KR100476125B1 - 표시장치 - Google Patents

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무츠미 기무라
히로시 기구치
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에 있어서, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가를 동시에 실현하는 것을 목적으로 한다.
또한, 이 목적을 달성하기 위해서, 스위칭 박막 트랜지스터는 LDD 구조 또는 오프세트 구조로 하고, 커런트 박막 트랜지스터는 자기 정렬 구조로 한다. 또는, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 트랜지스터는 LDD 구조 또는 오프세트 구조로 하고, 스위칭 박막 트랜지스터의 LDD 길이 또는 오프세트 길이를 커런트 박막 트랜지스터보다도 길게 한다.

Description

표시 장치
본 발명은 전류 발광 소자의 구동을 박막 트랜지스터로 행하는 표시 장치(전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치)에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 표시 장치는 경량, 박형, 고화질 및 고정밀을 실현하는 표시 장치로서, 다종 또한 다수 사용되고 있다. 이제까지 개발된 박막 트랜지스터 표시 장치는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치로 대표되는 바와 같이, 주로 신호 전압의 전송 또는 미소 전하의 전송을 위한 것이었다. 그러나, 앞으로 개발이 진전될 것인 EL(Electroluminescense) 표시 장치 등의 자발광형 패널이나 발열 패널 등에 있어서는, 전류 구동이 가능하고 또한 메모리 기능을 갖는 소자가 필수로 되리라고 생각된다.
도 10은 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치의 등가 회로도(a) 및 전위 관계도(b)이다. 여기에서는, 발광 재료로서 유기 형광 재료를 이용하고 있다.
도 10a에서, 121은 주사선, 122는 신호선, 123은 공통 급전선, 131은 스위칭 박막 트랜지스터, 132는 커런트 박막 트랜지스터, 151은 유지 용량, 152는 화소 전극, 164는 유기 형광 재료, 165는 대향 전극이다. 또한, 도 10b에 있어서, 421은 주사 전위, 422는 신호 전위, 423은 공통 전위, 451은 유지 전위, 452는 화소 전위, 465는 대향 전위이다.
여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 주사선(122)의 전위에 의해 신호선(122)과 유지 용량(151)의 도통을 제어하는 트랜지스터이다. 즉, 주사 전위(421)에 의해 신호 전위(422)가 유지 전위(451)에 전달된다. 표시하는 화소에 대해서는, 신호 전위(422)가 고전위로 되고, 유지 전위(451)가 고전위로 된다. 표시하지 않는 화소에 대해서는, 신호 전위(422)가 저전위로 되고, 유지 전위(451)가 저전위로 된다.
한편, 커런트 박막 트랜지스터(132)는 유지 용량(151)의 전위에 의해 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)의 도통을 제어하는 트랜지스터이다. 즉, 유지 전위(451)에 의해 공통 전위(423)가 화소 전위(452)에 전달된다. 표시하는 화소에 대해서는 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)이 도통되고, 표시하지 않는 화소에 대해서는 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)이 절단된다.
그 결과, 표시하는 화소에 대해서는, 화소 전극(152)과 대향 전극(165) 사이에 전류가 흐르고, 유기 형광 재료(164)가 발광한다. 표시하지 않은 화소에 대해서는 전류가 흐르지 않고 발광하지 않는다.
이와 같이, 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에는 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)가 존재한다. 그리고, 그 어느 박막 트랜지스터도 통상의 반도체 제조 프로세스로 제조되는 전계 효과형 트랜지스터이고, 종래의 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에서는, 양 박막 트랜지스터가 되도록 동일한 규격의 트랜지스터인 쪽이 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다는 등의 이유에서, 양 박막 트랜지스터로서는 동일한 구조의 박막 트랜지스터가 사용되었다.
확실히, 양쪽의 박막 트랜지스터가 동일한 구조였다고 해도, 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치로서, 치명적인 결점이 있는 것은 아니다. 그러나, 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에 대해 심도있게 연구한 본 발명자들에 의하면, 고품질 제품으로 하기 위해서는, 상기 양쪽의 박막 트랜지스터는 서로 상이한 특성을 중요시한 구조로 하는 것이 적합하다는 것을 알았다.
