JP2003296722A

JP2003296722A - 撮像装置及びその撮像方法

Info

Publication number: JP2003296722A
Application number: JP2002103955A
Authority: JP
Inventors: Isao Kobayashi; 功小林
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-04-05
Filing date: 2002-04-05
Publication date: 2003-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】信号線が切断された状態である時、アナログ
演算増幅器を電圧増幅型で構成した場合であっても、信
号線が切断された部分のところまでの正常な出力信号を
得ることが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】被写体がない明状態の撮影出力を記憶す
るメモリ回路１１０、メモリ回路１１０に記憶された撮
影出力に基づいて切断された信号線の切断されている座
標を検知する信号線オープン／座標検知手段１１１、被
写体がある状態の撮影出力を記憶するメモリ回路１１０
を具備する。そして、座標検知手段１１１で検知された
座標を用いて、被写体がある状態での撮影出力を演算処
理回路１１２で補正することにより、信号線が切断され
た部分までセンサの正常な撮影出力が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可視光もしくは放
射線により像を形成する撮像装置及びその撮像方法に関
し、例えば、ファクシミリ、デジタル複写機、スチール
カメラ或いは放射線撮像装置等の二次元の撮像装置及び
その撮像方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、医療診断用に用いられるＸ線撮像
装置としては、Ｘ線を人体に曝射し、人体を透過したＸ
線を可視光に変換する蛍光体に照射し、その蛍光をフイ
ルムに露光させるという、いわゆるフィルム方式が主流
になっている。

【０００３】しかしながら、高齢化社会を迎えつつある
日本国内はもとより世界的にも病院内での診断効率の向
上や、より精度の高い医療機器が強く望まれている。そ
ういった状況の中、従来のフイルム方式でのＸ線撮像装
置においては、患者のＸ線画像を医師が得るまでには、
途中にフィルムの現像処理工程があるため長い時間を必
要とし、場合によってはＸ線撮影中に患者が動いてしま
った場合や露出が合わない場合等には再度撮影のやり直
しを余儀なくされている。これらは病院内での診療の効
率向上を妨げる要因となっており、患者の負担が大き
く、今後の新しい医療社会を目指すには大きな障害とな
っている。

【０００４】一方、近年、医療業界において”Ｘ線画像
情報のディジタル化”の要求が高まりつつある。ディジ
タル化が達成されれば、医師がリアルタイムに最適なア
ングルでの患者のＸ線画像情報を得ることができ、得ら
れたＸ線画像情報は光磁気ディスクのような媒体を用い
て記録、管理することができる。また、ファクシミリや
他の通信方式等を利用すれば、患者のＸ線画像情報は世
界中どこの病院にも短時間に送ることが可能となる。

【０００５】また、建物の躯体等の物体内部の検査に代
表される非破壊検査等においても、Ｘ線撮影のための各
種機器の設置や必要とする部位の撮影を何度もやり直せ
るものでもない。しかしながら、フィルム方式の場合、
このような検査においても、現像が終了するまで必要部
位の撮影が完了したかどうかについては分からない。ま
た、専門家の判断もフィルム現像が終了したものを見て
からになるので必要に応じてその場で別の角度からの撮
影の指示や処置の指示を行うことができない。従って、
このような分野においてもリアルタイムな所望部位のＸ
線画像情報に対する要求は高い。

【０００６】そこで、最近では”Ｘ線画像情報のディジ
タル化”の要求に応えるべくＣＣＤ固体撮像素子やアモ
ルファスシリコンセンサをフィルムの代わりに用いたＸ
線撮像装置が提案されている。

【０００７】図１４はこのようなＸ線撮像装置に適用可
能な２次元撮像装置の一例を示す等価回路図である。図
１４では説明を簡単化するため３×３の２次元撮像装置
を示しているが、実際の撮像装置では装置の目的にもよ
るが、更に多数のビットで構成される。

