JP2020521318A - デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 - Google Patents
デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020521318A JP2020521318A JP2019562322A JP2019562322A JP2020521318A JP 2020521318 A JP2020521318 A JP 2020521318A JP 2019562322 A JP2019562322 A JP 2019562322A JP 2019562322 A JP2019562322 A JP 2019562322A JP 2020521318 A JP2020521318 A JP 2020521318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector element
- layer
- shield electrode
- insulator
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000001837 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Substances 0.000 description 1
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本開示は、絶縁破壊の低減を支援しまた検出器素子の信頼性を改善し得る伝導性の遮蔽電極又は遮蔽電極層を含む検出器素子に向けられる。検出器素子は、少なくとも２つの電極と半導体層とを支持する基板層を含む。遮蔽電極層は、２つの電極のうちの少なくとも１つに隣接して堆積又はパターン化される。【選択図】図５ａ
Description
関連出願の相互参照
この出願は、２０１７年５月９日に出願された米国仮出願第６２／５０３，４０８号の優先権を主張する。
この出願は、２０１７年５月９日に出願された米国仮出願第６２／５０３，４０８号の優先権を主張する。
本開示は、概して、デジタル画像システムに関し、より詳細には、デジタル画像システムにおける放射線検出のための装置に関する。
従来、Ｘ線診断プロセスは、ハロゲン化銀フィルムにＸ線画像パターンを記録する。これらのシステムは、作用する（impinging）Ｘ線放射の最初の均一なパターンを調査対象の物体に向け、Ｘ線放射の変調パターンをＸ線放射増感スクリーンを用いて遮断し、ハロゲン化銀フィルムに増大パターンを記録し、潜在パターンをＸ線写真と呼ばれる永続的な可視画像に化学的に変換する。
Ｘ線写真は、Ｘ線の画像を電荷の変調パターンとして直接捕捉するために、放射線に敏感な材料の層を使用することによって生成される。入射Ｘ線放射の強度に応じて、画素領域内のＸ線放射によって電気的又は光学的に生成された電荷は、別々の固体状態放射線センサの規則的に配置されたアレイを使用して量子化される。
近年、大面積ディスプレイで使用されるアクティブマトリックス技術を含む、デジタル放射線用の大面積で、フラットパネルのデジタルＸ線撮像装置が急速に開発されている。アクティブマトリックスは、大面積に適合する半導体材料で作られた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の２次元配列（その各素子は画素と呼ばれる）を含む。フラットパネルＸ線検出器を作成するために、直接的なアプローチ又は間接的なアプローチの２つの一般的なアプローチがある。
直接的なアプローチは、Ｘ線から電荷への変換層としてのアクティブマトリックスに直接的に結合された厚い光伝導体膜（例えば、アモルファスセレン）を主に使用する。間接的なアプローチでは、蛍光スクリーン又はシンチレータ（例えば、ＣｓＩ、ＧｄＯＳなど）が、Ｘ線を光の光子に変換し、その後、アクティブマトリックスアレイ上のＴＦＴで作成された追加の画素レベルの光センサを使用して電荷に変換する。
縦型フォトダイオードの製造の際に鍵となる課題は、ＴＦＴ製造プロセス、特に、厚いアモルファスシリコン層、特殊なｐ型ドープ接触層、及び光学的なクロストークを防ぐための複雑な反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）側壁エッチングプロセスに必要な変更である。これらの課題は、製造歩留まりを低下させ、製造コストを押し上げる。横型ＭＳＭ光伝導体の製造の際のカギとなる課題は、より高い電界での高い暗電流と、不均一な電界による光応答の不均一性とを含む。加えて、横型ＭＳＭ光伝導体はスペース効率が悪く、低い実効量子効率（ＥＱＥ）を引き起こす。これらの問題の各々は、撮像装置の性能を低下させる。これが、今日の業界において大面積デジタルＸ線撮像のためにＭＳＭデバイスが使用されない主な理由である。
したがって、デジタル撮像システムにおける放射線検出のための新規な方法及び装置が提供される。
本開示の一態様では、第１電極と；第２電極と; 第１電極と第２電極との間に配置される半導体層と；第１及び第２電極のうちの１つに隣接する導電性遮蔽電極層と、を含むデジタル撮像システムのための検出器素子が提供される。
別の態様では、検出器素子は少なくとも１つの絶縁ブロッキング層をさらに含む。さらに別の態様では、検出器素子は基板層をさらに含む。一実施形態では、遮蔽電極層は基板層に隣接している。別の実施形態では、遮蔽電極層は基板層から離れて配置される。更なる実施形態では、遮蔽電極が基板層から離れて配置されるとき、遮蔽電極層は透明である。
別の態様では、遮蔽電極層は、第１及び第２電極のうちの少なくとも１つをＸ線放射から遮蔽するように形作られる。別の実施形態では、遮蔽電極層は、第１及び第２電極が水平方向に間隔を空けられたときに、第１及び第２電極間の空間を遮蔽するように形作られる。更なる態様では、遮蔽電極は基板層の幅を伸ばす。さらに別の態様では、遮蔽電極は、導電性材料から製造され、導電性材料は、アルミニウム、クロム、モリブデン、又は酸化インジウムスズであり得る。