즉, 스위칭 박막 트랜지스터(131)에는, 유지 용량(151)으로의 전하의 유지를 더욱 확실하게 하기 위해서 오프 전류의 저감이 요구된다. 이에 대해서, 커런트 박막 트랜지스터(132)에는, 유기 형광 재료(164)의 발광을 보다 높은 휘도로 하기 위해서, 온 전류의 증가가 요구된다.
그러나, 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에 있어서, 상기 양쪽의 박막 트랜지스터의 특성을 적극적으로 상이하게 한다는 기술 사상은 존재하지 않았다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 일부를 도시하는 회로도.
도 2a 및 도 2b는 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도 및 평면도.
도 3a 내지 도 3e는 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 제조 공정을 도시하는 도면.
도 4는 제 1 실시예에 있어서의 각 박막 트랜지스터의 특성을 도시하는 도면.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도 및 평면도.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도 및 평면도.
도 7a 내지 도 7e는 제 3 실시예에 있어서의 표시 장치의 제조 공정을 도시하는 도면,
도 8은 제 3 실시예에 있어서의 각 박막 트랜지스터의 특성을 도시하는 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도 및 평면도.
도 10a및 도 10b는 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치의 등가 회로도 및 전위 관계도.
본 발명은 이와 같은 지견에 기초하여 이뤄진 것이며, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현한 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 양상은, 복수의 주사선, 복수의 신호선, 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 표시장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터를 오프 전류의 저감을 중요시한 트랜지스터로 하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터를 온 전류의 증가를 중요시한 트랜지스터로 하였다.
본 발명의 제 1 양상에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양 트랜지스터를, 각각에 요구되는 성능에 대응하여, 제 1 트랜지스터가 제 2 트랜지스터보다 오프 전류가 작고, 제 2 트랜지스터가 제 1 트랜지스터보다 온 전류가 큰 구조로 하고 있으므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지가 보다 확실하게 행해짐과 동시에, 화소 전극에 대한 충분한 통전이 보다 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 2 양상은, 복수의 주사선, 복수의 신호선, 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역의 사이에는 저농도 불순물 영역을 형성하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 직접 접속하였다.
즉, 본 발명의 제 2 양상은, 스위칭 박막 트랜지스터를 LDD 구조의 트랜지스터로 하고, 커런트 박막 트랜지스터를 자기 정렬 구조의 트랜지스터로 하고 있다.
본 발명의 제 2 양상에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감이 도모됨과 동시에 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가가 도모되므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지가 보다 확실하게 행해지는 동시에, 화소 전극에 대한 충분한 통전이 보다 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 3 양상은, 복수의 주사선, 복수의 신호선, 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 커런트 박막 트랜지스터 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에 저농도 불순물 영역을 형성하고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이 쪽을, 상기 커런트 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이보다도 길게 하였다.
즉, 본 발명의 제 3 양상은, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양쪽을 LDD 구조의 트랜지스터로 하고 있지만, 스위칭 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이(LDD 길이)쪽을 상기 커런트 박막 트랜지스터의 LDD 길이보다 길게 하고 있는 것이다.
본 발명의 제 3 양상에 의해서도, 상기 본 발명의 제 2 양상과 마찬가지의 작용이 얻어진다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 4 양상은, 복수의 주사선, 복수의 신호선, 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에는 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역을 형성하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 직접 접속하였다.
즉, 본 발명의 제 4 양상은, 스위칭 박막 트랜지스터는 오프세트 구조의 트랜지스터로 하고, 커런트 박막 트랜지스터는 자기 정렬 구조의 트랜지스터로 했다.
본 발명의 제 4 양상에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감이 도모됨과 동시에, 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가가 도모되므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지가 보다 확실하게 행해지는 동시에, 화소 전극에 대한 충분한 통전이 보다 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 5 양상은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 커런트 박막 트랜지스터의 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역을 형성하고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역 길이 쪽을, 상기 커런트 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역 길이보다도 길게 하였다.
즉, 본 발명의 제 5 양상은, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양쪽을 오프세트 구조의 트랜지스터로 하고 있는데, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프세트 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터의 오프세트 길이보다 길게 하고있는 것이다.
본 발명의 제 5 양상에 의해서도, 상기 본 발명의 제 4 양상과 마찬가지의 작용이 얻어진다.
