JP2002528889A - 遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネル - Google Patents
遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネルInfo
- Publication number
- JP2002528889A JP2002528889A JP2000577506A JP2000577506A JP2002528889A JP 2002528889 A JP2002528889 A JP 2002528889A JP 2000577506 A JP2000577506 A JP 2000577506A JP 2000577506 A JP2000577506 A JP 2000577506A JP 2002528889 A JP2002528889 A JP 2002528889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- image capture
- panel according
- capture panel
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 3
- 238000002601 radiography Methods 0.000 title description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims abstract description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 241000282372 Panthera onca Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M thallium(i) bromide Chemical compound [Tl]Br PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
イメージキャプチャパネルは、複数の放射線検出器（１０）が設けられた基板（１２）と、各放射線検出器にそれぞれ接続された複数の導体（５３）と、基板上の全ての検出器に接続された複数の増幅器（５２）と、放射線検出器と導体上に載置された周囲端を有するフィールド電極（３８）を含む。遮蔽電極（５６）は、フィールド電極周囲端を囲んでも良いし、またはフィールド電極を誘電層中間で完全に覆っても良い。遮蔽電極は、各増幅器を取り囲む代わりに、完全に覆っても良い。遮蔽電極は、抵抗（６４）を介して接地（６２）にバイアスされて良く、さらに導電性塗料、例えば銀塗料で構成されても良い。
Description
【０００１】
本発明は、フィールド電極および、そのフィールド電極の外側に連結された複
数の読み出し電気素子の下に載置された複数の放射線センサを備えた放射線検出
パネルに関し、特に、読み出しエレクトロニクスを保護する遮蔽電極を含む放射
線検出パネルに関するものである。
数の読み出し電気素子の下に載置された複数の放射線センサを備えた放射線検出
パネルに関し、特に、読み出しエレクトロニクスを保護する遮蔽電極を含む放射
線検出パネルに関するものである。
【０００２】
画像に関する強度被変調放射線、例えばＸ線放射線、を検出するとともに、被
変調放射線内の画像を示す電子信号を生成するイメージング放射線パネルが良く
知られている。被変調放射線は、ディジタル化され、記憶され、コンピュータ強
調され、その後、様々な表示媒体に可視像として表示される。このようなパネル
は、入射放射線を、その入射放射線の強度を示す電荷に直接変換することができ
る複数のセンサのアレイを含む。典型的に、このようなセンサは、放射線検出素
子と、電荷蓄積素子とを含む複合構造を備えている。放射線検出素子は、フォト
ダイオードでも良く、これはシンチレーション層とともに作用して、放射線がシ
ンチレーション層に照射された時に放出される光子を検出し、光子強度に比例す
る電荷を生成する。あるいは、放射線検出素子は、放射線に露光された時直ぐに
、電荷を生成する光伝導体と、このような電荷を集電する電荷集電電極であって
も良い。このように生成された電荷は、典型的に何らかの記憶装置、殆どの場合
、電荷蓄積コンデンサに記憶される。
変調放射線内の画像を示す電子信号を生成するイメージング放射線パネルが良く
知られている。被変調放射線は、ディジタル化され、記憶され、コンピュータ強
調され、その後、様々な表示媒体に可視像として表示される。このようなパネル
は、入射放射線を、その入射放射線の強度を示す電荷に直接変換することができ
る複数のセンサのアレイを含む。典型的に、このようなセンサは、放射線検出素
子と、電荷蓄積素子とを含む複合構造を備えている。放射線検出素子は、フォト
ダイオードでも良く、これはシンチレーション層とともに作用して、放射線がシ
ンチレーション層に照射された時に放出される光子を検出し、光子強度に比例す
る電荷を生成する。あるいは、放射線検出素子は、放射線に露光された時直ぐに
、電荷を生成する光伝導体と、このような電荷を集電する電荷集電電極であって
も良い。このように生成された電荷は、典型的に何らかの記憶装置、殆どの場合
、電荷蓄積コンデンサに記憶される。
【０００３】 典型的なこのようなパネルは、例えば、ジェロミンの米国特許第５，１６８，
１６０号、リーの米国特許第５，３１９，２０６号、リーの米国特許第５，６５
２，４３０号、ジェロミン等の米国特許第５，３８１，０１４号、ヒュース等の
米国特許第５，３１５，１０１号、およびトランの米国特許第５，２５４，４８
０号に記載されている。
１６０号、リーの米国特許第５，３１９，２０６号、リーの米国特許第５，６５
２，４３０号、ジェロミン等の米国特許第５，３８１，０１４号、ヒュース等の
米国特許第５，３１５，１０１号、およびトランの米国特許第５，２５４，４８
０号に記載されている。
【０００４】 使用したセンサのタイプに関わらず、それは光伝導体タイプまたは光感応層で
あっても、殆どのパネルもまたフィールド電極を使用している。このフィールド
電極は、全てのセンサ上に切れ目無く通常延在し、バイアスフィールドを個々の
センサに供給する。さらに、特別なセンサ型の使用に関わらず、殆どのパネルが
、各センサをアドレス指定するとともに、そこに蓄積された電荷を回収する電子
回路部品を含み、この構成により、センサ１個１個に画像再構築させ、各センサ
に完全な画像の一画素またはピクセルを形成させる。さらに、各センサをアドレ
ス指定するのに使用される最も一般的な素子は、ＭＯＳＦＥＴ（酸化金属半導体
電界効果トランジスタ）スイッチあり、薄膜技術を使用して構成され、ＴＦＴ（
薄膜トランジスタ）スイッチとして参照されることもある。
あっても、殆どのパネルもまたフィールド電極を使用している。このフィールド
電極は、全てのセンサ上に切れ目無く通常延在し、バイアスフィールドを個々の
センサに供給する。さらに、特別なセンサ型の使用に関わらず、殆どのパネルが
、各センサをアドレス指定するとともに、そこに蓄積された電荷を回収する電子
回路部品を含み、この構成により、センサ１個１個に画像再構築させ、各センサ
に完全な画像の一画素またはピクセルを形成させる。さらに、各センサをアドレ
ス指定するのに使用される最も一般的な素子は、ＭＯＳＦＥＴ（酸化金属半導体
電界効果トランジスタ）スイッチあり、薄膜技術を使用して構成され、ＴＦＴ（
薄膜トランジスタ）スイッチとして参照されることもある。
【０００５】 これらのセンサに連結された感応エレクトロニクスは、複数の集積回路チップ
の形状を有し、通常、積分増幅器である。この積分増幅器は、センサから電荷を
受け取り、それを増幅して、入射放射線によって発生し蓄積された電荷に比例す
る有効電子信号を生成する。
の形状を有し、通常、積分増幅器である。この積分増幅器は、センサから電荷を
受け取り、それを増幅して、入射放射線によって発生し蓄積された電荷に比例す
る有効電子信号を生成する。
【０００６】 増幅前の初期信号を形成する電荷の量は、非常に小さい。このため、殆どの場
