JP2004531752A - 遮蔽電極を有する有機発光ダイオード表示器 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は表示装置に係り、更に詳細には遮蔽電極を有する有機発光ダイオード表示器に関する。
【背景技術】
【0002】
高分子又は有機発光ダイオード(OLED)は、1以上の有機EL層又は斯かる層の有機EL領域内での注入された電子及び正孔の放射的再結合により発生される光を放出するようなエレクトロルミネッセント(EL)層である。
【0003】
OLEDを使用するOLED表示器は、簡単な構造、速い応答時間及び広い視野角を含む種々の利点のために、益々注目を集めている。
【0004】
図1Aは、一般的なアクティブマトリクスOLED(AMOLED)表示装置の上面図である。図1Aにおいて、符号10はOLED表示装置を示す。該OLED表示装置10は、OLED表示器12と、ゲートマルチプレクサ16と、ドライバ18とを有している。OLED表示器12は、例えば画像を表示するためのマトリクスアレイ形態の複数のピクセル14からなっている。符号Cは、ピクセルの拡大のための、OLED表示器12の一部を示している。
【0005】
図1Bは、図1Aの部分Cから取り出された、図1AのOLED表示器の部分拡大図である。図1Bに示されるように、ピクセル14の各々は、OLED22と薄膜(TFT)駆動回路24とを有している。実施例1Bにおけるアドレス及びデータラインは、図1Aに示されるように、ゲートマルチプレクサ16及びドライバ18に各々接続されている。
【0006】
図1Cは、1つのピクセルの図1BのA−A’線に沿う断面図であり、OLED22及びTFT駆動回路24がガラス基板32上に形成されていることを示している。
【0007】
基板32は透明でも又は不透明でもよい。このように、該OLED表示器は光を基板32を介して又は陰極層を介して放出するように構成することができる。図1Cは、基板32を介して光を放出するようなピクセルを示している。
【0008】
OLED22において、陽極層は典型的には透明導電材料から形成される一方、陰極層は典型的には低仕事関数の導電金属から形成される。
【0009】
上記陽極層は透明ボトム電極として形成され、上記陰極層は当該OLED層上に連続したトップ電極として形成される。
【0010】
一般的なAMOLED表示器においては、光放出表示面積の全ピクセル面積に対する比として定義される開口比又はフィルファクタが表示品質を保証する程度充分に高いことを保証することが重要である。
【0011】
図1AのAMOLED表示器は、バックプレーン電子回路が集積されるガラス基板32上の開口を介しての光放出に基づくものである。安定した駆動電流のためにTFT集積のピクセル上(オンピクセル)密度を増加させることは、上記開口の寸法を減少させることになる。同様の問題が、ピクセルサイズが縮小(下方スケーリング)される場合にも起こる。
【0012】
スケーリング又はオンピクセル集積密度に対して不変な開口比を有するための解決策は、OLED層をバックプレーン電子回路又はTFT駆動回路上に透明トップ電極と共に垂直方向に積層することである。図2はバックプレーン電子回路上に垂直方向に積層されたOLEDにより形成されたピクセルの断面図である。図2において、符号14はピクセルを示している。該ピクセル14は、基板32上に垂直方向に積層されたOLED31と、バックプレーン電子回路24とを有している。符号T1及びT2は薄膜トランジスタを各々示している。図2に関する更なる説明は、後に、図3が説明される際になされる。
【0013】
上述した構造を持つAMOLED表示装置10の動作を図1Aないし1Dを参照して詳細に説明する。
【0014】
図1Dは図1Cの等価回路を示す説明図である。該等価回路として、例えばポリシリコン技術により実現された2トランジスタ式ドライバ回路が図示されている。該等価回路は図2に示すようにアモルファスシリコン技術を用いてAMOLED表示器に適用することができるが、TFTの型式及びOLEDの位置の変更を伴う。
【0015】
ゲートマルチプレクサ16からの電圧Vaddressがアドレスラインの1つを活性化すると、薄膜トランジスタT1がオンされるので、ドライバ18からの電圧Vdataがデータラインの1つを介してコンデンサCsの充電を開始する。この時点で、上記電圧Vdataはドライバ薄膜トランジスタT2のゲート容量も生じさせる。上記データライン上の電圧Vdataに依存して、コンデンサCsはドライバトランジスタT2をオンさせるまで充電され、次いで該ドライバトランジスタT2が導通開始して、OLED22を適切なレベルの電流により駆動する。上記アドレスラインがオフされると、トランジスタT1はオフされるが、ドライバトランジスタT2のゲートにおける電圧は殆ど同一のまま残存する。従って、上記OLEDを介しての電流は、トランジスタT1がオフされた後も変化されないままとなる。該OLEDの電流は、異なる電圧が当該ピクセルに書き込まれる次の時点にのみ変化する。
【0016】
しかしながら、連続したバック電極はトランジスタT1の漏れ電流を生じさせるような寄生容量を招来し、斯かる寄生容量の作用は、該連続したバック電極がスイッチング及び他の薄膜トランジスタ上に延びる場合にドライバトランジスタT2の動作に影響を与えるほど重大になる。即ち、上記の連続したバック電極の存在は薄膜トランジスタに大きな漏れ電流を引き起こすような寄生チャンネルを生じさせ得る。該漏れ電流とは、薄膜トランジスタT1のゲートがオフ状態の場合に該薄膜トランジスタT1のソースとドレインとの間に流れる電流のことである。
【0017】
上記漏れ電流はドライバ薄膜トランジスタT2のゲート上の電荷を、当該容量を放電させることにより排出し得、該トランジスタを連続的にオン状態に維持する。従って、該漏れ電流は当該表示器の総電力消費を増加させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0018】
本発明の目的は、性能を向上させるために寄生容量を最小化する遮蔽電極を有するような高分子又は有機発光ダイオード(OLED)表示器を提供することにある。
【0019】
また、本発明の他の目的は、高開口比のための垂直方向のピクセル回路集積を介しての表面放射を可能にするような遮蔽電極を有するOLED表示器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0020】
上記アーキテクチャは、アモルファスシリコン又は他の技術での高密度の駆動回路の集積を可能にし、それでいて、高開口比は維持する。
【0021】
上記目的を達成するため、本発明によるOLED表示器は、基板と、該基板上に形成されると共に、各々が漏れ電流を生じさせるような寄生容量を低減させるためのユニットを有するような複数のピクセルとを有している。
【0022】
上記寄生容量低減ユニットは導電体の少なくとも1つの遮蔽電極により形成される。上記ピクセルの各々は光を放出するOLED層と、該OLED層を電気的に駆動する駆動回路とを有し、上記少なくとも1つの遮蔽電極は上記OLED層と上記駆動回路との間に配置される。