【０００８】図中１０１は光電変換回路部である。光電
変換回路部１０１内のＳ１１〜Ｓ３３は可視光を受光し
電気信号に変換するためのセンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３はセ
ンサＳ１１〜Ｓ３３で光電変換された信号電荷をマトリ
クス信号配線Ｍ１〜Ｍ３側へ転送するためのスイッチ素
子である。Ｇ１〜Ｇ３はシフトレジスタ（ＳＲ１）に接
続され、且つ、スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３に接続され
たスイッチのゲート駆動用配線である。マトリクス信号
配線Ｍ１には、スイッチ素子の電極間容量（Ｃgs）の３
個分の容量が転送時において付加されているが、図１４
では容量素子としての表記をしていない。他のマトリク
ス信号配線Ｍ２、Ｍ３についても同様である。

【０００９】光電変換回路部１０１のセンサＳ１１〜Ｓ
３３、スイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ３３、ゲート駆動配線Ｇ
１〜Ｇ３、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３は１つの絶縁
基板上に配置されている。１０２はスイッチ素子Ｔ１１
〜Ｔ３３を開閉するためのシフトレジスタ（ＳＲ１）で
構成される駆動用回路部である。Ａ１〜Ａ３はマトリク
ス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号電荷を増幅し、インピーダ
ンス変換するためのオペアンプであり、図１４において
は電圧ホロワ回路を構成するバッファアンプとしてのみ
示してある。

【００１０】Ｓｎ１からＳｎ３はオペアンプＡ１〜Ａ３
の出力、即ち、各マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の出力
を読み出し、読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送
する転送スイッチである。読み出しコンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３は電圧ホロワ回路を構成するバッファアンプＢ１
〜Ｂ３を介して読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３によ
り読み出される。１０３は読み出し用スイッチＳｒ１〜
Ｓｒ３を切り替えるシフトレジスタ（ＳＲ２）である。

【００１１】読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３の並列
信号は、読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３とシフトレ
ジスタ（ＳＲ２）１０３により直列変換され、最終段の
電圧ホロワ回路を構成するオペアンプ１０４に入力さ
れ、更にＡ／Ｄ変換回路部１０５でディジタル化され
る。ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３はマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ
３に付加された容量（３個分のＣgs）に蓄えられた信号
成分をリセットするためのリセット用スイッチであり、
ＣＲＥＳ端子からのパルスにより所定のリセット電位に
リセット（図中のＧＮＤ電位にリセット）される。

【００１２】また、１０６はセンサＳ１１〜Ｓ３３にバ
イアスを与えるための電源である。読み出し用回路部１
０７はバッファアンプＡ１〜Ａ３、転送スイッチＳｎ１
〜Ｓｎ３、読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３、バッフ
ァアンプＢ１〜Ｂ３、読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ
３、シフトレジスタＳＲ２、最終段のオペアンプ１０
４、リセット用スイッチＲＥＳ１〜ＲＥＳ３で構成され
ている。バッファアンプＡ１〜Ａ３は他のアンプに比べ
て非常に低ノイズ性能に関して優れている。

【００１３】図１５は図１４の撮像装置の動作を示すタ
イミングチャートである。図１５を用いて動作を説明す
る。センサＳ１１〜Ｓ３３で光電変換された信号電荷は
センサ内に形成されている容量成分に一定の期間だけ蓄
積される。第１行のセンサＳ１１〜Ｓ１３に蓄積されて
いた信号電荷はシフトレジスタ（ＳＲ１）１０２のゲー
トパルス信号Ｇ１によりスイッチ素子Ｔ１１〜Ｔ１３が
ｔ１時間だけ”ＯＮ”し、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ
３の各配線に形成される容量成分（スイッチング素子Ｔ
１１〜Ｔ３３のＣgs３個分の容量）に転送される。図１
５中、Ｍ１〜Ｍ３はその転送の様子を示しており、各セ
ンサ内に蓄えられた信号量が異なった場合を示してい
る。即ち、第１行のセンサ（Ｓ１１からＳ１３）におい
ては、その出力レベルがＳ１２＞Ｓ１１＞Ｓ１３であ
る。マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号出力はそれぞ
れオペアンプＡ１〜Ａ３によりインピーダンス変換され
る。