合、増幅器はセンサのできる限り近くに配置され、特には、パネルの縁に沿った
手段が、センサアレイの一番外側の列と行の始まりの隣に直立する。前述したよ
うに、殆どの構造において、センサアレイは、センサアレイ外周と同一の広がり
を有するフィールド電極によって覆われている。このように、増幅器は、このフ
ィールド電極に非常に近くに近接する傾向がある。センサの細かな性質やパネル
の操作モードによって、バイアス電圧が、このフィールド電極に加えられ、この
バイアス電圧は、非常に高いレベルに上げられるかもしれない。このように電圧
が高い場合、増幅器は、フィールド電極と増幅器入力の間に電流リークに影響を
受けやすく、さらにフィールド電極一端と増幅器入力リード線の間に絶縁破壊に
も時に影響を受けやすい。典型的に、検出器は容器内に封入される。フィールド
電極は、イオン化空気を生成しても良く、これは、容器によって密閉され、かつ
増幅器中をドリフトできる。増幅器への入力信号は、このようにしてノイズスパ
イクまたは他のノイズ信号を受信しても良い。このようなノイズスパイクや信号
は、一連のラインとして画像上に現れる。これらのラインは、実像を隠す傾向が
あるため、放射線検出パネルの消費者にとって好ましくない。
合、増幅器はセンサのできる限り近くに配置され、特には、パネルの縁に沿った
手段が、センサアレイの一番外側の列と行の始まりの隣に直立する。前述したよ
うに、殆どの構造において、センサアレイは、センサアレイ外周と同一の広がり
を有するフィールド電極によって覆われている。このように、増幅器は、このフ
ィールド電極に非常に近くに近接する傾向がある。センサの細かな性質やパネル
の操作モードによって、バイアス電圧が、このフィールド電極に加えられ、この
バイアス電圧は、非常に高いレベルに上げられるかもしれない。このように電圧
が高い場合、増幅器は、フィールド電極と増幅器入力の間に電流リークに影響を
受けやすく、さらにフィールド電極一端と増幅器入力リード線の間に絶縁破壊に
も時に影響を受けやすい。典型的に、検出器は容器内に封入される。フィールド
電極は、イオン化空気を生成しても良く、これは、容器によって密閉され、かつ
増幅器中をドリフトできる。増幅器への入力信号は、このようにしてノイズスパ
イクまたは他のノイズ信号を受信しても良い。このようなノイズスパイクや信号
は、一連のラインとして画像上に現れる。これらのラインは、実像を隠す傾向が
あるため、放射線検出パネルの消費者にとって好ましくない。
【０００７】 従って、本発明は、フィールド電極を含むタイプの複数のセンサを備え、望ま
しくないノイズラインを実質的に排除する画像作成可能なパネルを提供すること
を目的とする。 （発明の要旨） 本発明によれば、 基板と、 この基板上の放射線検出層と、 この放射線検出層上の、一端を有するフィールド電極と、 電気接地と、 前記一端に沿って、かつ前記一端と電気的に離隔して延在するとともに、前記
電気接地に電気的に接続された遮蔽電極とを備えたことを特徴とするイメージキ
ャプチャパネルが提供される。
しくないノイズラインを実質的に排除する画像作成可能なパネルを提供すること
を目的とする。 （発明の要旨） 本発明によれば、 基板と、 この基板上の放射線検出層と、 この放射線検出層上の、一端を有するフィールド電極と、 電気接地と、 前記一端に沿って、かつ前記一端と電気的に離隔して延在するとともに、前記
電気接地に電気的に接続された遮蔽電極とを備えたことを特徴とするイメージキ
ャプチャパネルが提供される。
【０００８】 放射線検出パネルは、典型的に、前記フィールド電極一端に隣接して前記基板
上に電子信号検出素子を含んでも良い。そして遮蔽電極は信号検出素子とフィー
ルド電極一端の間に介在する。本発明の殆どの実施例においても、遮蔽電極はフ
ィールド電極の全周の端に延在している。
上に電子信号検出素子を含んでも良い。そして遮蔽電極は信号検出素子とフィー
ルド電極一端の間に介在する。本発明の殆どの実施例においても、遮蔽電極はフ
ィールド電極の全周の端に延在している。
【０００９】 好ましくは、遮蔽電極は抵抗器を介して接地にバイアスされ、および、導電性
ペイント、例えば銀またはグラファイト塗料からなっても良い。 （発明の詳細な説明） 以下に、入射Ｘ線放射線を電荷に変換し、その電荷を電荷蓄積コンデンサに蓄
積する複数のセンサを使用する本発明に係る具体的なパネルについて図解する。
このタイプのセンサは、ディー．エル．ワイ．リー、エル．チュン、およびエル
．ジェロミンの１９９７年１２月９日にファイルされ、本発明の譲渡人に譲渡さ
れた係属中の出願第０８／９８７，４８５号に、より詳細に記載されており、そ
の内容は参照してここに具現化される。本発明は、これらの図を参照して図解さ
れる。ここで、すべての図において、同様な番号が同じ構成要素を示す。これら
の図は、限定的なものではなく、実例を意図し、これらを含み、本発明の装置の
説明を容易にする。
ペイント、例えば銀またはグラファイト塗料からなっても良い。 （発明の詳細な説明） 以下に、入射Ｘ線放射線を電荷に変換し、その電荷を電荷蓄積コンデンサに蓄
積する複数のセンサを使用する本発明に係る具体的なパネルについて図解する。
このタイプのセンサは、ディー．エル．ワイ．リー、エル．チュン、およびエル
．ジェロミンの１９９７年１２月９日にファイルされ、本発明の譲渡人に譲渡さ
れた係属中の出願第０８／９８７，４８５号に、より詳細に記載されており、そ
の内容は参照してここに具現化される。本発明は、これらの図を参照して図解さ
れる。ここで、すべての図において、同様な番号が同じ構成要素を示す。これら
の図は、限定的なものではなく、実例を意図し、これらを含み、本発明の装置の
説明を容易にする。
【００１０】 図１について説明すると、本発明に係るセンサ１０の内部構造の概略断面立面
図が示されている。センサ１０は、基板１２上に設けられ、この基板は、ガラス
、セラミック、または他の適切な絶縁材料であっても良く、複数の層およびセン
サを含む回路部品を指示するのに十分な機械的強度を備えたものである。
図が示されている。センサ１０は、基板１２上に設けられ、この基板は、ガラス
、セラミック、または他の適切な絶縁材料であっても良く、複数の層およびセン
サを含む回路部品を指示するのに十分な機械的強度を備えたものである。
【００１１】 また、２つの導電素子も図示されており、これらは互いに近隣に配置され、第
１または底部導電マイクロプレート１４と、第２または中間導電マイクロプレー
ト１６とを形成する。この２つのマイクロプレートの間に第１の誘電層１８が配
置される。これらの２つのマイクロプレートおよび誘電層が、電荷蓄積コンデン
サ２０を形成する。導電素子は、インジウム酸化錫などの導電材料の薄層、ある
いは金属の５０Ａ〜１００Ａの薄層であっても良い。
１または底部導電マイクロプレート１４と、第２または中間導電マイクロプレー
ト１６とを形成する。この２つのマイクロプレートの間に第１の誘電層１８が配
置される。これらの２つのマイクロプレートおよび誘電層が、電荷蓄積コンデン
サ２０を形成する。導電素子は、インジウム酸化錫などの導電材料の薄層、ある
いは金属の５０Ａ〜１００Ａの薄層であっても良い。
【００１２】 さらに、ＦＥＴトランジスタ２２が基板１２上に設けられている。一般的に、
このトランジスタはゲート電極２４、ゲート酸化被膜２６、およびアモルファス
シリコンなどの半導体材料２８を有する。ゲート電極は、センサに沿って延在す
る導体に接続される。この導体は、ゲートへのアクセスを可能にし、ＦＥＴゲー
トを外部の検出器からアドレッシングさせて、ＦＥＴを自由にスイッチオンまた
はオフするものである。さらに、ＦＥＴはソースおよびドレイン電極を含む。ソ
ース電極３０は、第２の導電マイクロプレート１６に接続され、ドレイン電極３
２は、センサを電荷検出器または増幅器に接続する接点へと導く導体（図示無し
）に接続されている。
このトランジスタはゲート電極２４、ゲート酸化被膜２６、およびアモルファス
シリコンなどの半導体材料２８を有する。ゲート電極は、センサに沿って延在す
る導体に接続される。この導体は、ゲートへのアクセスを可能にし、ＦＥＴゲー
トを外部の検出器からアドレッシングさせて、ＦＥＴを自由にスイッチオンまた
