JP4059292B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
表示する画素に対しては、共通給電線123と画素電極152が導通され、表示しない画素に対しては、共通給電線123と画素電極152が切断される。この結果、表示する画素に対しては、画素電極152と対向電極165間に電流が流れ、有機蛍光材料164が発光する。表示しない画素に対しては、電流が流れず、発光しない。
本発明は、このような知見に基づいてなされたものであって、スイッチング薄膜トランジスタ131のオフ電流の低減と、カレント薄膜トランジスタ132のオン電流の増加とを、同時に実現した電流駆動薄膜トランジスタ表示装置を提供することを目的としている。
スタのオン電流は前記第1薄膜トランジスタのオン電流よりも大きいことを特徴とする。
図1〜図4は、本発明の第1の実施の形態を示す図であって、この実施の形態は、本発明に係る表示装置を、EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。
図5は本発明の第2の実施の形態を示す図であって、図2と同様に、表示領域1Aの構造を示す断面図及び平面図であり、断面図(a)は、平面図(b)のB−B'線断面図である。なお、上記第1の実施の形態と同様の構成には、同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
図6〜図8は、本発明の第3の実施の形態を示す図であって、この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様に、本発明に係る薄膜トランジスタ表示装置を、EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用したものである。なお、全体的な構成は第1の実施の形態の図1と同様であるため、その図示及び説明は省略するとともに、上記第1の実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
図9は本発明の第4の実施の形態を示す図であって、図2と同様に、表示領域1Aの構造を示す断面図及び平面図であり、断面図(a)は、平面図(b)のD−D'線断面図である。なお、上記各実施の形態と同様の構成には、同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
Claims (4)
- 複数の走査線と、
複数の信号線と、
給電線と、
前記複数の走査線と前記複数の信号線との交点に配置された複数の画素と、
を有し、
前記複数の画素の各々には、電流によって駆動される表示素子と、画素電極と、
前記複数の走査線のうち対応する走査線を介して走査信号が供給される第1ゲート電極と、第1ソース領域と、第1ドレイン領域と、第1チャネル領域とを備えた第1薄膜トランジスタと、
前記複数の信号線のうち対応する信号線から、前記対応する信号線と保持容量との導通を制御する前記第1薄膜トランジスタを介して供給される画像信号を保持する前記保持容量と、
第2ゲート電極と、第2ソース領域と、第2ドレイン領域と、第2チャネル領域とを備えた第2薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第2薄膜トランジスタは前記保持容量によって保持された前記画像信号に従って、前記給電線と前記表示素子との導通を制御し、
前記第1薄膜トランジスタは、前記第1ソース領域と前記第1ドレイン領域との少なくとも一つと前記第1チャネル領域との間に形成された第1不純物領域をさらに有し、
前記第1不純物領域の不純物の濃度は、前記第1ソース領域と前記第1ドレイン領域との少なくとも一つの不純物の濃度よりも低く、前記第1チャネル領域の不純物の濃度よりも高く、
前記第2チャネル領域は前記第2ソース領域と前記第2ドレイン領域との間に形成され、前記第2ゲート電極は前記第2チャネル領域の位置にあわせされていることを特徴とする表示装置。 - 前記第2薄膜トランジスタは、前記第2ソース領域と前記第2ドレイン領域との少なくとも一つと前記第2チャネル領域との間に形成された第2不純物領域をさらに有し、
前記第2不純物領域の不純物の濃度は、前記第2ソース領域と前記第2ドレイン領域との少なくとも一つの不純物の濃度よりも低く、前記第2チャネル領域の不純物の濃度よりも高く、
前記第1不純物領域は前記第2不純物領域よりも長いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 動作中、前記第1薄膜トランジスタのオフ電流は前記第2薄膜トランジスタのオフ電流よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 動作中、前記第2薄膜トランジスタのオン電流は前記第1薄膜トランジスタのオン電流よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
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