CN106611775B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器。在一个方面，所述OLED显示器包括基板、设置在基板上的多个OLED以及设置在基板与OLED之间的多个像素电路。每个像素电路包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括电连接到各个OLED的有源图案。屏蔽层横穿像素电路并且在OLED显示器的深度维度上与晶体管的有源图案叠置。

Description

有机发光二极管显示器
本申请要求于2015年10月27日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0149636号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
所描述的技术总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
平板显示器的示例类型包括OLED显示器、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等。
OLED显示器包括像素电路的矩阵并且每个像素电路包括多个薄膜晶体管和连接到这些薄膜晶体管的一个OLED。
OLED发射亮度与通过薄膜晶体管供应到OLED的电压对应的光。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用来增强对所描述的技术的背景的理解，因此其可以包含不构成本领域的普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及一种具有连接到OLED的薄膜晶体管的改善的晶体管特性的OLED显示器。
另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基板；多个OLED，设置在基板上；多个像素电路；设置在基板与OLED之间并且包括多个晶体管，所述多个晶体管包括连接到各个OLED的有源图案；屏蔽层，横穿像素电路并且与一部分晶体管的有源图案叠置。
屏蔽层可以包括多条屏蔽线，屏蔽线可以沿第一方向彼此分隔开并且可以沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
屏蔽线可以彼此连接。
基板可以包括：显示区域，其中设置有OLED；非显示区域，围绕显示区域，屏蔽层还可以包括在非显示区域中沿第一方向延伸为连接到屏蔽线的连接线。
屏蔽层可以设置在基板的后侧上。
OLED显示器还可以包括设置在基板的后侧上的强化基板，其中，屏蔽层可以设置在基板与强化基板之间。
基板还可以包括用于暴露强化基板的端部的倒角单元，连接线可以由倒角单元暴露。
屏蔽层可以设置在基板与有源图案之间。
屏蔽层可以设置在基板的后侧上。
功率可以供应到屏蔽层。
晶体管可以包括第一晶体管，所述第一晶体管包括具有设置在基板上的第一沟道的第一有源图案和设置在第一有源图案上的第一栅电极，屏蔽层可以与第一有源图案的第一沟道叠置。
OLED显示器还可以包括在第一栅电极上与第一栅电极叠置并且与第一栅电极一起构造电容器的电容器电极，其中，屏蔽层可以与电容器电极叠置。
晶体管还可以包括：第二晶体管，包括连接到第一有源图案的第二有源图案和设置在第二有源图案上的第二栅电极；第三晶体管，包括具有用于连接在第一有源图案和第一栅电极之间的第三沟道的第三有源图案和设置在第三有源图案上的第三栅电极，屏蔽层可以与第三有源图案的第三沟道叠置。
屏蔽层可以不与第二有源图案叠置。
OLED显示器还可以包括：第一扫描线，设置在第二有源图案上以横穿第二有源图案和第三有源图案，并且连接到第二栅电极和第三栅电极；数据线，设置在第一扫描线上以横穿第一扫描线，并且连接到第二有源图案；驱动电源线，设置在第一扫描线上并且与数据线分隔开以横穿第一扫描线，并且连接到第一有源图案。
晶体管还可以包括第四晶体管，所述第四晶体管包括连接到第一栅电极和第三有源图案的第四有源图案以及设置在第四有源图案上的第四栅电极，OLED显示器还可以包括：第二扫描线，设置在第四有源图案上以横穿第四有源图案并且连接到第四栅电极；初始化电源线，设置在第二扫描线上并且连接到第四有源图案。
晶体管还可以包括第七晶体管，所述第七晶体管包括连接到第四有源图案的第七有源图案和设置在第七有源图案上的第七栅电极，OLED显示器还可以包括设置在第七有源图案上以横穿第七有源图案并且连接到第七栅电极的第三扫描线。
晶体管还可以包括：第五晶体管，包括用于连接在第一有源图案与驱动电源线之间的第五有源图案以及设置在第五有源图案的第五栅电极；第六晶体管，包括用于连接在第一有源图案与OLED之间的第六有源图案以及设置在第六有源图案上的第六栅电极，OLED显示器还可以包括设置在第五有源图案和第六有源图案上以横穿第五有源图案和第六有源图案并且连接到第五栅电极和第六栅电极的发射控制线。
屏蔽层可以与第二有源图案、第四有源图案、第五有源图案、第六有源图案和第七有源图案中的至少一个不叠置。
另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基板；多个OLED，设置在基板上；多个像素电路，包括第一晶体管和第三晶体管，第一晶体管包括连接到OLED的第一有源图案和设置在第一有源图案上的第一栅电极，第三晶体管包括用于连接在第一有源图案与第一栅电极之间的第三有源图案；屏蔽层，横穿像素电路并与第一有源图案和第三有源图案叠置。
另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，所述OLED显示器包括：基板；多个OLED，设置在基板上方；多个像素电路，设置在基板与OLED之间，其中，每个像素电路包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括电连接到各个OLED的有源图案；屏蔽层，横穿像素电路并且在OLED显示器的深度维度上与晶体管的有源图案叠置。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层包括多条屏蔽线，其中，屏蔽线沿第一方向彼此分隔开并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
在上面的OLED显示器中，屏蔽线彼此电连接。
在上面的OLED显示器中，基板包括：显示区域，包括OLED；非显示区域，围绕显示区域，其中，屏蔽层还包括在非显示区域中沿第一方向延伸并且电连接到屏蔽线的连接线。
在上面的OLED显示器中，基板包括彼此相对的第一侧和第二侧，其中，OLED设置在第一侧上，其中，屏蔽层设置在第二侧上。
上面的OLED显示器还包括设置在基板的第二侧上的强化基板，其中，屏蔽层设置在基板和强化基板之间。
在上面的OLED显示器中，基板还包括与强化基板的端部相邻的倒角部分，其中，强化基板的端部和连接线的一部分在OLED显示器的深度维度上在与倒角部分相邻的区域中不与基板叠置。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层设置在基底与有源图案之间。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层包括多条屏蔽线，所述多条屏蔽线中的至少两条具有不同的宽度。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层被构造为接收功率。
