JPH1165487A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置Info
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- JPH1165487A JPH1165487A JP9225433A JP22543397A JPH1165487A JP H1165487 A JPH1165487 A JP H1165487A JP 9225433 A JP9225433 A JP 9225433A JP 22543397 A JP22543397 A JP 22543397A JP H1165487 A JPH1165487 A JP H1165487A
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- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を形成して
寄生容量などを抑え、かつ、絶縁膜の上層に形成する対
向電極に断線などが発生しないアクティブマトリクス型
表示装置を提供すること。 【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置１で
は、データ線ｓｉｇに寄生する容量を抑えるために、デ
ータ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってレジスト膜
からなるバンク層ｂａｎｋを設け、このバンク層ｂａｎ
ｋの上層側に薄膜発光素子４０の対向電極ｏｐを積層す
る。バンク層ｂａｎｋには途切れ部分ｏｆｆが形成さ
れ、そこはバンク層ｂａｎｋに起因する大きな段差のな
い平坦部分であるので、この部分では対向電極ｏｐの断
線がない。有機半導体膜４３をインクジェット法で形成
する際にはインクジェットヘッドから吐出した液状の材
料をバンク層ｂａｎｋでせき止める。
寄生容量などを抑え、かつ、絶縁膜の上層に形成する対
向電極に断線などが発生しないアクティブマトリクス型
表示装置を提供すること。 【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置１で
は、データ線ｓｉｇに寄生する容量を抑えるために、デ
ータ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってレジスト膜
からなるバンク層ｂａｎｋを設け、このバンク層ｂａｎ
ｋの上層側に薄膜発光素子４０の対向電極ｏｐを積層す
る。バンク層ｂａｎｋには途切れ部分ｏｆｆが形成さ
れ、そこはバンク層ｂａｎｋに起因する大きな段差のな
い平坦部分であるので、この部分では対向電極ｏｐの断
線がない。有機半導体膜４３をインクジェット法で形成
する際にはインクジェットヘッドから吐出した液状の材
料をバンク層ｂａｎｋでせき止める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機半導体膜等の
発光薄膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光
ダイオード）素子などの薄膜発光素子を薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴという。）で駆動制御するアクティブ
マトリクス型表示装置に関するものである。
発光薄膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光
ダイオード）素子などの薄膜発光素子を薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴという。）で駆動制御するアクティブ
マトリクス型表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子またはＬＥＤ素子などの電流制
御型発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装
置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられ
る発光素子はいずれも自己発光するため、液晶表示装置
と違ってバックライトを必要とせず、また、視野角依存
性が少ないなどの利点もある。
御型発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装
置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられ
る発光素子はいずれも自己発光するため、液晶表示装置
と違ってバックライトを必要とせず、また、視野角依存
性が少ないなどの利点もある。
【０００３】図１３は、このような電荷注入型の有機薄
膜ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の
ブロック図を示してある。この図に示すアクティブマト
リクス型表示装置１Ａでは、透明基板１０上に、複数の
走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対し
て交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、
該データ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電線ｃｏｍ
と、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリ
クス状に形成された複数の画素７とが構成されている。
データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに対してはデータ
線駆動回路３および走査線駆動回路４が構成されてい
る。各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介して走査信
号が供給される導通制御回路５０と、この導通制御回路
５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に
基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されてい
る。ここに示す例において、導通制御回路５０は、走査
線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される
第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデ
ータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容
量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画
像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とか
ら構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４
０とは、詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃ
ｏｍとの間に直列に接続している。この薄膜発光素子４
０は、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには共
通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れ込んで発光するとと
もに、この発光状態は保持容量ｃａｐによって所定の期
間、保持される。
膜ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の
ブロック図を示してある。この図に示すアクティブマト
リクス型表示装置１Ａでは、透明基板１０上に、複数の
走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対し
て交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、
該データ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電線ｃｏｍ
と、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリ
クス状に形成された複数の画素７とが構成されている。
データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに対してはデータ
線駆動回路３および走査線駆動回路４が構成されてい
る。各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介して走査信
号が供給される導通制御回路５０と、この導通制御回路
５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に
基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されてい
る。ここに示す例において、導通制御回路５０は、走査
線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される
第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデ
ータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容
量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画
像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とか
ら構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４
０とは、詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃ
ｏｍとの間に直列に接続している。この薄膜発光素子４
０は、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには共
通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れ込んで発光するとと
もに、この発光状態は保持容量ｃａｐによって所定の期
間、保持される。
【０００４】このような構成のアクティブマトリクス型
表示装置１Ａでは、図１４および図１５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、いずれの画素７においても、島状の半導
体膜を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３
０が形成されている。第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極
２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第
１のＴＦＴ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１
層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉ
ｇが電気的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気
的に接続している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ
３０の形成領域に向けて延設されており、この延設部分
には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶
縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続して
いる。第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方
には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介し
て中継電極３５が電気的に接続し、この中継電極３５に
は第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄
膜発光素子４０の画素電極４１が電気的に接続してい
る。
表示装置１Ａでは、図１４および図１５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、いずれの画素７においても、島状の半導
体膜を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３
０が形成されている。第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極
２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第
１のＴＦＴ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１
層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉ
ｇが電気的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気
的に接続している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ
３０の形成領域に向けて延設されており、この延設部分
には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶
縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続して
いる。第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方
には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介し
て中継電極３５が電気的に接続し、この中継電極３５に
は第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄
膜発光素子４０の画素電極４１が電気的に接続してい
る。
【０００５】画素電極４１は、図１４および図１５
（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように各画素７毎に独立して
形成されている。画素電極４１の上層側には、有機半導
体膜４３および対向電極ｏｐがこの順に積層されてい
る。有機半導体膜４３は画素７毎に形成されているが、
複数の画素７に跨がってストライプ状に形成される場合
もある。図１３からわかるように、対向電極ｏｐは、画
素７が構成されている表示部１１だけでなく、透明基板
１０の略全面に形成されている。
（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように各画素７毎に独立して
形成されている。画素電極４１の上層側には、有機半導
体膜４３および対向電極ｏｐがこの順に積層されてい
る。有機半導体膜４３は画素７毎に形成されているが、
複数の画素７に跨がってストライプ状に形成される場合
もある。図１３からわかるように、対向電極ｏｐは、画
素７が構成されている表示部１１だけでなく、透明基板
１０の略全面に形成されている。
【０００６】再び、図１４および図１５（Ａ）におい
て、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一
方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介
して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給