본 발명의 제 6 양상은, 상기 본 발명의 제 1 내지 제 6 양상에 따른 발명인 표시 장치에 있어서, 상기 유지 용량을 상기 주사선과, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 또는 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역 사이의 게이트 절연막을 이용하여 형성하였다.
본 발명의 제 6 양상에 의하면, 박형 게이트 절연막을 유지 용량에 이용함으로써, 적은 면적으로 대용량의 유지 용량을 형성하는 것이 가능해진다.
이에 대해서, 본 발명의 제 7 양상은, 상기 본 발명의 제 1 내지 제 5 양상에 따른 발명인 표시 장치에 있어서, 상기 유지 용량을 상기 주사선과 상기 신호선 사이의 층간 절연막을 이용하여 형성하였다.
본 발명의 제 7 양상에 의하면, 층간 절연막을 유지 용량에 사용함으로써, 설계의 자유도가 향상한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.
(1) 제 1 실시예
도 1 내지 도 4 는 본 발명의 제 1 실시예를 도시하는 도면이며, 이 실시예는 본 발명에 따른 표시 장치를, EL 표시 소자를 사용한 액티브 매트릭스형 표시 장치에 적용한 것이다.
도 1은 이 실시예에 있어서의 표시 장치(1)의 일부를 도시하는 회로도이며, 이 표시 장치(1)는 투명한 표시 기판 상에 복수의 주사선(121)과, 이들 주사선(121)에 대해 교차하는 방향으로 연장하는 복수의 신호선(122)과, 이들 신호선(122)에 병렬로 연장하는 복수의 공통 급전선(123)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(121) 및 신호선(122)의 각 교점마다 화소 영역(1A)이 설치되어 있다.
신호선(122)에 대해서는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인, 아날로그 스위치를 구비하는 데이터측 구동 회로(3)가 설치되어 있다. 또한, 주사선(121)에 대해서는 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사측 구동 회로(4)가 설치되어 있다. 또한, 화소 영역(1A) 각각에는 주사선(121)을 거쳐서 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭 박막 트랜지스터(131)와, 이 스위칭 박막 트랜지스터(131)를 거쳐서 신호선(132)으로부터 공급되는 화상 신호를 유지하는 유지 용량(151)과, 그 유지 용량(151)에 의해 유지된 화상 신호가 게이트 전극에 공급되는 커런트 박막 트랜지스터(132)와, 이 커런트 박막 트랜지스터(132)를 거쳐서 공통 급전선(123)에 전기적으로 접속했을 때 공통 급전선(123)에 전기적으로 접속했을 때 공통 급전선(123)으로부터 구동 전류가 흘러드는 화소 전극(152)과, 이 화소 전극(152)과 대향 전극(165) 사이에 끼어지는 유기 형광 재료(164)가 설치되어 있다.
도 2a 및 2b는 도 1에 도시한 각 화소 영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이다. 또한, 도 2a는 평면도인 도 2b의 A-A' 선을 따라 취한 단면도이다. 또한, 도 2a 및 도 2b에서, 141은 채널 영역, 142는 고농도 불순물 영역, 143은 저농도 불순물 영역, 146은 중계 배선, 161은 게이트 절연막, 162는 층간 절연막, 163은 최상충의 절연막을 각각 도시하고 있다.
도 3a 내지 도 3e는 표시 장치(1)의 제조 공정을 도시하는 단면도이며, 도 2b의 A-A'선 단면도에 상당한다. 또한, 도 3a 내지 도 3e에서, 211은 레지스트 마스크, 221은 고농도 불순물 도핑, 222는 저농도 불순물 도핑을 각각 도시하고 있다.
제조 공정에 대해 상세히 설명한다.
우선, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 후에 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 채널 영역(141)이나 소스 · 드레인 영역, 및 유지 용량(151)의 한쪽의 전극이 되는 반도체막을 성막하고 이것을 패터닝하여, 섬 형상의 반도체막(140)을 형성한다. 그리고, 이 반도체막(140)을 덮도록 게이트 절연막(161)을 형성한다.
다음, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 레지스트 마스크(211)를 성막하고 이것을 패터닝한다. 이 때, 후에 스위칭 박막 트랜지스터(131)가 형성되는 위치의 레지스트 마스크(211)(도 3b) 좌측의 레지스트 마스크(211))는 채널 영역 길이보다도 약간 넓은 폭으로 한다. 그리고, 고농도 불순물 도핑(221)을 행하여 고농도 불순물 영역(142)을 형성한다.
