JP2002299049A - 有機エレクトロルミネセンスユニット - Google Patents
有機エレクトロルミネセンスユニットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易なアクティブマトリクス型の有機
エレクトロルミネセンスユニットを提供することを目的
とする。 【解決手段】 走査ライン上におけるデータラインとの
交差部の近傍位置に形成されている突起電極部を覆うと
共にその表面上にデータライン及び第１金属電極の各々
が形成されている絶縁膜と、これらデータライン、第１
金属電極及び絶縁膜各々を覆う第１有機材料層と、電極
パネルと、この電極パネルの表面に形成された第２有機
材料層と、第２有機材料層の表面及び上記第１金属の各
々に接触するように連続して形成され、上記第２有機材
料層に対応する部分はゲート電極になっている第２金属
電極と、上記第２有機材料層上に形成されている有機エ
レクトロルミネセンス素子と、からなる。
エレクトロルミネセンスユニットを提供することを目的
とする。 【解決手段】 走査ライン上におけるデータラインとの
交差部の近傍位置に形成されている突起電極部を覆うと
共にその表面上にデータライン及び第１金属電極の各々
が形成されている絶縁膜と、これらデータライン、第１
金属電極及び絶縁膜各々を覆う第１有機材料層と、電極
パネルと、この電極パネルの表面に形成された第２有機
材料層と、第２有機材料層の表面及び上記第１金属の各
々に接触するように連続して形成され、上記第２有機材
料層に対応する部分はゲート電極になっている第２金属
電極と、上記第２有機材料層上に形成されている有機エ
レクトロルミネセンス素子と、からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型表示パネルの各画素を担う有機エレクトロルミネセ
ンスユニットに関する。
ス型表示パネルの各画素を担う有機エレクトロルミネセ
ンスユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、発光素子をマトリクス状に配置し
て構成される表示パネルを用いたマトリクス型ディスプ
レイの開発が広く進められている。このような表示パネ
ルに用いられる発光素子としては、例えば、有機材料を
発光層として用いたエレクトロルミネセンス素子(以
下、有機ＥＬ素子と称する）がある。この有機ＥＬ素子
を用いたマトリクス型の表示パネルとして、単純マトリ
クス型表示パネルと、アクティブマトリクス型表示パネ
ルとが知られている。アクティブマトリクス型表示パネ
ルは単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力
であり、また画素間のクロストークが少ないなどの利点
を有し、特に大画面ディスプレイや高精細度ディスプレ
イに適している。
て構成される表示パネルを用いたマトリクス型ディスプ
レイの開発が広く進められている。このような表示パネ
ルに用いられる発光素子としては、例えば、有機材料を
発光層として用いたエレクトロルミネセンス素子(以
下、有機ＥＬ素子と称する）がある。この有機ＥＬ素子
を用いたマトリクス型の表示パネルとして、単純マトリ
クス型表示パネルと、アクティブマトリクス型表示パネ
ルとが知られている。アクティブマトリクス型表示パネ
ルは単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力
であり、また画素間のクロストークが少ないなどの利点
を有し、特に大画面ディスプレイや高精細度ディスプレ
イに適している。
【０００３】図１は、このようなアクティブマトリクス
型表示パネルの構成を示す図である。図１に示す如く、
かかる表示パネルには、表示パネルを駆動すべき電源電
位Ｖcが印加されている陽極電源バスライン１６、及び
接地電位ＧＮＤが印加されている陰極電源バスライン１
７が形成されている。更に、表示パネルには、１画面の
ｎ個の水平走査ライン各々を担う走査ライン(金属電極)
Ａ1〜Ａnと、各陰極線に交叉して配列されたｍ個のデー
タラインＢ1〜Ｂmとが形成されている。これら走査ライ
ンＡ1〜Ａn及びデータラインＢ1〜Ｂmの交差部に、画素
を担う有機ＥＬユニットＥ1,1〜Ｅn,mが形成されてい
る。
型表示パネルの構成を示す図である。図１に示す如く、
かかる表示パネルには、表示パネルを駆動すべき電源電
位Ｖcが印加されている陽極電源バスライン１６、及び
接地電位ＧＮＤが印加されている陰極電源バスライン１
７が形成されている。更に、表示パネルには、１画面の
ｎ個の水平走査ライン各々を担う走査ライン(金属電極)
Ａ1〜Ａnと、各陰極線に交叉して配列されたｍ個のデー
タラインＢ1〜Ｂmとが形成されている。これら走査ライ
ンＡ1〜Ａn及びデータラインＢ1〜Ｂmの交差部に、画素
を担う有機ＥＬユニットＥ1,1〜Ｅn,mが形成されてい
る。
【０００４】図２は、１つの走査ラインＡ及びデータラ
インＢの交差部に形成されている有機ＥＬユニットＥの