在上面的OLED显示器中，晶体管包括第一晶体管，第一晶体管包括i)具有设置在基板上方的第一沟道的第一有源图案和ii)设置在第一有源图案上的第一栅电极，其中，屏蔽层在OLED显示器的深度维度上与第一有源图案的第一沟道叠置。
上面的OLED显示器还包括在OLED显示器的深度维度上与第一栅电极叠置的电容器电极，其中，电容器电极和第一栅电极一起形成电容器，其中，屏蔽层在OLED显示器的深度维度上与电容器电极叠置。
在上面的OLED显示器中，晶体管还包括：第二晶体管，包括电连接到第一有源图案的第二有源图案和设置在第二有源图案上方的第二栅电极；第三晶体管，包括i)具有被构造为将第一有源图案和第一栅电极电连接的第三沟道的第三有源图案以及ii)设置在第三有源图案上的第三栅电极，其中，屏蔽层在OLED显示器的深度维度上与第三有源图案的第三沟道叠置。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层可以在OLED显示器的深度维度上不与第二有源图案叠置。
上面的OLED显示器还包括：第一扫描线，设置在第二有源图案上方，在OLED显示器的深度维度上与第二有源图案和第三有源图案叠置，并且电连接到第二栅电极和第三栅电极；数据线，设置在第一扫描线上方，与第一扫描线交叉，并且电连接到第二有源图案；驱动电源线，设置在第一扫描线上方并且与数据线分隔开，其中，驱动电源线与第一扫描线交叉并且电连接到第一有源图案。
在上面的OLED显示器中，晶体管还包括第四晶体管，第四晶体管包括i)电连接到第一栅电极和第三有源图案的第四有源图案以及ii)设置在第四有源图案上的第四栅电极，其中，OLED显示器还包括：第二扫描线，设置在第四有源图案上，在OLED显示器的深度维度上与第四有源图案叠置，并且电连接到第四栅电极；初始化电源线，设置在第二扫描线上方并且电连接到第四有源图案。
在上面的OLED显示器中，晶体管还包括第七晶体管，第七晶体管包括i)电连接到第四有源图案的第七有源图案和ii)设置在第七有源图案上的第七栅电极，其中，OLED显示器还包括设置在第七有源图案上、在OLED显示器的深度维度上与第七有源图案叠置并且电连接到第七栅电极的第三扫描线。
在上面的OLED显示器中，晶体管还包括：第五晶体管，包括i)被构造为将第一有源图案和驱动电源线电连接的第五有源图案以及ii)设置在第五有源图案上方的第五栅电极；第六晶体管，包括i)被构造为电连接第一有源图案和OLED的第六有源图案以及ii)设置在第六有源图案上的第六栅电极，其中，OLED显示器还包括设置在第五有源图案和第六有源图案上、横穿第五有源图案和第六有源图案并且电连接到第五栅电极和第六栅电极的发射控制线。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层在OLED显示器的深度维度上与第二有源图案、第四有源图案、第五有源图案、第六有源图案和第七有源图案中的至少一个不叠置。
另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基板；多个OLED，设置在基板上方；多个像素电路，每个像素电路包括多个晶体管，电连接到OLED并且包括驱动晶体管，驱动晶体管包括电连接到OLED的第一有源图案和设置在第一有源图案上方的第一栅电极；互补晶体管，包括被构造为电连接到第一有源图案和第一栅电极的第二有源图案；屏蔽层，横穿像素电路并且在OLED显示器的深度维度上与第一有源图案和第二有源图案叠置。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层接触基板。
在上面的OLED显示器中，屏蔽层与基板之间的距离小于第一有源图案和第二有源图案与基板之间的距离。
在上面的OLED显示器中，基板设置在晶体管与屏蔽层之间。
根据所公开的实施例中的至少一个，提供了具有连接到OLED显示器的薄膜晶体管的改善的晶体管特性的OLED显示器。
附图说明
图1示出了根据示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。
图2示出了图1中示出的OLED显示器的像素的电路图。
图3示出了图1中示出的OLED显示器的像素的布局图。
图4示出了关于图3的线IV-IV的剖视图。
图5示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。
图6示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
图7示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过图示的方法简单地示出并描述了某些示例性实施例。如本领域的技术人员将认识到的是，在不脱离所描述的技术的精神或范围的全部情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。
没有示出与示例性实施例的描述无关的部分以使描述清楚，遍及说明书，同样的附图标记表示同样的元件。
此外，对于示例性实施例，通过对相同的组成元件使用相同的附图标记参照相关附图在第一示例性实施例中针对组成元件给出详细的描述，同时在其他示例性实施例中仅描述与第一示例性实施例相关的组成元件不同的组成元件。
为了更好的理解和易于描述，在附图中任意示出在附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，但是所描述的技术不限于图示。
在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。为了更好的理解和易于描述，在附图中扩大了层、膜、面板、区域等的厚度。在此公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或者在一些应用下任何重要的程度并且与本领域的技术人员的理解一致的意思。此外，“形成、设置或定位在……上方”还可以指“形成、设置或定位在……上”。术语“连接”包括电连接。
图1示出了根据示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。像素可以表示用于显示图像的最小单元。
如图1所示，OLED显示器包括基板(SUB)、多个像素(PX)、多条栅极布线(GW)、栅极驱动器(GD)、多条数据布线(DW)、数据驱动器(DD)和屏蔽层(SLA)。
基板(SUB)包括用于显示图像的显示区域(DIA)和与显示区域(DIA)邻近的非显示区域(NDA)。非显示区域(NDA)可以设置为围绕显示区域(DIA)的边缘，并且不限制于此，非显示区域(NDA)可以设置为与显示区域(DIA)邻近。基板(SUB)是由玻璃、聚合物或不锈钢形成的绝缘基板。基板(SUB)可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。结果，OLED显示器可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。