다음에, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 금속막을 성막하고 이것을 패터닝하여, 주사선(121) 및 중계 배선(146)을 형성한다. 그리고, 주사선(121) 및 중계 배선(146)을 마스크로 하여, 저농도 불순물 도핑(222)을 행한다. 그러면 주사선(121)의 폭은 채널 영역 길이와 같으므로, 그 하측의 고농도 불순물 영역(142)의 내측에 저농도 불순물 영역(143)이 형성된다. 또한, 그 저농도 불순물 영역(143)의 내측이 채널 영역(141)으로 된다.
이 결과, LDD 구조의 스위칭 박막 트랜지스터(131)와, 자기 정렬 구조의 커런트 박막 트랜지스터(132)가 형성된다.
그리고, 도 3d에 도시하는 바와 같이, 층간 절연막(162)을 성막하고, 콘택트 홀을 형성하고, 또한 금속막을 성막하고 이것을 패터닝하여, 신호선(122) 및 공통 급전선(123)을 형성한다.
이어서, 도 3e에 도시하는 바와 같이, 화소 전극(152)을 형성하고, 최상층의 절연막(163)을 형성한다. 또한 이 후, 유기 형광 재료(164) 및 대향 전극(165)을 형성한다.
도 4는 제 1 실시예에 있어서의 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132) 각각의 특성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 4에서, 311은 LDD 구조인 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 특성이고, 321은 자기 정렬 구조인 커런트 박막 트랜지스터(132)의 특성이다. 이것에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프 전류가 작고, 역으로 커런트 박막 트랜지스터(132)는 온 전류가 크다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 표시 장치(1)에 있어서는, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현하고 있다. 그 결과, 유지 용량(151)에 대한 전하의 유지를 보다 확실하게 행할 수 있는 동시에, 화소 전극(162)에 대한 충분한 통전을 보다 확실하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 유지 용량(151)을 게이트 절연막(161)을 이용해서 형성하고 있는데, 일반적으로, 게이트 절연막(161)은 다른 절연막 보다도 얇게 형성된다. 이 때문에, 소면적이고 또한 대용량의 유지 용량(151)을 형성할 수 있다는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 사상에 기초하고 있는 것이라면, 박막 트랜지스터 표시 장치의 구조, 제조 방법, 재료에 대해서는 어떤 것이어도 무관하다.
(2) 제 2 실시예
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예를 도시하는 도면이며, 도 2와 마찬가지로, 표시 영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 도 5a는 평면도인 도 5b의 B-B' 선을 따라 취한 단면도이다. 또한, 상기 제 1 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고 그 중복하는 설명은 생략한다.
즉, 본 실시예에서는, 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132) 양쪽을 LDD 구조로 하고 있다. 다만, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 LDD 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터(132)의 LDD 길이 보다 길게 하고 있다.
이와 같은 구조여도, 상기 제 1 실시예와 마찬가지로, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있다.
(3) 제 3 실시예
도 6a 내지 도 8은 본 발명의 제 3 실시예를 도시하는 도면이며, 본 실시예도 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시 장치를 EL 표시 소자를 사용한 액티브 매트릭스형 표시 장치에 적용한 것이다. 또한, 전체적인 구성은 제 1 실시예의 도 1과 마찬가지이므로, 그 도시 및 설명은 생략하는 동시에, 상기 제 1 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고, 그 중복하는 설명은 생략한다.
도 6a 및 도 6b는 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로, 표시 영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 도 6a는 평면도인 도 6b의 C-C' 선을 따라 취한 단면도이다. 또한, 144는 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역을 도시하고 있다.
도 7a 내지 도 7e는 본 실시예에 있어서의 표시 장치(1)의 제조 공정을 도시하는 단면도인데, 이와 같은 제조 공정은 상기 제 1 실시예에 있어서의 제조 공정과 거의 같으며, 다른 것은 저농도 불순물 영역(143)을 형성하기 위한 저농도 불순물 도핑(222)을 행하지 않는 점이다.
