KR19990067526A - 표시장치 - Google Patents

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야스카와 히데아키
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Abstract

전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치예 있어서, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가를 동시에 실현하는 것을 목적으로 한다.
또한, 이 목적을 달성하기 위해서, 스위칭 박막 트랜지스터는 LDD 구조 또는 오프세트 구조로 하고 커런트 박막 트랜지스터는 셀프 얼라인 구조로 한다. 또는 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터는 LDD 구조 또는 오프세트 구조로 하고 스위칭 박막 트랜지스터의 LDD 길이 또는 오프세트 길이를 커런트 박막 트랜지스터보다 길게 한다.

Description

표시 장치
박막 트랜지스터 표시 장치는 경량, 박형(薄型), 고화질 및 고해상도를 실현하는 표시 장치로서 다종이자 다수 사용되고 있다. 이제까지 개발된 박막 트랜지스터 표시 장치는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치로 대표되듯이 주로 신호 전압의 전송 또는 미소 전하 전송을 위한 것이었다. 그러나 앞으로 개발이 진전될 것인 EL(Electroluminescenge) 표시 장치 등의 자발광형 패널이나 발열 패널에 있어서는, 전류 구동이 가능이자 메모리 기능을 갖는 소자가 필수로 되리라고 생각된다.
도 10a 및 도 10b는 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치의 등가 회로도(a) 및 전위 관계도(b)이다. 여기에선 발광 재료로서 유기 형광 재료를 쓰고 있다.
도 10a 중, (121)은 주사선, (122)는 신호선, (123)은 공통 급전선(common feed line), (131)은 스위칭 박막 트랜지스터, (132)는 커런트 박막 트랜지스터, (151)은 유지 용량, (152)는 화소 전극, (164)는 유기 형광 재료, (165)는 대향 전극이다. 또, 도 10b 에 있어서 (421)은 주사전위, (422)는 신호전위, (423)은 공통전위, (451)은 유지전위, (452)는 화소전위, (465)는 대향 전위이다.
여기에서 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 주사선(122)의 전위에 의해서 신호선(123)과 유지 용량(151)과의 도통을 제어하는 트랜지스터이다. 즉, 주사전위(421)에 의해 신호 전위(422)가 유지전위(451)에 전달된다. 표시하는 화소에 대해선 신호전위(422)가 고전위로 되며 유지전위(451)가 고전위로 된다. 표시하지 않는 화소에 대해선 신호전위(422)가 저전위로 되며 유지전위(451)가 저전위로 된다.
한편, 커런트 박막 트랜지스터(132)는 유지 용량(151)의 전위에 의해 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)과의 도통을 제어하는 트랜지스터이다. 즉, 유지전위(451)에 의해 공통전위(423)가 화소전위(452)에 전달된다. 표시하는 화소에 대해선 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)이 도통되고 표시생략 화소에 대해선 공통 급전선(123)과 화소 전극(152)이 절단된다.
이 결과 표시하는 화소에 대해선 화소 전극(152)과 대향 전극(165) 사이에 전류가 흐르며 유기 형광재료(164)가 발광한다. 표시 생략 화소에 대해선 전류가 흐르지 않고 발광하지 않는다.
이같이 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에는 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)가 존재한다. 그리고 그 어느 박막 트랜지스터도 통상의 반도체 제조 프로세스로 제조되는 전계 효과형 트랜지스터이며, 종래의 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에선 양 박막 트랜지스터가 되도록 동규격의 트랜지스터인 편이 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다는 등의 이유에서 양 박막 트랜지스터로선 마찬가지 제조의 박막 트랜지스터가 쓰였다.
확실히, 양쪽의 박막 트랜지스터가 마찬가지의 구조였다고 해도 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치로서 치명적인 결점이 있는 것은 아니다. 그러나 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에 관한 연구를 열심히 행한 이 발명자등에 의하면, 고품질 제품으로 하기 위해선 상기 양쪽의 박막 트랜지스터는 서로 상이한 특성을 중요시한 구조로 하는 것이 더 좋다는 것을 알았다.
즉, 스위칭 박막 트랜지스터(131)에는 유지 용량(151)으로의 전하의 유지를 더욱 확실하게 하기 위해서 오프 전류의 저감이 요구된다. 그러나 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치에 있어서 상기 양쪽의 박막 트랜지스터의 특성을 적극적으로 상이케 한다는 기술사상은 존재하지 않았다.