像素(PX)对应于基板(SUB)的显示区域(DIA)设置在基板(SUB)上。像素(PX)分别连接到栅极布线(GW)和数据布线(DW)。像素(PX)分别具有包括OLED的像素电路、用于控制流到OLED的驱动电流的多个薄膜晶体管以及至少一个电容器，OLED用于发射具有与驱动电流对应的亮度的光，驱动电流与由通过栅极布线(GW)切换的数据布线(DW)供应的信号对应。像素(PX)分别具有包括OLED和薄膜晶体管的像素电路，所以包括多个OLED和连接到OLED的薄膜晶体管的多个像素电路设置在基板(SUB)的显示区域(DIA)中。像素电路设置在基板(SUB)与像素(PX)中的OLED之间。
栅极布线(GW)可以连接到栅极驱动器(GD)并且可以连接到像素(PX)，栅极布线(GW)可以分别包括第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、初始化电源线和发射控制线。将在说明书后面的部分描述第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、初始化电源线和发射控制线。
包括第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、初始化电源线和发射控制线的栅极布线(GW)可以不连接到栅极驱动器(GD)，而可以通过基板(SUB)的焊盘(衬垫)连接到另一驱动器，可以以已知的各种形式执行此连接。
栅极驱动器(GD)设置在基板(SUB)的非显示区域(NDA)中并且连接到栅极布线(GW)。
数据布线(DW)可以分别连接到数据驱动器(DD)并且可以连接到像素(PX)，数据布线(DW)可以包括数据线和驱动电源线。将在说明书后面的部分描述数据线和驱动电源线。
包括数据线和驱动电源线的数据布线(DW)可以不连接到数据驱动器(DD)并且可以通过基板(SUB)的焊盘(衬垫)连接到另一驱动器，可以以已知的各种形式执行此连接。
数据驱动器(DD)设置在基板(SUB)的非显示区域(NDA)中并且连接到数据布线(DW)。
屏蔽层(SLA)连接到数据驱动器(DD)并且横穿像素(PX)。屏蔽层(SLA)包括多条连接线(CL)和多条屏蔽线(SL)。屏蔽层(SLA)接收来自数据驱动器(DD)或另一驱动器的功率，供应到屏蔽层(SLA)的功率可以与供应到包括在数据布线(DW)中的驱动电源线的功率相同，并且不限于此，可以供应与供应到驱动电源线的功率不同的另一水平的功率。
连接线(CL)设置在基板(SUB)的非显示区域(NDA)中，并且连接到屏蔽线(SL)以连接在屏蔽线(SL)和数据驱动器(DD)之间。
屏蔽线(SL)沿第一方向上彼此分开，并且在基板(SUB)上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。这里，第二方向可以平行于栅极布线(GW)延伸所沿的方向，但其不限于此。
屏蔽线(SL)通过连接线(CL)彼此连接。连接线(CL)沿第一方向延伸并且连接到非显示区域(NDA)中的屏蔽线(SL)。
屏蔽层(SLA)可以不连接到数据驱动器(DD)并且可以通过基板(SUB)的焊盘(衬垫)连接到另一驱动器。
图2示出图1中示出的OLED显示器的像素的电路图。
如图2所示，OLED显示器的像素PX包括像素电路(PC)和连接到像素电路(PC)的OLED，像素电路(PC)包括选择性连接到第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2、发射控制线(EM)、初始化电源线Vin、数据线(DA)和驱动电源线(ELVDD)的多个薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)以及电容器(Cst)。
上面提到的屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)穿过包括在像素电路(PC)中的薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)之中的薄膜晶体管T1和T3，屏蔽线(SL)与薄膜晶体管T1和T3的有源图案叠置。
这里，第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2、发射控制线(EM)和初始化电源线Vin可以包括在栅极布线中，数据线(DA)和驱动电源线(ELVDD)可以包括在数据布线中。第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2、发射控制线(EM)、初始化电源线Vin、数据线(DA)和驱动电源线(ELVDD)可以包括相同的材料或不同的材料，并且可以设置在基板(SUB)上的同一层上或不同的层上。
薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7。
第一薄膜晶体管T1包括：第一栅电极G1，连接到第三薄膜晶体管T3的第三漏电极D3、第四薄膜晶体管T4的第四漏电极D4和电容器Cst的第一电极；第一源电极S1，连接到第二薄膜晶体管T2的第二漏电极D2和第五薄膜晶体管T5的第五漏电极D5；第一漏电极D1，连接到第三薄膜晶体管T3的第三源电极S3和第六薄膜晶体管T6的第六源电极S6。屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)穿过第一薄膜晶体管T1，屏蔽线(SL)横穿像素电路(PC)并且与第一薄膜晶体管T1的有源图案叠置。
第二薄膜晶体管T2包括连接到第一扫描线(Sn)的第二栅电极G2、连接到数据线(DA)的第二源电极S2以及连接到第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1的第二漏电极D2。
第三薄膜晶体管T3包括连接到第一扫描线(Sn)的第三栅电极G3、连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1的第三源电极S3和连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1的第三漏电极D3。屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)穿过第三薄膜晶体管T3，屏蔽线(SL)横穿像素电路(PC)并且与第三薄膜晶体管T3的有源图案叠置。
第四薄膜晶体管T4包括连接到第二扫描线Sn-1的第四栅电极G4、连接到初始化电源线Vin的第四源电极S4和连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1的第四漏电极D4。
第五薄膜晶体管T5包括连接到发射控制线(EM)的第五栅电极G5、连接到驱动电源线(ELVDD)的第五源电极S5和连接到第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1的第五漏电极D5。
第六薄膜晶体管T6包括连接到发射控制线(EM)的第六栅电极G6、连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1的第六源电极S6和连接到OLED的第六漏电极D6。第一薄膜晶体管T1通过第六薄膜晶体管T6连接到OLED。
第七薄膜晶体管T7包括连接到第三扫描线Sn-2的第七栅电极G7、连接到OLED的第七源电极S7和连接到第四薄膜晶体管T4的第四源电极S4的第七漏电极D7。
电容器Cst包括连接到驱动电源线(ELVDD)的第二电极以及连接到第一栅电极G1和第三薄膜晶体管T3的第三漏电极D3的第一电极。
