JP2002217444A - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置Info
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- JP2002217444A JP2002217444A JP2001013308A JP2001013308A JP2002217444A JP 2002217444 A JP2002217444 A JP 2002217444A JP 2001013308 A JP2001013308 A JP 2001013308A JP 2001013308 A JP2001013308 A JP 2001013308A JP 2002217444 A JP2002217444 A JP 2002217444A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＮ接合フォトダイオード方式では空乏層を
広げるための高電圧を印加する必要があるため、素子全
面に形成された電圧印加電極により高電圧が素子端部か
らリークする。 【解決手段】 電圧印加金属電極１４の端部が単結晶半
導体基板１３の端部よりも内側に位置するように電圧印
加金属電極１４の端部と単結晶半導体基板１３の端部を
分離して形成する。
広げるための高電圧を印加する必要があるため、素子全
面に形成された電圧印加電極により高電圧が素子端部か
らリークする。 【解決手段】 電圧印加金属電極１４の端部が単結晶半
導体基板１３の端部よりも内側に位置するように電圧印
加金属電極１４の端部と単結晶半導体基板１３の端部を
分離して形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療機器、非破壊
検査機器等に用いられる放射線検出装置に関するもので
ある。
検査機器等に用いられる放射線検出装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、医療機器等のＸ線レントゲン分野
において、レントゲン写真がアナログからデジタルへと
急速に変わりつつある。デジタル画像では画像処理が可
能となるため、診断精度を向上させる事ができる。ま
た、現像の必要性がないため撮影間隔を短くでき、集団
検診等で効率よく撮影することができる。このような分
野で要求される事は、検出感度の向上と信号の低ノイズ
化である。特に、検出感度が向上すると、撮影時のＸ線
爆射量を低減でき、人体への影響を少なくできる事から
高感度のＸ線検出装置の開発に期待がかかっている。
において、レントゲン写真がアナログからデジタルへと
急速に変わりつつある。デジタル画像では画像処理が可
能となるため、診断精度を向上させる事ができる。ま
た、現像の必要性がないため撮影間隔を短くでき、集団
検診等で効率よく撮影することができる。このような分
野で要求される事は、検出感度の向上と信号の低ノイズ
化である。特に、検出感度が向上すると、撮影時のＸ線
爆射量を低減でき、人体への影響を少なくできる事から
高感度のＸ線検出装置の開発に期待がかかっている。
【０００３】Ｘ線検出器を高感度化するために必要な技
術には次のようなものがある。 Ｘ線吸収材料の吸収効率のよい材料 Ｘ線吸収部の厚膜化 発生したキャリアの転送効率のよい材料 そこで、このような材料に適するものとして、化合物半
導体等の単結晶半導体が注目されている。即ち、単結晶
の化合物半導体は、直接Ｘ線を吸収した際に光変換する
ことなくキャリアを生成できることから検出したＸ線の
利用効率を高めることができる。
術には次のようなものがある。 Ｘ線吸収材料の吸収効率のよい材料 Ｘ線吸収部の厚膜化 発生したキャリアの転送効率のよい材料 そこで、このような材料に適するものとして、化合物半
導体等の単結晶半導体が注目されている。即ち、単結晶
の化合物半導体は、直接Ｘ線を吸収した際に光変換する
ことなくキャリアを生成できることから検出したＸ線の
利用効率を高めることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４は単結晶半導体の
ＰＮ接合フォトダイオードを用いた場合のＸ線検出素子
を含むＸ線検出装置の模式的断面図である。図４におい
て、１はＸ線入射面の電気的機械的保護のための入射側
パッシベーション膜、２はフォトダイオードの空乏層を
広げるために高電位を印加する電圧印加金属電極であ
り、それぞれスパッタリング法等で単結晶半導体基板全
面に形成されている。単結晶半導体基板においては、Ｘ
線単結晶半導体のＰ層３、インプラにより形成されたＮ
層４、接続側パッシベーション膜５、発生したキャリア
を蓄積素子部へ蓄積する為の接続金属配線６を含んでい
る。