【0023】
好ましくは、上記OLED層は陽極層と、エレクトロルミネッセント層と、陰極層とを有し、上記駆動回路は少なくとも1つの薄膜トランジスタを有し、上記少なくとも1つの遮蔽電極は前記陰極層と前記少なくとも1つの薄膜トランジスタとの間において該少なくとも1つの薄膜トランジスタに対応するように配設される。該少なくとも1つの遮蔽電極は、上記少なくとも1つの薄膜トランジスタのソースとドレインとの間の全体の領域を覆う。好ましくは、上記少なくとも1つの遮蔽電極は上記陰極層に一層近づけて配置される。
【0024】
上記OLED層及び駆動回路は上記基板上に垂直方向に積層することができ、これら垂直方向に積層されたOLED層及び駆動回路はトップ放射部を形成し、上記駆動回路は逆スタガ薄膜トランジスタ構造で形成することができる。上記少なくとも1つの遮蔽電極は、アルミニウム、モリブデン、又はLCD製造工程における標準の金属化層から長方形形状に形成される。前記寄生容量低減ユニットは電気的に接地されるか又は前記少なくとも1つの薄膜トランジスタのゲートに接続される。
【0025】
本発明による上記構造を備えるようなOLED表示器は、駆動回路における寄生容量を最小化すると共に、ドライバ薄膜トランジスタのゲートにおける電圧を保持することにより薄膜トランジスタの漏れ電流を最小化する。
【0026】
更に、本発明によるOLED表示器は、OLED層をバックプレーン電子回路上に、トップ又は表面放射用の透明トップ電極と共に垂直方向に積層されるのを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【0027】
本発明の上記目的及び特徴は、本発明の好ましい実施例を添付図面を参照して詳細に説明することにより一層明らかとなるであろう。
【0028】
以下、本発明の実施例による有機発光ダイオード表示器について添付図面を参照して詳細に説明する。尚、全開示を通して同様の符号は同様の構成要素を示している。
【0029】
図3は、本発明の一実施例により駆動回路上に形成された遮蔽電極を備えるAMOLED表示器のピクセルを示す断面図である。
【0030】
前述したように、該AMOLED表示器は、ピクセルのマトリクスアレイからなるものであるが、図3は説明の簡略化のために1つのピクセルのみを示している。
【0031】
図3に示されるように、ピクセル30は、OLED層31と、中間又は遮蔽電極SEと、駆動回路34と、基板32とを含んでいる。
【0032】
OLED31は、陽極電極即ち陽極層31Aと、EL層31Bと、陰極層31Cとを有している。図3は、トップ又は表面放射ピクセルを示している。陰極電極31Cは連続したバック電極を形成している。
【0033】
駆動回路34は2つの薄膜トランジスタT1及びT2からなっている。該駆動回路34は3以上の薄膜トランジスタにより構成することもでき、ピクセル30は基板32上に形成された駆動回路34上に垂直方向に積層されたOLED31により構成することができる。上記駆動回路34は、逆スタガ薄膜トランジスタ構造により形成することができる。a−Si:H及びa−SiN:Hはピクセル30に使用される材料を示している。図3は、ピクセル30が陰極層31Cと駆動回路34との間に誘電体層を有していることも示している。
【0034】
TFTトランジスタT1はソースS1と、ドレインD1と、ゲートG1とを有し、TFTトランジスタT2はソースS2と、ドレインD2と、ゲートG2とからなっている。図3においては、薄膜トランジスタT2のソースS2は陰極層31Cに電気的に接続されている。
【0035】
基板32は、当業者により既知のガラス、プラスチック又は半導体ウェファから形成することができる。
【0036】
遮蔽電極SEは、OLED31と駆動回路34との間に配置される。これら遮蔽電極SEは、好ましくは、連続するバック電極31Cの一層近くに配置される。
【0037】
遮蔽電極SEはアルミニウム又はモリブデンから形成することができ、LCD製造工程における標準の金属化層を該遮蔽電極SE用に形成することができる。
【0038】
遮蔽電極SEは、例えば、長方形形状に形成され、薄膜トランジスタT1及びT2の各々のソースとドレインとの間の全体領域を覆うべきである。各遮蔽電極SEは電気的に接地されるか、又は薄膜トランジスタT1及びT2のゲートに各々電気的に接続される。
【0039】
図4は、図3のピクセルを、該ピクセルの動作中に誘導される寄生容量Cp1及びCp2と共に示す説明図である。
【0040】
図5は、図4の第1等価回路を示す説明図で、遮蔽電極SEはドライバTFTトランジスタT1及びT2のゲートに各々電気的に接続されている。
【0041】
図6は、図4の第2等価回路を示す説明図で、遮蔽電極SEは電気的に接地されている。
【0042】
図4、5及び6は、ピクセル30の動作中に、連続するバック電極31Cと遮蔽電極SEとの間に寄生容量Cp1及びCp2が誘導されることを示している。
【0043】
図4、5及び6に示すような遮蔽電極SEを有するピクセルの動作は、これら遮蔽電極SEが電気的に大地に接続され、又は上記薄膜トランジスタのゲートに各々電気的に接続されるとしても、図1Dのものと依然として同一となる。即ち、前記ゲートマルチプレクサ16からの電圧Vaddressがアドレスラインの1つを活性化すると、薄膜トランジスタT1がオンされるので、前記ドライバ18からの電圧Vdataがデータラインの1つを介してコンデンサCsの充電を開始する。この時点で、上記電圧Vdataはドライバ薄膜トランジスタT2のゲート容量も生じさせる。上記データライン上の電圧Vdataに依存して、コンデンサCsはドライバトランジスタT2をオンさせるまで充電され、次いで該ドライバトランジスタT2が導通開始して、OLED31を適切なレベルの電流により駆動する。上記アドレスラインがオフされると、トランジスタT1はオフされるが、ドライバトランジスタT2のゲートにおける電圧は殆ど同一のまま残存する。従って、上記OLEDを介しての電流は、トランジスタT1のオフ後も変化されないままとなる。該OLEDの電流は、異なる電圧が当該ピクセルに書き込まれる次の時点にのみ変化する。この時点で、前記の連続したバック電極はトランジスタT1の漏れ電流を生じさせるような寄生容量を引き起こし得る。斯かる寄生容量の影響を最小化するために、上記遮蔽電極SEが導入されている。即ち、上記のような動作の間において、遮蔽電極SEは電位が薄膜トランジスタT1及びT2に伝搬するのを遮断し、従って、電荷が当該ピクセル30の不所望な領域に誘導されるのを防止する。そして、遮蔽電極SEにより生じた寄生容量Cp1及びCp2は、上記陰極における電圧を一定に保持することにより当該OLEDの動作を安定化させるように作用する。
【0044】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、当業者によれば、本発明が上述した好ましい実施例に限定されるものではなく、添付請求項に記載された本発明の趣旨及び範囲内において種々の変更及び変形を実施することができると理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】図1Aは、駆動ユニットを備える一般的なアクティブマトリクスOLED(AMOLED)表示器の上面図であり、図1Bは、図1AのAMOLED表示器の部分的拡大図である。