電線ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲー
ト電極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜
５１を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを
構成している。
て、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一
方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介
して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給
電線ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲー
ト電極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜
５１を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを
構成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
アクティブマトリクス型表示装置１Ａにおいて、画素電
極４１に対向する対向電極ｏｐは、液晶アクティブマト
リクス型表示装置と相違して、同じ透明基板１０上にお
いてデータ線ｓｉｇとの間に第２の層間絶縁膜５２しか
有しないので、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生
し、データ線駆動回路３の負荷が大きい。
アクティブマトリクス型表示装置１Ａにおいて、画素電
極４１に対向する対向電極ｏｐは、液晶アクティブマト
リクス型表示装置と相違して、同じ透明基板１０上にお
いてデータ線ｓｉｇとの間に第２の層間絶縁膜５２しか
有しないので、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生
し、データ線駆動回路３の負荷が大きい。
【０００８】そこで、本願発明者は、図１３、図１４、
および図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、対
向電極ｏｐとデータ線ｓｉｇなどとの間に厚い絶縁膜
（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付
した領域）を設け、データ線ｓｉｇに寄生する容量を低
減することを提案する。併せて、この絶縁膜（バンク層
ｂａｎｋ）で有機半導体膜４３の形成領域を囲むことに
よって、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料
（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液
をバンク層ｂａｎｋでせき止め、吐出液が側方にはみ出
すことを防止することを提案する。しかし、かかる構造
を採用すると、厚いバンク層ｂａｎｋの存在に起因して
大きな段差ｂｂが形成され、このバンク層ｂａｎｋの上
層に形成される対向電極ｏｐが前記の段差ｂｂの部分で
断線しやすい。このような段差ｂｂで対向電極ｏｐに断
線が生じると、この部分の対向電極ｏｐは周囲の対向電
極ｏｐから絶縁状態になって表示の点欠陥あるいは線欠
陥を発生させる。また、データ側駆動回路３や走査側駆
動回路４の表面を覆うバンク層ｂａｎｋの外周縁に沿っ
て対向電極ｏｐに断線が起こると、表示部１１の対向電
極ｏｐと端子１２との間が完全に絶縁状態になって表示
が全くできなくなる。
および図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、対
向電極ｏｐとデータ線ｓｉｇなどとの間に厚い絶縁膜
（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付
した領域）を設け、データ線ｓｉｇに寄生する容量を低
減することを提案する。併せて、この絶縁膜（バンク層
ｂａｎｋ）で有機半導体膜４３の形成領域を囲むことに
よって、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料
（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液
をバンク層ｂａｎｋでせき止め、吐出液が側方にはみ出
すことを防止することを提案する。しかし、かかる構造
を採用すると、厚いバンク層ｂａｎｋの存在に起因して
大きな段差ｂｂが形成され、このバンク層ｂａｎｋの上
層に形成される対向電極ｏｐが前記の段差ｂｂの部分で
断線しやすい。このような段差ｂｂで対向電極ｏｐに断
線が生じると、この部分の対向電極ｏｐは周囲の対向電
極ｏｐから絶縁状態になって表示の点欠陥あるいは線欠
陥を発生させる。また、データ側駆動回路３や走査側駆
動回路４の表面を覆うバンク層ｂａｎｋの外周縁に沿っ
て対向電極ｏｐに断線が起こると、表示部１１の対向電
極ｏｐと端子１２との間が完全に絶縁状態になって表示
が全くできなくなる。
【０００９】そこで、本発明の課題は、有機半導体膜の
周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑え、この
厚い絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線などが発生
しないアクティブマトリクス型表示装置を提供すること
にある。
周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑え、この
厚い絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線などが発生
しないアクティブマトリクス型表示装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、基板上に、複数の走査線と、該走査線
に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線
とによってマトリクス状に形成された複数の画素からな
る表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介し
て走査信号がゲート電極に供給されるＴＦＴを含む導通
制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該画素電極
の上層側に積層された発光薄膜、および該発光薄膜の上
層側に形成された対向電極を具備する薄膜発光素子とを
備え、前記データ線から前記導通制御回路を介して供給
される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光する
アクティブマトリクス型表示装置において、前記有機半
導体膜の形成領域は、前記対向電極の下層側に前記有機
半導体膜よりも厚く形成された絶縁膜で区画されている
とともに、該絶縁膜は、各画素毎の対向電極部分同士を
当該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続
させる途切れ部分を備えていることを特徴とする。
め、本発明では、基板上に、複数の走査線と、該走査線
に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線
とによってマトリクス状に形成された複数の画素からな
る表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介し
て走査信号がゲート電極に供給されるＴＦＴを含む導通
制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該画素電極
の上層側に積層された発光薄膜、および該発光薄膜の上
層側に形成された対向電極を具備する薄膜発光素子とを
備え、前記データ線から前記導通制御回路を介して供給
される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光する
アクティブマトリクス型表示装置において、前記有機半
導体膜の形成領域は、前記対向電極の下層側に前記有機
半導体膜よりも厚く形成された絶縁膜で区画されている
とともに、該絶縁膜は、各画素毎の対向電極部分同士を
当該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続
させる途切れ部分を備えていることを特徴とする。
【００１１】本発明において、対向電極表示部に形成さ
れ、データ線と対向する状態にあるため、このままでは
データ線に対して大きな容量が寄生することになる。し
かるに本発明では、データ線と対向電極との間に厚い絶
縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生すること
を防止できる。その結果、データ線駆動回路の負荷を低
減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化
を図ることができる。また、厚い絶縁膜を形成すると、
この絶縁膜は大きな段差を形成し、その上層側に形成さ
れる対向電極に断線が発生させるおそれがあるが、本発
明では、厚い絶縁膜の所定の位置に途切れ部分を構成
し、この部分を平坦にしてある。従って、各領域毎の対
向電極は平坦部分に形成された部分を介して電気的に接
続するので、たとえ、絶縁膜に起因する段差によってこ
の部分で断線しても、絶縁膜の途切れ部分に相当する平
坦部分を介して確実に電気的に接続しているので、対向
基板の断線という不具合が発生しない。それ故、アクテ
ィブマトリクス型表示装置において、有機半導体膜の周
りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えたとして
も、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発生しな
いので、アクティブマトリクス型表示装置の表示品質お
よび信頼性を向上することができる。
れ、データ線と対向する状態にあるため、このままでは
データ線に対して大きな容量が寄生することになる。し
かるに本発明では、データ線と対向電極との間に厚い絶
縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生すること
を防止できる。その結果、データ線駆動回路の負荷を低
減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化
を図ることができる。また、厚い絶縁膜を形成すると、
この絶縁膜は大きな段差を形成し、その上層側に形成さ
れる対向電極に断線が発生させるおそれがあるが、本発
明では、厚い絶縁膜の所定の位置に途切れ部分を構成
し、この部分を平坦にしてある。従って、各領域毎の対
向電極は平坦部分に形成された部分を介して電気的に接
続するので、たとえ、絶縁膜に起因する段差によってこ
の部分で断線しても、絶縁膜の途切れ部分に相当する平
坦部分を介して確実に電気的に接続しているので、対向
基板の断線という不具合が発生しない。それ故、アクテ
ィブマトリクス型表示装置において、有機半導体膜の周
りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えたとして
も、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発生しな
いので、アクティブマトリクス型表示装置の表示品質お
よび信頼性を向上することができる。
【００１２】本発明では、前記導通制御回路は、前記走
査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ、および
該第１のＴＦＴを介してゲート電極が前記データ線に接
続する第２のＴＦＴを備え、該第２のＴＦＴと前記薄膜
発光素子は、前記データ線および走査線とは別に構成さ
れた駆動電流供給用の共通給電線と前記対向電極との間
に直列に接続していることが好ましい。すなわち、導通
制御回路を１つのＴＦＴと保持容量で構成することも可
能ではあるが、表示品位を高くするという観点からすれ
ば各画素の導通制御回路を２つのＴＦＴと保持容量で構
成することが好ましい。
査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ、および
該第１のＴＦＴを介してゲート電極が前記データ線に接
続する第２のＴＦＴを備え、該第２のＴＦＴと前記薄膜
発光素子は、前記データ線および走査線とは別に構成さ
れた駆動電流供給用の共通給電線と前記対向電極との間
に直列に接続していることが好ましい。すなわち、導通
制御回路を１つのＴＦＴと保持容量で構成することも可
能ではあるが、表示品位を高くするという観点からすれ
ば各画素の導通制御回路を２つのＴＦＴと保持容量で構
成することが好ましい。
【００１３】本発明において、前記絶縁膜は、当該絶縁
膜で区画された領域内に前記発光薄膜をインクジェット
法により形成する際に吐出液のはみ出しを防止するバン
ク層として利用することが好ましい。それには、前記絶
縁膜は、膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。
膜で区画された領域内に前記発光薄膜をインクジェット
法により形成する際に吐出液のはみ出しを防止するバン
ク層として利用することが好ましい。それには、前記絶
縁膜は、膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。
【００１４】本発明においては、前記絶縁膜は、前記デ
ータ線および前記走査線に沿って前記発光薄膜の形成領
域の周りを囲んでいる場合には、前記データ線の延設方
向で隣り合う画素の間、前記走査線の延設方向で隣り合
う画素の間、またはそれら双方の方向で隣り合う画素の
間に相当する部分に前記途切れ部分を構成する。
ータ線および前記走査線に沿って前記発光薄膜の形成領
域の周りを囲んでいる場合には、前記データ線の延設方
向で隣り合う画素の間、前記走査線の延設方向で隣り合
う画素の間、またはそれら双方の方向で隣り合う画素の
間に相当する部分に前記途切れ部分を構成する。
【００１５】上記の形態と違って、前記絶縁膜は前記デ
ータ線に沿ってストライプ状に延設される場合があり、
この場合には、該延設方向の少なくとも一方の端部に前
記途切れ部分を構成してもよい。
ータ線に沿ってストライプ状に延設される場合があり、
この場合には、該延設方向の少なくとも一方の端部に前
記途切れ部分を構成してもよい。
【００１６】本発明において、前記画素電極の形成領域
のうち、前記導通制御回路の形成領域と重なる領域は前
記絶縁膜で覆われていることが好ましい。すなわち、前
記画素電極の形成領域のうち、前記導通制御回路の形成
されていない平坦部分のみで前記の厚い絶縁膜を開口
し、この内側のみに有機半導体膜を形成することが好ま
しい。このように構成すると、有機半導体膜の膜厚ばら
つきに起因する表示むらを防止できる。また、画素電極
が形成されていても導通制御回路と重なる領域では、た
とえ対向電極との間に駆動電流が流れて有機半導体膜が
発光しても、この光は導通制御回路に遮られ、表示には
寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で有機半導体
膜に流れる駆動電流は、表示という面からみて無効電流
といえる。そこで、本発明では、従来ならこのような無
効電流が流れるはずの部分に前記の厚い絶縁膜を形成
し、そこに駆動電流が流れることを防止する。その結
果、共通給電線に流れる電流が小さくすることができる
ので、その分、共通給電線の幅を狭くすれば、その結果
として、発光面積を増すことができ、輝度、コントラス
ト比などの表示性能を向上させることができる。
のうち、前記導通制御回路の形成領域と重なる領域は前
記絶縁膜で覆われていることが好ましい。すなわち、前
記画素電極の形成領域のうち、前記導通制御回路の形成
されていない平坦部分のみで前記の厚い絶縁膜を開口