ＰＮ接合フォトダイオードを用いた場合のＸ線検出素子
を含むＸ線検出装置の模式的断面図である。図４におい
て、１はＸ線入射面の電気的機械的保護のための入射側
パッシベーション膜、２はフォトダイオードの空乏層を
広げるために高電位を印加する電圧印加金属電極であ
り、それぞれスパッタリング法等で単結晶半導体基板全
面に形成されている。単結晶半導体基板においては、Ｘ
線単結晶半導体のＰ層３、インプラにより形成されたＮ
層４、接続側パッシベーション膜５、発生したキャリア
を蓄積素子部へ蓄積する為の接続金属配線６を含んでい
る。
【０００５】接続用金属配線６は単結晶半導体基板に画
素毎にパターニングされ、各々の接続用金属配線６には
バンプメタル１０が形成されている。また、単結晶半導
体基板には接続用金属配線６が２次元に複数配列されて
おり、この部分がＸ線検出素子部７として基板上に配列
されている。一方、別の基板上にＸ線検出素子部７で変
換された電荷を蓄積する蓄積素子部（蓄積コンデンサ）
８、蓄積された信号電荷を転送する転送素子部（転送Ｔ
ＦＴ）９が形成されている。
素毎にパターニングされ、各々の接続用金属配線６には
バンプメタル１０が形成されている。また、単結晶半導
体基板には接続用金属配線６が２次元に複数配列されて
おり、この部分がＸ線検出素子部７として基板上に配列
されている。一方、別の基板上にＸ線検出素子部７で変
換された電荷を蓄積する蓄積素子部（蓄積コンデンサ）
８、蓄積された信号電荷を転送する転送素子部（転送Ｔ
ＦＴ）９が形成されている。
【０００６】蓄積素子部８と転送素子部９とは同一レイ
ヤーで形成されている。３０は蓄積コンデンサの下電極
及び転送ＴＦＴのゲート電極であり、３１はゲート絶縁
層（ＳｉＮ：Ｈ）、３２は真性半導体層（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）、３３はオーミックコンタクト層（ｎ+ ）である。
３４は蓄積コンデンサの上電極及び転送ＴＦＴのソース
ドレイン配線、３５は保護膜、３６は単結晶半導体基板
で発生した電荷をコンデンサへとつなげるための接続金
属配線である。単結晶半導体基板の各々のＸ線検出素子
部と他の基板の蓄積素子部８の接続金属配線３６とは、
画素毎に導電性接着剤１１によって電気的に接続されて
いる。なお、１２はＸ線検出素子部の端部を示す。
ヤーで形成されている。３０は蓄積コンデンサの下電極
及び転送ＴＦＴのゲート電極であり、３１はゲート絶縁
層（ＳｉＮ：Ｈ）、３２は真性半導体層（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）、３３はオーミックコンタクト層（ｎ+ ）である。
３４は蓄積コンデンサの上電極及び転送ＴＦＴのソース
ドレイン配線、３５は保護膜、３６は単結晶半導体基板
で発生した電荷をコンデンサへとつなげるための接続金
属配線である。単結晶半導体基板の各々のＸ線検出素子
部と他の基板の蓄積素子部８の接続金属配線３６とは、
画素毎に導電性接着剤１１によって電気的に接続されて
いる。なお、１２はＸ線検出素子部の端部を示す。
【０００７】しかしながら、図４のＰＮ接合フォトダイ
オード方式のＸ線検出装置では、空乏層を広くとり、Ｘ
線検出素子部でより多くの電荷を得るためには、５００
〜２０００Ｖといった高電圧を電圧印加電極２に印加す
る必要がある。そのため、スパッタリング法等で素子全
面に電圧印加電極２を形成すると、素子端部１２から高
電圧がリークし、リーク電流が暗電流の増加につながる
ため、雑音が増加するという問題があった。
オード方式のＸ線検出装置では、空乏層を広くとり、Ｘ
線検出素子部でより多くの電荷を得るためには、５００
〜２０００Ｖといった高電圧を電圧印加電極２に印加す
る必要がある。そのため、スパッタリング法等で素子全
面に電圧印加電極２を形成すると、素子端部１２から高
電圧がリークし、リーク電流が暗電流の増加につながる
ため、雑音が増加するという問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、高電圧を印加してもリーク電流
の発生を抑え、雑音の増加を防止できる放射線検出装置
を提供することにある。
たもので、その目的は、高電圧を印加してもリーク電流
の発生を抑え、雑音の増加を防止できる放射線検出装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、入射し
た放射線を電荷に変換する放射線検出素子部が形成され
た単結晶半導体基板を含み、前記単結晶半導体基板には
前記放射線検出素子部の空乏層を広げるための電位を印
加する電極が形成された放射線検出装置において、前記
電極の端部が前記単結晶半導体基板の端部よりも所定の
距離だけ内側に位置するように前記電極と単結晶半導体