본 발명은 이같은 지견에 의거해서 이뤄진 것이며 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 전류 발광 소자의 구동을 박막 트랜지스터로 행하는 표시장치(전류 구동 박막 트랜지스터 표시장치)에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 표시장치의 일부를 도시하는 회로도.
도 2a 는 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도이며, 도 2b 는 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 평면도.
도 3a 내지 도 3e는 제 1 실시예에 있어서의 표시 장치의 제조 공정을 도시하는 도면.
도 4 는 제 1 실시예에 있어서의 각 박막 트랜지스터의 특성을 도시하는 도면.
도 5a 는 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도이며, 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 표시 장치의 평면도.
도 6a는 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도이며, 도 6b는 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 표시 장치의 평면도.
도 7a 내지 도 7e는 제 3 실시예에 있어서의 표시 장치의 제조 공정을 도시하는 도면.
도 8 은 제 3 실시예에 있어서의 각 박막 트랜지스터의 특성을 도시하는 도면.
도 9a는 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 표시 장치의 단면도이며, 도 9b는 본 발명의 제 4 실시예에 있어서의 표시 장치의 평면도.
도 10a는 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치의 등가 회로도이며, 도 10b는 전류 구동 박막 트랜지스터 표시 장치의 전위 관계도.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구범위 제 1 항에 관한 발명은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대해서 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해서 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터를 오프 전류의 저감을 중요시한 트랜지스터로 하고 상기 커런트 박막 트랜지스터를 온 전류의 증가를 중요시한 트랜지스터로 했다.
이 청구범위 제 1 항에 관한 발명에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양 트랜지스터를, 각각에 요구되는 성능에 따라서, 오프 전류의 저감을 중요시한 구조 또는 온 전류의 증가를 중요시한 구조로 하고 있으므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지가 더욱 확실하게 행해지는 동시에 화소 전극에 대한 충분한 통전이 보다 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서 청구범위 제 2 항에 관한 발명은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해서 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 저농도 불순물 영역을 형성하고 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 직접 접속했다.
즉, 이 청구범위 제 2 항에 관한 발명은, 스위칭 박막 트랜지스터를 LDD 구조의 트랜지스터로 하고 커런트 박막 트랜지스터를 셀프얼라인(self-alignment) 구조의 트랜지스터로 하고 있다.
이 청구범위 제 2 항에 관한 발명에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감이 도모해지는 동시에, 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가를 도모해지므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지가 가일층 확실하게 행해지는 동시에 화소 전극에 대한 충분한 통전이 가일층 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서 청구범위 제 3 항에 관한 발명은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고, 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하고, 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 커런트 박막 트랜지스터의 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과 사이에 저농도 불순물 영역을 형성하고 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이 쪽을 상기 커런트 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이 보다 길게 했다.
즉, 이 청구범위 제 3 항에 관한 발명은, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양쪽을 LDD 구조의 트랜지스터로 하고 있으나 스위칭 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이(LDD 길이)쪽을 상기 커런트 박막 트랜지스터의 LDD 길이보다 길게하고 있는 것이다.
이 청구범위 제 3 항에 관한 발명에 의해서도 상기 청구범위 제 2 항에 관한 발명과 마찬가지의 작용이 얻어진다.
상기 목적을 달성하기 위해서 청구범위 제 4 항에 관한 발명은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해서 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하고 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역을 형성하고 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 직접 접속했다.
즉, 이 청구범위 제 4 항에 관한 발명은 스위칭 박막 트랜지스터는 오프세트 구조의 트랜지스터로 하고 커런트 박막 트랜지스터는 셀프얼라인 구조의 트랜지스터로 했다.
이 청구범위 제 4 항에 관한 발명에 의하면, 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감이 도모해지는 동시에 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가가 도모해지므로 유지 용량에 대한 전하의 유지가 가일층 확실하게 행해지는 동시에 화소 전극에 대한 충분한 통전이 가일층 확실하게 행해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서 청구범위 제 5 항에 관한 발명은, 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고 상기 스위칭 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고 상기 스위칭 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고 상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 주사선의 전위에 의해 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하고 상기 커런트 박막 트랜지스터는 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 박막 및 상기 커런트 박막 트랜지스터의 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과 사이에 채널 영역과 동 정도의 불순물 농도의 영역을 형성하고 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역 길이 쪽을 상기 커런트 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역 길이 보다 길게 했다.
즉, 이 청구범위 제 5 항에 관한 발명은, 스위칭 박막 트랜지스터 및 커런트 박막 트랜지스터의 양쪽을 오프세트 구조의 트랜지스터로 하고 있는데 스위칭 박막 트랜지스터의 오프세트 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터의 오프세트 길이보다 길게하고 있는 것이다.