【００１４】その後、読み出し用回路部１０７内のスイ
ッチ素子Ｓｎ１〜Ｓｎ３が、ＳＭＰＬパルスによりｔ２
時間だけ”ＯＮ”し、読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ
３にそれぞれ転送される。読み出しコンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の信号は、それぞれバッファアンプＢ１〜Ｂ３に
よりインピーダンス変換される。その後、読み出し用ス
イッチＳｒ１〜Ｓｒ３がシフトレジスタ（ＳＲ２）１０
３からのシフトパルスＳｐ１〜Ｓｐ３により順次”Ｏ
Ｎ”することにより、読み出し用コンデンサＣＬ１〜Ｃ
Ｌ３に転送されていた並列の信号電荷が、直列変換され
読み出される。Ｓｐ１、Ｓｐ２、Ｓｐ３のシフトパルス
のパルス幅をＳｐ１＝Ｓｐ２＝Ｓｐ３＝ｔ３とすると、
この直列変換読み出しに必要な時間はｔ３×３となる。
直列変換された信号は最終段のオペアンプ１０４から出
力され、更にＡ／Ｄ変換回路部１０５によりディジタル
化される。

【００１５】図１５に示すＶｏｕｔはＡ／Ｄ変換回路部
１０５に入力される前のアナログ信号を示す。図１５に
示すように第１行のセンサＳ１１〜Ｓ１３の並列信号、
即ち、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号電位の並列
信号が、それらの信号の大小に比例してＶｏｕｔ信号上
で直列変換されている。最後に、マトリクス信号配線Ｍ
１〜Ｍ３の信号電位はＣＲＥＳパルスがｔ４時間だけ”
ＯＮ”することにより、リセット用スイッチ素ＲＥＳ１
〜ＲＥＳ３を介して一定のリセット電位（ＧＮＤ電位）
にリセットされ、次のセンサＳ２１〜Ｓ２３の第２行の
信号電荷の転送に備える。以下、同様に第２行、第３行
の光電変換された信号が繰り返し読み出される。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように図１４の撮
像装置は全ての配線が理想通り接続されていれば正常な
信号出力が得られるが、例えば、医療用のＸ線撮像装置
の撮像装置部の大きさは、肺部の部分を撮影するＸ線撮
像装置を例にとると、４０ｃｍ×４０ｃｍ程度必要と言
われている。仮に、１００μｍの画素ピッチで形成する
となると、総画素数としては４０００×４０００で１６
００万画素と膨大な画素数になり、１台当たりの信号線
の本数も４０００本という数になる。このような多くの
信号線の本数を作製する場合には、製造上の問題におい
て信号線が切れた状態になることも考えられる。

【００１７】信号線が切れている場合は、図１６に示す
ような等価回路となり、画像出力は図３に示すようにな
る。ここで、信号線が切れた先のセンサの信号出力は、
読み出し用回路部に転送されないため、ゼロ出力とな
る。また、信号線が切れる手前のセンサの信号出力電圧
は、信号線の容量が小さい為、正常な信号出力電圧に比
較して高い信号出力電圧となる。

【００１８】このように信号線が切断された状態である
時、アナログ演算増幅器を電圧増幅型で構成した場合、
信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号線容量が小さくなる為、信号
線が切断される部分のところまでのセンサの出力電圧は
上昇してしまい、正常な出力信号を得ることができなか
った。

【００１９】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、信号線が切断された部分のとこ
ろまでセンサの正常な出力信号を得ることが可能な撮像
装置及びその撮像方法を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、二次元に配列され、入射量に応じた電荷を
発生する複数の光感知センサ又は放射線感知センサを含
む二次元エリアセンサを有する撮像装置において、被写
体がない明状態の撮影出力を記憶する手段と、前記記憶
手段に記憶された撮影出力に基づいて切断された信号線
及びその切断されている座標を検知する手段と、被写体
がある状態の撮影出力を記憶する手段と、前記座標検知
手段で検知された座標を用いて、前記被写体がある状態
での撮影出力を補正する手段とを有することを特徴とす
る。

【００２１】また、本発明は、二次元に配列され、入射
量に応じた電荷を発生する複数の光感知センサ又は放射
線感知センサを含む二次元エリアセンサと、前記二次元
エリアセンサに像情報を入射する像情報入射手段と、被
写体がない明状態の撮影出力を記憶する無被写体撮影出
力記憶手段と、被写体がない明状態の撮影出力に基づい
て切断された信号線及びその切断されている座標を検知
する手段と、被写体がある状態の撮影出力を記憶する有
被写体撮影出力記憶手段と、前記信号線の切断されてい
る座標を用いて、前記有被写体撮影出力記憶手段に記憶
された撮影出力を補正する演算処理回路と、前記各手段
を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。