回路構成の一例を示す図である。図２において、走査ラ
イン選択用のＦＥＴ(Field Effect Transistor)１０の
ゲートＧには走査ラインＡが接続され、そのドレインＤ
にはデータラインＢが接続されている。ＦＥＴ１０のソ
ースＳには発光駆動用トランジスタとしてのＦＥＴ２０
のゲートＧが接続されている。ＦＥＴ２０のソースＳに
は陽極電源バスライン１６を介して電源電位Ｖcが印加
されており、そのゲートＧ及びドレインＤ間にはキャパ
シタ３０が接続されている。更に、ＦＥＴ２０のドレイ
ンＤには有機ＥＬ素子５０のアノード端が接続されてい
る。有機ＥＬ素子５０のカソード端には、陰極電源バス
ライン１７を介して接地電位ＧＮＰが印加されている。
インＢの交差部に形成されている有機ＥＬユニットＥの
回路構成の一例を示す図である。図２において、走査ラ
イン選択用のＦＥＴ(Field Effect Transistor)１０の
ゲートＧには走査ラインＡが接続され、そのドレインＤ
にはデータラインＢが接続されている。ＦＥＴ１０のソ
ースＳには発光駆動用トランジスタとしてのＦＥＴ２０
のゲートＧが接続されている。ＦＥＴ２０のソースＳに
は陽極電源バスライン１６を介して電源電位Ｖcが印加
されており、そのゲートＧ及びドレインＤ間にはキャパ
シタ３０が接続されている。更に、ＦＥＴ２０のドレイ
ンＤには有機ＥＬ素子５０のアノード端が接続されてい
る。有機ＥＬ素子５０のカソード端には、陰極電源バス
ライン１７を介して接地電位ＧＮＰが印加されている。
【０００５】次に、発光駆動制御回路(図示せぬ)によっ
て為される有機ＥＬユニットＥの駆動動作について述べ
る。先ず、発光駆動制御回路は、表示パネルの走査ライ
ンＡ1〜Ａn各々に順次、択一的に走査パルスを印加して
行く。更に、発光駆動制御回路は、各走査パルスの印加
タイミングに同期させて、各水平走査ライン毎の入力映
像信号に基づく画素データパルスＤＰ1〜ＤＰm各々を生
成してデータラインＢ1〜Ｂmに夫々印加する。この際、
走査パルスの印加されている走査ラインＡに接続されて
いる有機ＥＬユニットＥの各々は、後述する画素データ
の書込対象となる(以下、走査選択状態と称する)。走査
選択状態となった有機ＥＬユニットＥのＦＥＴ１０は、
上記走査パルスに応じてオン状態となり、データライン
Ｂを介して供給された画素データパルスＤＰに基づく電
圧をＦＥＴ２０のゲートＧ及びキャパシタ３０に夫々印
加する。かかる画素データパルスＤＰに基づく電圧印加
に応じてＦＥＴ２０はオン状態となり、上記電源電位Ｖ
cに基づく発光起動電流を有機ＥＬ素子５０に流す。か
かる発光起動電流に応じて有機ＥＬ素子５０は発光す
る。この間、キャパシタ３０は、上記画素データパルス
ＤＰに基づく電圧印加に応じて充電される。かかる充電
動作により、キャパシタ３０には、上記画素データに応
じた電圧が保持され、いわゆる画素データの書き込みが
為される。
て為される有機ＥＬユニットＥの駆動動作について述べ
る。先ず、発光駆動制御回路は、表示パネルの走査ライ
ンＡ1〜Ａn各々に順次、択一的に走査パルスを印加して
行く。更に、発光駆動制御回路は、各走査パルスの印加
タイミングに同期させて、各水平走査ライン毎の入力映
像信号に基づく画素データパルスＤＰ1〜ＤＰm各々を生
成してデータラインＢ1〜Ｂmに夫々印加する。この際、
走査パルスの印加されている走査ラインＡに接続されて
いる有機ＥＬユニットＥの各々は、後述する画素データ
の書込対象となる(以下、走査選択状態と称する)。走査
選択状態となった有機ＥＬユニットＥのＦＥＴ１０は、
上記走査パルスに応じてオン状態となり、データライン
Ｂを介して供給された画素データパルスＤＰに基づく電
圧をＦＥＴ２０のゲートＧ及びキャパシタ３０に夫々印
加する。かかる画素データパルスＤＰに基づく電圧印加
に応じてＦＥＴ２０はオン状態となり、上記電源電位Ｖ
cに基づく発光起動電流を有機ＥＬ素子５０に流す。か
かる発光起動電流に応じて有機ＥＬ素子５０は発光す
る。この間、キャパシタ３０は、上記画素データパルス
ＤＰに基づく電圧印加に応じて充電される。かかる充電
動作により、キャパシタ３０には、上記画素データに応
じた電圧が保持され、いわゆる画素データの書き込みが
為される。
【０００６】ここで、上記走査選択状態から開放される
と、ＦＥＴ１０はオフ状態となり、ＦＥＴ２０のゲート
Ｇに対する画素データパルスＤＰの供給を停止する。し
かしながら、前述した如くキャパシタ３０に保持された
電圧によりＦＥＴ２０のゲートＧには引き続き電圧印加
が為されてＦＥＴ２０はオン状態を維持し、発光起動電
流を有機ＥＬ素子５０に流しつづける。すなわち、上記
走査選択状態からの開放後も有機ＥＬ素子５０は、発光
を継続するのである。
と、ＦＥＴ１０はオフ状態となり、ＦＥＴ２０のゲート
Ｇに対する画素データパルスＤＰの供給を停止する。し
かしながら、前述した如くキャパシタ３０に保持された
電圧によりＦＥＴ２０のゲートＧには引き続き電圧印加
が為されてＦＥＴ２０はオン状態を維持し、発光起動電
流を有機ＥＬ素子５０に流しつづける。すなわち、上記