はオフするものである。さらに、ＦＥＴはソースおよびドレイン電極を含む。ソ
ース電極３０は、第２の導電マイクロプレート１６に接続され、ドレイン電極３
２は、センサを電荷検出器または増幅器に接続する接点へと導く導体（図示無し
）に接続されている。
【００１３】 放射線検出層は、典型的には光伝導層３４であり、非常に高い暗抵抗を有する
のが好ましく、予め堆積された層の上を覆う。放射線写真技術において、特に、
医療用として、入射放射線はＸ線放射線であり、放射線検出層は、Ｘ線光伝導体
である。光伝導層は、アモルファスセレニウム、ヨウ化鉛、酸化鉛、臭化タリウ
ム、テルル化カドミウム、硫化カドミウム、ヨウ化水銀、または他の適切な材料
を含んでも良い。ポリマーなどの有機材料を含んでも良く、捕獲された放射線が
Ｘ線放射線である時、光伝導率を示すＸ線吸収化合物で有機材料を荷重しても良
い。
のが好ましく、予め堆積された層の上を覆う。放射線写真技術において、特に、
医療用として、入射放射線はＸ線放射線であり、放射線検出層は、Ｘ線光伝導体
である。光伝導層は、アモルファスセレニウム、ヨウ化鉛、酸化鉛、臭化タリウ
ム、テルル化カドミウム、硫化カドミウム、ヨウ化水銀、または他の適切な材料
を含んでも良い。ポリマーなどの有機材料を含んでも良く、捕獲された放射線が
Ｘ線放射線である時、光伝導率を示すＸ線吸収化合物で有機材料を荷重しても良
い。
【００１４】 好ましい実施例において、この層は、３００〜５００マイクロメータの厚さの
連続したアモルファスセレニウム層である。
連続したアモルファスセレニウム層である。
【００１５】 第２の誘電層３６が光伝導層上に設けられ、この第２の誘電層の上に、導電フ
ィールド電極３８が設けられ、このフィールド電極３８の上に第３の誘電層４０
が設けられる。フィールド電極３８は、好ましくはインジウム酸化錫の層であり
、他の導電材料、例えばクロム、アルミニウム等も使用できる。フィールド電極
は、検出したい放射線を実質的に透過できるよう選択されるべきである。この放
射線がＸ線放射線であった場合、好ましくは、フィールド電極は、この放射線に
よって高い透過性を有する導電層である。
ィールド電極３８が設けられ、このフィールド電極３８の上に第３の誘電層４０
が設けられる。フィールド電極３８は、好ましくはインジウム酸化錫の層であり
、他の導電材料、例えばクロム、アルミニウム等も使用できる。フィールド電極
は、検出したい放射線を実質的に透過できるよう選択されるべきである。この放
射線がＸ線放射線であった場合、好ましくは、フィールド電極は、この放射線に
よって高い透過性を有する導電層である。
【００１６】 プログラマブル電源６０（図２に示される）を使用して、センサに充電電圧が
加えられる。電源は、フィールド電極３８および蓄積コンデンサの底部マイクロ
プレート１４に接続される。典型的に、底部マイクロプレートは、回路用の電気
共通ポイント、通常、接地６２に接続される。
加えられる。電源は、フィールド電極３８および蓄積コンデンサの底部マイクロ
プレート１４に接続される。典型的に、底部マイクロプレートは、回路用の電気
共通ポイント、通常、接地６２に接続される。
【００１７】 好ましい実施例において、中間マイクロプレート１６は、ＦＥＴ上まで延在し
、絶縁層４２、例えばＳｉＯx（好ましくはＳｉＯ2）層が、この中間マイクロプ
レート１６と光伝導層３４の間に設けられる。
、絶縁層４２、例えばＳｉＯx（好ましくはＳｉＯ2）層が、この中間マイクロプ
レート１６と光伝導層３４の間に設けられる。
【００１８】 センサを作成する技術は、好ましくは、導電材料層、誘電材料層および絶縁材
料層を交互に真空堆積するものであり、技術的に良く知られている。例えば、１
９８８年にアディソン−ウェスレーによって出版された、ミクロ電子工学製造へ
の導入の第５巻、アール．シー．ジャガーによる「固体デバイス上のモジュラー
シリーズ」を参照せよ。
料層を交互に真空堆積するものであり、技術的に良く知られている。例えば、１
９８８年にアディソン−ウェスレーによって出版された、ミクロ電子工学製造へ
の導入の第５巻、アール．シー．ジャガーによる「固体デバイス上のモジュラー
シリーズ」を参照せよ。
【００１９】 図２乃至図９について説明すると、本発明の具体的実施例に係る構成要素の形
状配置を図解した図が示されている。図２に示されるように、複数のセンサ１０
は支持構造５０上に配列でき、放射線生成された画像を捕獲できるイメージング
パネルを提供する。各センサは、一つのピクセルまたは画素を形成する。このよ
うなパネルは、単体ユニットとして形成されても良いし、あるいは、複数のより
小さいパネルの複合体で、所望の大きさを達成するものであっても良い。上述の
１９９６年１０月８日にジェロミン等に発行された米国特許第５，３８１，０１
４号は、このより小さいユニットを使用した、より大きなパネルの作成技術につ
いて開示している。
状配置を図解した図が示されている。図２に示されるように、複数のセンサ１０
は支持構造５０上に配列でき、放射線生成された画像を捕獲できるイメージング
パネルを提供する。各センサは、一つのピクセルまたは画素を形成する。このよ
うなパネルは、単体ユニットとして形成されても良いし、あるいは、複数のより
小さいパネルの複合体で、所望の大きさを達成するものであっても良い。上述の
１９９６年１０月８日にジェロミン等に発行された米国特許第５，３８１，０１
４号は、このより小さいユニットを使用した、より大きなパネルの作成技術につ
いて開示している。
【００２０】 複数の導体５３（一部のみ図解されている）が、これらのセンサ間に延在する
。１列の各ピクセル１０は、センサ内のＦＥＴを介して前記導体５３の近隣の一
つに電気的に接続される。各導体５３は、接点５４を介してマルチチャネル増幅
器５２の信号入力パッド５１に順に接続される。これはワイヤーボンドの形状で
あっても良い。一つの増幅器５２が、図２におけるパネルの側面に一般的に示さ
れているが、各増幅器が複数の集積回路チップを備えても良いことは、理解され
なければならない。本発明の一実施例によれば、遮蔽電極５６が、増幅器５２と
増幅器に最も近いフィールド電極一端の間の、フィールド電極３８の一端５８全
体に沿って設けられている。遮蔽電極５６は、導体５３から電気的に絶縁され、
好ましくは第２の誘電層３６と第３の誘電層４０の間に介在する。図８に示すよ
うに、複数の増幅器が設けられ、対応する導線が、フィールド電極の周囲全体を
囲んで延在するような場合、遮蔽電極５６は、フィールド電極３８の周囲を完全
に囲む。
。１列の各ピクセル１０は、センサ内のＦＥＴを介して前記導体５３の近隣の一
つに電気的に接続される。各導体５３は、接点５４を介してマルチチャネル増幅
器５２の信号入力パッド５１に順に接続される。これはワイヤーボンドの形状で
あっても良い。一つの増幅器５２が、図２におけるパネルの側面に一般的に示さ
れているが、各増幅器が複数の集積回路チップを備えても良いことは、理解され
なければならない。本発明の一実施例によれば、遮蔽電極５６が、増幅器５２と
増幅器に最も近いフィールド電極一端の間の、フィールド電極３８の一端５８全
体に沿って設けられている。遮蔽電極５６は、導体５３から電気的に絶縁され、
好ましくは第２の誘電層３６と第３の誘電層４０の間に介在する。図８に示すよ
うに、複数の増幅器が設けられ、対応する導線が、フィールド電極の周囲全体を
囲んで延在するような場合、遮蔽電極５６は、フィールド電極３８の周囲を完全
に囲む。
【００２１】 「遮蔽」電極という単語は、様々な実施例を説明する本記載を通じて使用され
るが、電極は、遮蔽、保護または防止としてより好ましく特徴付けられる１つ以
上の機構によって得られる画像上の好ましくないノイズラインを防ぐことができ
る。遮蔽は、不純電荷の源および／または目標を封じ込むとともに、不純電荷移
行および外部フィールドまたは放射線による信号への影響を防ぐ隔壁を設けるこ
とを暗に意味することが多い。保護は、目標が保護されるよりも、不純電荷がよ
り引きつけられる目標を設けるアンテナとしての作用を暗に意味することが多い
。防止は、害のある電気的影響の発生を抑制する機構を示す。ここで「遮蔽電極