이 청구범위 제 5 항에 관한 발명에 의해서도 상기 청구범위 제 4 항에 관한 발명과 마찬가지의 작용이 얻어진다.
또, 청구범위 제 6 항에 관한 발명은, 상기 청구범위 제 1-5 항에 관한 발명인 표시 장치에 있어서, 상기 유지 용량을 상기 주사선과 상기 스위칭 박막 트랜지스터 또는 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과의 사이의 게이트 절연막을 이용해서 형성했다.
이 청구범위 제 6 항에 관한 발명에 의하면 엷은 게이트 절연막을 유지 용량에 씀으로써 소면적이자 대용량의 유지 용량을 형성하는 것이 가능으로 된다.
이것에 대해서 청구범위 제 7 항에 관한 발명은, 상기 제 1-5항에 관한 발명인 표시 장치에 있어서, 상기 유지 용량을 상기 주사선과 상기 신호선과 사이의 층간 절연막을 이용해서 형성했다.
이 청구범위 제 7 항에 관한 발명에 의하면 층간 절연막을 유지 용량에 씀으로써 설계의 자유도가 향상한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 의거해서 설명한다.
(1) 제 1 실시예
도 1 내지 도 4 는 본 발명의 제 1 실시예를 도시하는 도면이며 본 실시예는 본 발명에 관한 표시 장치를 EL 표시 소자를 사용한 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 적용한 것이다.
도 1 은 본 실시예에 있어서의 표시장치(1)의 일부를 도시하는 회로도이며 이 표시장치(1)는 투명한 표시기판상에 복수의 주사선(121)과 이들 주사선(121)에 대해서 교차하는 방향으로 연장하는 복수의 신호선(122)과 이들 신호선(122)에 병렬로 연장하는 복수의 공통 급전선(123)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에 주사선(121) 및 신호선(122)의 각 교점마다 화소 영역소(1A)가 설치되고 있다.
신호선(122)에 대해선 시프트레지스터, 레벨시프터, 비디오라인, 아날로그 스위치를 구비하는 데이터측 구동 회로(3)가 설치되고 있다. 또, 주사선(121)에 대해선 시프트레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사측 구동 회로(4)가 설치되어 있다. 또한, 화소영역(1A)의 각각에는 주사선(121)을 거쳐서 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭 박막 트랜지스터(131)와, 이 스위칭 박막 트랜지스터(131)를 거쳐서 신호선(132)에서 공급되는 화상 신호를 유지하는 유지 용량(151)과, 상기 유지 용량(151)에 의해서 유지된 화상 신호가 게이트 전극에 공급되는 커런트 박막 트랜지스터(132)와, 이 커런트 박막 트랜지스터(132)를 거쳐서 공통 급전선(123)에 전기적으로 접속했을 때 공통 급전선(132)에서 구동 전류가 흘러드는 화소 전극(152)과, 이 화소 전극(152)과 대향전극(165)과 사이에 끼어지는 유기 형광재료(164)가 설치되어 있다.
도 2a 및 도 2b 는 도 1 에 도시한 각 화소영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이다. 또한 단면도 a 는 평면도 b 의 A-A' 선 단면도이다. 또, 도 2 중 (141)은 채널영역, (142)는 고농도 불순물 영역, (143)은 저농도 불순물 영역, (146)은 중계배선, (161)은 게이트 절연막, (162)는 층간 절연막, (163)은 최상층의 절연막을 각각 도시하고 있다.
도 3a 내지 도 3e 는 표시 장치(1)의 제조공정을 도시하는 단면도이며 도 2b 의 A-A' 선 단면도에 상당한다. 또, 도 3a 내지 도 3e 중, (211)은 레지스트 마스크, (221)은 고농도 불순물 도핑, (222)는 저농도 불순물 도핑을 각각 도시하고 있다.
제조공정의 상세 설명은 다음과 같다.
우선 도 3a 에 도시하듯이 후에 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 채널영역(141)이나 소스ㆍ드레인 영역, 및 유지 용량(151)의 한쪽의 전극이 되는 반도체 막을 성막하고 이것을 패터닝하고, 섬형상의 반도체막(140)을 형성한다. 그리고 그들 반도체막(140)을 덮듯이 게이트 절연막(161)을 형성한다.
이어서 도 3b 에 도시하듯이 레지스트마스크(211)를 성막하고 이것을 패터닝한다. 이때, 후에 스위칭 박막 트랜지스터(131)가 형성되는 위치의 레지스트마스크(211)(도 3b) 좌측의 레지스트마스크(211))는 채널 영역 길이보다 약간 넓은 폭으로 한다. 그리고 고농도 불순물 도핑(221)을 행하고 고농도 불순물 영역(142)을 형성한다.