【0046】
【図1C】図1Cは、1つのピクセルの図1BのA−A’線に沿う断面図である。
【0047】
【図1D】図1Dは、図1Cの等価回路を示す説明図である。
【0048】
【図2】図2は、バックプレーン電子回路上に垂直方向に積層されたOLEDにより形成されたピクセルの断面図である。
【0049】
【図3】図3は、本発明の一実施例により駆動回路上に形成された遮蔽電極を備えるAMOLED表示器のピクセルを示す断面図である。
【0050】
【図4】図4は、動作の間に誘導される寄生容量を伴うような図3のピクセルを示す説明図である。
【0051】
【図5】図5は、図4の第1等化回路を示す説明図である。
【0052】
【図6】図6は、図4の第2等価回路を示す説明図である。
Claims (11)
- 有機発光ダイオード(OLED)表示器において、
基板と、
前記基板上に形成されると共に、各々が動作中に漏れ電流を生じさせるような寄生容量を低減する手段を有する複数のピクセルと、
を有していることを特徴とするOLED表示器。 - 請求項1に記載のOLED表示器において、前記寄生容量を低減する手段が接地されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項1に記載のOLED表示器において、前記寄生容量を低減する手段が導電体の少なくとも1つの遮蔽電極により形成されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項3に記載のOLED表示器において、前記ピクセルの各々が、
光を放出するOLEDと、
該OLEDを電気的に駆動する駆動回路と、
を有し、前記少なくとも1つの遮蔽電極が前記OLEDの層と前記駆動回路との間に配置されることを特徴とするOLED表示器。 - 請求項4に記載のOLED表示器において、前記OLEDは陽極層と、エレクトロルミネッセント層と、陰極層とを含み、前記駆動回路は少なくとも1つの薄膜トランジスタを有し、前記少なくとも1つの遮蔽電極は前記陰極層と前記少なくとも1つの薄膜トランジスタとの間において該少なくとも1つの薄膜トランジスタに対応するように配置されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項5に記載のOLED表示器において、前記寄生容量を低減する手段は前記少なくとも1つの薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項5に記載のOLED表示器において、前記少なくとも1つの遮蔽電極は前記少なくとも1つの薄膜トランジスタのソースとドレインとの間の全領域を覆うことを特徴とするOLED表示器。
- 請求項7に記載のOLED表示器において、前記少なくとも1つの遮蔽電極は前記陰極層に対して一層近くに配置されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項8に記載のOLED表示器において、前記OLED及び前記駆動回路は前記基板上に垂直方向に積層されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項9に記載のOLED表示器において、前記ピクセルの各々はトップ放射用に形成されることを特徴とするOLED表示器。
- 請求項10に記載のOLED表示器において、前記駆動回路は逆スタガ薄膜構造で形成されることを特徴とするOLED表示器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7569849B2 (en) | 2001-02-16 | 2009-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit |
EP2180508A3 (en) * | 2001-02-16 | 2012-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit for organic light emitting device |
CA2419704A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
CA2443206A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
US20060139342A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Electronic devices and processes for forming electronic devices |
KR100710170B1 (ko) | 2003-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
KR100665941B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2007-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
CA2490858A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
TWI402790B (zh) | 2004-12-15 | 2013-07-21 | Ignis Innovation Inc | 用以程式化,校準及驅動一發光元件顯示器的方法及系統 |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US20060138403A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Gang Yu | Organic electronic devices including pixels |
US7612368B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-11-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic bottom emission electronic device |
US20060180890A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-08-17 | Naugler W E Jr | Top emission flat panel display with sensor feedback stabilization |
CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
US7652291B2 (en) * | 2005-05-28 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