」は、本発明の電極を一般的に説明するのに使用し、一つ以上の上述の機構によ
って好ましくないノイズラインを防ぎ、上述したように、遮蔽を含んでも、また
は含まなくても良い。
るが、電極は、遮蔽、保護または防止としてより好ましく特徴付けられる１つ以
上の機構によって得られる画像上の好ましくないノイズラインを防ぐことができ
る。遮蔽は、不純電荷の源および／または目標を封じ込むとともに、不純電荷移
行および外部フィールドまたは放射線による信号への影響を防ぐ隔壁を設けるこ
とを暗に意味することが多い。保護は、目標が保護されるよりも、不純電荷がよ
り引きつけられる目標を設けるアンテナとしての作用を暗に意味することが多い
。防止は、害のある電気的影響の発生を抑制する機構を示す。ここで「遮蔽電極
」は、本発明の電極を一般的に説明するのに使用し、一つ以上の上述の機構によ
って好ましくないノイズラインを防ぎ、上述したように、遮蔽を含んでも、また
は含まなくても良い。
【００２２】 特に、保護は、正確に、または少なくとも概算で、保護する信号と同じポテン
シャルであった時に、特に、保護されている回路部品の最も近隣に位置された場
合に、最も効果的である。本発明において保護される回路部品の最高感度の部分
は、増幅器５２用の信号入力（接点５４）であり、比較的低い電圧（例えば、＋
５ボルト）で典型的にバイアスされている。この低い電圧は、とりわけ近くの回
路部品の幾つかにかかる数千ボルトに比較した時、接地に非常に近いため、ここ
に開示された実施例の様々な遮蔽電極を接地に接続するのに実用的かつ好ましい
。しかしながら、遮蔽電極の接続用に、より細密な増幅器基準電圧でバイアスさ
れた接続ポイント、例えば専用の増幅器信号入力コネクタパッドを供給するのが
好ましい。このタイプの接続は、特定の実施例として以下に詳細に記述されるが
、ここに記載された全ての遮蔽電極実施例に適用可能である。
シャルであった時に、特に、保護されている回路部品の最も近隣に位置された場
合に、最も効果的である。本発明において保護される回路部品の最高感度の部分
は、増幅器５２用の信号入力（接点５４）であり、比較的低い電圧（例えば、＋
５ボルト）で典型的にバイアスされている。この低い電圧は、とりわけ近くの回
路部品の幾つかにかかる数千ボルトに比較した時、接地に非常に近いため、ここ
に開示された実施例の様々な遮蔽電極を接地に接続するのに実用的かつ好ましい
。しかしながら、遮蔽電極の接続用に、より細密な増幅器基準電圧でバイアスさ
れた接続ポイント、例えば専用の増幅器信号入力コネクタパッドを供給するのが
好ましい。このタイプの接続は、特定の実施例として以下に詳細に記述されるが
、ここに記載された全ての遮蔽電極実施例に適用可能である。
【００２３】 遮蔽電極は、抵抗器に接続されても良い。接続回路部品内に抵抗を設けること
により、火花やフラッシュオーバなどの障害の間の電流を制限できる。さらに、
抵抗は、過渡を減衰でき、オーバーシュートおよびリンギングを除去または、少
なくとも緩和できる。遮蔽電極に接続するための配線材料は、所望の抵抗を得る
ように戦略的に選択されても良く、これにより余計な構成要素を回避できる。
により、火花やフラッシュオーバなどの障害の間の電流を制限できる。さらに、
抵抗は、過渡を減衰でき、オーバーシュートおよびリンギングを除去または、少
なくとも緩和できる。遮蔽電極に接続するための配線材料は、所望の抵抗を得る
ように戦略的に選択されても良く、これにより余計な構成要素を回避できる。
【００２４】 図３は、遮蔽電極５６の好ましい配置を有するパネルを図示しており、図示さ
れるように、光伝導体層のノーマル傾斜側面上にある。遮蔽電極は典型的に約１
ｍｍ幅である。フィールド電極と遮蔽電極の間の過剰電流漏洩を回避するために
、約１ｍｍの間隙が、フィールド電極３８と遮蔽電極５６の間に維持される。遮
蔽電極５６は、フィールド電極３８と導体５３の間に介在する。このようにして
遮蔽電極５６は、電流漏洩が増幅器によって取り込まれて、画像上の好ましくな
いノイズラインを生じるよりもむしろ、直接でも、パネル表面に隣接するイオン
化空気からでも、どんな電流漏洩でも捕獲する。この意味では、遮蔽電極５６は
、保護および遮蔽の両方として作用する。何故なら、遮蔽電極５６は、より遠く
の増幅器５２への信号入力よりも、不純電荷を引き寄せるので、保護として作用
するとともに、表面電荷移動の好ましい経路内に直にあるので、遮蔽として作用
する。
れるように、光伝導体層のノーマル傾斜側面上にある。遮蔽電極は典型的に約１
ｍｍ幅である。フィールド電極と遮蔽電極の間の過剰電流漏洩を回避するために
、約１ｍｍの間隙が、フィールド電極３８と遮蔽電極５６の間に維持される。遮
蔽電極５６は、フィールド電極３８と導体５３の間に介在する。このようにして
遮蔽電極５６は、電流漏洩が増幅器によって取り込まれて、画像上の好ましくな
いノイズラインを生じるよりもむしろ、直接でも、パネル表面に隣接するイオン
化空気からでも、どんな電流漏洩でも捕獲する。この意味では、遮蔽電極５６は
、保護および遮蔽の両方として作用する。何故なら、遮蔽電極５６は、より遠く
の増幅器５２への信号入力よりも、不純電荷を引き寄せるので、保護として作用
するとともに、表面電荷移動の好ましい経路内に直にあるので、遮蔽として作用
する。
【００２５】 図４に示される他の実施の形態において、遮蔽電極５６'は、第３の誘電層４
０の上面上に配置されても良い。このように配置された場合、遮蔽電極５６'は
、空中（浮動）不純電荷を捕獲するアンテナのような保護として、元来作用する
。
０の上面上に配置されても良い。このように配置された場合、遮蔽電極５６'は
、空中（浮動）不純電荷を捕獲するアンテナのような保護として、元来作用する
。
【００２６】 図５に示される他の実施の形態において、遮蔽電極１５６は、フィールド電極
３８の周りよりむしろ、誘電層４０を完全に、あるいは、フィールド電極３８の
直ぐ上の誘電層４０の部分を少なくとも覆う。このような電流漏洩に対する遮蔽
と保護に加えて、遮蔽電極１５６は、このような電流漏洩を、離れたところでも
影響し、不純電荷を生じる高電圧外部フィールドを抑制することによって防ぐこ
とができる。このような遮蔽電極１５６は、真空堆積工程によって構成できる。
３８の周りよりむしろ、誘電層４０を完全に、あるいは、フィールド電極３８の
直ぐ上の誘電層４０の部分を少なくとも覆う。このような電流漏洩に対する遮蔽
と保護に加えて、遮蔽電極１５６は、このような電流漏洩を、離れたところでも
影響し、不純電荷を生じる高電圧外部フィールドを抑制することによって防ぐこ
とができる。このような遮蔽電極１５６は、真空堆積工程によって構成できる。
【００２７】 図６に示されるように、フィールド電極３８上に一つの遮蔽電極を有するので
はなく、複数の遮蔽電極２５６が設けられても良く、各電極は、増幅器チップ５
２と、それに連結された接点５４とを完全に覆う。このような遮蔽電極２５６は
、チップ５２と接点５４の直ぐ上の誘電層２５５を、共形的に覆うように構成で
き、基板表面漏洩と空中電荷に対して保護だけでなく遮蔽としても作用できる。
はなく、複数の遮蔽電極２５６が設けられても良く、各電極は、増幅器チップ５
２と、それに連結された接点５４とを完全に覆う。このような遮蔽電極２５６は
、チップ５２と接点５４の直ぐ上の誘電層２５５を、共形的に覆うように構成で
き、基板表面漏洩と空中電荷に対して保護だけでなく遮蔽としても作用できる。
【００２８】 図７に示される他の実施の形態において、遮蔽電極２５６'は、接点５４の近
隣に開放端２５８を有する自立式の箱形構造であって良く、単に保護アンテナと
して作用しても良い。
隣に開放端２５８を有する自立式の箱形構造であって良く、単に保護アンテナと
して作用しても良い。
【００２９】 図８に示されるように、遮蔽電極５６（同様に、５６'、１５６、２５６また
は２５６'）は接地６２に、好ましくは抵抗６４を介して接続される。好ましい
実施の形態において、図４に示されるように、２つの抵抗６４と６４'が、パネ
ルの正反対側の角上に使用され、一つではなく２つの接地経路が準備される。一
般的な抵抗値は、１０ｋΩ〜２００ｋΩであるが、他の値でも、適用、パネル構
造および電圧に依って適切であれば良い。