OLED包括第一电极、设置在第一电极上的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的有机发射层。OLED的第一电极连接到第七薄膜晶体管T7的第七源电极S7和第六薄膜晶体管T6的第六漏电极D6，第二电极连接到用于供应共信号的共电源(ELVSS)。
现在将参照图3和图4描述OLED显示器的像素的设置。
绝缘层设置在设置在不同层上的组成元件之间，它们可以是诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘层或者有机绝缘层。绝缘层可以设置为单层或多层。
图3示出图1中示出的OLED显示器的像素的布局图。图4示出关于图3的线IV-IV的剖视图。
如图3和图4所示，像素包括像素电路和连接到像素电路的OLED，像素电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、电容器Cst以及选择性地连接到第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2、发射控制线(EM)、数据线(DA)、驱动电源线(ELVDD)和初始化电源线Vin的栅极桥(GB)。屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)横穿像素电路并且与第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1和第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3叠置。
第一薄膜晶体管T1设置在基板(SUB)上，并且包括第一有源图案A1和第一栅电极G1。
第一有源图案A1包括第一源电极S1、第一沟道C1和第一漏电极D1。第一源电极S1连接到第二薄膜晶体管T2的第二漏电极D2和第五薄膜晶体管T5的第五漏电极D5，第一漏电极D1连接到第三薄膜晶体管T3的第三源电极S3和第六薄膜晶体管T6的第六源电极S6。
第一有源图案A1可以由多晶硅或氧化物半导体形成。氧化物半导体可以包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物以及它们的复合氧化物，诸如铟-镓-锌氧化物(In-Ga-Zn-O)、铟-锌氧化物(Zn-In-O)、锌-锡氧化物(Zn-Sn-O)、铟-镓氧化物(In-Ga-O)、铟-锡氧化物(In-Sn-O)、铟-锆氧化物(In-Zr-O)、铟-锆-锌氧化物(In-Zr-Zn-O)、铟-锆-锡氧化物(In-Zr-Sn-O)、铟-锆-镓氧化物(In-Zr-Ga-O)、铟-铝氧化物(In-Al-O)、铟-锌-铝氧化物(In-Zn-Al-O)、铟-锡-铝氧化物(In-Sn-Al-O)、铟-铝-镓氧化物(In-Al-Ga-O)、铟-钽氧化物(In-Ta-O)、铟-钽-锌氧化物(In-Ta-Zn-O)、铟-钽-锡氧化物(In-Ta-Sn-O)、铟-钽-镓氧化物(In-Ta-Ga-O)、铟-锗氧化物(In-Ge-O)、铟-锗-锌氧化物(In-Ge-Zn-O)、铟-锗-锡氧化物(In-Ge-Sn-O)、铟-锗-镓氧化物(In-Ge-Ga-O)、钛-铟-锌氧化物(Ti-In-Zn-O)和铪-铟-锌氧化物(Hf-In-Zn-O)。当第一有源图案A1由氧化物半导体形成时，可以添加钝化层，以保护易受诸如高温等的外部环境伤害的氧化物半导体。
第一有源图案A1的第一沟道C1可以用N型杂质或P型杂质进行沟道区域掺杂，第一源电极S 1和第一漏电极D1可以彼此分隔开并使第一沟道C1设置在其间，第一源电极S1和第一漏电极D1可以用与掺杂第一沟道C1所用的杂质类型相反的杂质掺杂。
第一栅电极G1设置在第一有源图案A1的第一沟道C1上并且具有岛状物形状。第一栅电极G1通过穿过接触孔的栅极桥(GB)连接到第四薄膜晶体管T4的第四漏电极D4和第三薄膜晶体管T3的第三漏电极D3。第一栅电极G1与电容器电极(CE)叠置，它可以用作第一薄膜晶体管T1的栅电极，并且它还可以用作电容器Cst的电极。即，第一栅电极G1与电容器电极(CE)一起构成电容器Cst。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)设置在第一有源图案A1与基板(SUB)之间。第一有源图案A1的第一沟道C1与屏蔽线(SL)叠置，功率被供应到屏蔽线(SL)，使得诸如电子或空穴的电荷根据供应到屏蔽线(SL)的功率的极性储存在第一有源图案A1的第一沟道C1处，从而控制第一薄膜晶体管T1的阈值电压。
即，第一薄膜晶体管T1的阈值电压可以通过使用屏蔽线(SL)而增大或减小，可以通过控制第一薄膜晶体管T1的阈值电压来改善可能发生在第一薄膜晶体管T1处的滞后。
第二薄膜晶体管T2设置在基板(SUB)上，并且包括第二有源图案A2和第二栅电极G2。第二有源图案A2包括第二源电极S2、第二沟道C2和第二漏电极D2。第二源电极S2通过接触孔连接到数据线(DA)，第二漏电极D2连接到第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1。作为第二有源图案A2的与第二栅电极G2叠置的沟道区域的第二沟道C2设置在第二源电极S2与第二漏电极D2之间。即，第二有源图案A2连接到第一有源图案A1。
第二有源图案A2的第二沟道C2可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第二源电极S2和第二漏电极D2可以彼此分隔开并使第二沟道C2置于其间，并且可以用与掺杂第二沟道C2用的杂质相反类型的杂质进行掺杂。第二有源图案A2与第一有源图案A1设置在同一层上，它由与第一有源图案A1相同的材料形成，并且它与第一有源图案A1一体地形成。
第二栅电极G2设置在第二有源图案A2的第二沟道C2上，并且与第一扫描线(Sn)一体地形成。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)不设置在第二有源图案A2与基板(SUB)之间，第二有源图案A2的第二沟道C2不与屏蔽线(SL)叠置。
第三薄膜晶体管T3设置在基板(SUB)上，并且包括第三有源图案A3和第三栅电极G3。
第三有源图案A3包括第三源电极S3、第三沟道C3和第三漏电极D3。第三源电极S3连接到第一漏电极D1，第三漏电极D3通过穿过接触孔的栅极桥(GB)连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1。作为第三有源图案A3的与第三栅电极G3叠置的沟道区域的第三沟道C3设置在第三源电极S3与第三漏电极D3之间。即，第三有源图案A3连接在第一有源图案A1与第一栅电极G1之间。
第三有源图案A3的第三沟道C3可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第三源电极S3和第三漏电极D3可以彼此分隔开并使第三沟道C3置于其间，并且可以用与掺杂第三沟道C3用的杂质类型相反的杂质掺杂。第三有源图案A3与第一有源图案A1和第二有源图案A2设置在同一层上，由与第一有源图案A1和第二有源图案A2相同的材料形成并且与第一有源图案A1和第二有源图案A2一体地形成。
第三栅电极G3设置在第三有源图案A3的第三沟道C3上，并且与第一扫描线(Sn)一体地形成。第三栅电极G3形成为双栅电极。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)设置在第三有源图案A3与基板(SUB)之间。第三有源图案A3的第三沟道C3与屏蔽线(SL)叠置，功率被供应到屏蔽线(SL)，使得诸如电子或空穴的电荷根据供应到屏蔽线(SL)的功率的极性储存在第三有源图案A3的第三沟道C3处，从而控制第三薄膜晶体管T3的阈值电压。