JP5355080B2 (ja) | 2005-06-08 | 2013-11-27 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | 発光デバイス・ディスプレイを駆動するための方法およびシステム |
CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
KR100703157B1 (ko) * | 2005-09-15 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
JP4640085B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-02 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル |
US9269322B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-02-23 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
EP1971975B1 (en) | 2006-01-09 | 2015-10-21 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
WO2007118332A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
US8525402B2 (en) * | 2006-09-11 | 2013-09-03 | 3M Innovative Properties Company | Illumination devices and methods for making the same |
JP2008233399A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Sony Corp | 画素回路および表示装置、並びに表示装置の製造方法 |
JP4479755B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
CA2610148A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-29 | Ignis Innovation Inc. | High aperture ratio pixel layout for amoled display |
CA2660598A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-06-22 | Ignis Innovation Inc. | System and driving method for light emitting device display |
CA2637343A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Improving the display source driver |
US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
US8283967B2 (en) | 2009-11-12 | 2012-10-09 | Ignis Innovation Inc. | Stable current source for system integration to display substrate |
US10867536B2 (en) | 2013-04-22 | 2020-12-15 | Ignis Innovation Inc. | Inspection system for OLED display panels |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
CA2687631A1 (en) | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
KR102257564B1 (ko) | 2009-12-18 | 2021-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2696778A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
JP5459018B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-04-02 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
KR101839533B1 (ko) | 2010-12-28 | 2018-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이의 구동 방법 및 그 제조 방법 |
US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
WO2012156942A1 (en) | 2011-05-17 | 2012-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
WO2012164475A2 (en) | 2011-05-27 | 2012-12-06 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in amoled displays |
EP3404646B1 (en) | 2011-05-28 | 2019-12-25 | Ignis Innovation Inc. | Method for fast compensation programming of pixels in a display |
US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
WO2014108879A1 (en) | 2013-01-14 | 2014-07-17 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
EP2779147B1 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-02 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays |
US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
DE112014003719T5 (de) | 2013-08-12 | 2016-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Kompensationsgenauigkeit |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