は２５６'）は接地６２に、好ましくは抵抗６４を介して接続される。好ましい
実施の形態において、図４に示されるように、２つの抵抗６４と６４'が、パネ
ルの正反対側の角上に使用され、一つではなく２つの接地経路が準備される。一
般的な抵抗値は、１０ｋΩ〜２００ｋΩであるが、他の値でも、適用、パネル構
造および電圧に依って適切であれば良い。
【００３０】 最後に、さらなる他の実施の形態において、図９に示されるように、遮蔽電極
は、増幅器５２に連結された遮蔽導体５６''の形状を有しても良い。この実施例
において、各信号導体５３は、増幅器５２に隣接して、信号入力コネクタパッド
５１を終端しても良い。典型的にこのような導体は、技術的に良く知られている
マイクロ平板印刷プロセスを使用して、支持構造５０上に形成される。遮蔽導体
５６''は、信号導体５３から電気的に絶縁され、フィールド電極３８一端と信号
導体５３の経路の間に介在する。遮蔽導体５６''は、増幅器５２に隣接して終端
し、図示されるように増幅器上の対応する遮蔽導体入力パッド５１にワイヤボン
ドされても良く、これは、図９における各増幅器５２毎に、センサ１０に接続さ
れた導体５３が増幅器にワイヤボンドされたのと同じ経路である。遮蔽導体５６
''が接続されるパッド５１は、増幅器基準電圧でバイアスされる単なるダミーパ
ッドであっても良い。この接続手法は、ここに開示された様々な遮蔽電極の実施
の形態の何れについても適用可能である。さらに別態様として、遮蔽導体５６''
は、単に接地６２に直接接続されて良いし、または、図９における増幅器５２'
に示されるように抵抗６４''を介して接続されても良い。複数の集積回路チップ
が、大きな「ハイブリッド」回路チップを構成した時、各チップまたは各ハイブ
リッドチップ用の独立した遮蔽導体５６''を設けても良い。
は、増幅器５２に連結された遮蔽導体５６''の形状を有しても良い。この実施例
において、各信号導体５３は、増幅器５２に隣接して、信号入力コネクタパッド
５１を終端しても良い。典型的にこのような導体は、技術的に良く知られている
マイクロ平板印刷プロセスを使用して、支持構造５０上に形成される。遮蔽導体
５６''は、信号導体５３から電気的に絶縁され、フィールド電極３８一端と信号
導体５３の経路の間に介在する。遮蔽導体５６''は、増幅器５２に隣接して終端
し、図示されるように増幅器上の対応する遮蔽導体入力パッド５１にワイヤボン
ドされても良く、これは、図９における各増幅器５２毎に、センサ１０に接続さ
れた導体５３が増幅器にワイヤボンドされたのと同じ経路である。遮蔽導体５６
''が接続されるパッド５１は、増幅器基準電圧でバイアスされる単なるダミーパ
ッドであっても良い。この接続手法は、ここに開示された様々な遮蔽電極の実施
の形態の何れについても適用可能である。さらに別態様として、遮蔽導体５６''
は、単に接地６２に直接接続されて良いし、または、図９における増幅器５２'
に示されるように抵抗６４''を介して接続されても良い。複数の集積回路チップ
が、大きな「ハイブリッド」回路チップを構成した時、各チップまたは各ハイブ
リッドチップ用の独立した遮蔽導体５６''を設けても良い。
【００３１】 好ましい実施の形態において、遮蔽電極の材料は、シリンジ型ディスペンサで
塗布可能な導電性ペイントを含む。銀塗料は、理論上特に良い導電性を有してい
るが、他の導電性塗料、例えばグラファイト塗料も使用できる。あるいは、遮蔽
電極は、導電性ペーストの細いライン、または、印刷された電極や、写真平板印
刷形成された電極であっても良い。
塗布可能な導電性ペイントを含む。銀塗料は、理論上特に良い導電性を有してい
るが、他の導電性塗料、例えばグラファイト塗料も使用できる。あるいは、遮蔽
電極は、導電性ペーストの細いライン、または、印刷された電極や、写真平板印
刷形成された電極であっても良い。
【００３２】 上記の実施の形態の一つ以上を、必要に応じて一緒に使用しても良い。ここに
記載された実施の形態は、これに限定されることなく、イメージキャプチャパネ
ルの感応エレクトロニクスが、漏洩電流から遮蔽または保護できる方法の幾つか
の実例を単に意図する。同様な性質の他の多くの実施の形態は、考察でき、本発
明の範囲内に含まれるように構成されるべきである。
記載された実施の形態は、これに限定されることなく、イメージキャプチャパネ
ルの感応エレクトロニクスが、漏洩電流から遮蔽または保護できる方法の幾つか
の実例を単に意図する。同様な性質の他の多くの実施の形態は、考察でき、本発
明の範囲内に含まれるように構成されるべきである。
【００３３】 本発明を図解するのに使用された特定のパネルの実施の形態において、パネル
は、まず、フィールド電極と底部マイクロプレート間に充電電圧をかけることに
よって充電される。次いで、パネルは変調された強度として画像情報を運ぶ放射
線に露光される。放射線が予め設定された時間毎にパネル上に衝突し、放射線強
度に比例した電荷が生じ、蓄積コンデンサに蓄積される。適切な（好ましくは、
リー等に発行された米国特許第５，６４８，６６０号に開示されたタイプの）信
号処理が、使用され、累積された電荷を、パネル内のセンサの全蓄積コンデンサ
に回収し、可視イメージを再構築する。フィールド電極からのどの電流漏洩も、
および、パネル上のイオン化空気によるどの電流も、増幅器に到達する前に遮断
され、捕獲され、遮蔽電極によって接地に向けられる。
は、まず、フィールド電極と底部マイクロプレート間に充電電圧をかけることに
よって充電される。次いで、パネルは変調された強度として画像情報を運ぶ放射
線に露光される。放射線が予め設定された時間毎にパネル上に衝突し、放射線強
度に比例した電荷が生じ、蓄積コンデンサに蓄積される。適切な（好ましくは、
リー等に発行された米国特許第５，６４８，６６０号に開示されたタイプの）信
号処理が、使用され、累積された電荷を、パネル内のセンサの全蓄積コンデンサ
に回収し、可視イメージを再構築する。フィールド電極からのどの電流漏洩も、
および、パネル上のイオン化空気によるどの電流も、増幅器に到達する前に遮断
され、捕獲され、遮蔽電極によって接地に向けられる。
【００３４】 本発明は、特定のタイプのセンサに関して詳細に記載してきたが、これは、実
例毎に目的を実行し、この種のセンサのみを有するパネルに本発明を限定するこ
とは意図していない。初めに述べたように、本発明に係る配置された遮蔽電極は
、信号検出を干渉する漏洩電流を生じるようにバイアスされたパネルにおいて、
フィールド電極や上部電極を使用したいかなる場合にも適用可能である。基本的
な検出器の厳密な性質は調整していない。上記に記載されたように本発明の教え
の成果を有する技術的なこれらの手法は、多くの変更が可能である。これらの変
更は、添付された請求項に記載されるように本発明の範囲内に含まれるように解
釈されるべきである。
例毎に目的を実行し、この種のセンサのみを有するパネルに本発明を限定するこ
とは意図していない。初めに述べたように、本発明に係る配置された遮蔽電極は
、信号検出を干渉する漏洩電流を生じるようにバイアスされたパネルにおいて、
フィールド電極や上部電極を使用したいかなる場合にも適用可能である。基本的
な検出器の厳密な性質は調整していない。上記に記載されたように本発明の教え
の成果を有する技術的なこれらの手法は、多くの変更が可能である。これらの変
更は、添付された請求項に記載されるように本発明の範囲内に含まれるように解
釈されるべきである。
【図１】 本発明で使用される放射線センサの概略立面図である。
【図２】 フィールド電極の一方側にのみに沿って延在する遮蔽電極を有する放射線検出
パネルを示している。
パネルを示している。
【図３】 図２の放射線検出パネルの矢印３−３から見た断面図であり、光伝導体層側に
沿って設けられた本発明の遮蔽電極を示している。
沿って設けられた本発明の遮蔽電極を示している。
【図４】 本発明の他の実施の形態の概略立面図を示しており、遮蔽電極が、フィールド
電極上の上部誘電層上に設けられている。
電極上の上部誘電層上に設けられている。
【図５】 本発明の他の実施の形態の概略立面図を示しており、遮蔽電極が、フィールド
電極の直ぐ上の上部誘電層部分を完全に覆っている。