即，可以通过使用屏蔽线(SL)增大或减小第三薄膜晶体管T3的阈值电压，可以通过控制第三薄膜晶体管T3的阈值电压来改善可能发生在第三薄膜晶体管T3处的滞后。
第四薄膜晶体管T4设置在基板(SUB)上，并且包括第四有源图案A4和第四栅电极G4。
第四有源图案A4包括第四源电极S4、第四沟道C4和第四漏电极D4。第四源电极S4通过接触孔连接到初始化电源线Vin，第四漏电极D4通过穿过接触孔的栅极桥(GB)连接到第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1。作为第四有源图案A4的与第四栅电极G4叠置的沟道区域的第四沟道C4设置在第四源电极S4与第四漏电极D4之间。即，第四有源图案A4连接在初始化电源线Vin与第一栅电极G1之间，并且连接到第三有源图案A3和第一栅电极G1。
第四有源图案A4的第四沟道C4可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第四源电极S4和第四漏电极D4可以彼此分隔开并使第四沟道C4置于其间，并且可以用与掺杂第四沟道C4用的杂质相反类型的杂质来掺杂。第四有源图案A4与第一有源图案A1、第二有源图案A2和第三有源图案A3设置在同一层上，由与第一有源图案A1、第二有源图案A2和第三有源图案A3相同的材料形成，并且与第一有源图案A1、第二有源图案A2和第三有源图案A3一体地形成。
第四栅电极G4设置在第四有源图案A4的第四沟道C4上并且与第二扫描线Sn-1一体地形成。第四栅电极G4形成为双栅电极。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)不设置在第四有源图案A4与基板(SUB)之间，第四有源图案A4的第四沟道C4不与屏蔽线(SL)叠置。
第五薄膜晶体管T5设置在基板(SUB)上，并且包括第五有源图案A5和第五栅电极G5。
第五有源图案A5包括第五源电极S5、第五沟道C5和第五漏电极D5。第五源电极S5通过接触孔连接到驱动电源线(ELVDD)，第五漏电极D5连接到第一薄膜晶体管T1的第一源电极S 1。作为第五有源图案A5的与第五栅电极G5叠置的沟道区域的第五沟道C5设置在第五源电极S5与第五漏电极D5之间。即，第五有源图案A5连接在驱动电源线(ELVDD)与第一有源图案A1之间。
第五有源图案A5的第五沟道C5可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第五源电极S5和第五漏电极D5可以彼此分隔开并使第五沟道C5置于其间，并且可以用与掺杂第五沟道C5用的杂质相反类型的杂质进行掺杂。第五有源图案A5与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3和第四有源图案A4设置在同一层上，由与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3和第四有源图案A4相同的材料形成，并且与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3和第四有源图案A4一体地形成。
第五栅电极G5设置在第五有源图案A5的第五沟道C5上，并且与发射控制线(EM)一体地形成。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)不设置在第五有源图案A5与基板(SUB)之间，第五有源图案A5的第五沟道C5不与屏蔽线(SL)叠置。
第六薄膜晶体管T6设置在基板(SUB)上，并且包括第六有源图案A6和第六栅电极G6。
第六有源图案A6包括第六源电极S6、第六沟道C6和第六漏电极D6。第六源电极S6连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1，第六漏电极D6通过接触孔连接到OLED的第一电极E1。作为第六有源图案A6的与第六栅电极G6叠置的沟道区域的第六沟道C6设置在第六源电极S6与第六漏电极D6之间。即，第六有源图案A6连接在第一有源图案A1和OLED的第一电极E1之间。
第六有源图案A6的第六沟道C6可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第六源电极S6和第六漏电极D6可以彼此分隔开并使第六沟道C6置于其间，并且可以用与掺杂第六沟道C6用的杂质相反类型的杂质来掺杂。第六有源图案A6与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4和第五有源图案A5设置在同一层上，由与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4和第五有源图案A5相同的材料形成，并且与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4和第五有源图案A5一体地形成。
第六栅电极G6设置在第六有源图案A6的第六沟道C6上，并且与发射控制线(EM)一体地形成。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)不设置在第六有源图案A6与基板(SUB)之间，第六有源图案A6的第六沟道C6不与屏蔽线(SL)叠置。
第七薄膜晶体管T7设置在基板(SUB)上，并且包括第七有源图案A7和第七栅电极G7。
第七有源图案A7包括第七源电极S7、第七沟道C7和第七漏电极D7。第七源电极S7连接到未在图3中示出的另一像素(其可以是设置在图3中示出的像素的底部上的另一像素)的OLED的第一电极，第七漏电极D7连接到第四薄膜晶体管T4的第四源电极S4。作为第七有源图案A7的与第七栅电极G7叠置的沟道区域的第七沟道C7设置在第七源电极S7与第七漏电极D7之间。即，第七有源图案A7连接在OLED的第一电极与第四有源图案A4之间。
第七有源图案A7的第七沟道C7可以是用N型杂质或P型杂质掺杂的沟道，第七源电极S7和第七漏电极D7可以彼此分隔开并使第七沟道C7置于其间，并且可以用与掺杂第七沟道C7用的杂质相反类型的杂质来掺杂。第七有源图案A7与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4、第五有源图案A5和第六有源图案A6设置在同一层上，由与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4、第五有源图案A5和第六有源图案A6相同的材料形成，并且与第一有源图案A1、第二有源图案A2、第三有源图案A3、第四有源图案A4、第五有源图案A5和第六有源图案A6一体地形成。
第七栅电极G7设置在第七有源图案A7的第七沟道C7上，并且与第三扫描线Sn-2一体地形成。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)不设置在第七有源图案A7与基板(SUB)之间，第七有源图案A7的第七沟道C7不与屏蔽线(SL)叠置。
第一扫描线(Sn)设置在第二有源图案A2和第三有源图案A3上，以沿横穿第二有源图案A2和第三有源图案A3的方向延伸。第一扫描线(Sn)与第二栅电极G2和第三栅电极G3一体地形成，以连接到第二栅电极G2和第三栅电极G3。