さらに別の態様では、半導体層は、アモルファスシリコン、金属酸化物、ポリシリコン、及び有機半導体材料のうちの少なくとも１つから製造される。別の態様では、ブロッキング層は、ポリイミド、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）、パリレン、ポリスチレン、及びポリシロキサンの少なくとも１つから製造される。別の態様では、検出器素子は、金属−絶縁体−半導体−絶縁体−金属（ＭＩＳＩＭ）検出器素子である。さらに別の態様では、検出器素子は反射防止層をさらに含む。
ここで、添付の図面を参照して、本開示の実施形態をただの一例として説明する。
本開示は、デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置に関する。本装置は、金属−絶縁体−半導体−絶縁体−金属（ＭＩＳＩＭ）検出器素子などの検出器素子と、遮蔽又は遮蔽電極又は電極層と、を含む光伝導素子を含み得る。別の実施形態では、検出器素子は、放射線撮像システムのための読出回路素子と統合される。
図１は、放射線撮像環境の概略的な図を例示する。示されるように、Ｘ線源１０は、放射線検出器システム（ＲＤＳ：radiography detector system）１４による撮像のために物体１２、例えば患者の手に向かって送信されるＸ線ビーム又はＸ線１１を生成する。Ｘ線の結果はコンピュータ１６上で見られ得る。間接撮像システムとして見られ得る現在の実施形態では、放射線検出器システム１４はシンチレータ１５を含む。直接撮像システムでは、Ｘ線１１は放射線検出器システム１４内で電荷を生成し、シンチレータ１５の必要性はない。
一部の放射線検出器システム１４については、Ｘ線源１０と作用するＸ線ビーム１１をサンプリングしている放射線検出器システム１４との間の正しいタイミングを得るために同期ハードウェア１８が必要である。本開示では、放射線検出器システム１４は、物体１２の撮像を達成するためにアクティブマトリックス技術に基づく大面積のフラットパネル検出器を含む。
概して、撮像される物体１２は、放射線源１０と放射線検出器システム１４との間に位置付けられる。物体１２を通過するＸ線１１は、放射線検出器システム１４と相互作用する。間接イメージングでは、Ｘ線１１は、蛍光体スクリーン又は構造化ヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）、オキシ硫化ガドリニウム（ＧＯＳ）、又は酸化タングステン（ＣａＷＯ４）などのシンチレータ１５を通過するときに、光子を生成する。次いで、これらの間接的に生成された光子は、放射線検出器システム１４内でさらに電荷を生成する。
図２は、放射線検出器システム１４の概略図である。ＲＤＳ１４は、入射Ｘ線によって直接的又は間接的に生成された電荷が感知されて蓄積される画素素子の２次元マトリックスを有するアクティブマトリックス画素アレイ２０を含む。各画素の蓄積された電荷にアクセスするために、ゲート線２１は、典型的に、各アクティブマトリックス画素アレイ２０の列の端部で電荷増幅器２４に結合されたデータ線２３に対して、１行の全ての画素にその蓄積された電荷を出力させる行切替制御部２２によって連続的に駆動される。電荷増幅器２４は、画素電荷データをアナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ）２６に送り、アナログ信号がデジタル表現に変換される。次いで、デジタル表現はメモリ２８に格納され、制御ロジック２９によって決定された時間でのコンピュータ１６への送信を待つ。また、電荷増幅器は、増幅機能に加えて多重化機能を実行し得る。
図３は、図２において説明されたアクティブマトリックス画素アレイ２０内の１つの画素のための画素レベル回路の一実施形態の概略図である。アクティブマトリックス画素アレイ２０は、典型的に、複数の画素を含む。各画素内には、入射光子を吸収して電荷を生成する２端子ＭＩＳＩＭ検出器素子３０がある。２端子の選択的なコンデンサ３２が変換された電荷を蓄積し、読出回路素子、通常では３電極薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチ３４が画素から電荷を移動させる。ＭＩＳＩＭ検出器素子３０の一方の電極はアクティブマトリックス画素アレイ２０の他の画素と共有される高電位バイアス端子３３に接続され、コンデンサ３２の一方の電極は同様にアクティブマトリックス画素アレイ２０内の他の画素と共有される低電位接地端子３５に接続される。ＴＦＴスイッチ３４のドレイン電極は、ＭＩＳＩＭ検出器３０の第２電極及びコンデンサ３２の第２端子に接続される。ＴＦＴ３４のソース電極は、図２において説明された複数のデータ線２３の１つに結合される画素データ線３６に接続される。ＴＦＴ３４のゲート電極は、複数のゲート線２１の１つに結合される画素ゲート線３８に接続される。
図４ａを参照すると、電極が互い違いに配置された既知のＭＩＳＩＭ検出器素子３０の第１実施形態の概略図が示される。検出器素子３０は、光学反射防止層４９が堆積された基板層４０を含む。第１接触又は電極層４２は、反射防止層４９の上に堆積又はパターン化される。第１ブロッキング層４６は、第１電極４２を覆う（encapsulate）反射防止層４９の基板層４０の上に堆積される。半導体又は半導体層４４は、第１ブロッキング層４６の上に堆積され、半導体層４４の上に第２ブロッキング層４７が堆積される。見て分かるように、第１及び第２ブロッキング層４６及び４７は、半導体層４４の互いに反対側の表面に配置される。
第２ブロッキング層４７の上に第２電極４８が堆積又はパターン化される。図４ａに示すように、第１及び第２電極は、半導体層４４の反対側に見られ得る。いくつかの実施形態では、反射防止層４９は選択的であり、ＭＩＳＩＭ検出器素子３０の動作には必要というわけではない。しかし、間接的な変換撮像では、反射防止層４９は、光子が吸収される半導体層４４に衝突する光子の割合を増加させることにより性能を向上させる。図４ａに見られるように、選択的な反射防止層４９は、ＭＩＳＩＭ検出器素子３０に対するシンチレータの配置又は両方の場所に基づいて、ＭＩＳＩＭ検出器素子３０の上部又はＭＩＳＩＭ検出器素子３０の底部に配置され得る。
