TW442697B - Display device - Google Patents

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TW442697B
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Mutsumi Kimura
Hiroshi Kiguchi
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Seiko Epson Corp
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Description

經濟部中央樣準局貝工消費合作社印犁 442 69 7 A7 _B7__ 五、發明説明& ) 〔技術之領域〕 本發明係與以薄膜晶體管驅動電流發光元件之顯示裝 置（電流驅動薄膜晶體管顯示裝置）有關。 〔先前之技術〕 薄膜晶體管顯示裝置，以實現輕量、薄型、高畫質及 高精密之顯示裝置己大量多種使用。前所開發之薄膜晶體 管顯示裝置係如以薄膜晶體管液晶顯示裝置爲代表，主要 用於信號電壓之電送或微小電負荷之轉送。惟今後預期開 發之E L ( Electroluminescense )顯示裝置自發光型面板或 發熱面板等認爲需能以電流驅動且具有儲存功能之元件。 第1 0圖係電流驅動薄膜晶體管顯示裝置之等效電路 圖（a)及電位關係圖（b)。茲用有機螢光材料做爲發 光材料。 第10圖（a)中，121係掃描線，122係信號 線，123係共同供電線，131係開關薄膜晶體管， 132係電流薄膜晶體管，151係保持容量，152係 像素電極，164係有機螢光材料，165係相對電極。 又，第10圖（b)中，421係掃描電位，422係信 號電位，423係共同電位* 451係保持電位，452 係像素電位，4 6 5係相對電位。 其中•開關薄膜晶體管1 3 1係依掃描線1 2 2之電 位*控制信號線1 2 2與保持容器1 5 1之導通之晶體管 。即依掃描電位4 2 1，將信號電位4 2 2傅遞於保持電 本紙張尺度適用中國B家輮率< CNS ) A4规格（210X297公釐） (諳先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉率局員工消费合作社印製 44269 7 A7 _B7 五、發明説明Q ) 位4 5 1。對顯示之像素，信號電位4 2 2成爲高電位， 保持電位451成爲高電位。對不顯之像素*信號電位4 2 2成低電位，保持電位4 5 1成低電位。 一方面，電流薄膜晶體管1 3 2係依保持容量1 5 1 之電位，控制共同供電線1 2 3與像素電極1 5 2之導通 之晶體管。即，依保持電位451 ，將共同電位423傳 遞於像素電極4 5 2。對於顯示之像素，導通共同供電線 1 2 3與像素電極1 5 2，對於不顯示之像素，切斷共同 供電線123與像素電極152。 結果，對顯示之像素，電流流經像素電極1 5 2與相 對電極16 5間，使有機螢光材料發光。對於不顯示之像 素，不通電流，故不發光。 如此，電流驅動薄膜晶體管顯示裝置，存在開關薄膜 晶體管1 3 1及電流薄膜晶體管1 3 2。而任一薄膜晶體 管均爲以通常之半導體製造程序製造之電場效果型晶體管 ，先前之電流驅動薄膜晶體管顯示裝置，由於兩薄膜晶體 管盡可能爲同規格之晶體管較能減低製造成本之原因，兩 薄膜晶體管係用同構造之薄膜晶體管。 即使雙方之薄膜晶體管確爲同構造，惟電流驅動薄膜 晶體管顯示裝置，並非有致命之缺點。惟依銳意硏究電流 驅動薄膜晶體管顯示裝置之本發明人等，發現爲達成高品 質之產品，上述雙方之薄膜晶體管以構成重視互相不同特 性之構造爲宜。 即，開關薄膜晶髋管1 3 1，爲更確實保持保持容麗 本紙張尺度逍用中β國家揉準（CNS > Α<规格（210ΧΜ7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-5- 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印袋 4 42 69 7 A7 __B7 五、發明説明Q ) ，5 1之電荷，要求切斷電流之減低。針對此，電流薄膜 晶體管1 3 2，爲使有機螢光材料1 6 4之發光，更爲爲 高亮度，要求接通電流之增加。 但，電流驅動薄膜晶體管顯示裝置，並不存在積極使 上述雙方之薄膜晶體管特性不同之技術思想。.. 〔發明之目的〕 本發明乃依此種見解而爲，其目的在提供同時實現開 關薄膜晶體管1 3 1之切斷電流之減低，及電流薄膜晶體 管1 3 2之接通電流之增加之電流驅動薄膜晶體管顯示裝 置。 〔發明之方法〕 爲達成上述目的，申請專利範圍第1項之發明，即形 成複數掃描線。複數信號線及複數共同供給電線，對應前 述掃描線與前述信號線之各交點，形成開關薄膜晶體管， 電流薄膜晶體管，保持容量及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容量器之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通之顯示裝置， 其特徵爲：前述開關薄膜晶體管係重視切斷電流之減 低之晶體管， 前述電流薄膜晶體管係重視接通電流之增加之晶體管 本紙張尺度適用中國«家橾準（CNS ) Α4Λ格（2丨0X297公釐} (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