第二扫描线Sn-1与第一扫描线(Sn)分开以设置在第四有源图案A4上，它沿横穿第四有源图案A4的方向延伸，并且它与第四栅电极G4一体地形成以连接到第四栅电极G4。
第三扫描线Sn-2与第二扫描线Sn-1分开，以设置在第七有源图案A7上，它沿横穿第七有源图案A7的方向延伸，并且它与第七栅电极G7一体地形成以连接到第七栅电极G7。
发射控制线(EM)与第一扫描线(Sn)分开以设置在第五有源图案A5和第六有源图案A6上，它沿横穿第五有源图案A5和第六有源图案A6的方向延伸，并且它与第五栅电极G5和第六栅电极G6一体地形成以连接到第五栅电极G5和第六栅电极G6。
上述的发射控制线(EM)、第三扫描线Sn-2、第二扫描线Sn-1、第一扫描线(Sn)、第一栅电极G1、第二栅电极G2、第三栅电极G3、第四栅电极G4、第五栅电极G5、第六栅电极G6和第七栅电极G7设置在同一层上并且由相同的材料形成。在另一示例性实施例中，发射控制线(EM)、第三扫描线Sn-2、第二扫描线Sn-1、第一扫描线(Sn)、第一栅电极G1、第二栅电极G2、第三栅电极G3、第四栅电极G4、第五栅电极G5、第六栅电极G6和第七栅电极G7可以选择性地设置在不同的层上并且可以由不同的材料形成。
电容器Cst包括彼此面对并使绝缘层置于其间的第一电极和第二电极。第一电极可以是电容器电极(CE)并且第二电极可以是第一栅电极G1。电容器电极(CE)设置在第一栅电极G1上，并且通过接触孔连接到驱动电源线(ELVDD)。
电容器电极(CE)与第一栅电极G1一起构成电容器Cst，第一栅电极G1和电容器电极(CE)可以由不同的金属或相同的金属形成在不同的层上。
电容器电极(CE)包括与第一栅电极G1的一部分叠置的开口(OA)，栅极桥(GB)通过开口(OA)连接到第一栅电极G1。电容器电极(CE)与屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)叠置。
数据线(DA)在第一扫描线(Sn)上设置为沿横穿第一扫描线(Sn)的方向延伸，并且它通过接触孔连接到第二有源图案A2的第二源电极S2。数据线(DA)延伸为横穿第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2和发射控制线(EM)。
驱动电源线(ELVDD)与数据线(DA)分开以设置在第一扫描线(Sn)上，它沿横穿第一扫描线(Sn)的第二方向延伸，并且它通过接触孔连接到与电容器电极(CE)和第一有源图案A1连接的第五有源图案A5的第五源电极S5。驱动电源线(ELVDD)延伸为横穿第一扫描线(Sn)、第二扫描线Sn-1、第三扫描线Sn-2和发射控制线(EM)。
栅极桥(GB)在第一扫描线(Sn)上设置为与驱动电源线(ELVDD)分隔开，并且它通过接触孔连接到第三有源图案A3的第三漏电极D3和第四有源图案A4的第四漏电极D4，以通过接触孔连接到由电容器电极(CE)的开口(OA)暴露的第一栅电极G1。
上述的数据线(DA)、驱动电源线(ELVDD)和栅极桥(GB)设置在同一层上并且由相同的材料形成。在另一示例性实施例中，数据线(DA)、驱动电源线(ELVDD)和栅极桥(GB)可以选择性地设置在不同的层上并且可以由不同的材料形成。
初始化电源线Vin设置在第二扫描线Sn-1上，并且它通过接触孔连接到第四有源图案A4的第四源电极S4。初始化电源线Vin与OLED的第一电极E1设置在同一层上，并且由相同的材料形成。在另一示例性实施例中，初始化电源线Vin可以与第一电极E1设置在不同的层上，并且可以由不同的材料形成。
OLED包括第一电极E1、有机发射层OL和第二电极E2。第一电极E1通过接触孔连接到第六薄膜晶体管T6的第六漏电极D6。有机发射层OL设置在第一电极E1与第二电极E2之间。第二电极E2设置在有机发射层OL上。第一电极E1和第二电极E2中的至少一个可以是光透射电极、光反射电极和光透反射电极中的至少一种，从有机发射层OL发射的光可以在第一电极E1和第二电极E2中的至少一个电极方向上输出。
用于覆盖OLED的盖层可以设置在OLED上，并且薄膜包封层或包封基底可以设置在OLED上并使盖层置于其间。
屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)设置在第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1与基板(SUB)之间以及第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3与基板(SUB)之间。
屏蔽线(SL)与第一有源图案A1的第一沟道C1和第三有源图案A3的第三沟道C3叠置。功率供应到屏蔽层(SLA)，因此功率供应到屏蔽线(SL)。
屏蔽层(SLA)包括金属，并且不限于此，它可以包括诸如导电聚合物的用于供应功率的另一类型的材料。
被供应功率的屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)与第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1和第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3叠置，使得OLED显示器可以控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压，从而改善第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的晶体管特性。因此，连接到第一薄膜晶体管T1的OLED的发光效率得以改善。
例如，第一薄膜晶体管T1是连接到OLED的驱动薄膜晶体管并且第三薄膜晶体管T3是用于连接在第一漏电极D1与第一栅电极G1之间的互补薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3是对供应到OLED的电流给予实际影响的薄膜晶体管。第一沟道C1和第三沟道C3与屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)叠置，功率供应到屏蔽线(SL)，诸如电子或空穴的电荷因此根据供应到屏蔽线(SL)的功率的极性而供应到第一沟道C1和第三沟道C3，从而控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压。
即，可以通过使用屏蔽线(SL)增大或减小第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压，可以通过控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压来改善可能发生在第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的滞后，从而连接到第一薄膜晶体管T1的OLED的发光效率得以改善。
通过使用屏蔽线(SL)改善作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1和作为互补薄膜晶体管的第三薄膜晶体管T3的晶体管特性，从而提供具有OLED的改善的发光效率的OLED显示器。
图5示出根据另一示例性实施例的OLED显示器的俯视平面图。现在将描述与OLED显示器不同的部分。