図４ａに見られるように、第１及び第２電極は、半導体層４４に垂直な面内で互いに対して互い違い（staggered）になっている。換言すれば、図４ａの垂直検出器に関して、第１電極は第２電極から水平に間隔をあけられ、垂直面内で第２電極と重ならない。好ましい実施形態では、第１及び第２電極は互いに重ならない。ブロッキング層４６及び４７のいずれか１つは、ブロッキング層及び反射防止層としての２つの機能を果たし得る。
本実施形態では、第１及び第２接触のうちの１つは、第１及び第２ブロッキング層のいずれか又は両方に結合される。より高い暗電流及びより低いＥＱＥが許容されるいくつかの実施形態では、第１及び第２ブロッキング層４６及び４７のいずれか又は両方が、オーミック及び／又はショットキー接触で置き換えられ得る。Ｘ線デジタル撮像に加えて、ＭＩＳＩＭ検出器素子の他の応用は、生体指紋認証撮像（biometric fingerprint imaging）、タッチディスプレイ及びジェスチャディスプレイを含む。生体指紋認証撮像では、ＭＩＳＩＭ検出器素子が、マルチスペクトル撮像のために、光波長だけでなく近赤外（６００−９００ｎｍ）を感知できる必要があるであろう。これは、半導体が光とともに赤外線波長を吸収できるように、半導体層４４の厚さを変えることにより達成され得る。代替的には、半導体層４４は、シリコンナノワイヤ、量子ドット、又は他の適切な無機若しくは有機半導体材料など、赤外線に対して向上した感度を有する材料で置き換えられ得る。タッチ又はジェスチャディスプレイの場合、ＭＩＳＩＭ検出器素子は簡単な製造プロセスを持ち、好ましい実施形態では大面積の薄膜エレクトロニクス処理と直接的な互換性があるため、ＭＩＳＩＭ検出器素子は、高性能、高費用対効果の表示センサ画素部を得るために薄膜ＬＣＤ、ＯＬＥＤ及びＬＥＤディスプレイに直接統合され得る。
図４ｂを参照すると、下部電極構成のＭＩＳＩＭ検出器素子３０の第２実施形態の概略図が示される。検出器素子３０は、その上に第１及び第２電極４２及び４８がそれぞれ堆積又はパターン化された基板層４０を含む。第１ブロッキング層４６は、第１電極４２及び第２電極４８の少なくとも１つを覆う基板層４０の上に堆積される。半導体層４４は、第１ブロッキング層４６の上に堆積され、選択的な反射防止層４９が半導体層４４の上に堆積される。
図４ｃは、下部電極構成のＭＩＳＩＭ検出器３０の第３の実施形態の断面図を示す。この実施形態では、基板層４０は、反射防止層４９、半導体層４４、光ブロッキング層、並びに電極４２及び電極４８を含む一対のパターン化された接触電極層を支持する。
図４ａ、４ｂ及び４ｃの実施形態と同様に、電極４２及び電極４８のいずれかがバイアス又はスイッチ３４（図３）に接続されるために選択され得る。
図４ａの実施形態と同様に、電極は、水平面と垂直面の両方で互いに対して互い違いになっていることがわかる。再び、いくつかの実施形態では、より高い暗電流及びより低いＥＱＥが許容される場合、ブロッキング層のいずれか又は両方は選択的であるか、オーミック及び／又はショットキー接触で置き換えられ得る。
暗電流は、検出器のダイナミックレンジ及び画質を低下させ、（電極４２又は電極４８として見られる）バイアス接触に印加される電界に応じるため、従来のＭＳＭ検出器の鍵となる問題である。半導体層４４上で作用する光子から生成された電子キャリアの電荷分離には、大きな電界が必要である。暗電流を減らしている間に光電流が高レベルに維持され得る場合、又は代替的には、暗電流を増加させることなく電荷分離効率とそれに対応する光電流を増加させるためにより高い電位がバイアス接触（電極４２又は電極４８）に印加され得る場合、より大きなダイナミックレンジ、より高いコントラスト、より高い量子効率、より良いデジタル画像に相当する、より大きな光対暗電流比が可能である。電極４８及び電極４２の接触のためのオーミック又はショットキー接触は、これまで、高感度の医療用Ｘ線撮像の適用に必要な暗電流密度（約１０ｐＡ／ｍｍ２以下）を達成できなかった。しかし、それほど厳密ではない適用（例えば、生体指紋認証スキャン又はタッチセンシング分野）に関して、オーミック及びショットキー接触で十分であり得る。
本開示の一態様では、本開示は、（ショットキー接触のオーミックの代わりに）ブロッキング層と結合された互い違いのＭＩＳＩＭ接触アーキテクチャを使用し、同時に、（１）半導体層に作用する光子がない場合に暗電流を低減し、（２）光子が半導体層に作用するときに高い光電流を可能にする。
これら２つの目標を達成するために、ブロッキング層４６及び４７の材料は、半導体層との低トラップ密度界面を提供し、バイアス及び感知電極から半導体層への電荷キャリアの注入を防止又は低減し（例えば、広いバンドギャップを有する）、印加バイアス及びブロッキング層４６の厚さが暗伝導度と半導体層４４の厚さ、印加された電気バイアス及び材料特性にも応じる半導体層４４の光導電性との両方を考慮して選択又は最適化される場合、デバイス動作中にソフトな（soft）（可逆の）絶縁破壊（breakdown）において繰り返し動作できるような絶縁耐力を有するために、慎重に選択される。
光子が半導体層４４に作用し、それにより半導体層４４の抵抗率を低下させると、ブロッキング層４６はソフトな（すなわち可逆の）絶縁破壊モードで動作し、バイアス部４８及び感知接触（又は電極）４２からブロッキング層４６を介して半導体層４４に至る垂直伝導経路を可能にする。ソフトな絶縁破壊で動作することは、ブロッキング層４６を介した伝導を可能にし、バイアス部４８と検知部４２の接触注入電流を制限することで低暗電流を維持しながら、応答時間の課題を克服し得る。厚すぎるブロッキング層４６又は高すぎる絶縁破壊強度を持つブロッキング層４６を使用することは、不十分な結果を生じ得る。又は、代替的には、互換性のない（incompatible）ブロッキング層４６の材料の選択は、半導体層４４との不十分な界面をもたらし、トラップ及び欠陥がＭＩＳＩＭ検出器３０の量子効率の低下を引き起こし得る。