-6 - 4 42 69 7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明、) σ 依本申請專利範圍第1項有關之發明，由於將開關薄 膜晶體管及電流薄膜晶體管之兩晶體管，隨各要求之性能 ，成爲重視切斷電流減低之構造或重視電流增加之構造， 故可更確實保持對保持容量之電荷，並能更確實對像素電 極之充分之通電。 爲達成上述目的，申請專利範圍第2項有關之發明， 即形成複數掃描線。複數信號線及複數共同供給電線，對 應前述掃描線與前述信號線之各交點•形成開關薄膜晶體 管，電流薄膜晶體管，保持容器及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容器之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容器之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通之顯示裝置， 在前述、開關薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領 域間，形成低濃度不純物領域* 前述電流薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領域 係直接連接。 即，本申請範圍第2項有關之發明係將開關薄膜晶體 管爲L D D構造之晶體管，將電流薄膜晶體管爲自行校正 構造之晶體管。 依本申請專利範圍第2項有關之發明係將開關薄膜晶 體管爲L D D構造之晶體管，將電流薄膜晶體管爲自行校 正構造之晶體管。 本紙張尺度逋用中國«家#準（CNS ) Α4规格（2ΙΟΧ2Ϊ»7公釐）
(請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁；I
經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 44269 7 A7 B7 五、發明説明‘) 依本申請專利範圍第2項有關之發明，由於可達成開 關薄膜晶體管之切斷電流之減低，並可達成電流薄膜晶體 管之接通電流之增加•故能確實保持對保持容量之電荷， 並能更確實對像素電極之充分之通電。 爲達成上述目的，申請專利範圍第3項有關之發明， 即形成複數掃描線。複數信號線及複數共同供給電線•對 應前述掃描線與前述信號線之各交點，形成開關薄膜晶體 管，電流薄膜晶體管，保持容量及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容量之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通之顯示裝置， 在前述開關薄膜晶體管及前述電流薄膜晶體管之各頻 道領域與髙濃度不純度領域之間，形成低濃度不純物領域 1 前述開關薄膜晶體管之低濃度不純物領域之長度，比 前述電流薄膜晶體管之低濃度不純物領域之長度爲長。 即，本申請專利範圍第3項有關之發明係將開關薄膜 晶體管及電流薄膜晶體管雙方形成L D D構造之晶體管， 惟將開關薄膜晶體管之低濃度不純物領域長度（L D D長 度），形成比前述電流薄膜晶體管之LDD長度爲長。 依本申請範圍第3項有關之發明，亦可得與上述申請 專利範圍第2項有關之發明同樣之作用。 爲達成上述目的，申請專利範圍第4項有關之發明， 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS) A4规格（2丨OX297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
• 8 經濟部中央梂準局員工消费合作社印裂 44269 7 A7 _B7_ 五、發明説明^ ) 即形成複數掃描線。複數信號線及複數共同供給電線，對 應前述掃描線與前述信號線之各交點，形成開關薄膜晶體 管，電流薄膜晶體管，保持容量及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容量之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通之顯示裝置， 在前述開關薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領 域之間，形成與頻道領域同程度之不純度濃度之領域* 前述電流薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領域 係直接連接。 