基板の端部が分離されていることを特徴とする放射線検
出装置によって達成される。
た放射線を電荷に変換する放射線検出素子部が形成され
た単結晶半導体基板を含み、前記単結晶半導体基板には
前記放射線検出素子部の空乏層を広げるための電位を印
加する電極が形成された放射線検出装置において、前記
電極の端部が前記単結晶半導体基板の端部よりも所定の
距離だけ内側に位置するように前記電極と単結晶半導体
基板の端部が分離されていることを特徴とする放射線検
出装置によって達成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明よる放
射線検出装置の第１の実施形態の構成を示す模式的断面
図である。なお、図１では図４の従来装置と同一部分は
同一符号を付している。また、以下の実施形態において
はＸ線を検出する場合を例として説明する。図１におい
て、まず、単結晶半導体基板１３としては、例えば、化
合物半導体であるＰ型のＧａＡｓ基板を用いている。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明よる放
射線検出装置の第１の実施形態の構成を示す模式的断面
図である。なお、図１では図４の従来装置と同一部分は
同一符号を付している。また、以下の実施形態において
はＸ線を検出する場合を例として説明する。図１におい
て、まず、単結晶半導体基板１３としては、例えば、化
合物半導体であるＰ型のＧａＡｓ基板を用いている。
【００１１】単結晶半導体基板１３のＸ線入射面には金
属電極としてＡｌ膜１μｍをスパッタリング法により基
板全面に成膜している。但し、この場合、フォトリソグ
ラフィー法及びウェットエッチング法により基板端部１
５から１００μｍ内側に電圧印加金属電極１４の端部が
くるように電圧印加金属電極１４をパターニングしてい
る。パターニングされた電圧印加金属電極１４上には従
来と同様に入射側パッシベーション膜１（ＳｉＮ：１μ
ｍ）を成膜している。
属電極としてＡｌ膜１μｍをスパッタリング法により基
板全面に成膜している。但し、この場合、フォトリソグ
ラフィー法及びウェットエッチング法により基板端部１
５から１００μｍ内側に電圧印加金属電極１４の端部が
くるように電圧印加金属電極１４をパターニングしてい
る。パターニングされた電圧印加金属電極１４上には従
来と同様に入射側パッシベーション膜１（ＳｉＮ：１μ
ｍ）を成膜している。
【００１２】また、単結晶半導体基板１３には、インプ
ラによりＮ層４、接続側パッシベーション層（ＳｉＮ：
１μｍ）５、接続金属配線（Ａｌ：１μｍ）６を形成し
ている。接続用金属配線６は従来と同様に画素毎にパタ
ーニングされており、この部分が単結晶半導体基板１３
のＸ線検出素子部７として複数２次元に配列されてい
る。また、各々の接続用金属配線６には、接続用のバン
プメタル１０が形成されている。
ラによりＮ層４、接続側パッシベーション層（ＳｉＮ：
１μｍ）５、接続金属配線（Ａｌ：１μｍ）６を形成し
ている。接続用金属配線６は従来と同様に画素毎にパタ
ーニングされており、この部分が単結晶半導体基板１３
のＸ線検出素子部７として複数２次元に配列されてい
る。また、各々の接続用金属配線６には、接続用のバン
プメタル１０が形成されている。
【００１３】更に、単結晶半導体基板１３とは別の基板
（ガラス基板等）にＸ線検出素子部７で変換された電荷
を蓄積する蓄積素子部（蓄積コンデンサ）８、蓄積され
た電荷を転送する転送素子部（転送ＴＦＴ）９が画素毎
に形成されている。蓄積素子部８と転送素子部９とは同
一レイヤーで形成されている。また、３０は蓄積コンデ
ンサの下電極及び転送ＴＦＴのゲート電極であり、３１
はゲート絶縁層（ＳｉＮ：Ｈ）、３２は真性半導体層
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、３３はオーミックコンタクト層（ｎ
+ ）である。３４は蓄積コンデンサの上電極及び転送Ｔ
ＦＴのソースドレイン配線、３５は保護膜、３６は単結
晶半導体基板で発生した電荷をコンデンサへとつなげる
ための接続金属配線である。単結晶半導体基板のバンプ
メタル１０と別基板における蓄積素子部８の接続金属配
線３６とは、画素毎に導電性接着剤１１によって電気的
に接続されている。
（ガラス基板等）にＸ線検出素子部７で変換された電荷
を蓄積する蓄積素子部（蓄積コンデンサ）８、蓄積され
た電荷を転送する転送素子部（転送ＴＦＴ）９が画素毎
に形成されている。蓄積素子部８と転送素子部９とは同
一レイヤーで形成されている。また、３０は蓄積コンデ
ンサの下電極及び転送ＴＦＴのゲート電極であり、３１
はゲート絶縁層（ＳｉＮ：Ｈ）、３２は真性半導体層