즉, 도 7c에 도시하는 바와 같이, 금속막을 성막하고 패터닝하여 주사선(121) 및 중계 배선(146)을 형성하고, 이것에 의해 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)를 완성시킨다. 따라서, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 고농도 불순물 영역(142)과 채널 영역(141) 사이에는 채널 영역(141)과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역(144)이 형성되므로, 이와 같은 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프세트 구조의 트랜지스터로 된다.
도 8은 본 실시예에 있어서의 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132) 각각의 특성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 8에서, 312는 오프세트 구조인 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 특성이고, 321은 자기 정렬 구조인 커런트 박막 트랜지스터(132)의 특성이다. 이것에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프 전류가 작고, 역으로 커런트 박막 트랜지스터(日2)는 온 전류가 크다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 표시 장치(1)에 있어서도, 상기 제 1 실시예와 마찬가지로, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현하고 있다. 그 결과, 유지 용량(151)에 대한 전하의 유지를 보다 확실하게 행할 수 있는 동시에, 화소 전극(162)에 대한 충분한 통전을 보다 확실하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 유지 용량(151)을 층간 절연막(162)을 이용해서 형성하고 있다. 이 때문에, 주사선(121) 및 신호선(122)에 의해, 고농도 불순물 영역(142) 없이 유지 용량(151)을 형성할 수 있고, 설계의 자유도가 향상한다는 이점이 있다.
(4) 제 4 실시예
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 4 실시예를 도시하는 도면이며, 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로, 표시 영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 도 9a는 평면도인 도 9b의 D-D' 선을 따라 취한 단면도이다. 또한, 상기 각 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고, 그 중복하는 설명은 생략한다.
즉, 본 실시예에서는, 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132) 양쪽을 오프세트 구조로 하고 있다. 다만, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프세트 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터(132)의 오프세트 길이 보다 길게 하고 있다.
이와 같은 구조여도, 상기 제 3 실시예와 마찬가지로, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감과, 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있기 때문에, 유지 용량에 대한 전하의 유지를 한층 더 확실하게 행할 수 있는 동시에, 화소 전극에 대한 충분한 통전을 보다 확실하게 행할 수 있다고 하는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    전압-전류 특성에서, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터보다 오프 전류가 작고, 상기 제 2 트랜지스터는 상기 제 1 트랜지스터보다 온 전류가 큰 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  2. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    전압-전류 특성에서, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터보다 오프 전류가 작은 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  3. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    전압-전류 특성에서, 상기 제 2 트랜지스터는 상기 제 1 트랜지스터보다 온 전류가 큰 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  4. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제 1 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에는 저농도 불순물 영역이 형성되고,
    상기 제 2 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 접하고 있는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  5. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에는 저농도 불순물 영역이 형성되고,
    상기 제 1 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이가 상기 제 2 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이보다도 긴 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  6. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제 1 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에는 상기 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역이 형성되고,
    상기 제 2 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 접하고 있는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  7. 주사선과, 신호선과, 급전선을 포함하고,
    상기 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하는 화소 영역에, 화소 전극과, 상기 주사선을 통해 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 화상 신호에 따른 전위가 게이트 전극에 공급되고, 상기 급전선과 상기 화소 전극의 도통을 제어하는 제 2 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역 사이에는 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역이 형성되고,
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역 길이가, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 채널 영역과 동일한 정도의 불순물 농도의 영역 길이보다도 긴 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 대향 전극 사이에 끼워진 발광 재료를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터를 통해 상기 신호선으로부터 공급되는 상기 화상 신호를 유지하는 유지 용량을 더 구비하고, 상기 유지 용량에 유지된 상기 화상 신호가 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극에 공급되는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유지 용량이, 상기 주사선과, 상기 제 1 트랜지스터 또는 상기 제 2 트랜지스터의 채널 영역 사이의 게이트 절연막을 이용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 유지 용량이, 상기 주사선과 상기 신호선 사이의 층간 절연막을 이용하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4059292B2 (ja) * 1996-09-26 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置
EP1465257A1 (en) * 1996-09-26 2004-10-06 Seiko Epson Corporation Display apparatus
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
WO1999010862A1 (fr) * 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
EP2309482A3 (en) * 1998-10-30 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Field sequantial liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1031873A3 (en) * 1999-02-23 2005-02-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6531713B1 (en) * 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