如图5所示，OLED显示器包括基板(SUB)、多个像素(PX)、栅极布线(GW)、栅极驱动器(GD)、多条数据布线(DW)、数据驱动器(DD)、屏蔽层(SLA)和强化基板(SSU)。
基板(SUB)包括用于显示图像的显示区域(DIA)和与显示区域(DIA)邻近的非显示区域(NDA)。基板(SUB)可以设置在强化基板(SSU)上，并且基板(SUB)可以附着到强化基板(SSU)。
基板(SUB)还包括与数据驱动器(DD)邻近的倒角单元(倒角部分)(CH)，倒角单元(CH)暴露作为强化基板(SSU)的端部的角。
强化基板(SSU)设置在基板(SUB)的后侧上，作为强化基板(SSU)的端部的角由基板(SUB)的倒角单元(CH)暴露。强化基板(SSU)可以附着到基板(SUB)的后侧，但其不限于此。强化基板(SSU)可以由与基板(SUB)不同的材料形成，并且在没有限制于此的情况下，其可以由与基板(SUB)相同的材料形成。
屏蔽层(SLA)设置在基板(SUB)的后侧上，并且设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间。
屏蔽层(SLA)包括连接线CL和多条屏蔽线(SL)，连接线CL的剖面由基板(SUB)的倒角单元(CH)暴露。
由基板(SUB)的倒角单元(CH)暴露的连接线CL通过倒角单元(CH)连接到设置在基板(SUB)上的数据驱动器(DD)。连接线CL沿基板(SUB)与强化基板(SSU)之间的方向延伸以连接到设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间的屏蔽线(SL)。
屏蔽线(SL)沿第一方向彼此分开，并且在基板(SUB)的后侧上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。第二方向可以是与栅极布线(GW)延伸所沿的方向平行的方向，这不是限制性的。
在示例性实施例中，屏蔽层(SLA)可以通过形成在基板(SUB)中的接触孔连接到基板(SUB)的数据驱动器(DD)。
图6示出OLED显示器200的剖视图。
如图6所示，屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)对应于第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间，并且对应于第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间。
屏蔽线(SL)与第一有源图案A1的第一沟道C1和第三有源图案A3的第三沟道C3叠置。功率供应到屏蔽层(SLA)，并且通过此，功率也供应到屏蔽线(SL)。
如所描述的，被供应功率的屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)与第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1和第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3叠置，使得OLED显示器可以控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压，从而改善第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的晶体管特性。因此，连接到第一薄膜晶体管T1的OLED的发光效率得以改善。
例如，第一薄膜晶体管T1是连接到OLED的驱动薄膜晶体管并且第三薄膜晶体管T3是用于连接在第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1和第一栅电极G1之间的互补薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3是显著地影响供应到OLED的电流的薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1的第一沟道C1和第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3的第三沟道C3分别与屏蔽层(SLA)的屏蔽线(SL)叠置并且功率被供应到屏蔽线(SL)，诸如电子或空穴的电荷根据供应到屏蔽线(SL)的功率的极性被储存到第一有源图案A1的第一沟道C1和第三有源图案A3的第三沟道C3，从而控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压。
即，可以通过使用屏蔽线(SL)增大或减小第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压，可以通过控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压来改善可能发生在第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的滞后，从而连接到第一薄膜晶体管T1的OLED的发光效率得以改善。
通过使用屏蔽线(SL)改善作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1和作为互补薄膜晶体管的第三薄膜晶体管T3的晶体管特性，从而提供具有OLED的改善的发光效率的OLED显示器。
此外，关于OLED显示器200，可以制造出从基板(SUB)到OLED的元件，屏蔽层(SLA)可以设置在其上的强化基板(SSU)附着到基板(SUB)的后侧，屏蔽层(SLA)可以连接到基板(SUB)上的数据驱动器(DD)，从而容易地将屏蔽层(SLA)应用于基板(SUB)。即，提供具有OLED的改善的制造容易度和改善的发光效率的OLED显示器。
图7示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的剖视图。现在将描述与OLED显示器不同的部分。
如图7所示，OLED显示器包括基板(SUB)、多个像素(PX)、多条栅极布线(GW)、栅极驱动器(GD)、多条数据布线(DW)、数据驱动器(DD)、屏蔽层(SLA)和强化基板(SSU)。
基板(SUB)包括用于显示图像的显示区域(DIA)和与显示区域(DIA)邻近的非显示区域(NDA)。基板(SUB)可以设置在强化基板(SSU)上，基板(SUB)可以附着到强化基板(SSU)。
强化基板(SSU)设置在基板(SUB)的后侧上。强化基板(SSU)可以附着到基板(SUB)的后侧，但其不限于此。强化基板(SSU)可以由与基板(SUB)不同的材料形成，并且不限于此，它可以由与基板(SUB)相同的材料形成。
屏蔽层(SLA)设置在基板(SUB)的后侧上，并且设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间。屏蔽层(SLA)具有单个板形状并且对应于基板(SUB)的整个板面设置在强化基板(SSU)上。屏蔽层(SLA)可以通过形成在基板(SUB)中的接触孔连接到基板(SUB)，并且在没有限制于此的情况下，它可以连接到外部驱动器以从驱动器接收功率。
屏蔽层(SLA)对应于第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间，并且对应于第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3设置在基板(SUB)与强化基板(SSU)之间。