走査選択状態からの開放後も有機ＥＬ素子５０は、発光
を継続するのである。
【０００７】このように、アクティブマトリクス型表示
パネルの各画素を担う有機ＥＬユニットＥには、発光素
子としての有機ＥＬ素子５０の他に、走査ライン選択用
のトランジスタ(ＦＥＴ１０)、発光駆動用のトランジス
タ(ＦＥＴ２０)、及び画素データ保持用のキャパシタ３
０が形成されている。現在、かかる有機ＥＬユニットＥ
を図１に示す如くマトリクス状に配列した表示パネルを
製造するにあたり、上記ＦＥＴ１０、２０、及びキャパ
シタ３０各々に対してはＴＦＴ(Thin Film Transistor)
製造プロセスを用いる。一方、有機ＥＬ素子５０に対し
ては有機ＥＬ製造プロセスを用いてその製造を行ってい
る。
パネルの各画素を担う有機ＥＬユニットＥには、発光素
子としての有機ＥＬ素子５０の他に、走査ライン選択用
のトランジスタ(ＦＥＴ１０)、発光駆動用のトランジス
タ(ＦＥＴ２０)、及び画素データ保持用のキャパシタ３
０が形成されている。現在、かかる有機ＥＬユニットＥ
を図１に示す如くマトリクス状に配列した表示パネルを
製造するにあたり、上記ＦＥＴ１０、２０、及びキャパ
シタ３０各々に対してはＴＦＴ(Thin Film Transistor)
製造プロセスを用いる。一方、有機ＥＬ素子５０に対し
ては有機ＥＬ製造プロセスを用いてその製造を行ってい
る。
【０００８】従って、ＦＥＴ１０及び２０を製造するプ
ロセスと、有機ＥＬ素子５０を製造するプロセスとが全
く異なる為、全体の製造プロセスが複雑になるという問
題があった。この際、ＦＥＴ１０及び２０を共に有機材
料を用いたトランジスタで構築させることも考えられ
る。しかしながら、有機材料の電子移動度はシリコン半
導体に比して低い為、特に、発光駆動用のＦＥＴ２０を
有機トランジスタで構築した場合に、有機ＥＬ素子を十
分な輝度で発光させる駆動電流が得られないという問題
が生じる。
ロセスと、有機ＥＬ素子５０を製造するプロセスとが全
く異なる為、全体の製造プロセスが複雑になるという問
題があった。この際、ＦＥＴ１０及び２０を共に有機材
料を用いたトランジスタで構築させることも考えられ
る。しかしながら、有機材料の電子移動度はシリコン半
導体に比して低い為、特に、発光駆動用のＦＥＴ２０を
有機トランジスタで構築した場合に、有機ＥＬ素子を十
分な輝度で発光させる駆動電流が得られないという問題
が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せんとして為されたものであり、製造が容易なア
クティブマトリクス型の有機エレクトロルミネセンスユ
ニットを提供することにある。
を解決せんとして為されたものであり、製造が容易なア
クティブマトリクス型の有機エレクトロルミネセンスユ
ニットを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるアクティブ
マトリクス型有機エレクトロルミネセンスユニットは、
複数の走査ラインと前記走査ライン各々に交叉して配置
された複数のデータラインとを備えた表示パネルの前記
走査ライン及び前記データラインの各交差部に形成され
ている有機エレクトロルミネセンスユニットであって、
前記交差部各々の近傍位置において前記走査ラインから
前記データラインに沿って伸張している第１ゲート電極
を覆うと共に表面上に前記データライン及び第１金属電
極の各々が形成されている絶縁膜と、前記データライ
ン、前記第１金属電極及び前記絶縁膜各々を覆う第１有
機材料層と、電極パネルと、前記電極パネルの表面に形
成された第２有機材料層と、前記第２有機材料層及び前
記第１金属の各々に接触するように連続して形成されて
おり前記第２有機材料層に対応する部分が第２ゲート電
極になっている第２金属電極と、前記第２有機材料層上
に形成されている有機エレクトロルミネセンス素子と、
からなる。
マトリクス型有機エレクトロルミネセンスユニットは、
複数の走査ラインと前記走査ライン各々に交叉して配置
された複数のデータラインとを備えた表示パネルの前記
走査ライン及び前記データラインの各交差部に形成され
ている有機エレクトロルミネセンスユニットであって、
前記交差部各々の近傍位置において前記走査ラインから
前記データラインに沿って伸張している第１ゲート電極
を覆うと共に表面上に前記データライン及び第１金属電
極の各々が形成されている絶縁膜と、前記データライ
ン、前記第１金属電極及び前記絶縁膜各々を覆う第１有
機材料層と、電極パネルと、前記電極パネルの表面に形
成された第２有機材料層と、前記第２有機材料層及び前
記第１金属の各々に接触するように連続して形成されて
おり前記第２有機材料層に対応する部分が第２ゲート電
極になっている第２金属電極と、前記第２有機材料層上
に形成されている有機エレクトロルミネセンス素子と、
からなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。図３は、本発明によるアクティブマ