電極の直ぐ上の上部誘電層部分を完全に覆っている。
【図６】 本発明の他の実施の形態の概略立面図を示しており、遮蔽電極が、増幅器チッ
プおよび連結された接点を共形的に覆っている。
プおよび連結された接点を共形的に覆っている。
【図７】 本発明の他の実施の形態の概略立面図を示しており、遮蔽電極が、増幅器チッ
プおよび連結された接点を覆うが、接点に隣接する開放端を有している。
プおよび連結された接点を覆うが、接点に隣接する開放端を有している。
【図８】 本発明に係る放射線検出パネルを示しており、遮蔽電極が、フィールド電極の
全周に延在している。
全周に延在している。
【図９】 本発明に係る放射線検出パネルを示しており、遮蔽電極が、増幅器チップと積
分器チップのそれぞれの周りに延在している。
分器チップのそれぞれの周りに延在している。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年９月５日（２０００．９．５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ (72)発明者 ゴールデン ケリー ピー． アメリカ合衆国 デラウェア州 19701 ベアー カラベル ドライブ 204 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ09 JJ31 JJ32 JJ33 JJ37 KK05 KK32 LL11 4M118 AA05 BA05 CA15 CB13 CB20 GA10 GB01 GB03 GB06 GB20 5C024 AX13 GX07 GX12 GX15 GX20 GY31 HX02 HX12 HX35 HX40 HX46 5F088 AA11 AB05 BA03 BB03 DA05 EA04 EA08 FA09 FA14 GA02 LA08
Claims (19)
- 【請求項１】 基板と、 この基板上の放射線検出層と、 この放射線検出層上の、一端を有するフィールド電極と、 電気接地と、 前記一端に沿って、かつ前記一端と電気的に離隔して延在するとともに、前記
電気接地に電気的に接続された遮蔽電極とを備えたことを特徴とするイメージキ
ャプチャパネル。 - 【請求項２】 前記フィールド電極一端に隣接する前記基板上の電子信号検
出素子をさらに備えるとともに、前記遮蔽電極が前記信号検出素子と前記フィー
ルド電極一端の間に介在することを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプ
チャパネル。 - 【請求項３】 前記一端が前記フィールド電極の全周囲に延在するとともに
、前記遮蔽電極も前記全周囲の端に延在することを特徴とする請求項１に記載の
イメージキャプチャパネル。 - 【請求項４】 前記遮蔽電極が、伝導糊の細いラインを含むことを特徴とす
る請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項５】 前記遮蔽電極が、導電銀塗料の細いラインを含むことを特徴
とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項６】 前記遮蔽電極が、写真平板印刷形成された電極を含むことを
特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項７】 前記遮蔽電極が、プリント電極を含むことを特徴とする請求
項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項８】 前記放射線検出層が、一方の側面を有する放射線感知層を含
み、前記フィールド電極一端が前記側面上に延在せず、前記遮蔽電極が前記側面
上にあることを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項９】 前記放射線検出層内に光伝導層と、この光伝導層上の第１の
誘電層と、この第１の誘電層上の第２の誘電層とを備えるとともに、前記フィー
ルド電極が前記第１の誘電層と前記第２の誘電層の間に介在し、前記遮蔽電極が
前記第２の誘電層上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のイメージキ
ャプチャパネル。 - 【請求項１０】 前記遮蔽電極上に誘電層をさらに備えたことを特徴とする
請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１１】 前記放射線検出層内に光伝導層と、この光伝導層上に第１
の誘電層と、この第１の誘電層上に第２の誘電層とを備えるとともに、前記フィ
ールド電極および前記遮蔽電極が前記第１の誘電層と前記第２の誘電層の間に介
在することを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１２】 前記遮蔽電極が、約１ｍｍの厚さを有することを特徴とす
る請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１３】 前記遮蔽電極と前記フィールド電極間の距離が、約１ｍｍ
であることを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１４】 前記遮蔽電極が、抵抗器で前記電気接地に接続されること
を特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１５】 前記抵抗器が、約１０〜２００キロオームの抵抗を有する
ことを特徴とする請求項１４に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１６】 前記遮蔽電極が、前記フィールド電極上に延在することを
特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１７】 前記遮蔽電極が、前記フィールド電極と同一の広がりを有
することを特徴とする請求項１６に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１８】 前記フィールド電極の下に放射線検出センサと、電子信号
検出素子と、前記フィールド電極の下から前記電子信号検出素子に延びる導体と
をさらに備えるとともに、前記遮蔽電極が前記電子信号検出素子上に延在するこ
とを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネル。 - 【請求項１９】 前記フィールド電極の下に放射線検出センサと、信号入力
コネクタパッドを有する電子信号検出素子と、遮蔽コネクタパッドと、前記フィ
ールド電極の下から前記信号入力コネクタパッドに延びる信号導体とをさらに備
えるとともに、前記遮蔽電極が前記遮蔽コネクタパッドに接続され、かつ前記信
号導体上に延在することを特徴とする請求項１に記載のイメージキャプチャパネ
ル。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/177,150 US6075248A (en) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | Direct radiographic imaging panel with shielding electrode |
| US09/177,150 | 1998-10-22 | ||
| PCT/US1999/023741 WO2000023820A1 (en) | 1998-10-22 | 1999-10-12 | Direct radiographic imaging panel with shielding electrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002528889A true JP2002528889A (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=22647404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000577506A Pending JP2002528889A (ja) | 1998-10-22 | 1999-10-12 | 遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6075248A (ja) |