実験では、４５０ｎｍのアモルファスシリコン半導体層４４を使用すると、２００ｎｍのポリイミドのブロッキング層４６で良好に機能することがわかった。この組み合わせは、緑色の光に対して高いＥＱＥ（６５％以上）を有する界面をもたらす。代替的には、青色光のために高い外部量子効率が必要な場合、同じアモルファスシリコンとポリイミド材料の組み合わせに対して、半導体層４４の厚さを減らす必要があり、それに対応してブロッキング層の厚さ４６を再最適化する必要があり得る。半導体層４４がアモルファスシリコンからＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）のような金属酸化物若しくはシリコン、ポリシリコン又は有機半導体に変更された場合、それらは全て異なる材料特性及び吸収係数を有し、ブロッキング層の材料（界面の目的）、適用される厚さ及び最大バイアス電圧の選択は、製造前に計算によって再検討又は再最適化され得る。ポリイミドの代替品は、ベンゾシクロブタン（ＢＺＢ又はシクロテン）、パリレン、ポリスチレン、ポリシロキサン及び他の関連材料などを含むが、これらに限定されない。アモルファスシリコンナイトライドなどの選択的な反射防止層が入射光子の経路で直接的に半導体層の上で使用される場合、ＥＱＥをさらなる改善が可能となる。
さらに、ブロッキング層４６をパターン化し、バイアス部４８と感知部４２の両方の接触に絶縁接触を使用するか、又は代替的に１つの接触のみに絶縁接触を使用することが可能である（例えば、バイアス接触４８及び使用されるバイアスに依存する感知部４２の接触のいずれかに関して）。また、適用要件に応じて、オーミック及びショットキー接触が使用され得ることを理解されたい。
また、（例えば、バイアス部４８若しくは感知部４２の接触又はブロッキング層４６の）パターニングプロセスは、パターニングプロセス中に空気及び化学物質にさらされるため、半導体層４４の界面を潜在的に劣化させ得る。しかし、典型的には、図４ａから４ｃに示すように、バイアス部４８と感知部４２との両方の接触を横切るブロッキング層は、欠陥及びトラップ（trap）を減らすとともに、半導体層４４を覆うことによって高い量子効率を維持することで、半導体層４４との界面を改善する。代替的な実施形態では、慎重な半導体処理が行われる場合、バイアス部４８及び感知部４２の接触の一方のみが絶縁されるＭＩＳＩＭ検出器素子が用いられ得る。
さらに、前述のように、バイアス部４８及び感知部４２の接触は、光子の吸収と移動が水平（横方向）に保たれるように水平距離だけ離れている限り、半導体４４の層の両側にそれぞれ１つずつなど、様々な位置に配置され得る。さらに、バイアス部４８と感知部４２との接触が透明な材料を使用して作られている場合、上部電極と下部電極との両方の構成は、どちらの方向からの光子も等しく検出することができる。透明材料は、アルミニウム、モリブデン、クロム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を含むが、これらに限定されない。
他の実施形態では、（１）低いセンサ静電容量（高い画素ダイナミックレンジを必要とする用途については困難な場合がある）及び（２）隣接するスイッチング又は他の関連するノイズ源によるセンサ出力電流の不安定性又は不均一性を改善するために、画素トランジスタ及び回路（低信号の適用については困難な場合がある）、遮蔽電極又は電極層は、検出器又は検出器素子内に統合される。遮蔽電極は、絶縁破壊を低減し、光検出器の信頼性を改善するのを支援することができる。別の実施形態では、遮蔽又は遮蔽電極は、個々の電極の近傍若しくは周囲、及び／又は検出器素子の電極の対の間で電界を形成するように設計される。１つの遮蔽電極は、電極間で生成される全ての電界のために使用され得るか、又は遮蔽電極と生成される電界との間で1：1の関係にあり得ることが理解される。また、遮蔽電極と電極間の電界との間の他の比率が考慮される。典型的に絶縁体のように振る舞うブロッキング層とは異なり、遮蔽電極は導電性である。遮蔽電極層は、アルミニウム、クロム、モリブデン、及び酸化インジウムスズを含むが、これらに限定されず、様々な材料から作成され得る。図５の概略図は、様々な光検出器の設計を有する遮蔽電極の多くの実装を提供する。
図５ａを参照すると、遮蔽電極４１を有する下部電極構成のＭＩＳＩＭ検出器の第１実施形態の概略図が示される。遮蔽電極又は電極層の使用は、現在のシステムを超える更なる利点を提供する。まず、遮蔽電極は、感知電極に隣接して配置されると追加の画素容量を提供し（実施に応じて４８又は４２）、画素の暗電流を安定した低いレベルに安定させ、画素出力信号電流を増加させ、バイアス電極（４２若しくは４８）又は感知電極（４２若しくは４８）の端部の電界を変更することによりＥＱＥを高める。
図５ａに示されるように、検出器は、遮蔽電極層４１が堆積される基板層４０を含む。遮蔽電極４１の上には、遮蔽電極層４１を覆い得るブロッキング層４３がある。次いで、一対の電極４２及び４８が、ブロッキング層４３の上に堆積又はパターン化される。一対の電極は、互いに水平に間隔を開けられるように見られ得る。本実施形態では、電極４２及び電極４８を覆う第１ブロッキング層４３の上に第２ブロッキング層４６が堆積又はパターン化される。半導体若しくは半導体層４４は第２ブロッキング層４６の上に堆積され、次いで、半導体層４４の上に選択的な反射防止層４９が堆積され得る。
基板４０と同じ幅を有するように示されているが、遮蔽電極４１は、ＭＩＳＩＭ素子３０の全ての領域を覆う必要はなく、電極４２と電極４８との間に、又は電極４２及び４８の全体又は一部分を覆うようにパターン化され得る。遮蔽電極４１の配置は、用途、必要な画素容量、暗電流及びＥＱＥのレベルに依存する。
図５ｂから５ａｂには、上部電極、下部電極、及び／又はマルチセンサＭＩＳＩＭ、並びに互い違いのＭＩＳＩＭセンサを含む様々なＭＩＳＩＭ画素アーキテクチャが、センサ性能の向上のために組み込まれる遮蔽電極とともに示される。
図５ｂでは、遮蔽電極は、基板層４０から離れて配置される。図５ｂの実施形態では、遮蔽電極４１と基板層４０との間に、選択的な反射防止層４９、半導体層４４、一対の遮断層、並びに２つの電極４２及び４８がある。
図５ｃでは、遮蔽電極４１は、基板層の上に配置され、２つの水平方向に間隔を空けられた電極４２及び４８の間の空間と同じ幅になるように設計される。図５ｄでは、遮蔽電極４１は、基板層４０の上に配置され、基板と電極４２との間に直接的にある。図５ｅでは、遮蔽電極４１は、基板層４０の上に配置され、基板と電極４８との間に直接的にある。