トリクス型有機エレクトロルミネセンスユニット(以
下、有機ＥＬユニットと称する)の構造を示す図であ
る。尚、図３(ａ)は、この有機ＥＬユニットを上面から
みた図であり、図３(ｂ)は図３(ａ)中のＸ−Ｘ線におけ
る断面、図３(ｃ)は図３(ａ)中のＹ−Ｙ線における断面
を夫々示す図である。又、かかる有機ＥＬユニットは、
図１に示す如きアクティブマトリクス型表示パネルの有
機ＥＬユニットＥに相当するものであり、その電気回路
構成も図２に示す如きものと同一である。即ち、図２に
示す如き走査ライン選択用のＦＥＴ１０、画素データ保
持用のキャパシタ３０、発光駆動用のＦＥＴ２０及び有
機ＥＬ素子５０各々の機能が、図３(ａ)〜図３(ｃ)に示
す如き構造にて製造されるのである。
つ詳細に説明する。図３は、本発明によるアクティブマ
トリクス型有機エレクトロルミネセンスユニット(以
下、有機ＥＬユニットと称する)の構造を示す図であ
る。尚、図３(ａ)は、この有機ＥＬユニットを上面から
みた図であり、図３(ｂ)は図３(ａ)中のＸ−Ｘ線におけ
る断面、図３(ｃ)は図３(ａ)中のＹ−Ｙ線における断面
を夫々示す図である。又、かかる有機ＥＬユニットは、
図１に示す如きアクティブマトリクス型表示パネルの有
機ＥＬユニットＥに相当するものであり、その電気回路
構成も図２に示す如きものと同一である。即ち、図２に
示す如き走査ライン選択用のＦＥＴ１０、画素データ保
持用のキャパシタ３０、発光駆動用のＦＥＴ２０及び有
機ＥＬ素子５０各々の機能が、図３(ａ)〜図３(ｃ)に示
す如き構造にて製造されるのである。
【００１２】図３(ｂ)に示す如く、透光性のガラス等か
らなる基板１００上には、上記ＦＥＴ１０を担う絶縁膜
１１、金属電極１２、及び、例えばポリチオフェン(Pol
ythiophene)等からなる有機材料層１３が形成されてい
る。又、表示パネルの走査ラインＡには、データライン
Ｂとの各交叉部の近傍位置において、図３(ａ)に示す如
くこのデータラインＢと平行した方向に伸張する突起電
極部ＡＴが設けられている。絶縁膜１１は、この突起電
極部ＡＴを覆うように基板１００上に形成されており、
その表面上には金属電極１２及びデータラインＢが夫々
形成されている。金属電極１２は、図３(ａ)に示す如
く、上記データラインＢ及び突起電極部ＡＴと平行した
方向に伸長して形成されている。この際、突起電極部Ａ
ＴがＦＥＴ１０のゲート電極、金属電極１２がソース電
極となり、上記データラインＢがそのままＦＥＴ１０の
ドレイン電極となる。又、図３(ｂ)に示す如き有機材料
層１３内における金属電極１２及びデータラインＢに挟
まれた領域に、ＦＥＴ１０としてのチャンネルが形成さ
れる。これにより、走査ラインＡを介してＦＥＴ１０の
ゲート電極としての突起電極部ＡＴに走査パルスが印加
されると、ＦＥＴ１０がオン状態となり、ドレイン電極
としてのデータラインＢ及びソース電極としての金属電
極１２間に電流が流れる。よって、上記走査パルスの印
加に応じて、データラインＢを介して供給された画素デ
ータに対応した電圧が金属電極１２に印加されることに
なる。
らなる基板１００上には、上記ＦＥＴ１０を担う絶縁膜
１１、金属電極１２、及び、例えばポリチオフェン(Pol
ythiophene)等からなる有機材料層１３が形成されてい
る。又、表示パネルの走査ラインＡには、データライン
Ｂとの各交叉部の近傍位置において、図３(ａ)に示す如
くこのデータラインＢと平行した方向に伸張する突起電
極部ＡＴが設けられている。絶縁膜１１は、この突起電
極部ＡＴを覆うように基板１００上に形成されており、
その表面上には金属電極１２及びデータラインＢが夫々
形成されている。金属電極１２は、図３(ａ)に示す如
く、上記データラインＢ及び突起電極部ＡＴと平行した
方向に伸長して形成されている。この際、突起電極部Ａ
ＴがＦＥＴ１０のゲート電極、金属電極１２がソース電
極となり、上記データラインＢがそのままＦＥＴ１０の
ドレイン電極となる。又、図３(ｂ)に示す如き有機材料
層１３内における金属電極１２及びデータラインＢに挟
まれた領域に、ＦＥＴ１０としてのチャンネルが形成さ
れる。これにより、走査ラインＡを介してＦＥＴ１０の
ゲート電極としての突起電極部ＡＴに走査パルスが印加
されると、ＦＥＴ１０がオン状態となり、ドレイン電極
としてのデータラインＢ及びソース電極としての金属電
極１２間に電流が流れる。よって、上記走査パルスの印
加に応じて、データラインＢを介して供給された画素デ
ータに対応した電圧が金属電極１２に印加されることに
なる。
【００１３】又、基板１００上には、図３(ａ)及び図３
(ｂ)に示す如き形態にて、透明電極２１が形成されてい
る。透明電極２１は、図１に示す如き表示パネルの陽極
電源バスライン１６に接続されており、この陽極電源バ
スライン１６を介してパネル駆動用の電源電位Ｖcが印
加されている。透明電極２１の表面には、図３(ｂ)に示
すように、誘電体層３１、絶縁膜３２、絶縁膜３３、有
機材料層２２及び絶縁膜２３が形成されている。絶縁膜
２２、３２及び３３は、不要な短絡を防止すべく設けら