| EP (1) | EP1123517A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002528889A (ja) |
| KR (1) | KR20010080273A (ja) |
| CA (1) | CA2339611A1 (ja) |
| WO (1) | WO2000023820A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057281A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | フォト・エレクトロン直接変換検出器アレイ用のガードリング |
| JP2012159340A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| JP2020521318A (ja) * | 2017-05-09 | 2020-07-16 | ケーエー・イメージング・インコーポレイテッド | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443902B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
| DE19926582A1 (de) * | 1999-06-11 | 2000-12-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Sensor |
| US6855935B2 (en) * | 2000-03-31 | 2005-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electromagnetic wave detector |
| JP4508390B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置 |
| US6777685B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-08-17 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| US6740884B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-05-25 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| JP4191459B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2008-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線撮像装置 |
| KR100965176B1 (ko) * | 2003-04-07 | 2010-06-24 | 삼성전자주식회사 | 디지털 엑스레이 디텍터용 어레이 패널 및 이의 제조 방법 |
| JP2007528116A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-10-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フラットパネルｘ線検出器 |
| US7015479B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-03-21 | Eastman Kodak Company | Digital film grain |
| US7129498B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-10-31 | General Electric Company | Compact structural CT detector module |
| CN1890811A (zh) * | 2003-12-10 | 2007-01-03 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | X射线探测器 |
| JP2006242827A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線固体検出器および放射線固体検出器の試験方法 |
| US7208742B1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-04-24 | General Electric Company | X-ray detector with radiation hard photodiode design |
| JP5052181B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器 |
| JP5213378B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器 |
| JP2009088086A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
| JP5253799B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 |
| JP6241066B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2017-12-06 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| US11737722B2 (en) * | 2021-06-10 | 2023-08-29 | Rayence Co., Ltd. | X-ray detector having fabrication fault tolerant structure and fabrication method thereof |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5168160A (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an electrical signal representing a radiographic image |
| GB9202693D0 (en) * | 1992-02-08 | 1992-03-25 | Philips Electronics Uk Ltd | A method of manufacturing a large area active matrix array |
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5319206A (en) * | 1992-12-16 | 1994-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device |
| US5661309A (en) * | 1992-12-23 | 1997-08-26 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Electronic cassette for recording X-ray images |
| US5381014B1 (en) * | 1993-12-29 | 1997-06-10 | Du Pont | Large area x-ray imager and method of fabrication |
| US5500534A (en) * | 1994-03-31 | 1996-03-19 | Iowa State University Research Foundation | Integrated energy-sensitive and position-sensitive x-ray detection system |