即，本申請範圍第4項有關之發明係將開關薄膜晶體 管爲偏斜構造之晶體管，將電流薄膜晶體管爲自行校芷構 造之晶體管。 依申請範園第4項有關之發明•由於可達成開關薄膜 晶體管之切斷電流之減低，並可達成電流薄膜晶體管之接 通電流之增加*故能更確實保持對保持容量之電荷，並能 更確實對像素電極之充分之通電。 爲達成上述目的，申請專利範圍第5項有關之發明， 即形成複數掃描線。複數信號線及複數共同供給電線，對 應前述掃描線與前述信號線之各交點’形成開關薄膜晶體 管，電流薄膜晶體管，保持容量及像素電極’ 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位’控制前 述信號線與前述保持容量之導通’ 本紙張尺度適用中國«家標準（CNS > Α4規格（2丨0X297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-9 - A7 4^269 7 B7_ 五、發明説明（) 7 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通之顯示裝置’ (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在前述開關薄膜晶體管及前述電流薄膜晶體管之各頻 道領域與高濃度不純物領域間，形成與頻道領域同程度之 不純物濃度之領域 前述開關薄膜晶體管之前述頻道領域同程度之不純物 濃度之領域長度，比前述電流薄膜晶體管之前述頻道領域 同程度之不純物濃度之領域長度爲長》 即，本申請範圍第5項有關之發明，由於將開關薄膜 晶體管及電流薄膜晶體管雙方形成偏斜構造之晶體管，惟 將開關薄膜晶體管之偏斜長度，形成比電流薄膜晶體管之 偏斜長度爲長。 依本申請專利範圍第5項有關之發明，亦可得與上述 申請範圍第4項有關之發明同樣之作用。 經濟部中央標率局貝工消费合作社印製 又，申請範圍第6項有關之發明係如申請範圍第1〜 5項任一項所述之顯示裝置，其中前述保持容量係利用前 述掃描線，與前述開關薄膜晶體管或前述電流薄膜晶體管 之頻道領域間之門絕緣膜形成》 依本申請範圔第6項有關之發明，由於將薄之門絕緣 膜用於保持容量，而可形成小面積且大容量之保持容量。 針對此，申請範圍第7項有關之發明係如申請專利範 圍第1〜5項任一項所述之顯示裝置，其中前述保持容量 係利用前述掃描線·與前述信號線間之層間絕緣膜形成。 依本申請範圍第7項有關之發明，由於將層間絕緣膜 本紙張尺度適用中國国家搞率（CNS) Α4规格（2〗οχ297公羞） -10- 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 44269 7 A7 __B7 五、發明説明& ) 用於保持容器，故可提髙設計之自由度。 〔實施發明之最佳形態〕 以下依圖說明本發明之良好之實施形態* (1 )第1實施形態 第1圖〜第4圖係顯示本發明之第1實施形態蹰，本 實施形態係將本發明有醑之顯示裝置，適用於用E L顯示 元件之有源矩陣型顯示裝置者。 第1圖係顯示本實施形態之顯示裝置1之一部分之電 路圖，該顯示裝置1係具有在透明顯示基板上，分別將複 數掃描線1 2 1，及對這些掃描線1 2 1交叉方向延伸之 複數信號線1 2 2，及並聯於這些信號線1 2 2延伸之複 數共同供電線12 3配線之構造·並在毎掃描線1 2 1及 信號線1 2 2之各交點，設像素領域1 A。 對信號線1 2 2，設具有移位寄存器（shift register )，電平移相器（level shifter )視頻線（video line ) ，類比開關（analog switch )之資料側驅動電路3。又 ，對掃描線1 2 1，設具有移位寄存器及電平移相器之掃 描側驅動電路4。更又在各像素領域1 A，設：經掃描線 1 2 1將掃描信號供給門電極之開關薄膜晶體管1 3 1， 及保持經該開關薄膜晶體管1 3 1自信號線1 3 2供給之 像素信號之保持容量1 5 1 ，及將以該保持容量1 5 1保 持之畫像信號供給門電極之電流薄膜晶體管1 3 2 ’及經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公嫠） (讀先閲讀背面之注$項再填寫本頁)