れたものである。誘電体層３１は、高分子の有機材料か
らなる誘電体であり、有機材料層２２は、例えばポリチ
オフェン(Polythiophene)等の有機材料である。共通金
属電極２５は、図３(ａ)及び(ｂ)に示す如く有機材料層
２２、誘電体層３１の表面及びＦＥＴ１０の金属電極１
２各々に接触するように伸長して形成されている。尚、
共通金属電極２５は、図３(ａ)に示す如く、板状の板状
電極部２５ａ及び格子状の格子状電極部２５ｂからな
る。この際、共通金属電極２５の格子状電極部２５ｂ
は、図３(ｃ)に示す如く有機材料層２２に埋設されてい
る。かかる構成により、後述する有機ＥＬトランジスタ
２５０のゲートが構築される。一方、共通金属電極２５
の板状電極部２５ａは、図３(ｂ)に示す如く誘電体層３
１の表面上に接触し、更に、ＦＥＴ１０の金属電極１２
に接触するように伸張して形成されている。有機材料層
２２の表面上には、有機ＥＬ素子５０として作用する有
機正孔輸送層５１及び有機発光層５２の各々が図３(ｂ)
及び図３(ｃ)に示す如く積層されている。更に、この有
機発光層５２の表面には陰極５３が蒸着形成されてい
る。陰極５３は、図１に示す如き表示パネルの陰極電源
バスライン１７に接続されており、この陰極電源バスラ
イン１７を介して接地電位ＧＮＤが印加されている。
(ｂ)に示す如き形態にて、透明電極２１が形成されてい
る。透明電極２１は、図１に示す如き表示パネルの陽極
電源バスライン１６に接続されており、この陽極電源バ
スライン１６を介してパネル駆動用の電源電位Ｖcが印
加されている。透明電極２１の表面には、図３(ｂ)に示
すように、誘電体層３１、絶縁膜３２、絶縁膜３３、有
機材料層２２及び絶縁膜２３が形成されている。絶縁膜
２２、３２及び３３は、不要な短絡を防止すべく設けら
れたものである。誘電体層３１は、高分子の有機材料か
らなる誘電体であり、有機材料層２２は、例えばポリチ
オフェン(Polythiophene)等の有機材料である。共通金
属電極２５は、図３(ａ)及び(ｂ)に示す如く有機材料層
２２、誘電体層３１の表面及びＦＥＴ１０の金属電極１
２各々に接触するように伸長して形成されている。尚、
共通金属電極２５は、図３(ａ)に示す如く、板状の板状
電極部２５ａ及び格子状の格子状電極部２５ｂからな
る。この際、共通金属電極２５の格子状電極部２５ｂ
は、図３(ｃ)に示す如く有機材料層２２に埋設されてい
る。かかる構成により、後述する有機ＥＬトランジスタ
２５０のゲートが構築される。一方、共通金属電極２５
の板状電極部２５ａは、図３(ｂ)に示す如く誘電体層３
１の表面上に接触し、更に、ＦＥＴ１０の金属電極１２
に接触するように伸張して形成されている。有機材料層
２２の表面上には、有機ＥＬ素子５０として作用する有
機正孔輸送層５１及び有機発光層５２の各々が図３(ｂ)
及び図３(ｃ)に示す如く積層されている。更に、この有
機発光層５２の表面には陰極５３が蒸着形成されてい
る。陰極５３は、図１に示す如き表示パネルの陰極電源
バスライン１７に接続されており、この陰極電源バスラ
イン１７を介して接地電位ＧＮＤが印加されている。
【００１４】ここで、上記誘電体層３１と、この誘電体
層３１を図３(ｂ)に示す如く挟む共通金属電極２５の板
状電極部２５ａ及び透明電極２１にて、図２に示す如き
キャパシタ３０が形成される。すなわち、共通金属電極
２５の板状電極部２５ａがキャパシタ３０の一端の電極
を担い、透明電極２１がキャパシタ３０の他端の電極を
担うのである。
層３１を図３(ｂ)に示す如く挟む共通金属電極２５の板
状電極部２５ａ及び透明電極２１にて、図２に示す如き
キャパシタ３０が形成される。すなわち、共通金属電極
２５の板状電極部２５ａがキャパシタ３０の一端の電極
を担い、透明電極２１がキャパシタ３０の他端の電極を
担うのである。
【００１５】又、図３(ｂ)に示す如き、透明電極２１、
有機材料層２２、共通金属電極２５の格子状電極部２５
ｂ、有機正孔輸送層５１、有機発光層５２及び陰極５３
なる構造により、図２に示す如き発光駆動用のＦＥＴ２
０及び有機ＥＬ素子５０各々の機能を併せ持つ有機ＥＬ
トランジスタ２５０を形成している。この際、透明電極
２１が発光駆動用トランジスタのソース電極を担うと共
に、共通金属電極２５の格子状電極部２５ｂが、この発
光駆動用トランジスタのドレイン側の電極を担う。又、
陰極５３が発光駆動用トランジスタのソース電極と有機
ＥＬ素子のカソード端を兼ねている。
有機材料層２２、共通金属電極２５の格子状電極部２５
ｂ、有機正孔輸送層５１、有機発光層５２及び陰極５３
なる構造により、図２に示す如き発光駆動用のＦＥＴ２
０及び有機ＥＬ素子５０各々の機能を併せ持つ有機ＥＬ
トランジスタ２５０を形成している。この際、透明電極
２１が発光駆動用トランジスタのソース電極を担うと共
に、共通金属電極２５の格子状電極部２５ｂが、この発
光駆動用トランジスタのドレイン側の電極を担う。又、
陰極５３が発光駆動用トランジスタのソース電極と有機
ＥＬ素子のカソード端を兼ねている。