被供应功率的屏蔽层(SLA)与第一薄膜晶体管T1的第一有源图案A1和第三薄膜晶体管T3的第三有源图案A3叠置，OLED显示器可以控制第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的阈值电压，从而改善第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3的晶体管特性。结果，连接到第一薄膜晶体管T1的OLED的发光效率得以改善。
此外，关于OLED显示器300，制造出从基板(SUB)到OLED的元件并且屏蔽层(SLA)产生在其上的强化基板(SSU)附着到基板(SUB)的后侧，从而容易地将屏蔽层(SLA)应用于基板(SUB)。即，提供具有OLED的改善的制造容易度和改善的发光效率的OLED显示器。
另外，关于OLED显示器300，屏蔽层(SLA)在基板(SUB)的后侧上设置为通过使用屏蔽层(SLA)阻挡诸如湿气的杂质渗透到基板(SUB)中，从而控制诸如湿气的杂质渗透到基板(SUB)中。
尽管已经结合目前认为是实用性的示例性实施例描述了发明技术，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围中的各种修改和等同布置。

Claims (16)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基板；
多个有机发光二极管，设置在所述基板上；
多个像素电路，设置在所述基板与所述多个有机发光二极管之间，其中，所述多个像素电路中的每个包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括电连接到各个有机发光二极管的有源图案；以及
屏蔽层，横穿所述多个像素电路并与所述多个晶体管的所述有源图案中的至少一个叠置，
其中，所述多个晶体管包括：第一晶体管，包括第一有源图案和设置在所述第一有源图案之上的第一栅电极，所述第一有源图案包括设置在所述基底之上的第一沟道；第二晶体管，包括电连接到所述第一有源图案的第二有源图案和设置在所述第二有源图案之上的第二栅电极；以及第三晶体管，包括第三有源图案和设置在所述第三有源图案之上的第三栅电极，所述第三有源图案包括被构造为电连接所述第一有源图案和所述第一栅电极的第三沟道，并且
其中，所述屏蔽层与所述第一有源图案的所述第一沟道和所述第三有源图案的所述第三沟道叠置，并且所述屏蔽层不与所述第二有源图案叠置。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽层包括多条屏蔽线，其中，所述多条屏蔽线沿第一方向彼此分隔开并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽线彼此电连接。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基板包括：
显示区域，包括所述多个有机发光二极管：以及
非显示区域，围绕所述显示区域，
其中，所述屏蔽层还包括在所述非显示区域中沿所述第一方向延伸并且电连接到所述多条屏蔽线的连接线。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基板包括彼此相对的第一侧和第二侧，其中，所述多个有机发光二极管设置在所述第一侧上，其中，所述屏蔽层设置在所述第二侧上。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括设置在所述基板的所述第二侧上的强化基板，其中，所述屏蔽层设置在所述基板与所述强化基板之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基板还包括与所述强化基板的端部相邻的倒角部分，其中，所述强化基板的所述端部和所述连接线的一部分在所述有机发光二极管显示器的深度维度上在与所述倒角部分相邻的区域中不与所述基板叠置。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽层设置在所述基板与所述有源图案之间。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽层包括多条屏蔽线，所述多条屏蔽线中的至少两条具有不同的宽度。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽层被构造为接收功率。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括与所述第一栅电极叠置的电容器电极，其中，所述电容器电极和所述第一栅电极一起形成电容器，并且其中，所述屏蔽层与所述电容器电极叠置。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
第一扫描线，设置在所述第二有源图案之上，与所述第二有源图案和所述第三有源图案叠置，并且电连接到所述第二栅电极和所述第三栅电极；
数据线，设置在所述第一扫描线之上，与所述第一扫描线交叉，并且电连接到所述第二有源图案；以及
驱动电源线，设置在所述第一扫描线之上且与所述数据线分隔开，其中，所述驱动电源线与所述第一扫描线交叉且电连接到所述第一有源图案。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个晶体管还包括第四晶体管，所述第四晶体管包括：i)第四有源图案，电连接到所述第一栅电极和所述第三有源图案；以及ii)第四栅电极，设置在所述第四有源图案之上，并且
其中，所述有机发光二极管显示器还包括：第二扫描线，设置在所述第四有源图案之上，与所述第四有源图案叠置，并且电连接到所述第四栅电极；以及初始化电源线，设置在所述第二扫描线之上且电连接到所述第四有源图案。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个晶体管还包括第七晶体管，所述第七晶体管包括：i)第七有源图案，电连接到所述第四有源图案；以及ii)第七栅电极，设置在所述第七有源图案之上，并且
其中，所述有机发光二极管显示器还包括：第三扫描线，设置在所述第七有源图案之上，与所述第七有源图案叠置且电连接到所述第七栅电极。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个晶体管还包括：
第五晶体管，包括：i)第五有源图案，被构造为电连接所述第一有源图案和所述驱动电源线；以及ii)第五栅电极，设置在所述第五有源图案之上；以及
第六晶体管，包括：i)第六有源图案，被构造为电连接所述第一有源图案和所述有机发光二极管；以及ii)第六栅电极，设置在所述第六有源图案之上，并且
其中，所述有机发光二极管显示器还包括：发射控制线，设置在所述第五有源图案和所述第六有源图案之上，横穿所述第五有源图案和所述第六有源图案，并且电连接到所述第五栅电极和所述第六栅电极。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，所述屏蔽层与所述第二有源图案、所述第四有源图案、所述第五有源图案、所述第六有源图案和所述第七有源图案中的至少一个不叠置。
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