-11 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 44⑽ 7 A7 B7 五、發明説明‘) 該電流薄膜晶體管1 3 2以電連接於共同供電線1 2 3時 自共同供電線1 2 3流進騸動電流之像素電極1 5 2，及 挾進該像素電極1 5 2與相對電極 1 6 5間之有機螢光材料1 6 4 « 第2圖（a )及（b )保顯示第1圖所示各像素領域 1 A之構造之斷面圖及平固圖·又’斷面圖（a )係平面 圖（b)之A — A**線斷面圖。又，第2圓中| 141係 頻道領域，1 4 2係高濃度不純物領域，1 4 3係低濃度 不純度領域，146係中繼配線’161係門絕緣膜， 1 6 2係層間絕緣膜，1 6 3顯示最上層之絕緣膜。 第 3 圖（a) ，（b) ，（c) ，（d)及（e)係 顯示顯示裝置1之製造工程之斷面圔，相當於第2阃（b )之A — A <線斷面圖•又，第3圖中，2 1 1係抗蝕蔽 屏（resist mask)2 1 1係高漉度不純物接雜物，2 2 2係 顯示低濃度不純物摻雜物。 詳細製造工程，如下。 首先，如第3圖（a )所示，後將開關薄膜晶體管 1 3 1及電流薄膜晶體管1 3 2之頻道領域1 4 1及源， 漏領域以及成爲保持容量151之一方之電極之半導體膜 成膜，將其予以圖型化（patterning )，形成島狀半導體 膜 1 6 1。 其次，如第3圓（b)所示，將抗蝕蔽屏211成膜 ，將其予以圖型化》此時，後於成開關薄膜晶體管1 3 1 之位置之抗蝕蔽屏2 1 1 (第3圖（b )左側之抗蝕蔽屏 本紙張尺度適用中國固家橾準（CNS ) A4规格（2】0x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 乂 訂—^1 •12· 4 42 69 7 A7 B7 五、發明説明k ) 2 1 1 )係形成比頻道領域長度寬若干。而實施高濃度不 純物摻雜2 2 1 ’形成高濃度不純物領域1 4 2。 接著，如第3圖（c )所示，將金屬膜成膜’將其圖 型化，形成掃描線1 2 1及中繼配線1 46。而將其等掃 描線1 2 1及中繼配線14 6爲蔽屏’實施低濃度不純物 摻雜2 2 2。則由於掃描線1 2 1乏寬度等於頻道領域長 度，故在其下側之高濃度不純物領域1 4 2之更內側，形 成低濃度不純物領域1 4 3。又，其低濃度不純度領域 1 4 3之更內側將成爲頻道領域1 4 1。 結果，形成LDD構造之開關薄膜晶«管1 3 1，及 自行校正構造之電流薄膜晶體管1 3 2 * 而，如第3圖（d)所示，將層間絕緣膜1 62成膜 ，形成接觸孔，更將金属膜成膜，將其圖型化，形成信號 線1 2 2及共同供電線1 2 3。 其次，如第3圖（e)所示，形成像素電極152， 形成最上層之絕緣膜1 6 3。更在此後，形成有機螢光材 料164及相對電極165。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袋 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖係顯示第1實施形態之開關薄膜晶體管1 3 1 及電流薄膜晶體管1 3 2之各特性圖。又，第4圖中， 311係LDD構造之開關薄膜晶體管131之特性， 3 2 1係自行校正構造之電流薄膜晶體管1 3 2之特性。 依此，可知開關薄膜晶體管1 3 1係切斷電流小，反之， 電流薄膜晶體管1 3 2則接通電流大》 即，本實施形態之顯示裝置1係同時實現開關薄膜晶 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - ^ 44269 7 A7 B7 五、發明説明L ) 體管1 3 1之切斷電流之降低，及電流薄膜晶體管1 3 2 之接通電流之增加。結果，能更確寅保持對保持容量 1 5 1之電荷，並能更確實對像素電極1 6 2之充分通電 0 又，本實施形態係利用門絕緣膜1 6 1形成保持容量 1 5 1，惟一般，門絕緣膜1 6 1係形成爲比其他絕緣膜 爲薄。因此，有可形成小面稹且大容量之保持容器1 5 1 之益處β 又，只要依據本發明之構想，任何薄膜晶體管顯示裝 置之構造，製造方法，材料均$。 (2 )第2實施形態 第5圖係顯示本發明之第2實施形態之圓，與第2圖 同樣，爲顯示顯示領域，Α之斷面圖及平面圖，斷面圖係 平面圖（b)之B — B >線斷面圖。又，與上述第1實施 形態相同之構造，附予同符號，省略其重複之說明。 即，本實施形態係將開關薄膜晶體管1 3 1及電流薄 膜晶體管132雙方，形成爲LDD構造》但，將開關薄 膜晶體管131之LDD長度形成爲比電流薄膜晶體管 132之LDD長度爲長。 此種構造，亦與上述第1實施形態同樣，可同時實現 開關薄膜晶體管131之切斷電流之減低與電流薄膜晶體 管1 3 2之接通電流之增加。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2]0X297公嫠） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貞工消费合作社印装 -14- 4 42 69 7 A7 ____B7 五、發明説明L ) (3 )第3實施形態 第6圖〜第8圖係顯示本發明之第3實施形態之鼷， 本實施形態，亦與上述第1實施形態同樣，將本發明有關 之薄膜晶體管顯示裝置，適用於用E L顯示元件之有源矩 陣型之顯示裝置者。又因整體構造與第1實施形態之第1 圖相同，故省略其圖示及說明，並對上述第1實施形態相 同之構造附予同符號，省略其重複之說明* 第6圖係與第2圖同樣，顯示顯示領域1 A之構造之 斷面圖及平面圖，斷面圖（a )係平面圖（b )之C _ C /線斷面圖。