図５ｆの実施形態を参照すると、遮蔽電極は、基板層４０の上に配置され、電極４２及び４８の両方を遮蔽する。
図５ｇを参照すると、現在の実施形態では透明であり得る遮蔽電極４１は、反射防止層４９と基板層４０から離れたブロッキング層４３との間に配置される。図５ｈの実施形態では、遮蔽電極４１は、基板層の上に配置される。検出器３０は、複数のブロッキング層４３及び４６、半導体層４４、反射防止層４９、並びに電極４２及び４８と共に更なる電極層６０を含み得る。
図５ｉを参照すると、電極は、一対の感知部（６２及び６６）並びに一対のバイアス電極（６４及び６８）として実装され得る。この実施形態では、遮蔽電極４１は、基板の上に配置され、一対の感知電極およびバイアス電極のそれぞれを遮蔽する。図５ｊの実施形態では、遮蔽電極は、基板層４０から離れて配置されるが、それでもなお、一対の感知電極及びバイアス電極を遮蔽する。図５ｋを参照すると、その実施形態は、一方が基板層４０に隣接し、他方が基板層４０から離れている一対の遮蔽電極４１を含む。図５ｌの実施形態では、遮蔽電極は、基板層４０に隣接して配置され、３つの電極（２つの感知電極６２及び６６並びに１つのバイアス電極６４）を遮蔽する。図５ｍの実施形態では、遮蔽電極４１（好ましくは透明）は、基板層４０から離れて配置され、３つの電極を遮蔽する。図５ｎは、３電極実装のデュアル遮蔽電極の実施形態を示す。
図５ｏから５ａｂの実施形態では、少なくとも１つの遮蔽電極がどのように検出器内に統合され得るかのさらなる例が示される。図５ｘの実施形態では、検出器は、遮蔽電極に隣接する選択的な反射防止コーティングをさらに含み得る。また、反射防止コーティングは、基材層の両側に適用され得る。
図６ａは、ボトムゲートの逆スタガ型（inverted staggered）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造を示す。基板５０（例えば、ガラス又はプラスチック）は、パターン化されたゲート電極５２を含み、その後にゲート絶縁体５４、半導体層５６、並びにソース５８及びドレイン５９の接触を画定するパターン化された接触層を含む。図５ｂは、層が逆の構成になっているトップゲートの逆スタガ型ＴＦＴ構造を示す。両者は、今日のディスプレイ業界で使用されるアモルファスシリコンＴＦＴの実施である。当業者に理解されるように、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）、ＩＧＺＯ、及びポリシリコントランジスタについて同様の断面を描き得る。
図７は、ＭＩＳＩＭ−遮蔽電極を有するＴＦＴ撮像装置に関する、ある潜在的なプロセス断面図である。示される断面は、ボトムゲートＴＦＴを使用する下部電極ＭＩＳＩＭに関する。当業者に理解されるように、この実施は、図６で説明した様々なＴＦＴアーキテクチャと組み合わせて、図５ａ〜５ａｂに示すＭＩＳＩＭの他の潜在的な変形の全てに拡大縮小（scale）され得る。
前の記述では、説明の目的で、実施形態の完全な理解を提供するために多くの詳細が述べられる。しかしながら、これらの特定の詳細が必要とされない可能性があることは、当業者に明らかであろう。他の例では、理解を不明瞭にしないために、周知の構造がブロック図の形式で示され得る。例えば、本明細書に記載された実施形態の素子がソフトウェアルーチン、ハードウェア回路、ファームウェア、又はそれらの組み合わせとして実施されるかどうかに関する特定の詳細は提供されない。
本開示の実施形態又はその構成要素は、機械可読媒体（コンピュータ可読媒体、プロセッサ可読媒体、又はそれらに組み込まれたコンピュータ可読プログラムコードを有するコンピュータ使用可能媒体とも呼ばれる）に格納されたコンピュータプログラム製品として提供又は表され得る。機械可読媒体は、ディスケット、コンパクトディスク読取専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、メモリデバイス（揮発性又は不揮発性）又は同様の記憶機構を含む、磁気、光学又は電気の記憶媒体を含む任意の適切な有形の非一時的な媒体であり得る。機械可読媒体は、命令、コードシーケンス、構成情報、又は他のデータの様々な組を含むことができ、実行されると、プロセッサ又はコントローラに本開示の実施形態の方法のステップを実行させる。また、当業者は、記載された実装形態を実装するのに必要な他の命令及び動作が機械可読媒体に記憶され得ることを理解するであろう。機械可読媒体に記憶された命令は、プロセッサ、コントローラ又は他の適切な処理デバイスによって実行され、記載されたタスクを実行するための回路とインターフェースを取り得る。
上述の実施形態は、単なる例であることを意図する。変更、修正及び変形は、添付の特許請求の範囲によってのみ定義される範囲から逸脱することなく、特定の実施形態に対して当業者によって実施され得る。
Claims (16)
- デジタル撮像システムに関する検出器素子であって、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１及び第２電極間に配置された半導体層と、
前記第１及び第２電極のうちの１つに隣接する少なくとも１つの伝導性の遮蔽電極と、
を備える検出器素子。 - 少なくとも１つのブロッキング層をさらに備える請求項１に記載の検出器素子。
- 基板層をさらに備える請求項１に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、前記基板層に隣接する請求項３に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、前記基板層から離れる請求項３に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、透明である請求項５に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、前記第１及び第２電極のうちの少なくとも１つの近く又は周りの電解を形作る請求項１に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極層は、前記第１及び第２電極が水平に間隔を空けられるときに前記第１及び第２電極間の電解を形作る請求項１に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、前記基板層の幅を伸ばす請求項３に記載の検出器素子。