【００２２】更に、本発明は、二次元に配列され、入射
量に応じた電荷を発生する複数の光感知センサ又は放射
線感知センサを含む二次元エリアセンサと、前記二次元
エリアセンサに像情報を入射する像情報入射手段と、被
写体がない明状態の撮影出力を記憶する無被写体撮影出
力記憶手段と、被写体がない明状態の撮影出力に基づい
て切断された信号線及びその切断されている座標を検知
する手段と、被写体がある状態の撮影出力を記憶する有
被写体撮影出力記憶手段と、を有する撮像装置の撮像方
法において、前記検知手段で検知された信号線の切断さ
れている座標を用いて、前記有被写体撮影出力記憶手段
に記憶された撮影出力を演算処理回路で処理し、前記検
知された信号線の切断されている箇所までの正常な撮影
出力を算出することにより、被写体がある状態の撮影出
力を補正することを特徴とする。

【００２３】本発明においては、信号線が切断された状
態である時、アナログ演算増幅器を電圧増幅型で構成し
た場合であっても、信号線が切断される部分のところま
でのセンサの正常な出力信号を得ることが可能となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２５】（第１の実施形態）図１は本発明の撮像装
置の第１の実施形態を示す全体システムブロック図であ
る。本実施形態では、医療用Ｘ線診断を目的とする放射
線撮像装置を例として説明する。

【００２６】図１において、１０２はＸ線源であり、１
０５の撮影スイッチによりＸ線パルスのオン、オフが制
御され、１０７の制御回路によりＸ線源内の管球の管電
圧、管電流が制御される。Ｘ線源１０２で発したＸ線は
診断対象となる患者である被写体１０１を透過し、Ｘ線
を可視光に変換するＣｓＩ、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ等で構成される
蛍光体１０３に入射する。この時、被写体１０１を透過
するＸ線は被写体１０１の内部の骨や内臓の大きさや
形、病巣の有無により透過量が異なりそれらの像情報を
含んでいる。

【００２７】このＸ線は蛍光体１０３により可視光に変
換され、像情報光として撮像手段として働く二次元エリ
アセンサ１０４に入射する。二次元エリアセンサ１０４
は二次元に配列された複数のセンサとそれらを駆動する
駆動回路からなり、像情報光を二次元情報を含む電気信
号に変換して出力する。なお、ここでは放射線としてＸ
線を用いているが、α線、γ線等を用いることも可能で
ある。これは、以下の実施形態においても同様である。

【００２８】二次元エリアセンサ１０４は制御回路１０
７により蓄積時間や駆動スピードが制御される。二次元
エリアセンサ１０４の出力はメモリ回路１１０に記憶し
ておくことが可能である。

【００２９】ここで、まず、被写体１０１が無い状態で
Ｘ線を照射し、二次元エリアセンサ１０４の出力をメモ
リ回路１１０に記憶させる。即ち、無被写体明状態撮影
出力をメモリ回路１１０に記憶させておき、それを用い
て信号線オープンが存在しているかを信号線オープン／
座標検知手段１１１により確認する。メモリ回路１１
０、信号線オープン／座標検知手段１１１、演算処理回
路１１２は各々制御回路１０７により制御され、補正回
路１１３を構成している。

【００３０】この補正回路１１３は、メモリ回路１１０
に記憶している二次元エリアセンサ１０４の無被写体明
状態撮影出力において、信号線オープンが存在している
事が、信号線オープン／座標検知手段１１１により確認
できた場合、その信号線オープン座標を演算処理回路１
１２により求める。

【００３１】また、演算処理回路１１２により求められ
た信号線オープン座標を用い、メモリ回路１１０に記憶
しておいた二次元エリアセンサ１０４の有被写体撮影出
力の信号線オープンが存在するラインの撮影出力のみを
補正することにより、二次元エリアセンサ１０４の有被
写体撮影出力において信号線が接続されている各センサ
の撮影出力は正しい撮影出力を得ることが可能となる。