이어서 도 3b 에 도시하듯이 레지스트마스크(211)를 성막하고 이것을 패터닝한다. 이때, 후에 스위칭박막, 트랜지스터(131)가 형성되는 위치의 레지스트마스크(211)(도 3b 좌측의 레지스트마스크(211))는 채널 영역 길이보다 약간 넓은 폭으로 한다. 그리고 고농도 불순물 도핑(221)을 행하고 고농도 불순물 영역(142)을 형성한다.
이어서 도 3c 에 도시하듯이 금속막을 성막하고 이것을 패터닝하고 주사선(121) 및 중계배선(146)을 형성한다. 그리고 그것을 주사선(121) 및 중계배선(146)을 마스크로서 저농도 불순물 도핑(222)을 행한다. 그러면 주사선(121)의 폭은 채널 영역 길이에 같으므로 그 하측의 고농도 불순물 영역(142)의 또한 내측에 저농도 불순물 영역(143)이 형성된다. 또, 그 저농도 불순물 영역(143)의 또한 내측이 채널 영역(141)으로 된다.
이 결과, LDD 구조의 스위칭 박막 트랜지스터(131)와 셀프 얼라인 구조의 커런트 박막 트랜지스터(132)가 형성된다.
그리고 도 3d 에 도시하듯이 층간 절연막(162)을 성막, 컨택트홀을 형성하고 또한 금속막을 성막하고 이것을 패터닝하고 신호선(122) 및 공통 급전선(123)을 형성한다.
이어서 도 3e 에 도시하듯이 화소 전극(152)을 형성하고 최상층의 절연막(163)을 형성한다. 또한 이후, 유기 형광 재료(164) 및 대향전극(165)을 형성한다.
도 4 는 제 1 실시예에 있어서의 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 각각의 특성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 4 중, (311)은 LDD 구조인 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 특성이며 (321)은 셀프얼라인 구조인 커런트 박막 트랜지스터(132)의 특성이다. 이것에 의하면 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프 전류가 작고 역으로 커런트 박막 트랜지스터(132)는 온 전류가 크다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 표시 장치(1)에 있어서는, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현하고 있다. 이 결과 유지 용량(151)에 대한 전하의 유지를 가일층 확실하게 행할 수 있다.
또, 본 실시예에선 유지 용량(151)을 게이트 절연막(161)을 이용해서 형성하고 있는데 일반으로 게이트 절연막(161)은 다른 절연막 보다 얇게 형성된다. 이때문에 소면적이자 대용량의 유지 용량(151)을 형성할 수 있다는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 사상에 의거하고 있는 것이라면 박막 트랜지스터 표시 장치의 구조, 제조방법, 재료에 대해선 어떤 것이어도 무관하다.
(2) 제 2 실시예
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예를 도시하는 도면이며 도 2a 및 도 2b 와 마찬가지로 표시영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며 단면도(a)는 평면도(b)의 B-B' 선 단면도이다. 또한 상기 제 1 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고 그 중복하는 설명은 생략한다.
즉, 본 실시예에선 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 양쪽을 LDD 구조로 하고 있다. 다만, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 LDD 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터(132)의 LDD 길이 보다 길게 하고 있다.
이같은 구조에서도, 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있다.
(3) 제 3 실시예
도 6a 내지 도 8 은 본 발명의 제 3 실시예를 도시하는 도면이며, 본 실시예도 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 본 발명에 관한 박막 트랜지스터 표시 장치를 EL 표시 소자를 쓴 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 적용한 것이다. 또한, 전체적인 구성은 제 1 실시예의 도 1 과 마찬가지이므로 그 도시 및 설명은 생략하는 동시에 상기 제 1 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고 그 중복하는 설명은 생략한다.
도 6a 및 도 6b는 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로 표시영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 단면도(a)는 평면도(b)의 C-C' 선 단면도이다. 또한 (144)는 채널 영역과 동 정도의 불순물 농도의 영역을 도시하고 있다.
도 7a 내지 7e 는 본 실시예에 있어서의 표시장치(1)의 제조 공정을 도시하는 단면도인데, 이같은 제조공정은 상기 제 1 실시예에 있어서의 제조 공정과 거의 같으며 다른 것은 저농도 불순물 영역(143)을 형성하기 위한 저농도 불순물 도핑(222)을 행하지 않는 점이다.