【００１６】以上の如き構造を有する有機ＥＬトランジ
スタ２５０では、上記共通金属電極２５に印加された電
圧に応じた駆動電流が図３(ａ)及び(ｃ)に示す如き共通
金属電極２５の格子状電極部２５ｂの格子間を介して透
明電極２１及び陰極５３間に流れる。この際、有機発光
層５２は、上記駆動電流に応じた輝度で発光する。この
ように、有機ＥＬトランジスタ２５０は、図３(ｂ)に示
す如き透明電極２１及び陰極５３間、つまり基板１００
に対して垂直方向に電流を流す構造を採用している。よ
って、透明電極２１及び陰極５３間を移動する電子の通
過面積、いわゆるチャンネル面積を広くできると共にそ
の移動距離を短くすることが可能になる。これにより、
電子移動度がシリコン半導体に比して低い有機材料を用
いたトランジスタであっても、有機ＥＬ素子を十分な輝
度で発光し得る駆動電流が得られるようになる。従っ
て、図３(ａ)〜図３(ｃ)に示す有機ＥＬユニットによれ
ば、有機ＥＬ素子５０のみならず、発光駆動用のトラン
ジスタをも有機材料で構築することが可能となる。
スタ２５０では、上記共通金属電極２５に印加された電
圧に応じた駆動電流が図３(ａ)及び(ｃ)に示す如き共通
金属電極２５の格子状電極部２５ｂの格子間を介して透
明電極２１及び陰極５３間に流れる。この際、有機発光
層５２は、上記駆動電流に応じた輝度で発光する。この
ように、有機ＥＬトランジスタ２５０は、図３(ｂ)に示
す如き透明電極２１及び陰極５３間、つまり基板１００
に対して垂直方向に電流を流す構造を採用している。よ
って、透明電極２１及び陰極５３間を移動する電子の通
過面積、いわゆるチャンネル面積を広くできると共にそ
の移動距離を短くすることが可能になる。これにより、
電子移動度がシリコン半導体に比して低い有機材料を用
いたトランジスタであっても、有機ＥＬ素子を十分な輝
度で発光し得る駆動電流が得られるようになる。従っ
て、図３(ａ)〜図３(ｃ)に示す有機ＥＬユニットによれ
ば、有機ＥＬ素子５０のみならず、発光駆動用のトラン
ジスタをも有機材料で構築することが可能となる。
【００１７】以上の如く、本発明による有機ＥＬユニッ
トでは、発光駆動用トランジスタとして、図３(ｂ)に示
す如き透明電極２１及び陰極５３間に駆動電流を流す、
いわゆる縦型構造を採用することにより、有機材料での
構築を可能にしている。更に、本発明においては、走査
ライン上におけるデータライン各々の近傍に、データラ
インと平行した方向に伸張する突起電極部を設け、この
突起電極部をゲート電極、データラインＢをそのままド
レイン電極(又はソース電極)とした横型構造のトランジ
スタを走査ライン選択用トランジスタとして採用してい
る。つまり、データラインＢの一部がそのまま走査ライ
ン選択用トランジスタのドレイン電極(又はソース電極)
となるのである。
トでは、発光駆動用トランジスタとして、図３(ｂ)に示
す如き透明電極２１及び陰極５３間に駆動電流を流す、
いわゆる縦型構造を採用することにより、有機材料での
構築を可能にしている。更に、本発明においては、走査
ライン上におけるデータライン各々の近傍に、データラ
インと平行した方向に伸張する突起電極部を設け、この
突起電極部をゲート電極、データラインＢをそのままド
レイン電極(又はソース電極)とした横型構造のトランジ
スタを走査ライン選択用トランジスタとして採用してい
る。つまり、データラインＢの一部がそのまま走査ライ
ン選択用トランジスタのドレイン電極(又はソース電極)
となるのである。
【００１８】従って、本発明によれば、アクティブマト
リクス駆動を担う走査ライン選択用のトランジスタ、及
び発光駆動用のトランジスタを含む有機ＥＬユニット
を、容易に製造することが可能となる。尚、上記実施例
においては、発光駆動用トランジスタの構造として、図
３(ｃ)に示す如き、ゲート電極２５の格子状電極部２５
ｂを有機材料層２２に埋設させることによりゲートを形
成するＳＩＴ(Static induction transistor)構造を採
用しているが、かかる構成に限定されるものではない。
例えば、ｎ型の有機材料からなるｎ型有機材料層を、ｐ
型の有機材料からなるｐ型有機材料層にて縦型に挟んで
積層したバイポーラ構造のトランジスタを上記発光駆動
用トランジスタとして採用しても良く、あるいはサイリ
スタ構造を採用しても良い。要するに、発光駆動用トラ
ンジスタとしては、チャンネル面積を広くして電流駆動
能力を高めるべく、基板１００に対して垂直方向に電流
を流す縦型構造のトランジスタを採用したものであれ
ば、他のトランジスタ構造を採用しても構わないのであ
る。この際、図３(ｂ)に示すように、発光駆動用トラン
ジスタと有機ＥＬ素子との電極を共有させて両者を一体
成形するようにしても良いし、あるいは、両者を個別に
形成して縦方向に重ねるようにしても良い。
リクス駆動を担う走査ライン選択用のトランジスタ、及
び発光駆動用のトランジスタを含む有機ＥＬユニット
を、容易に製造することが可能となる。尚、上記実施例
においては、発光駆動用トランジスタの構造として、図