- 前記遮蔽電極は、伝導材料から作成される請求項１に記載の検出器素子。
- 前記伝導材料は、アルミニウム、クロム、モリブデン又は酸化インジウムスズである請求項１０に記載の検出器素子。
- 前記半導体層は、アモルファスシリコン、金属酸化物、ポリシリコン、有機半導体材料のうちの少なくとも１つから作成される請求項１に記載の検出器素子。
- 前記ブロッキング層は、ポリイミド、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）、パリレン、ポリスチレン又はポリシロキサンのうちの少なくとも１つから作成される請求項１２に記載の検出器素子。
- 前記検出器素子は、金属−絶縁体−半導体−絶縁体−金属（ＭＩＳＩＭ）検出器素子である請求項１に記載の検出器素子。
- 反射防止層をさらに備える請求項２に記載の検出器素子。
- 前記ブロッキング層は、絶縁ブロッキング層、オーミックブロッキング層、ショットキーブロッキング層である請求項２に記載の検出器素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023043856A JP2023083279A (ja) | 2017-05-09 | 2023-03-20 | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762503408P | 2017-05-09 | 2017-05-09 | |
| US62/503,408 | 2017-05-09 | ||
| PCT/CA2018/050554 WO2018205028A1 (en) | 2017-05-09 | 2018-05-09 | Apparatus for radiation detection in a digital imaging system |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023043856A Division JP2023083279A (ja) | 2017-05-09 | 2023-03-20 | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020521318A true JP2020521318A (ja) | 2020-07-16 |
Family
ID=64096562
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019562322A Pending JP2020521318A (ja) | 2017-05-09 | 2018-05-09 | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
| JP2023043856A Pending JP2023083279A (ja) | 2017-05-09 | 2023-03-20 | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023043856A Pending JP2023083279A (ja) | 2017-05-09 | 2023-03-20 | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10514471B2 (ja) |
| EP (1) | EP3635791A4 (ja) |
| JP (2) | JP2020521318A (ja) |
| CN (1) | CN110945658A (ja) |
| CA (1) | CA3062873A1 (ja) |
| WO (1) | WO2018205028A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11504079B2 (en) | 2016-11-30 | 2022-11-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hybrid active matrix flat panel detector system and method |
| CN109659385A (zh) * | 2017-10-10 | 2019-04-19 | 群创光电股份有限公司 | 感测装置 |
| KR102552845B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2023-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엑스레이 영상감지소자 |
| JP7286778B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2023-06-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 利得要素を備えた荷電粒子検出器およびその製造方法 |
| JP2022167161A (ja) * | 2021-04-22 | 2022-11-04 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | Ｘ線撮像パネル及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002528889A (ja) * | 1998-10-22 | 2002-09-03 | ディレクト レディオグラフィ コーポレーション | 遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネル |
| WO2010121386A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Karim Karim S | Method and apparatus for a lateral radiation detector |