し、この内側のみに有機半導体膜を形成することが好ま
しい。このように構成すると、有機半導体膜の膜厚ばら
つきに起因する表示むらを防止できる。また、画素電極
が形成されていても導通制御回路と重なる領域では、た
とえ対向電極との間に駆動電流が流れて有機半導体膜が
発光しても、この光は導通制御回路に遮られ、表示には
寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で有機半導体
膜に流れる駆動電流は、表示という面からみて無効電流
といえる。そこで、本発明では、従来ならこのような無
効電流が流れるはずの部分に前記の厚い絶縁膜を形成
し、そこに駆動電流が流れることを防止する。その結
果、共通給電線に流れる電流が小さくすることができる
ので、その分、共通給電線の幅を狭くすれば、その結果
として、発光面積を増すことができ、輝度、コントラス
ト比などの表示性能を向上させることができる。
【００１７】本発明では、前記表示部の周囲には、前記
データ線を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回
路、および前記走査線を介して走査信号を供給する走査
線駆動回路を有し、該走査線駆動回路および前記データ
線駆動回路の上層側にも前記絶縁膜が形成されていると
ともに、当該絶縁膜は、前記走査線駆動回路の形成領域
と前記データ線駆動回路の形成領域との間に相当する位
置には前記対向電極を前記表示部側と基板外周側とを当
該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続さ
せる途切れ部分を備えていることが好ましい。このよう
に構成すると、データ線駆動回路や走査線駆動回路の表
面を覆う絶縁膜の外周縁に沿って対向電極に断線が起き
ても、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極とは
該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続
し、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極との間
の電気的接続を確保できる。
データ線を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回
路、および前記走査線を介して走査信号を供給する走査
線駆動回路を有し、該走査線駆動回路および前記データ
線駆動回路の上層側にも前記絶縁膜が形成されていると
ともに、当該絶縁膜は、前記走査線駆動回路の形成領域
と前記データ線駆動回路の形成領域との間に相当する位
置には前記対向電極を前記表示部側と基板外周側とを当
該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続さ
せる途切れ部分を備えていることが好ましい。このよう
に構成すると、データ線駆動回路や走査線駆動回路の表
面を覆う絶縁膜の外周縁に沿って対向電極に断線が起き
ても、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極とは
該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続
し、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極との間
の電気的接続を確保できる。
【００１８】本発明において、前記絶縁膜をレジスト膜
などの有機材料から構成した場合には厚い膜を容易に形
成できる。これに対して、前記絶縁膜を無機材料から構
成した場合には、発光薄膜と接触した状態にあっても、
発光薄膜の変質を防止することができる。
などの有機材料から構成した場合には厚い膜を容易に形
成できる。これに対して、前記絶縁膜を無機材料から構
成した場合には、発光薄膜と接触した状態にあっても、
発光薄膜の変質を防止することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明において、図１３な
いし図１６を説明した要素と共通する部分には同一の符
号を付してある。
形態を説明する。なお、以下の説明において、図１３な
いし図１６を説明した要素と共通する部分には同一の符
号を付してある。
【００２０】［実施の形態１］ （全体構成）図１は、アクティブマトリクス型表示装置
の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
図２は、それに構成されている画素の１つを抜き出して
示す平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図
２のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′
断面図である。
の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
図２は、それに構成されている画素の１つを抜き出して
示す平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図
２のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′
断面図である。
【００２１】図１に示すアクティブマトリクス型表示装
置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示
部１１とされている。透明基板１０の外周部分のうち、
データ線ｓｉｇの端部には画像信号を出力するデータ側
駆動回路３が構成され、走査線ｇａｔｅの端部には走査
信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている。こ
れらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦ
Ｔとによって相補型ＴＦＴが構成され、この相補型ＴＦ
Ｔは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナロ
グスイッチ回路などを構成している。表示部１１では、
液晶アクティブマトリクス型表示装置のアクティブマト
リクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇ
ａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差す
る方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、データ線
ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成
された複数の画素７とが構成されている。
置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示
部１１とされている。透明基板１０の外周部分のうち、
データ線ｓｉｇの端部には画像信号を出力するデータ側
駆動回路３が構成され、走査線ｇａｔｅの端部には走査
信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている。こ
れらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦ
Ｔとによって相補型ＴＦＴが構成され、この相補型ＴＦ
Ｔは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナロ
グスイッチ回路などを構成している。表示部１１では、
液晶アクティブマトリクス型表示装置のアクティブマト
リクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇ
ａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差す
る方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、データ線
ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成
された複数の画素７とが構成されている。
【００２２】各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介し
て走査信号が供給される導通制御回路５０と、この導通
制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画
像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成さ
れている。ここに示す例においては、導通制御回路５０
は、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供
給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を
介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持す
る保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持
された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ
３０とから構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発
光素子４０とは、詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通
給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している。
て走査信号が供給される導通制御回路５０と、この導通
制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画
像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成さ
れている。ここに示す例においては、導通制御回路５０
は、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供
給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を
介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持す
る保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持
された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ
３０とから構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発
光素子４０とは、詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通
給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している。
【００２３】このような構成のアクティブマトリクス型
表示装置１では、図２および図３（（Ａ）、（Ｂ）に示
すように、いずれの画素７においても、島状の半導体膜
（シリコン膜）を利用して第１のＴＦＴ２０および第２
のＴＦＴ３０が形成されている。
表示装置１では、図２および図３（（Ａ）、（Ｂ）に示
すように、いずれの画素７においても、島状の半導体膜
（シリコン膜）を利用して第１のＴＦＴ２０および第２
のＴＦＴ３０が形成されている。
【００２４】第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極２１が走
査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦ
Ｔ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁
膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気
的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気的に接続
している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ３０の形
成領域に向けて延設されており、この延設部分には第２
のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１
のコンタクトホールを介して電気的に接続している。
査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦ
Ｔ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁
膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気
的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気的に接続
している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ３０の形
成領域に向けて延設されており、この延設部分には第２
のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１
のコンタクトホールを介して電気的に接続している。
【００２５】第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域
の一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホール
を介して、データ線ｓｉｇと同時形成された中継電極３
５が電気的に接続し、この中継電極３５には第２の層間
絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４
０のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極４１が電気的に接
続している。
の一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホール
を介して、データ線ｓｉｇと同時形成された中継電極３
５が電気的に接続し、この中継電極３５には第２の層間
絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４
０のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極４１が電気的に接
続している。
【００２６】図２および図３（Ｂ）、（Ｃ）からわかる
ように、画素電極４１は各画素７毎に独立して形成され
ている。画素電極４１の上層側には、発光薄膜としてポ
リフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などのからなる有機半
導体膜４３、およびリチウム含有アルミニウム、カルシ
ウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐがこの順に積層
され、薄膜発光素子４０が構成されている。有機半導体
膜４３は各画素７に形成されているが、複数の画素７に
跨がってストライプ状に形成される場合もある。対向電
極ｏｐは、表示部１１全体と、透明基板１０の端子１２
が形成されている部分の周囲を除いた領域とに形成され
ている。この端子１２は、対向電極ｏｐと同時形成され
た配線（図示せず。）に接続する対向電極ｏｐの端子を
含んでいる。
ように、画素電極４１は各画素７毎に独立して形成され
ている。画素電極４１の上層側には、発光薄膜としてポ
リフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などのからなる有機半
