示す。図7に本実施形態の有機EL装置を形成したシリコン基板の概念図を示す。
本実施形態では、前記陽極または前記補助陽極まで形成した後、画素間に対応する部分に光吸収性の層を形成した保護基板を、封止樹脂を介して、基板上の画素と保護基板の画素対応部に位置合わせしつつ張り合わせた例を示す。図8に本実施形態の有機EL装置の断面構造を示した。
本実施形態では基板上に少なくとも陰極、発光層、正孔輸送層、そして/または正孔注入層、透明陽極が、この順序で積層される有機EL装置、特に図1に示す構造の素子の製造方法において、前記発光層を形成した後、発光層表面に親水化処理を施す例を示す。
本実施形態では、基板上に少なくとも絶縁性画素間隔壁が形成され、その後反射性陰極が全面に成膜され、同時に隔壁の段差により陰極と隔壁上の補助陽極が分離され、その後画素内には少なくとも発光層、透明陽極がこの順序で積層される例を示す。図9に本実施形態の有機EL装置の断面構造を示す。
本実施形態では、基板上に陰極を形成した後、基板全面に絶縁性画素間隔壁材料が塗布仮焼成された後、補助陽極になる材料が全面に成膜され、フォトリソグラフィ工程により、まず補助陽極層がパターニングエッチングされ、次にその下の画素間隔壁層がパターニングエッチングされ、画素間隔壁層を本焼成して、その後画素内には少なくとも発光層、透明陽極がこの順序で積層される例を示す。具体的には、図3に示す構造の素子を作成した。
Claims (16)
- 基板上に少なくとも陰極、発光層、陽極が、この順序で積層されて有機EL装置。
- 前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属の酸化物または弗化物の積層からなる請求の範囲第1項記載の有機EL装置。
- 複数の画素を有し、前記基板上に各画素群に対応する陰極が形成されており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成されており、該絶縁体からなる隔壁上に対応する位置に該隔壁と同様のパターンで、導電性材料から成る補助陽極が形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の有機EL装置。
- 複数の画素を有し、前記基板上に各画素に対応する陰極が形成されており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成されており、画素においては少なくとも陰極、発光層、陽極、補助陽極が、この順序で積層されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の有機EL装置。
- 前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材料であることを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載の有機EL装置。
- 前記補助陽極がカーボンまたはクロムであることを特徴とする請求の範囲第5項記載の有機EL装置。
- 前記基板上にスイッチング素子を含むアクティブマトリックス構造が設けられ積層され、平面視において少なくとも該スイッチング素子の少なくとも一部に重複して陰極、発光層、陽極の積層構造が形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の有機EL装置。
- 前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする請求の範囲第1項記載の有機EL装置。
- 前記陽極及び/又は前記補助陽極まで形成した後、画素間に対応する部分に光吸収性の層を形成した保護基板を、封止樹脂を介して、画素と保護基板の画素対応部に位置合わせし張り合わせてあることを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載の有機EL装置。
- 基板上に少なくとも陰極、発光層、陽極を、この順序で積層することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 前記発光層を形成した後、発光層表面に親水化処理を施すことを特徴とする請求の範囲第10項記載の有機EL装置の製造方法。
- 基板上に少なくとも絶縁性画素間隔壁を形成し、その後反射性陰極材料を全面に堆積させ同時に隔壁の段差により陰極と隔壁上の補助陽極を分離して該陰極と該補助電極を形成し、続いて該隔壁で区画された領域に少なくとも発光層、陽極をこの順序で積層することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 基板上に前記陰極を形成した後、基板全面に絶縁性画素間隔壁材料を塗布仮焼成し、補助陽極となる材料を全面に成膜し、続いてフォトリソグラフィ工程により、補助陽極材料の層をパターニングエッチングし、次にその下の画素間隔壁材料の層をパターニングエッチングし、前記隔壁層を本焼成して、その後該隔壁で区画された領域内には少なくとも発光層、陽極をこの順序で積層することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 基板上に複数の画素を複数有する有機EL装置であって、複数の画素の夫々は隔壁によって区画された領域であり、該領域において、基板側から第一の電極、発光層、及び第二の電極がこの順で積層され、発光層からの光が該第二の電極側から外部に出射することを特徴とする有機EL装置。
- 前記複数の画素の夫々にスイッチング素子が設けられていることを特徴とする請求の範囲14項記載の有機EL装置。
- 前記能動素子の少なくとも一部が、平面視において、前記隔壁に重複して設けられることを特徴とする請求の範囲第14項記載の有機EL装置。
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