３(ｃ)に示す如き、ゲート電極２５の格子状電極部２５
ｂを有機材料層２２に埋設させることによりゲートを形
成するＳＩＴ(Static induction transistor)構造を採
用しているが、かかる構成に限定されるものではない。
例えば、ｎ型の有機材料からなるｎ型有機材料層を、ｐ
型の有機材料からなるｐ型有機材料層にて縦型に挟んで
積層したバイポーラ構造のトランジスタを上記発光駆動
用トランジスタとして採用しても良く、あるいはサイリ
スタ構造を採用しても良い。要するに、発光駆動用トラ
ンジスタとしては、チャンネル面積を広くして電流駆動
能力を高めるべく、基板１００に対して垂直方向に電流
を流す縦型構造のトランジスタを採用したものであれ
ば、他のトランジスタ構造を採用しても構わないのであ
る。この際、図３(ｂ)に示すように、発光駆動用トラン
ジスタと有機ＥＬ素子との電極を共有させて両者を一体
成形するようにしても良いし、あるいは、両者を個別に
形成して縦方向に重ねるようにしても良い。
【００１９】
【発明の効果】上記したことから明らかなように、本発
明においては、発光駆動用のトランジスタとして縦型構
造のトランジスタを採用することにより、有機ＥＬ素子
のみならず発光駆動用のトランジスタをも有機材料で構
築可能にしている。更に、本発明では、走査ライン上に
おける各データラインとの交差部近傍に設けられている
突起電極部をゲート電極、データラインをそのままドレ
イン電極(又はソース電極)とした横型構造のトランジス
タを走査ライン選択用トランジスタとして採用してい
る。
明においては、発光駆動用のトランジスタとして縦型構
造のトランジスタを採用することにより、有機ＥＬ素子
のみならず発光駆動用のトランジスタをも有機材料で構
築可能にしている。更に、本発明では、走査ライン上に
おける各データラインとの交差部近傍に設けられている
突起電極部をゲート電極、データラインをそのままドレ
イン電極(又はソース電極)とした横型構造のトランジス
タを走査ライン選択用トランジスタとして採用してい
る。
【００２０】よって、本発明によれば、アクティブマト
リクス駆動を担う走査ライン選択用トランジスタ、及び
発光駆動用トランジスタを含む有機ＥＬユニットを、容
易に製造することが可能となる。
リクス駆動を担う走査ライン選択用トランジスタ、及び
発光駆動用トランジスタを含む有機ＥＬユニットを、容
易に製造することが可能となる。
【図１】アクティブマトリクス型表示パネルの一例を示
す図である。
す図である。
【図２】アクティブマトリクス型表示パネルの各画素を
担う有機ＥＬユニットＥの電気回路を示す図である。
担う有機ＥＬユニットＥの電気回路を示す図である。
【図３】本発明による有機ＥＬユニットの構造を示す図
である。
である。
１０，２０ ＦＥＴ ２１ 透明電極 ２２ 有機材料層 ２５ 共通金属電極 ３０ キャパシタ ３１ 誘電体層 ５０ 有機ＥＬ素子 ５２ 有機発光層 ５３ 陰極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０１Ｌ 29/28 33/14 29/78 ６１２Ｚ 33/26 ６１８Ｂ ６２６Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CB01 CB02 DA01 DB03 EB00 GA04 5C094 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB14 GA10 GB10 5F110 BB01 CC03 CC09 DD02 GG05 NN71 NN72 NN78
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の走査ラインと前記走査ライン各々
に交叉して配置された複数のデータラインとを備えた表
示パネルの前記走査ライン及び前記データラインの各交
差部に形成されている有機エレクトロルミネセンスユニ
ットであって、 前記交差部各々の近傍位置において前記走査ラインから
前記データラインに沿って伸張している第１ゲート電極
を覆うと共に表面上に前記データライン及び第１金属電
極の各々が形成されている絶縁膜と、 前記データライン、前記第１金属電極及び前記絶縁膜各
々を覆う第１有機材料層と、 電極パネルと、 前記電極パネルの表面に形成された第２有機材料層と、 前記第２有機材料層及び前記第１金属の各々に接触する
ように連続して形成されており前記第２有機材料層に対
応する部分が第２ゲート電極になっている第２金属電極
と、 前記有機材料層上に形成されている有機エレクトロルミ
ネセンス素子と、からなることを特徴とする有機エレク
トロルミネセンスユニット。 - 【請求項２】 前記第１金属電極は、前記データライン
と平行に伸張して形成されていることを特徴とする請求
項１記載の有機エレクトロルミネセンスユニット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001099940A JP2002299049A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 有機エレクトロルミネセンスユニット |