導体膜４３、およびリチウム含有アルミニウム、カルシ
ウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐがこの順に積層
され、薄膜発光素子４０が構成されている。有機半導体
膜４３は各画素７に形成されているが、複数の画素７に
跨がってストライプ状に形成される場合もある。対向電
極ｏｐは、表示部１１全体と、透明基板１０の端子１２
が形成されている部分の周囲を除いた領域とに形成され
ている。この端子１２は、対向電極ｏｐと同時形成され
た配線（図示せず。）に接続する対向電極ｏｐの端子を
含んでいる。
【００２７】なお、薄膜発光素子４０としては、正孔注
入層を設けて発光効率（正孔注入率）を高めた構造、電
子注入層を設けて発光効率（電子注入率）を高めた構
造、正孔注入層および電子注入層の双方を形成した構造
を採用することもできる。
入層を設けて発光効率（正孔注入率）を高めた構造、電
子注入層を設けて発光効率（電子注入率）を高めた構
造、正孔注入層および電子注入層の双方を形成した構造
を採用することもできる。
【００２８】再び、図２および図３（Ａ）において、第
２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方に
は、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して
共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給電線
ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲート電
極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜５１
を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを構成
している。
２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方に
は、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して
共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給電線
ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲート電
極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜５１
を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを構成
している。
【００２９】このようにアクティブマトリクス型表示装
置１において、走査信号によって選択されて第１のＴＦ
Ｔ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇからの画像
信号が第１のＴＦＴ２０を介して第２のＴＦＴ３０のゲ
ート電極３１に印加されるとともに、画像信号が第１の
ＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。そ
の結果、第２のＴＦＴ３０がオン状態になると、対向電
極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極と
して電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた
領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急
激に増大する。従って、発光素子４０は、エレクトロル
ミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発
光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射されて透明な画
素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。
このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏ
ｐ、有機半導体膜４３、画素電極４１、第２のＴＦＴ３
０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を
流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流
れなくなる。但し、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、
第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａ
ｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、
第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発
光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状
態のままである。この状態は、新たな画像データが保持
容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状
態になるまで維持される。
置１において、走査信号によって選択されて第１のＴＦ
Ｔ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇからの画像
信号が第１のＴＦＴ２０を介して第２のＴＦＴ３０のゲ
ート電極３１に印加されるとともに、画像信号が第１の
ＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。そ
の結果、第２のＴＦＴ３０がオン状態になると、対向電
極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極と
して電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた
領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急
激に増大する。従って、発光素子４０は、エレクトロル
ミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発
光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射されて透明な画
素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。
このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏ
ｐ、有機半導体膜４３、画素電極４１、第２のＴＦＴ３
０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を
流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流
れなくなる。但し、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、
第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａ
ｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、
第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発
光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状
態のままである。この状態は、新たな画像データが保持
容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状
態になるまで維持される。
【００３０】（バンク層の構造）このように構成したア
クティブマトリクス型表示装置１において、本形態で
は、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防
止するため、図１、図２、および図３（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａ
ｔｅに沿って、レジスト膜、あるいはポリイミド膜から
なる厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を
広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎ
ｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。このため、
データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間には、第２の層間
絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋが介在しているの
で、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。そ
れ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化
あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
クティブマトリクス型表示装置１において、本形態で
は、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防
止するため、図１、図２、および図３（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａ
ｔｅに沿って、レジスト膜、あるいはポリイミド膜から
なる厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を
広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎ
ｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。このため、
データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間には、第２の層間
絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋが介在しているの
で、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。そ
れ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化
あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００３１】また、図１に示すように、透明基板１０の
周辺領域（表示部１１の外側領域）にもバンク層ｂａｎ
ｋ（形成領域に斜線を付してある。）を形成する。従っ
て、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４はいず
れも、バンク層ｂａｎｋによって覆われている。対向電
極ｏｐは、少なくとも表示部１１に形成される必要があ
り、駆動回路領域に形成する必要はない。しかし、対向
電極ｏｐは、通常、マスクスパッタ法で形成されるた
め、合わせ精度が悪く、対向電極ｏｐと駆動回路とが重
なることがある。しかるに本形態では、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
周辺領域（表示部１１の外側領域）にもバンク層ｂａｎ
ｋ（形成領域に斜線を付してある。）を形成する。従っ
て、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４はいず
れも、バンク層ｂａｎｋによって覆われている。対向電
極ｏｐは、少なくとも表示部１１に形成される必要があ
り、駆動回路領域に形成する必要はない。しかし、対向
電極ｏｐは、通常、マスクスパッタ法で形成されるた
め、合わせ精度が悪く、対向電極ｏｐと駆動回路とが重
なることがある。しかるに本形態では、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
【００３２】さらに、本形態では、画素電極４１の形成
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されている。このた
め、中継電極３５と重なる領域には有機半導体膜４３が
形成されない。すなわち、画素電極４１の形成領域のう
ち、平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されるの
で、有機半導体膜４３は一定の膜厚で形成され、表示む
らを起こさない。また、中継電極３５と重なる領域にバ
ンク層ｂａｎｋがないと、この部分でも対向電極ｏｐと
の間に駆動電流が流れて有機半導体膜４３が発光する。
しかし、この光は中継電極３５と対向電極ｏｐとの間に
挟まれて外に出射されず、表示に寄与しない。かかる表
示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示という面
からみて無効電流といえる。しかるに本形態では、従来
ならこのような無効電流が流れるはずの部分にバンク層
ｂａｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止
するので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れること
が防止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその
分、狭くてよい。その結果として、発光面積を増すこと
ができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上さ
せることができる。
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されている。このた
め、中継電極３５と重なる領域には有機半導体膜４３が
形成されない。すなわち、画素電極４１の形成領域のう
ち、平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されるの
で、有機半導体膜４３は一定の膜厚で形成され、表示む
らを起こさない。また、中継電極３５と重なる領域にバ
ンク層ｂａｎｋがないと、この部分でも対向電極ｏｐと
の間に駆動電流が流れて有機半導体膜４３が発光する。
しかし、この光は中継電極３５と対向電極ｏｐとの間に
挟まれて外に出射されず、表示に寄与しない。かかる表
示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示という面
からみて無効電流といえる。しかるに本形態では、従来
ならこのような無効電流が流れるはずの部分にバンク層
ｂａｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止
するので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れること
が防止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその
分、狭くてよい。その結果として、発光面積を増すこと
ができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上さ
せることができる。
【００３３】さらにまた、本形態では、データ線ｓｉｇ
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７も厚いバンク層ｂａｎｋ
で囲まれている。このため、このままでは、各画素７の