즉, 도 7c 에 도시하듯이 금속막을 성막하고 패터닝해서 주사선(121) 및 중계배선(146)을 형성하고, 이것으로 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)를 완성시킨다. 따라서 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 고농도 불순물 영역(142)과 채널 영역(141)과 사이에는 채널 영역(141)과 같은 정도의 불순물 농도의 영역(144)이 형성되므로 이같은 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프세트 구조의 트랜지스터로 된다.
도 8 은 본 실시예에 있어서의 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 각각의 특성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 8 중 (312)는 오프세트 구조인 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 특성이며, (321)은 셀프얼라인 구조인 커런트 박막 트랜지스터(132)의 특성이다. 이것에 의하면 스위칭 박막 트랜지스터(131)는 오프 전류가 작고 반대로 커런트 박막 트랜지스터(132)는 온 전류가 크다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예의 표시장치(1)에 있어서도 상기 제 1 실시예와 마찬가지로 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현하고 있다. 이 결과, 유지 용량(151)에 대한 전하의 유지를 가일층 확실하게 행할 수 있음과 더불어 화소 전극(162)에 대한 충분한 통전을 한층더 확실하게 행할 수 있다.
또, 본 실시예에선 유지 용량(151)을 층간 절연막(162)을 이용해서 형성하고 있다. 이때문에 주사선(121) 및 신호선(122)에 의해 고농도 불순물 영역(142) 없이 유지 용량(151)이 형성되며 설제의 자유도가 향상한다는 이점이 있다.
(4) 제 4 실시예
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 4 실시예를 도시하는 도면이며 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로 표시영역(1A)의 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 단면도(a)는 평면도(b)의 D-D' 선 단면도이다. 또한, 상기 각 실시예와 마찬가지의 구성에는 같은 부호를 붙이고 그 중복하는 설명은 생략한다.
즉, 본 실시예에선 스위칭 박막 트랜지스터(131) 및 커런트 박막 트랜지스터(132)의 양쪽을 오프세트 구조로 하고 있다. 다만, 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프세트 길이 쪽을 커런트 박막 트랜지스터(132)의 오프세트 길이 보다 길게하고 있다.
이같은 구조여도 상기 제 3 의 실시의 형태와 마찬가지로 스위칭 박막 트랜지스터(131)의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터(132)의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있다.
이상 설명한대로 본 발명에 의하면 스위칭 박막 트랜지스터의 오프 전류의 저감과 커런트 박막 트랜지스터의 온 전류의 증가를 동시에 실현할 수 있으므로, 유지 용량에 대한 전하의 유지를 한층 더 확실하게 행할 수 있음과 더불어 화소 전극에 대한 충분한 통전을 한층더 확실하게 행할 수 있다는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 상기 주사선의 전위에 의해, 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 오프 전류의 저감을 중요시한 트랜지스터이며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 온 전류의 증가를 중요시한 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 상기 주사선의 전위에 의해, 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 저농도 불순물 영역이 형성되고,
    상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과는 직접 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 상기 주사선의 전위에 의해, 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 커런트 박막 트랜지스터의 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 저농도 불순물 영역이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이 쪽이 상기 커런트 박막 트랜지스터의 저농도 불순물 영역 길이 보다도 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 상기 주사선의 전위에 의해, 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역이 형성되며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과 고농도 불순물 영역은 직접 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 복수의 주사선, 복수의 신호선 및 복수의 공통 급전선이 형성되고, 상기 주사선과 상기 신호선과의 각 교점에 대응해서, 스위칭 박막 트랜지스터, 커런트 박막 트랜지스터, 유지 용량 및 화소 전극이 형성되고,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는, 상기 주사선의 전위에 의해, 상기 신호선과 상기 유지 용량과의 도통을 제어하며,
    상기 커런트 박막 트랜지스터는, 상기 유지 용량의 전위에 의해 상기 공통 급전선과 상기 화소 전극과의 도통을 제어하는 표시 장치에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 커런트 박막 트랜지스터의 각각의 채널 영역과 고농도 불순물 영역과의 사이에는 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역이 형성되며,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역 길이 쪽이, 상기 커런트 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역과 같은 정도의 불순물 농도의 영역 길이 보다도 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지 용량이, 상기 주사선과 상기 스위칭 박막 트랜지스터 또는 상기 커런트 박막 트랜지스터의 채널 영역과의 사이의 게이트 절연막을 이용해서 형성되어 있는 표시 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지 용량이, 상기 주사선과 상기 신호선과 사이의 층간 절연막을 이용해서 형성되어 있는 표시 장치.
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