DE102015206281A1 (de) | 2014-04-08 | 2015-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen |
KR102241704B1 (ko) * | 2014-08-07 | 2021-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
CN105552106B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-07-06 | 上海天马微电子有限公司 | Oled面板以及触控检测方法 |
US10256277B2 (en) | 2016-04-11 | 2019-04-09 | Abl Ip Holding Llc | Luminaire utilizing a transparent organic light emitting device display |
DE102017222059A1 (de) | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese |
US10244230B2 (en) * | 2017-03-01 | 2019-03-26 | Avalon Holographics Inc. | Directional pixel for multiple view display |
JP2020521318A (ja) * | 2017-05-09 | 2020-07-16 | ケーエー・イメージング・インコーポレイテッド | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
KR102458911B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양면 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치 |
US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
CN208622728U (zh) * | 2018-09-07 | 2019-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111092099A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JPH1165487A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2000352941A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Sony Corp | 表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0990405A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
JP3702096B2 (ja) * | 1998-06-08 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2000172199A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000231346A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
-
2002
- 2002-02-18 EP EP02711722.5A patent/EP1362374B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-18 CA CA002438581A patent/CA2438581C/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-18 WO PCT/CA2002/000180 patent/WO2002067328A2/en active Application Filing
- 2002-02-18 US US10/468,320 patent/US7248236B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-18 JP JP2002566553A patent/JP4392165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
JPH1165487A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2000352941A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Sony Corp | 表示装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009175198A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sony Corp | El表示パネル及び電子機器 |
US8633875B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-01-21 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
US8698707B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-04-15 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
US9001011B2 (en) | 2008-01-21 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
US10217405B2 (en) | 2008-01-21 | 2019-02-26 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
US10467955B2 (en) | 2008-01-21 | 2019-11-05 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
JP2010157514A (ja) * | 2010-01-29 | 2010-07-15 | Sony Corp | El表示パネル及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2438581C (en) | 2005-11-29 |
CA2438581A1 (en) | 2002-08-29 |
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