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、３３はオーミックコンタクト層（ｎ
+ ）である。３４は蓄積コンデンサの上電極及び転送Ｔ
ＦＴのソースドレイン配線、３５は保護膜、３６は単結
晶半導体基板で発生した電荷をコンデンサへとつなげる
ための接続金属配線である。単結晶半導体基板のバンプ
メタル１０と別基板における蓄積素子部８の接続金属配
線３６とは、画素毎に導電性接着剤１１によって電気的
に接続されている。
【００１４】Ｘ線検出素子部７のＧａＡｓはＰＮ接合フ
ォトダイオードを形成するものであり、高電圧（例え
ば、１０００Ｖ）を電圧印加金属電極１４に印加して空
乏層を形成し、Ｘ線検出素子部７で入射したＸ線を電荷
に変換する。そして、変換された電荷は接続金属配線６
を介して蓄積素子部８に蓄積され、蓄積された電荷は転
送素子部９によって転送される。本実施形態では、電圧
印加金属電極１４の端部を基板端部１５から所定の距離
だけ離す構成としているので、電圧印加金属電極１４に
印加された高電圧が単結晶半導体基板の端部１５からリ
ークするのを防止することができる。
ォトダイオードを形成するものであり、高電圧（例え
ば、１０００Ｖ）を電圧印加金属電極１４に印加して空
乏層を形成し、Ｘ線検出素子部７で入射したＸ線を電荷
に変換する。そして、変換された電荷は接続金属配線６
を介して蓄積素子部８に蓄積され、蓄積された電荷は転
送素子部９によって転送される。本実施形態では、電圧
印加金属電極１４の端部を基板端部１５から所定の距離
だけ離す構成としているので、電圧印加金属電極１４に
印加された高電圧が単結晶半導体基板の端部１５からリ
ークするのを防止することができる。
【００１５】図２は図１のＸ線検出装置の等価回路図で
ある。Ｘ線検出素子部７は前述のように単結晶半導体基
板に形成されたＸ線検出用のセンサ（フォトダイオー
ド）であり、入射したＸ線はＸ線検出素子部７で吸収さ
れ、電荷に変換される。蓄積素子部８は変換された電荷
を蓄積するコンデンサ部、転送素子部９は蓄積された電
荷を転送するスイッチ素子（ＴＦＴ部）である。このフ
ォトダイオード、コンデンサ部、ＴＦＴ部によって１画
素が構成され、複数の画素が２次元に配列されて放射線
検出装置が構成されている。
ある。Ｘ線検出素子部７は前述のように単結晶半導体基
板に形成されたＸ線検出用のセンサ（フォトダイオー
ド）であり、入射したＸ線はＸ線検出素子部７で吸収さ
れ、電荷に変換される。蓄積素子部８は変換された電荷
を蓄積するコンデンサ部、転送素子部９は蓄積された電
荷を転送するスイッチ素子（ＴＦＴ部）である。このフ
ォトダイオード、コンデンサ部、ＴＦＴ部によって１画
素が構成され、複数の画素が２次元に配列されて放射線
検出装置が構成されている。
【００１６】ＴＦＴ部９のゲート電極はゲート線２３に
接続され、各ゲート線２３はゲートドライバー２２に接
続されている。また、各ＴＦＴ部９の一方の信号電極は
信号線２４に接続され、各信号線２４は信号処理回路２
５に接続されている。単結晶半導体基板のＸ線検出素子
部７には空乏層を広げるための電圧Ｖが印加され（電圧
Ｖは電圧印加電極１４とＧＮＤ間に印加される）、各々
のＸ線検出素子部７で吸収されたＸ線は電荷に変換さ
れ、コンデンサ部８に蓄積される。次いで、ゲートドラ
イバー２２により各ＴＦＴ部９のゲート線２３が駆動さ
れ、蓄積された電荷は信号線２４を介して信号処理回路
２５へ転送される。
接続され、各ゲート線２３はゲートドライバー２２に接
続されている。また、各ＴＦＴ部９の一方の信号電極は
信号線２４に接続され、各信号線２４は信号処理回路２
５に接続されている。単結晶半導体基板のＸ線検出素子
部７には空乏層を広げるための電圧Ｖが印加され（電圧
Ｖは電圧印加電極１４とＧＮＤ間に印加される）、各々
のＸ線検出素子部７で吸収されたＸ線は電荷に変換さ
れ、コンデンサ部８に蓄積される。次いで、ゲートドラ
イバー２２により各ＴＦＴ部９のゲート線２３が駆動さ
れ、蓄積された電荷は信号線２４を介して信号処理回路
２５へ転送される。
【００１７】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図３は本発明の第２の実施形態の構成を示す模
式的断面図である。本実施形態では、第１の実施形態と
同様にＸ線検出素子部７の単結晶半導体基板１３には化
合物半導体であるＰ型のＧａＡｓ基板を用いている。ま
た、単結晶半導体基板のＸ線入射面に電圧印加金属電極
１４としてＡｌ膜１μｍをスパッタリング法により基板
全面に成膜している。この時、電圧印加金属電極１４は
フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法によ
りリークを十分に防止し、且つ、基板端部１７の位置精