対向電極ｏｐはバンク層ｂａｎｋを乗り越えて隣接する
画素７の対向電極ｏｐと接続することになる。しかるに
本形態では、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの
延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ
部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層ｂａｎｋ
には、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間
に相当する部分にも途切れ部分ｏｆｆが形成されてい
る。さらに、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇお
よび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれに途
切れ部分ｏｆｆが形成されている。
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７も厚いバンク層ｂａｎｋ
で囲まれている。このため、このままでは、各画素７の
対向電極ｏｐはバンク層ｂａｎｋを乗り越えて隣接する
画素７の対向電極ｏｐと接続することになる。しかるに
本形態では、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの
延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ
部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層ｂａｎｋ
には、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間
に相当する部分にも途切れ部分ｏｆｆが形成されてい
る。さらに、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇお
よび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれに途
切れ部分ｏｆｆが形成されている。
【００３４】このような途切れ部分ｏｆｆは厚いバンク
層ｂａｎｋがないので、バンク層ｂａｎｋに起因する大
きな段差のない平坦部分であり、この部分に形成されて
いる対向電極ｏｐは断線することがない。従って、各画
素７の対向電極７は、バンク層ｂａｎｋに起因する段差
のない平坦部分を介して確実に接続していることにな
る。それ故、画素７の周りに厚い絶縁膜（バンク層ｂａ
ｎｋ）を形成して寄生容量などを抑えても、この厚い絶
縁膜（バンク層ｂａｎｋ）の上層に形成する対向電極ｏ
ｐに断線が発生しない。
層ｂａｎｋがないので、バンク層ｂａｎｋに起因する大
きな段差のない平坦部分であり、この部分に形成されて
いる対向電極ｏｐは断線することがない。従って、各画
素７の対向電極７は、バンク層ｂａｎｋに起因する段差
のない平坦部分を介して確実に接続していることにな
る。それ故、画素７の周りに厚い絶縁膜（バンク層ｂａ
ｎｋ）を形成して寄生容量などを抑えても、この厚い絶
縁膜（バンク層ｂａｎｋ）の上層に形成する対向電極ｏ
ｐに断線が発生しない。
【００３５】しかも、走査側駆動回路４およびデータ側
駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、
走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形
成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが形成
されている。このため、表示部１１の側の対向電極ｏｐ
と基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの
途切れ部分ｏｆｆを介して接続し、この途切れ部分ｏｆ
ｆもバンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分で
ある。従って、この途切れ部分ｏｆｆに形成されている
対向電極ｏｐは断線することがないので、表示部１１の
側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バ
ンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して確実に接続
し、この基板外周側の対向電極ｏｐに配線接続されてい
る端子１２と表示部１１の対向電極ｏｐとは確実に接続
している。
駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、
走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形
成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが形成
されている。このため、表示部１１の側の対向電極ｏｐ
と基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの
途切れ部分ｏｆｆを介して接続し、この途切れ部分ｏｆ
ｆもバンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分で
ある。従って、この途切れ部分ｏｆｆに形成されている
対向電極ｏｐは断線することがないので、表示部１１の
側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バ
ンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して確実に接続
し、この基板外周側の対向電極ｏｐに配線接続されてい
る端子１２と表示部１１の対向電極ｏｐとは確実に接続
している。
【００３６】なお、バンク層ｂａｎｋを黒色のレジスト
によって形成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマト
リクスとして機能し、コントラスト比などの表示の品位
が向上する。すなわち、本形態に係るアクティブマトリ
クス型表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０の
表面側において画素７の全面に形成されるため、対向電
極ｏｐでの反射光がコントラスト比を低下させる。しか
るに寄生容量を防止する機能を担うバンク層ｂａｎｋを
黒色のレジストで構成すると、バンク層ｂａｎｋはブラ
ックマトリクスとしても機能し、対向電極ｏｐからの反
射光を遮るので、コントラスト比が向上する。
によって形成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマト
リクスとして機能し、コントラスト比などの表示の品位
が向上する。すなわち、本形態に係るアクティブマトリ
クス型表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０の
表面側において画素７の全面に形成されるため、対向電
極ｏｐでの反射光がコントラスト比を低下させる。しか
るに寄生容量を防止する機能を担うバンク層ｂａｎｋを
黒色のレジストで構成すると、バンク層ｂａｎｋはブラ
ックマトリクスとしても機能し、対向電極ｏｐからの反
射光を遮るので、コントラスト比が向上する。
【００３７】（アクティブマトリクス型表示装置の製造
方法）このように形成したバンク層ｂａｎｋは、有機半
導体膜４３の形成領域を囲むように構成されているの
で、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、
インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出
液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をせき
止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、
以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置１の製
造方法において、透明基板１０上に第１のＴＦＴ２０お
よび第２のＴＦＴ３０を製造するまでの工程は、液晶ア
クティブマトリクス型表示装置１のアクティブマトリク
ス基板を製造する工程と略同様であるため、図３
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照してその概略を簡単に説
明する。
方法）このように形成したバンク層ｂａｎｋは、有機半
導体膜４３の形成領域を囲むように構成されているの
で、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、
インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出
液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をせき
止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、
以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置１の製
造方法において、透明基板１０上に第１のＴＦＴ２０お
よび第２のＴＦＴ３０を製造するまでの工程は、液晶ア
クティブマトリクス型表示装置１のアクティブマトリク
ス基板を製造する工程と略同様であるため、図３
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照してその概略を簡単に説
明する。
【００３８】まず、透明基板１０に対して、必要に応じ
て、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなど
を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０
００〜５０００オングストロームのシリコン酸化膜から
なる下地保護膜（図示せず。）を形成した後、下地保護
膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７
００オングストロームのアモルファスのシリコン膜から
なる半導体膜を形成する。次にアモルファスのシリコン
膜からなる半導体膜に対して、レーザアニールまたは固
相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜をポリシリ
コン膜に結晶化する。
て、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなど
を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０
００〜５０００オングストロームのシリコン酸化膜から
なる下地保護膜（図示せず。）を形成した後、下地保護
膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７
００オングストロームのアモルファスのシリコン膜から
なる半導体膜を形成する。次にアモルファスのシリコン
膜からなる半導体膜に対して、レーザアニールまたは固
相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜をポリシリ
コン膜に結晶化する。
【００３９】次に、半導体膜をパターニングして島状の
半導体膜とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズ
マＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングスト
ロームのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶
縁膜５７を形成する。
半導体膜とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズ
マＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングスト
ロームのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶
縁膜５７を形成する。
【００４０】次に、アルミニウム、タンタル、モリブデ
ン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜
をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲー
ト電極２１、３１、およびゲート電極３１の延設部分３
６を形成する（ゲート電極形成工程）。この工程では走
査線ｇａｔｅも形成する。
ン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜
をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲー
ト電極２１、３１、およびゲート電極３１の延設部分３
６を形成する（ゲート電極形成工程）。この工程では走
査線ｇａｔｅも形成する。
【００４１】この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込
んで、ゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソー
ス・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入され
なかった部分がチャネル領域となる。
んで、ゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソー
ス・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入され
なかった部分がチャネル領域となる。
【００４２】次に、第１の層間絶縁膜５１を形成した
後、各コンタクトホールを形成し、次に、データ線ｓｉ
ｇ、ドレイン電極２２、共通給電線ｃｏｍ、共通給電線
ｃｏｍの延設部分３９、および中継電極３５を形成す
る。その結果、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、
および保持容量ｃａｐが形成される。
後、各コンタクトホールを形成し、次に、データ線ｓｉ
ｇ、ドレイン電極２２、共通給電線ｃｏｍ、共通給電線
ｃｏｍの延設部分３９、および中継電極３５を形成す
る。その結果、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、
および保持容量ｃａｐが形成される。
【００４３】次に、第２の層間絶縁膜５２を形成し、こ
の層間絶縁膜には、中継電極３５に相当する部分にコン
タクトホール形成する。次に、第２の層間絶縁膜５２の
表面全体にＩＴＯ膜を形成した後、パターニングし、コ
ンタクトホールを介して第２のＴＦＴ３０のソース・ド
レイン領域に電気的に接続する画素電極４１を画素７毎
に形成する。
の層間絶縁膜には、中継電極３５に相当する部分にコン
タクトホール形成する。次に、第２の層間絶縁膜５２の
表面全体にＩＴＯ膜を形成した後、パターニングし、コ
ンタクトホールを介して第２のＴＦＴ３０のソース・ド
レイン領域に電気的に接続する画素電極４１を画素７毎
に形成する。
【００４４】次に、第２の層間絶縁膜５２の表面側にレ
ジスト層を形成した後、このレジストを走査線ｇａｔｅ
およびデータ線ｓｉｇに沿って残すようにパターニング
し、バンク層ｂａｎｋを形成する。また、バンク層ｂａ
ｎｋの所定部分には途切れ部分ｏｆｆを形成しておく。
このとき、データ線ｓｉｇに沿って残すレジスト部分は
共通給電線ｃｏｍを覆うように幅広とする。その結果、
発光素子４０の有機半導体膜４３を形成すべき領域はバ
ンク層ｂａｎｋに囲まれる。
ジスト層を形成した後、このレジストを走査線ｇａｔｅ
およびデータ線ｓｉｇに沿って残すようにパターニング