EP1041641B1 (en) * 1999-03-26 2015-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A method for manufacturing an electrooptical device
TW444257B (en) * 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
EP2256808A2 (en) * 1999-04-30 2010-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therof
US8853696B1 (en) * 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP3904807B2 (ja) * 1999-06-04 2007-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5210473B2 (ja) 1999-06-21 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7245018B1 (en) * 1999-06-22 2007-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof
JP4700156B2 (ja) 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6967633B1 (en) * 1999-10-08 2005-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW535454B (en) * 1999-10-21 2003-06-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
TW493282B (en) * 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW554638B (en) * 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP5030345B2 (ja) * 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体装置
JP4982918B2 (ja) * 2000-10-13 2012-07-25 日本電気株式会社 液晶表示用基板及びその製造方法
JP4741569B2 (ja) * 2000-12-21 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3810725B2 (ja) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP4024557B2 (ja) * 2002-02-28 2007-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP2004095671A (ja) * 2002-07-10 2004-03-25 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ、スイッチング回路、アクティブ素子基板、電気光学装置、電子機器、サーマルヘッド、液滴吐出ヘッド、印刷装置、薄膜トランジスタ駆動発光表示装置
US7150537B2 (en) * 2002-08-16 2006-12-19 Infocus Corporation Projection television device and screen
TWI351548B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
JP4641710B2 (ja) 2003-06-18 2011-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
US7595775B2 (en) * 2003-12-19 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device with reverse biasing circuit
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
US20050243023A1 (en) * 2004-04-06 2005-11-03 Damoder Reddy Color filter integrated with sensor array for flat panel display
CN1981318A (zh) * 2004-04-12 2007-06-13 彩光公司 用于有源矩阵发光显示器的低功耗电路及其控制方法
US20050248515A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Naugler W E Jr Stabilized active matrix emissive display
US20050276292A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Karl Schrodinger Circuit arrangement for operating a laser diode
US20060007206A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Damoder Reddy Device and method for operating a self-calibrating emissive pixel
US7332742B2 (en) * 2004-06-29 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US20060289447A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-28 Mohamed Zakaria A Heating chuck assembly
JP2008281671A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sony Corp 画素回路および表示装置
WO2011004755A1 (en) 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5651763B2 (ja) * 2013-11-28 2015-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4006383A (en) * 1975-11-28 1977-02-01 Westinghouse Electric Corporation Electroluminescent display panel with enlarged active display areas
US4523189A (en) * 1981-05-25 1985-06-11 Fujitsu Limited El display device
FR2524714B1 (fr) * 1982-04-01 1986-05-02 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince
JPS6033593A (ja) 1983-08-04 1985-02-20 松下電器産業株式会社 マトリックス型表示素子駆動用薄膜トランジスタ
JP3005918B2 (ja) * 1991-06-11 2000-02-07 カシオ計算機株式会社 アクティブマトリクスパネル
JP3072637B2 (ja) 1991-12-25 2000-07-31 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
JP2798540B2 (ja) * 1992-01-21 1998-09-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板とその駆動方法
WO1994018706A1 (en) * 1993-02-10 1994-08-18 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and thin film transistor, and method of its manufacture
JPH06325869A (ja) 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
JPH0764051A (ja) 1993-08-27 1995-03-10 Sharp Corp 液晶表示装置およびその駆動方法
JP2905680B2 (ja) * 1993-12-20 1999-06-14 シャープ株式会社 薄膜トランジスターの製造方法
US5616935A (en) * 1994-02-08 1997-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors
JP3741741B2 (ja) * 1994-02-08 2006-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 相補型集積回路の作製方法
JP3423108B2 (ja) * 1994-05-20 2003-07-07 三洋電機株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
DE19500380C2 (de) * 1994-05-20 2001-05-17 Mitsubishi Electric Corp Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
JP3256084B2 (ja) * 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
TW275684B (ko) * 1994-07-08 1996-05-11 Hitachi Seisakusyo Kk
JP3471928B2 (ja) * 1994-10-07 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の駆動方法
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP3636777B2 (ja) 1995-07-04 2005-04-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
JPH0981053A (ja) 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその駆動方法
EP1465257A1 (en) * 1996-09-26 2004-10-06 Seiko Epson Corporation Display apparatus
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor

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