度を満足するために基板端部１７から５００μｍ内側に
電圧印加金属電極１４の端部がくるようにパターニング
している。
明する。図３は本発明の第２の実施形態の構成を示す模
式的断面図である。本実施形態では、第１の実施形態と
同様にＸ線検出素子部７の単結晶半導体基板１３には化
合物半導体であるＰ型のＧａＡｓ基板を用いている。ま
た、単結晶半導体基板のＸ線入射面に電圧印加金属電極
１４としてＡｌ膜１μｍをスパッタリング法により基板
全面に成膜している。この時、電圧印加金属電極１４は
フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法によ
りリークを十分に防止し、且つ、基板端部１７の位置精
度を満足するために基板端部１７から５００μｍ内側に
電圧印加金属電極１４の端部がくるようにパターニング
している。
【００１８】パターニングされた電圧印加金属電極１４
上には、入射側パッシベーション膜（ＳｉＮ膜１μｍ）
１６をプラズマＣＶＤ法により成膜している。また、フ
ォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて
基板切断時のチッピング（欠け）による電圧印加金属電
極１４のリークを十分に防止し、且つ、基板端部の位置
精度を満足するために基板端部１７から１００μｍ内側
に入射側パッシベーション膜１６の端部が位置するよう
に入射側パッシベーション膜１６を形成している。その
他の構成は図１と同様である。
上には、入射側パッシベーション膜（ＳｉＮ膜１μｍ）
１６をプラズマＣＶＤ法により成膜している。また、フ
ォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて
基板切断時のチッピング（欠け）による電圧印加金属電
極１４のリークを十分に防止し、且つ、基板端部の位置
精度を満足するために基板端部１７から１００μｍ内側
に入射側パッシベーション膜１６の端部が位置するよう
に入射側パッシベーション膜１６を形成している。その
他の構成は図１と同様である。
【００１９】本実施形態では、電圧印加金属電極１４の
端部を基板端部１７から離す構成としているので、第１
の実施形態と同様に基板端部１７における高電圧のリー
クを防止することができる。更に、入射側パッシベーシ
ョン膜１６の端部を基板端部１７から分離しているの
で、切断による基板端部１７のパッシベーション膜のチ
ッピング（欠け）を防ぎ、これによっても電圧印加金属
電極１４に印加された高電圧が基板端部１７からリーク
するのを防止できる。
端部を基板端部１７から離す構成としているので、第１
の実施形態と同様に基板端部１７における高電圧のリー
クを防止することができる。更に、入射側パッシベーシ
ョン膜１６の端部を基板端部１７から分離しているの
で、切断による基板端部１７のパッシベーション膜のチ
ッピング（欠け）を防ぎ、これによっても電圧印加金属
電極１４に印加された高電圧が基板端部１７からリーク
するのを防止できる。
【００２０】なお、以上の実施形態では、Ｘ線を検出す
る場合を例として説明したが、本発明はこれに限ること
なく、α線、β線、γ線等を検出する場合にも使用する
ことができる。また、単結晶半導体基板としてＧａＡｓ
を用いる例を説明したが、本発明は、これに限ることな
く、例えば、ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ等を用いることが
できる。
る場合を例として説明したが、本発明はこれに限ること
なく、α線、β線、γ線等を検出する場合にも使用する
ことができる。また、単結晶半導体基板としてＧａＡｓ
を用いる例を説明したが、本発明は、これに限ることな
く、例えば、ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ等を用いることが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、単
結晶半導体基板の端部と電圧印加電極の端部を分離して
いるので、放射線検出素子部において電荷変換のために
電圧印加電極に印加される高電圧の基板端部からのリー
クを低減することができ、リーク電流による暗電流の増
加を抑えることができるため、雑音の増加を防止するこ
とができる。
結晶半導体基板の端部と電圧印加電極の端部を分離して
いるので、放射線検出素子部において電荷変換のために
電圧印加電極に印加される高電圧の基板端部からのリー
クを低減することができ、リーク電流による暗電流の増
加を抑えることができるため、雑音の増加を防止するこ
とができる。
【図１】本発明による放射線検出装置の第１の実施形態
の構成を示す模式的断面図である。