し、バンク層ｂａｎｋを形成する。また、バンク層ｂａ
ｎｋの所定部分には途切れ部分ｏｆｆを形成しておく。
このとき、データ線ｓｉｇに沿って残すレジスト部分は
共通給電線ｃｏｍを覆うように幅広とする。その結果、
発光素子４０の有機半導体膜４３を形成すべき領域はバ
ンク層ｂａｎｋに囲まれる。
【００４５】次に、バンク層ｂａｎｋでマトリクス状に
区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、
Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していく。
それには、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインク
ジェットヘッドから、有機半導体膜４３を構成するため
の液状の材料（前駆体）を吐出し、それをバンク層ｂａ
ｎｋの内側領域で定着させて有機半導体膜４３を形成す
る。ここで、バンク層ｂａｎｋはレジストから構成され
ているため、撥水性である。これに対して、有機半導体
膜４３の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、たと
え有機半導体膜４３の形成領域を区画するバンク層ｂａ
ｎｋに途切れ部分ｏｆｆがあったとしても、かかる途切
れ部分ｏｆｆは狭いので、有機半導体膜４３の塗布領域
はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する
画素７にはみ出ることがない。それ故、有機半導体膜４
３などを所定領域内だけに形成できる。この工程におい
て、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は表面張
力の影響で約２μｍないし約４μｍの厚さに盛り上がる
ため、バンク層ｂａｎｋは約１μｍないし約３μｍの厚
さが必要である。なお、定着した後の有機半導体膜４３
の厚さは約０．０５μｍから約０．２μｍである。な
お、予めバンク層ｂａｎｋからなる隔壁が１μｍ以上の
高さであれば、バンク層ｂａｎｋが撥水性でなくても、
バンク層ｂａｎｋは隔壁として十分に機能する。かかる
厚いバンク層ｂａｎｋを形成しておけば、インクジェッ
ト法に代えて、塗布法で有機半導体膜４３を形成する場
合でもその形成領域を規定できる。
区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、
Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していく。
それには、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインク
ジェットヘッドから、有機半導体膜４３を構成するため
の液状の材料（前駆体）を吐出し、それをバンク層ｂａ
ｎｋの内側領域で定着させて有機半導体膜４３を形成す
る。ここで、バンク層ｂａｎｋはレジストから構成され
ているため、撥水性である。これに対して、有機半導体
膜４３の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、たと
え有機半導体膜４３の形成領域を区画するバンク層ｂａ
ｎｋに途切れ部分ｏｆｆがあったとしても、かかる途切
れ部分ｏｆｆは狭いので、有機半導体膜４３の塗布領域
はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する
画素７にはみ出ることがない。それ故、有機半導体膜４
３などを所定領域内だけに形成できる。この工程におい
て、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は表面張
力の影響で約２μｍないし約４μｍの厚さに盛り上がる
ため、バンク層ｂａｎｋは約１μｍないし約３μｍの厚
さが必要である。なお、定着した後の有機半導体膜４３
の厚さは約０．０５μｍから約０．２μｍである。な
お、予めバンク層ｂａｎｋからなる隔壁が１μｍ以上の
高さであれば、バンク層ｂａｎｋが撥水性でなくても、
バンク層ｂａｎｋは隔壁として十分に機能する。かかる
厚いバンク層ｂａｎｋを形成しておけば、インクジェッ
ト法に代えて、塗布法で有機半導体膜４３を形成する場
合でもその形成領域を規定できる。
【００４６】しかる後には、透明基板１０の略全面に対
向電極ｏｐを形成する。
向電極ｏｐを形成する。
【００４７】このような製造方法によれば、インクジェ
ット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各
有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーの
アクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造
できる。
ット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各
有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーの
アクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造
できる。
【００４８】なお、図１に示すデータ側駆動回路３や走
査側駆動回路４にもＴＦＴが形成されるが、これらのＴ
ＦＴは前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部
あるいは一部を援用して行われる。それ故、駆動回路を
構成するＴＦＴも、画素７のＴＦＴと同一の層間に形成
されることになる。また、前記第１のＴＦＴ２０、およ
び第２のＴＦＴ３０については、双方がＮ型、双方がＰ
型、一方がＮ型で他方がＰ型のいずれでもよいが、この
ようないずれの組合せであっても周知の方法でＴＦＴを
形成していけるので、その説明を省略する。
査側駆動回路４にもＴＦＴが形成されるが、これらのＴ
ＦＴは前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部
あるいは一部を援用して行われる。それ故、駆動回路を
構成するＴＦＴも、画素７のＴＦＴと同一の層間に形成
されることになる。また、前記第１のＴＦＴ２０、およ
び第２のＴＦＴ３０については、双方がＮ型、双方がＰ
型、一方がＮ型で他方がＰ型のいずれでもよいが、この
ようないずれの組合せであっても周知の方法でＴＦＴを
形成していけるので、その説明を省略する。
【００４９】［実施の形態１の変形例１］図４は、アク
ティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式
的に示すブロック図である。図５は、それに構成されて
いる画素の１つを抜き出して示す平面図、図６（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−
Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形
態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通
する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な
説明を省略する。
ティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式
的に示すブロック図である。図５は、それに構成されて
いる画素の１つを抜き出して示す平面図、図６（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−
Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形
態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通
する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な
説明を省略する。
【００５０】図４、図５、および図６（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型
表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅ
に沿って、レジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂ
ａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を
設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを
形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向電極ｏ
ｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂ
ａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する
容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を
低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図
ることができる。
（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型
表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅ
に沿って、レジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂ
ａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を
設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを
形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向電極ｏ
ｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂ
ａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する
容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を
低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図
ることができる。
【００５１】また、透明基板１０の周辺領域（表示部１
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回
路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａ
ｎｋによって覆われている。このため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回
路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａ
ｎｋによって覆われている。このため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
【００５２】さらに、本形態では、画素電極４１の形成
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、無駄
な無効電流が流れることを防止できる。それ故、共通給
電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、無駄
な無効電流が流れることを防止できる。それ故、共通給
電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。
【００５３】さらにまた、本形態では、データ線ｓｉｇ
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲
まれている。このため、インクジェット法を利用して所
定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を
形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリク
ス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲
まれている。このため、インクジェット法を利用して所
定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を
形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリク
ス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【００５４】しかも、バンク層ｂａｎｋには、走査線ｇ
ａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分
に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層
ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの
各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆが形
成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ
側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋ
は、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３
の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが
形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂ
ａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆ
ｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
ａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分
に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層
ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの
各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆが形
成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ
側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋ
は、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３
の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが
形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂ
ａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆ
ｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
【００５５】［実施の形態１の変形例２］図７は、アク
ティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式