| EP02007406A EP1246244A3 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-28 | Organic electroluminescence unit |
| US10/112,680 US6815710B2 (en) | 2001-03-30 | 2002-04-01 | Organic electroluminescence unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001099940A JP2002299049A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 有機エレクトロルミネセンスユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299049A true JP2002299049A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18953428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001099940A Abandoned JP2002299049A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 有機エレクトロルミネセンスユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299049A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158669A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体性組成物及びそれを用いる電界効果トランジスタ |
| WO2005066920A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表示装置 |
| JP2006269323A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置 |
| JP2007528122A (ja) * | 2003-10-02 | 2007-10-04 | マックスデム インコーポレイテッド | 有機ダイオード及び有機材料 |
| JP2009260127A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機半導体装置 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001099940A patent/JP2002299049A/ja not_active Abandoned
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158669A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体性組成物及びそれを用いる電界効果トランジスタ |
| JP2007528122A (ja) * | 2003-10-02 | 2007-10-04 | マックスデム インコーポレイテッド | 有機ダイオード及び有機材料 |
| US8124443B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-02-28 | Marrocco Matthew L | Organic diodes and materials |
| WO2005066920A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表示装置 |
| US8188643B2 (en) | 2003-12-26 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Display apparatus |
| JP2006269323A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体装置 |
| US7811852B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device |
| JP4667096B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
| JP2009260127A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060802 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070803 |