| US20150323679A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-12 | Industrial Technology Research Institute | Electrical radiography imaging system and method thereof |
| WO2017008166A1 (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | Dose Smart Imaging | Apparatus for radiation detection in a digital imaging system |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046454A (en) * | 1995-10-13 | 2000-04-04 | Digirad Corporation | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
| CA2438581C (en) * | 2001-02-16 | 2005-11-29 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode display having shield electrodes |
| JP4323827B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| JP2007528116A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-10-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フラットパネルｘ線検出器 |
| JP5207583B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
| CA2541256A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-22 | Redlen Technologies Inc. | Shielding electrode for monolithic radiation detector |
| WO2008012723A2 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-31 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | A detector for and a method of detecting electromagnetic radiation |
| JP5008026B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2012-08-22 | ソニーモバイルディスプレイ株式会社 | 入力機能付表示装置 |
| JP5375142B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
| KR101776955B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2017-09-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
| KR101906974B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-10-12 | 삼성전자주식회사 | 광센싱 장치 및 그 구동 방법 |
| US9335423B2 (en) * | 2011-07-01 | 2016-05-10 | Brookhaven Science Associates, Llc | Radiation detector device for rejecting and excluding incomplete charge collection events |
| JP2013088324A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| KR102018740B1 (ko) * | 2013-01-02 | 2019-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 기능을 구비한 표시 장치 |
| US9753152B2 (en) * | 2013-06-28 | 2017-09-05 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor scintillation detector |
| US10468450B2 (en) * | 2014-04-04 | 2019-11-05 | Dose Smart Imaging | Apparatus for radiation detection in a radiography imaging system |
| WO2016163347A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | シャープ株式会社 | フォトセンサ基板 |
-
2018
- 2018-05-09 US US15/975,366 patent/US10514471B2/en active Active
- 2018-05-09 EP EP18799337.3A patent/EP3635791A4/en active Pending
- 2018-05-09 JP JP2019562322A patent/JP2020521318A/ja active Pending
- 2018-05-09 CA CA3062873A patent/CA3062873A1/en active Pending
- 2018-05-09 CN CN201880042887.7A patent/CN110945658A/zh active Pending