又，144顯示與頻道領域同程度之不純度 濃度之領域。 第7圖（a )〜（e )係顯示本實施形態之顯示裝置 1之製造工程斷面圖，惟斯項製造工程略與上述第1實施 形態之製造工程略爲相同，不同者即不實施形成低濃度不 純度領域1 4 3用之低濃度不純物摻雜2 2 2 · 經濟部中央梯準局負工消費合作社印製 (对先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 即，如第7圖（c )所示，將金屬膜成膜予以圔型化 形成掃描線121及中繼配線146，依此，完成開關薄 膜晶體管1 3 1及電流薄膜晶體管1 3 2 »故，由於開關 薄膜晶體管1 3 1之高濃度不純物領域1 4 2與頻道領域 1 4 1間，形成與頻道領域1 4 1同程度之不純度濃度之 領域1 4 4，故斯項開關薄膜晶體管1 3 1即成爲偏斜構 造之晶體管。 第8圖係顯示本實施形態之開關薄膜晶體管1 3 1及 電流薄膜晶體管1 3 2之各特性圖。又，第8圖中’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -15- 44269 7 at _______B7_ 五、發明説明（^ ) 3 1 2係偏斜構造之開關薄膜晶體管1 3 1之特性，3 2 1係自行校正構造之電流薄膜晶18管1 3 2之特性《依此 ，可知開關薄膜晶體管1 3 1係切斷電流小，反之，電流 薄膜晶體管1 3 2係接通電流大* 即，本實施形態之顯示裝置1，亦與上述第1實施形 態同樣，同時實現開關薄膜晶體管1 3 1之切斷電流之減 低，與電流薄膜晶體管1 3 2之接通電流之增加。結果， 可更確實保持對保持容Ml 5 1之電荷，並可更確實對像 素電極162之充分之通電。 又，本實施形態係利用層間絕緣膜1 6 2形成保持容 量151。因此，以掃描線121及信號:線1 2 2，無髙 濃度不純物領域1 4 2即可形成保持容量151 ·而有提 高設計自由度之益處。 (4 )第4實施形態 經濟部中央標半局負工消費合作社印« (諳先閲讀背面之注項再填寫本頁) 第9圖係顯示本發明之第4寅施形態之圖，與第2圖 同樣，爲顯示顯示領域1 A之構造之斷面圖及平面圖，斷 面圖（a)係平面圖（b)之D—D/線斷面圖。又，對 與上述各實施形態相同之構造，附予同符號，省略其重複 之說明。 即，本實施形態係將開關薄膜晶體管1 3 1及電流薄 膜晶體管1 3 2雙方，形成爲偏斜構造。惟將開關薄膜晶 體管1 3 1之偏斜長度，形成爲比電流薄膜晶體管1 3 2 之偏斜長度爲長。 本紙張尺度適用中囷國家捸準（CNS ) A4规格（210X297公釐） • 16- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 44269 7 A7 A7 ____B7_ 五、發明説明L ) 此種構造，亦與上述第3實施形態同樣，可同時實現 開關薄膜晶體管131之切斷電流之減低·與電流薄膜晶 體管1 3 2之接通電流之增加。 〔產業上之可利用性〕 如以上說明，依本發明*因可同時實現開關薄膜晶體 管之切斷電流之減低與電流薄膜晶髖管之接通電流之增加 ，故有能更確實保持對保持容量之電荷，並能更確實對像 素電極充分通電之效果* 圖示之簡單說明： 第1圖：顯示本發明之第1實施形態之顯示裝置之一 部分之電路圖。 第2圖：第1實施形態之顯示裝置之斷面圖（a )及 平面圖（b )。 第3圖：顯示第1實施形態之顯示裝置之製造工程圖 〇 第4圖：顯示第1實施形態之各薄膜晶體管之特性圚 〇 第5圖：本發明之第2實施形態之顯示裝置之斷面圖 (a )及平面圖（b )。 第6圖：本發明之第3實施形態之顯示裝置之斷面圖 (a )及平面圖（b )。 第7圖：顯示第3實施形態之顯示裝置之製造工程圖 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -17- 4 4269 7 A7 __B7 五、發明説明（） 15 〇 第8圖：顯示第3實施形態之各薄膜晶體管之特性圖 〇 第9圖：本發明之第4實施形態之顯示裝置之斷面圖 (a )及平面圖（b )。 第10圖：電流驅動薄膜晶體管顯示裝置之等效電路 圖（a)及電位關係圖（b)。 (讀先閲讀背Φ之注意Ϋ項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） -18-

Claims (1)