| US5563421A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-08 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Apparatus and method for eliminating residual charges in an image capture panel |
| US5610403A (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-11 | General Electric Company | Solid state radiation imager with gate electrode plane shield wires |
| US5610404A (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-11 | General Electric Company | Flat panel imaging device with ground plane electrode |
| US5648660A (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-15 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Method and apparatus for reducing noise in a radiation capture device |
| US5652430A (en) * | 1996-05-03 | 1997-07-29 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Direct radiographic imaging panel |
| WO1998032173A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | General Electric Company | Corrosion resistant imager |
-
1998
- 1998-10-22 US US09/177,150 patent/US6075248A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-12 KR KR1020017004987A patent/KR20010080273A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-10-12 WO PCT/US1999/023741 patent/WO2000023820A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-10-12 EP EP99951946A patent/EP1123517A4/en not_active Withdrawn
- 1999-10-12 JP JP2000577506A patent/JP2002528889A/ja active Pending
- 1999-10-12 CA CA002339611A patent/CA2339611A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057281A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | フォト・エレクトロン直接変換検出器アレイ用のガードリング |
| JP2012159340A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| JP2020521318A (ja) * | 2017-05-09 | 2020-07-16 | ケーエー・イメージング・インコーポレイテッド | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2339611A1 (en) | 2000-04-27 |
| KR20010080273A (ko) | 2001-08-22 |
| EP1123517A4 (en) | 2003-05-02 |
| WO2000023820A1 (en) | 2000-04-27 |
| EP1123517A1 (en) | 2001-08-16 |
| US6075248A (en) | 2000-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002528889A (ja) | 遮蔽電極付き直接放射線線撮影イメージングパネル | |
| US5319206A (en) | Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device | |
| EP0722188B1 (en) | Image capture panel using a solid state device | |
| US7122803B2 (en) | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging | |
| KR100691463B1 (ko) | 방사선 촬영 장치 | |
| JPH03185865A (ja) | 固体素子放射線センサアレイパネル | |
| US20100051820A1 (en) | X-ray detecting element | |
| JP2011149910A (ja) | 放射線検出器 | |
| US20100072383A1 (en) | Radiation detecting element | |
| JPH06130196A (ja) | Ｘ線像形成要素および該要素上に放射線像を形成する方法 | |
| JP2009087960A (ja) | センサパネル及び画像検出装置 | |
| EP1079437B1 (en) | Radiation detecting apparatus | |
| US7196334B2 (en) | X-ray detector element | |
| US20050184244A1 (en) | Radiation detector and light or radiation detector | |
| EP1114468B1 (en) | Direct radiographic imaging panel having a dielectric layer with an adjusted time constant | |
| JP2002217444A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2014122903A (ja) | 放射線検出器および放射線画像撮影装置 | |
| EP1077493A2 (en) | Image detector, fabricaton method thereof, image recorder and image reader comprising such image detector | |
| US8536553B2 (en) | Apparatus and method for detecting radiation | |
| JP5128729B2 (ja) | センサ | |
| US8415634B2 (en) | Apparatus and method for detecting radiation | |
| CN1711642A (zh) | x射线检查设备 | |
| JP2005033002A (ja) | 放射線検出器およびその製造方法 | |
| JP2010003849A (ja) | 電磁波検出素子 | |
| JP5235466B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 |