- 2018-05-09 WO PCT/CA2018/050554 patent/WO2018205028A1/en unknown
-
2023
- 2023-03-20 JP JP2023043856A patent/JP2023083279A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002528889A (ja) * | 1998-10-22 | 2002-09-03 | ディレクト レディオグラフィ コーポレーション | 遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネル |
| WO2010121386A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Karim Karim S | Method and apparatus for a lateral radiation detector |
| US20150323679A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-12 | Industrial Technology Research Institute | Electrical radiography imaging system and method thereof |
| WO2017008166A1 (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | Dose Smart Imaging | Apparatus for radiation detection in a digital imaging system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3635791A4 (en) | 2021-01-13 |
| JP2023083279A (ja) | 2023-06-15 |
| CN110945658A (zh) | 2020-03-31 |
| CA3062873A1 (en) | 2018-11-15 |
| US20180329084A1 (en) | 2018-11-15 |
| US10514471B2 (en) | 2019-12-24 |
| EP3635791A1 (en) | 2020-04-15 |
| WO2018205028A1 (en) | 2018-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106535768B (zh) | 用于数字成像系统中的辐射检测的装置 | |
| US10514471B2 (en) | Apparatus for radiation detection in a digital imaging system | |
| US10468450B2 (en) | Apparatus for radiation detection in a radiography imaging system | |
| CN102401906B (zh) | 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法 | |
| US9515106B2 (en) | Radiation imaging device with metal-insulator-semiconductor photodetector and thin film transistor | |
| US9698193B1 (en) | Multi-sensor pixel architecture for use in a digital imaging system | |
| TWI693831B (zh) | 使用雙閘極ｔｆｔ結構的設備及方法 | |
| US20130264485A1 (en) | Method of manufacturing radiation detection apparatus, radiation detection apparatus, and radiation imaging system | |
| US9401383B2 (en) | Photoconductive element for radiation detection in a radiography imaging system | |
| US20100051820A1 (en) | X-ray detecting element | |
| KR20120027541A (ko) | 평판 ｘ-선 영상기에서의 포토다이오드 및 기타 센서 구조물, 및 박막 전자 회로에 기초하여 평판 ｘ-선 영상기에서의 포토다이오드 및 기타 센서 구조물의 토폴로지적 균일성을 향상시키는 방법 | |
| JP2005114731A (ja) | 後方照射を有する半導体放射線撮像装置 | |
| CN201852941U (zh) | 辐射探测器及其成像装置和电极结构 | |
| CA2455319C (en) | Active-matrix substrate and electromagnetic wave detector | |
| KR102619971B1 (ko) | 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
| CN102576715B (zh) | 平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法 | |
| JP2005033003A (ja) | 放射線検出器およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220329 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220616 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221122 |