的に示すブロック図である。図８は、それに構成されて
いる画素の１つを抜き出して示す平面図、図９（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図８のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−
Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形
態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通
する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な
説明を省略する。
ティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式
的に示すブロック図である。図８は、それに構成されて
いる画素の１つを抜き出して示す平面図、図９（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図８のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−
Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形
態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通
する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な
説明を省略する。
【００５６】図７、図８、および図９（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型
表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅ
に沿って、レジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂ
ａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を
設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを
形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向電極ｏ
ｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂ
ａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する
容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を
低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図
ることができる。
（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型
表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅ
に沿って、レジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂ
ａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を
設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを
形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向電極ｏ
ｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂ
ａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する
容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を
低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図
ることができる。
【００５７】また、透明基板１０の周辺領域（表示部１
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回
路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａ
ｎｋによって覆われている。このため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）を形成する。従って、データ側駆動回
路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａ
ｎｋによって覆われている。このため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
【００５８】さらに、本形態では、画素電極４１の形成
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、無駄
な無効電流が流れることを防止できる。それ故、共通給
電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。
領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる
領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、無駄
な無効電流が流れることを防止できる。それ故、共通給
電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。
【００５９】さらにまた、本形態では、データ線ｓｉｇ
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲
まれている。このため、インクジェット法を利用して所
定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を
形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリク
ス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
および走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成
してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲
まれている。このため、インクジェット法を利用して所
定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を
形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリク
ス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【００６０】しかも、バンク層ｂａｎｋには、データ線
ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分
に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層
ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの
各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆが形
成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ
側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋ
は、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３
の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが
形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂ
ａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆ
ｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分
に途切れ部分ｏｆｆが形成されている。また、バンク層
ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの
各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆが形
成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ
側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋ
は、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３
の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆが
形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂ
ａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆ
ｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
【００６１】［実施の形態２］図１０は、アクティブマ
トリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示す
ブロック図である。図１１は、それに構成されている画
素の１つを抜き出して示す平面図、図１２（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１１のＡ−Ａ′断面図、Ｂ
−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本
形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共
通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細
な説明を省略する。
トリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示す
ブロック図である。図１１は、それに構成されている画
素の１つを抜き出して示す平面図、図１２（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１１のＡ−Ａ′断面図、Ｂ
−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本
形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共
通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細
な説明を省略する。
【００６２】図１０、図１１、および図１２（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマト
リクス型表示装置１では、データ線ｓｉｇに沿って、レ
ジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下
がりの斜線を広いピッチで付した領域）がストライプ状
に形成され、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極
ｏｐを形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向
電極ｏｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバン
ク層ｂａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄
生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の
負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速
化を図ることができる。
（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマト
リクス型表示装置１では、データ線ｓｉｇに沿って、レ
ジスト膜からなる厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下
がりの斜線を広いピッチで付した領域）がストライプ状
に形成され、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極
ｏｐを形成してある。このため、データ線ｓｉｇと対向
電極ｏｐとの間には、第２の層間絶縁膜５２と厚いバン
ク層ｂａｎｋが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄
生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の
負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速
化を図ることができる。
【００６３】また、透明基板１０の周辺領域（表示部１
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）が形成されている。従って、データ側
駆動回路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク
層ｂａｎｋによって覆われているため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線
を付してある。）が形成されている。従って、データ側
駆動回路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク
層ｂａｎｋによって覆われているため、これらの駆動回
路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっ
ても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク
層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路
３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回
路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。
【００６４】さらに、本形態では、データ線ｓｉｇに沿
ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、バンク層ｂ
ａｎｋでストライプ状に区画された領域内にインクジェ
ット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜
４３をストライプ状に形成していけるので、フルカラー
のアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製
造できる。
ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、バンク層ｂ
ａｎｋでストライプ状に区画された領域内にインクジェ
ット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜
４３をストライプ状に形成していけるので、フルカラー
のアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製
造できる。
【００６５】しかも、バンク層ｂａｎｋには、データ線
ｓｉｇの延設方向の端部に途切れ部分ｏｆｆが形成され
ている。従って、各画素７の対向電極ｏｐは、走査線ｇ
ａｔｅの延設方向では、隣接する画素７の対向電極ｏｐ
に対して厚いバンク層ｂａｎｋを乗り越えて接続してい
る。それでも、データ線ｓｉｇの延設方向を辿っていく
と、各画素７の対向電極ｏｐは、データ線ｓｉｇの端部
で途切れ部分ｏｆｆ（（バンク層ｂａｎｋに起因する段
差のない平坦部分）を介して、走査線ｇａｔｅの延設方
向で隣接する画素７の列と接続している。それ故、各画
素７の対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段
差のない平坦部分を介して他の画素７の対向電極ｏｐに
接続しているといえ、いずれの画素７の対向電極ｏｐも
断線状態になることはない。
ｓｉｇの延設方向の端部に途切れ部分ｏｆｆが形成され
ている。従って、各画素７の対向電極ｏｐは、走査線ｇ
ａｔｅの延設方向では、隣接する画素７の対向電極ｏｐ
に対して厚いバンク層ｂａｎｋを乗り越えて接続してい
る。それでも、データ線ｓｉｇの延設方向を辿っていく
と、各画素７の対向電極ｏｐは、データ線ｓｉｇの端部
で途切れ部分ｏｆｆ（（バンク層ｂａｎｋに起因する段
差のない平坦部分）を介して、走査線ｇａｔｅの延設方
向で隣接する画素７の列と接続している。それ故、各画
素７の対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段
差のない平坦部分を介して他の画素７の対向電極ｏｐに
接続しているといえ、いずれの画素７の対向電極ｏｐも
断線状態になることはない。
【００６６】［その他の実施の形態］なお、バンク層ｂ
ａｎｋ（絶縁膜）についてはレジスト膜、ポリイミド膜
などの有機材料から構成した場合には厚い膜を容易に形
成できるが、バンク層ｂａｎｋ（絶縁膜）をＣＶＤ法あ
るいはＳＯＧ法で成膜したシリコン酸化膜あるいはシリ
コン窒化膜などの無機材料から構成した場合には、有機
半導体膜４３と接触した状態にあっても有機半導体膜４
３の変質を防止することができる。
ａｎｋ（絶縁膜）についてはレジスト膜、ポリイミド膜
などの有機材料から構成した場合には厚い膜を容易に形
成できるが、バンク層ｂａｎｋ（絶縁膜）をＣＶＤ法あ
るいはＳＯＧ法で成膜したシリコン酸化膜あるいはシリ
コン窒化膜などの無機材料から構成した場合には、有機
半導体膜４３と接触した状態にあっても有機半導体膜４
３の変質を防止することができる。
【００６７】また、保持容量ｃａｐについては共通給電
線ｃｏｍとの間に形成した構造の他、走査線ｇａｔｅと
並列に形成した容量線との間に形成してもよい。
線ｃｏｍとの間に形成した構造の他、走査線ｇａｔｅと
並列に形成した容量線との間に形成してもよい。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るアク
ティブマトリクス型表示装置では、データ線と対向電極
との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量
が寄生することを防止できる。それ故、データ線駆動回
路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。また、厚い絶縁膜の
所定の位置に途切れ部分を構成し、この部分を平坦にし
てある。従って、各領域毎の対向電極は平坦部分に形成
された部分を介して電気的に接続するので、たとえ、絶
縁膜に起因する段差によってこの部分で断線しても、絶
縁膜の途切れ部分に相当する平坦部分を介して確実に電
気的に接続している。よって、有機半導体膜等の発光薄
膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えた
としても、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発
生しないので、アクティブマトリクス型表示装置の表示
品質および信頼性を向上することができる。
ティブマトリクス型表示装置では、データ線と対向電極
との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量
が寄生することを防止できる。それ故、データ線駆動回
路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示
動作の高速化を図ることができる。また、厚い絶縁膜の
所定の位置に途切れ部分を構成し、この部分を平坦にし
てある。従って、各領域毎の対向電極は平坦部分に形成
された部分を介して電気的に接続するので、たとえ、絶
縁膜に起因する段差によってこの部分で断線しても、絶
縁膜の途切れ部分に相当する平坦部分を介して確実に電
気的に接続している。よって、有機半導体膜等の発光薄
膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えた
としても、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発
生しないので、アクティブマトリクス型表示装置の表示
品質および信頼性を向上することができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリ
クス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロ
ック図である。
クス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロ
ック図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置に
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図２のＡ−
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
【図４】本発明の実施の形態１の変形例１に係るアクテ
ィブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的
に示すブロック図である。
ィブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的
に示すブロック図である。
【図５】図４に示すアクティブマトリクス型表示装置に
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
【図７】本発明の実施の形態１の変形例２に係るアクテ
ィブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的
に示すブロック図である。
ィブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的
に示すブロック図である。
【図８】図７に示すアクティブマトリクス型表示装置に
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図であ
る。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図８のＡ−
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図で
ある。
【図１０】本発明の実施の形態２に係るアクティブマト
リクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブ
ロック図である。
リクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブ
ロック図である。
【図１１】図１０に示すアクティブマトリクス型表示装
置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図
である。
置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図
である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１１の
Ａ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面
図である。
Ａ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面
図である。
【図１３】従来および本発明の比較例に係るアクティブ
マトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示
すブロック図である。
マトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示
すブロック図である。
【図１４】図１３に示すアクティブマトリクス型表示装
置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図
である。
置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図
である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１４の
Ａ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面
図である。
Ａ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面
図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１４の
別のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′
断面図である。
別のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′
断面図である。
１ アクティブマトリクス型表示装置 ２ 表示部 ３ データ側駆動回路 ４ 走査側駆動回路 ７ 画素 １０ 透明基板 １２ 端子 ２０ 第１のＴＦＴ ２１ 第１のＴＦＴのゲート電極 ３０ 第２のＴＦＴ ３１ 第２のＴＦＴのゲート電極 ４０ 発光素子 ４１ 画素電極 ４３ 有機半導体 ｂａｎｋ バンク層（絶縁膜） ｃａｐ 保持容量 ｃｏｍ 共通給電線 ｇａｔｅ 走査線 ｏｐ 対向電極 ｓｉｇ データ線 ｏｆｆ バンク層の途切れ部分
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に、複数の走査線と、該走査線に
交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線と
によってマトリクス状に形成された複数の画素からなる
表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して
走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを
含む導通制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該
画素電極の上層側に積層された発光薄膜、および該発光
薄膜の上層側に形成された対向電極を具備する薄膜発光
素子とを備え、前記データ線から前記導通制御回路を介
して供給される画像信号に基づいて前記発光薄膜が発光
するアクティブマトリクス型表示装置において、 前記発光薄膜の形成領域は、前記対向電極の下層側に前
記発光薄膜よりも厚く形成された絶縁膜で区画されてい
るとともに、 該絶縁膜は、各画素毎の対向電極部分同士を当該絶縁膜
に起因する段差のない平坦部分を介して接続させる途切
れ部分を備えていることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記導通制御回路
は、前記走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜
トランジスタ、および該第１の薄膜トランジスタを介し
てゲート電極が前記データ線に接続する第２の薄膜トラ
ンジスタを備え、 該第２の薄膜トランジスタと前記薄膜発光素子は、前記
データ線および走査線とは別に構成された駆動電流供給
用の共通給電線と前記対向電極との間に直列に接続して
いることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記絶縁膜
は、当該絶縁膜で区画された領域内に前記発光薄膜をイ
ンクジェット法により形成する際に吐出液のはみ出しを
防止するバンク層であることを特徴とするアクティブマ
トリクス型表示装置。 - 【請求項４】 請求項３において、前記絶縁膜は、膜厚
が１μｍ以上であることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記絶縁膜は、前記データ線および前記走査線に沿って
前記発光薄膜の形成領域の周りを囲むように形成されて
なり、前記データ線および前記走査線の各延設方向で隣
り合う画素の間に相当する部分に前記途切れ部分を備え
ていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記絶縁膜は、前記データ線および前記走査線に沿って
形成されていることにより前記発光薄膜の形成領域の周
りを囲んでいるとともに、前記走査線の延設方向で隣り
合う画素の間に相当する部分に前記途切れ部分を備えて
いることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記絶縁膜は、前記データ線および前記走査線に沿って
形成されていることにより前記発光薄膜の形成領域の周
りを囲んでいるとともに、前記データ線の延設方向で隣
り合う画素の間に相当する部分に前記途切れ部分を備え
ていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項８】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記絶縁膜は、前記データ線に沿ってストライプ状に形
成され、該形成方向の少なくとも一方の端部に前記途切
れ部分を備えていることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。 - 【請求項９】 請求項５ないし８のいずれかにおいて、
前記画素電極の形成領域のうち、前記導通制御回路の形
成領域と重なる領域は前記絶縁膜で覆われていることを
特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかにおい
て、前記表示部の周囲には、前記データ線を介してデー
タ信号を供給するデータ線駆動回路、および前記走査線
を介して走査信号を供給する走査線駆動回路を有し、該
走査線駆動回路および前記データ線側駆動回路の上層側
にも前記絶縁膜が形成されているとともに、当該絶縁膜
は、前記走査線駆動回路の形成領域と前記データ側駆動
回路の形成領域との間に相当する位置には前記対向電極
を前記表示部側と基板外周側とを当該絶縁膜に起因する
段差のない平坦部分を介して接続させる途切れ部分を備
えていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示
装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれかにおい
て、前記絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする
アクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１０のいずれかにおい
て、前記絶縁膜は、無機材料からなることを特徴とする
アクティブマトリクス型表示装置。
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