  1. A8 BS C8 D8 、申請專利範圍 4 42 69 7 第86114〇82號專利申請案 中文申請專利範圍修_ 12月修正 —種顯示裝置，即形成複掃描線，複數信號線及 複數共同供給電線，對應前述掃描線與前述信號線之各交 點’形成開關薄膜晶體管，電流薄膜晶體管，保持容量异 像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容器之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容器之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通， 其特徵爲：前述開關薄膜晶體管係重視切斷電流之減 低之晶體管’ 前述電流薄膜晶體管係重視接通電流之增加之晶體管 2 · —種顯示裝置，即形成複數掃描線，複數信號線及 複數共同供給電線，對應前述掃描線與前述信號線之各交 點’形成開關薄膜晶體管，電流薄膜晶體管，保持容器及 像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容器之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通， 其特徵爲：在前述開關薄膜晶體管之頻道領域與高濃 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之注-^項再填寫本頁) 裝· 訂_ •，線_ 經濟部中央搞準局貝工消费合怍tt印 4 4269 7 經濟部中央橾牟局負工消费合作社印裝 A8 C8 ’ D8六、申請專利範固 度不純物領域間，形成低濃度不純物領域， 前述電流薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領域 係直接連接。 3 + —種顯示裝置，即形成複數掃描線，複數信號線 及複數共同供給電線，對應前述掃描線與前述信號線之各 =點’形成開關薄膜晶體管，電流薄膜晶體管，保.持容量 及像素電極， ，省 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位·控制前 述信號線與前述保持容器之導通， m述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通， 其特徵爲：在前述開關薄膜晶體管及前述電流薄膜晶 fi管之各頻道領域與高濃度不純物領域之間，形成低濃度 不純物領域， 前述開關薄膜晶體管之低濃度不純物領域之長度，比 前述電流薄膜晶體管之低濃度不純物領域之長度爲長。 4 .—種顯示裝置，即形成複數掃描線，複數信號線 及複數共同供給電線，對應前述掃描線與前述信號線之各 交點’形成開關薄膜晶體管，電流薄膜晶體管，保持容量 及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容量之導通. 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通， (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) .......... i^i ml -- ^^1 ^υΊ * s ^^1 il· * . 訂. •!~~終. • · 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ox；297公釐} 44269 7 A8 B8 C8 D8 經濟部中央樣準馬WHX消驚含丰!£ 六、申請專利範圍 其特徵爲：在前述開關薄膜晶體管之頻道領域與高濃 度不純物領域之間•形成與頻道領域同程度之不純物濃度 之領域， 前述電流薄膜晶體管之頻道領域與高濃度不純物領域 係直接連接。 5. —種顯示裝置，即形成複數掃描線，複數信號線 及複數共同供給電線，對應前述掃描線與前述信號線之各 交點，形成開關薄膜晶體管，電流薄膜晶體管，保持容量 及像素電極， 前述開關薄膜晶體管係依前述掃描線之電位，控制前 述信號線與前述保持容置之導通， 前述電流薄膜晶體管係依前述保持容量之電位，控制 前述共同供給電線與前述像素電極之導通， 其特徵爲：在前述開關薄膜晶體管及前述電流薄膜晶 體管之各頻道領域與高濃度不純物領域之間，形成與頻道 領域同程度之不純物濃物之領域， 前述開關薄膜晶體管之前述頻道領域同程度之不純物 濃度之領域長度，比前述電流薄膜晶體管之前述頻道領域 同程度之不純物濃度之領域長度爲長。 6 .如申請專利範圍第1〜5項任一項所述之顯示裝 置•其中前述保持容量係利用前述掃描線，與前述開關薄 膜晶體管或前述電流薄膜晶體管之頻道領域間之門絕緣膜 形成。 7.如申請專利範圔第1〜5項任一項所述之顯示裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 2S»7公釐） ：--------'-裝----^--訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 4269 7 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置，其中前述保持容量係利用前述掃描線，與前述信號線 間之層間絕緣膜形成。 (請先閲讀背面之注$項再填寫本萸) -裝 1T 經濟部中央揉牟局貝工消費合阼；tufR 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；W公釐）
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