の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の放射線検出装置の等価回路図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の構成を示す模式的断
面図である。
面図である。
【図４】従来例のＸ線検出装置を示す模式的断面図であ
る。
る。
１ 入射側パッシベーション膜 ３ 単結晶半導体Ｐ層 ４ Ｎ層 ５ 接続側パッシベーション膜 ６ 接続金属配線 ７ Ｘ線検出素子部 ８ 蓄積素子部 ９ 転送素子部 １０ バンプメタル １１ 導電性接着剤 １２ Ｘ線検出素子の端部 １３ 単結晶半導体基板（単結晶化合物半導体ＧａＡ
ｓ−Ｐ層） １４ 電圧印加金属電極 １５ 基板端部 １６ 入射側パッシベーション膜 １７ 基板端部 ２２ ゲートドライバー ２３ ゲート線 ２４ 信号線 ２５ 信号処理回路 ３０ 蓄積コンデンサの下電極及び転送ＴＦＴのゲー
ト電極 ３１ ゲート絶縁層（ＳｉＮ：Ｈ） ３２ 真性半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ） ３３ オーミックコンタクト層（ｎ+ ） ３４ 蓄積コンデンサの上電極及び転送ＴＦＴのソー
スドレイン配線 ３５ 保護膜 ３６ 接続金属配線
ｓ−Ｐ層） １４ 電圧印加金属電極 １５ 基板端部 １６ 入射側パッシベーション膜 １７ 基板端部 ２２ ゲートドライバー ２３ ゲート線 ２４ 信号線 ２５ 信号処理回路 ３０ 蓄積コンデンサの下電極及び転送ＴＦＴのゲー
ト電極 ３１ ゲート絶縁層（ＳｉＮ：Ｈ） ３２ 真性半導体層（ａ−Ｓｉ：Ｈ） ３３ オーミックコンタクト層（ｎ+ ） ３４ 蓄積コンデンサの上電極及び転送ＴＦＴのソー
スドレイン配線 ３５ 保護膜 ３６ 接続金属配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ 5/335 Ｆ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ05 JJ09 JJ10 JJ32 JJ37 LL11 4M118 AA05 AB01 BA05 BA19 CA03 CA32 CB02 CB05 CB14 FB09 FB13 FB16 GA10 HA31 5C024 AX12 CX32 CY47 GX03 GX18 HX12 HX35 HX40 5F088 AA02 AB07 BA10 BB03 BB07 CB14 DA01 EA04 EA08 GA03 KA03 LA08
Claims (5)
- 【請求項１】 入射した放射線を電荷に変換する放射線
検出素子部が形成された単結晶半導体基板を含み、前記
単結晶半導体基板には前記放射線検出素子部の空乏層を
広げるための電位を印加する電極が形成された放射線検
出装置において、前記電極の端部が前記単結晶半導体基
板の端部よりも所定の距離だけ内側に位置するように前
記電極と単結晶半導体基板の端部が分離されていること
を特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 前記電極の端部は、フォトリソグラフィ
ー法により前記単結晶半導体基板の端部から分離されて
いることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装
置。 - 【請求項３】 前記電極上に保護膜が形成され、前記保
護膜の端部は前記単結晶半導体基板の端部から分離され
ていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか１項に
記載の放射線検出装置。 - 【請求項４】 前記保護膜の端部は、フォトリソグラフ
ィー法により前記単結晶半導体基板の端部から分離され
ていることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装
置。 - 【請求項５】 前記単結晶半導体基板は、ＧａＡｓ、Ｃ
ｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅで構成されていることを特
徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検
出装置。
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|---|---|---|---|
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- 2001-01-22 JP JP2001013308A patent/JP2002217444A/ja active Pending
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