【００３２】図２は本実施形態の補正回路の動作を示す
フローチャートである。まず、図１で説明したように二
次元エリアセンサ１０４の無被写体明状態撮影出力をメ
モリ回路１１０に記憶させる（Ｓ１）。ここで、二次元
エリアセンサ１０４の各センサの個数をｎ行ｍ列とする
と全ての撮影出力は、 DAT(1,1)，DAT(2,1)，・・・DAT(m,1) ・・・・・・ DAT(1,n)，DAT(2,n)，・・・DAT(m,ｎ) となる。

【００３３】次に、メモリ回路１１０に記憶しておいた
二次元エリアセンサ１０４の撮影出力において、信号線
オープンが存在しているかを信号線オープン／座標検知
手段１１１により検知する（Ｓ２）。まず、各撮影出力
を前後左右の周りの撮影出力と比較を行い、例えば、
（ｘ，ｙ）の周りの場合、（１）DAT(ｘ,ｙ)−DAT(ｘ-1,ｙ)＝A （２）DAT(ｘ,ｙ)−DAT(ｘ+1,ｙ)＝B

【００３４】（３）DAT(ｘ,ｙ)−DAT(ｘ,ｙ-1)＝C （４）DAT(ｘ,ｙ)−DAT(ｘ,ｙ+1)＝D を求める。

【００３５】次に、前後左右の周りの撮影出力との大小
関係：（D＞Ａ＞Ｃ）∩（D＞Ｂ＞Ｃ）を確認する。ここで、上記大小関係に当てはまる座標の
撮影出力については、信号線オープンがＸ行の（ｘ，
ｙ）に存在することが判る。

【００３６】次に、補正回路１１３は演算処理回路１１
２により求められた信号線オープン座標を用い、メモリ
回路１１０に記憶しておいた二次元エリアセンサ１０４
の有被写体撮影出力の補正を行う（Ｓ３）。

【００３７】まず、Ｘ行の切断箇所までの各撮影出力の
確認をする。これは、図３の白抜き部分に対応する。

【００３８】Ｖhout(ｘ,1〜ｙ)＝DAT(ｘ,1〜ｙ) 次に、各行におけるセンサの数の確認をする。

【００３９】Nall＝ｎそして、Ｘ行の切断箇所までのセンサの数を認識する。
これは、図３の白抜き部分のセンサ数に対応する。

【００４０】Nh＝ｙ最後に、Ｘ行の切断箇所までの正常な各撮影出力を求め
る。

【００４１】Ｖout(ｘ,1〜ｙ)＝Ｖhout(ｘ,1〜ｙ)×Nh／Nall このようにメモリ回路１１０に記憶しておいた二次元エ
リアセンサ１０４の無被写体明状態撮影出力において、
信号線オープンが存在している事が、信号線オープン／
座標検知手段１１１により検知された場合は、その信号
線オープン座標を演算処理回路１１２により求める。

【００４２】そして、演算処理回路１１２により求めら
れた信号線オープン座標を用い、メモリ回路１１０に記
憶しておいた二次元エリアセンサ１０４の有被写体撮影
出力の信号線オープンが存在するラインの撮影出力のみ
を補正することにより、二次元エリアセンサ１０４の有
被写体撮影出力において信号線が接続されている各セン
サの撮影出力は正しい撮影出力を得ることが可能とな
る。

【００４３】図３は第１の実施形態の放射線撮像装置で
撮影した無被写体明状態撮影出力の補正を行わない場合
の画像例を示す。この画像は実際に信号線オープンが存
在することが確認できる。即ち、図３の上部が電圧増幅
型アンプＩＣが接続されており、信号線オープン箇所の
上部が出力値が大きく（白抜き部は出力が大きい）、信
号線オープン箇所の下部が出力値が小さくなっているこ
とが判る（黒色部は出力が小さい）。これは、切断され
た状態である信号線の容量が小さくなっていることによ
り、出力電圧が信号線１本分の容量と切断された状態で
ある信号線の容量の比の逆数に比例するからである。

【００４４】図４は演算処理回路１１２により得られた
信号線オープン座標を用い、メモリ回路１１０に記憶し
ておいた二次元エリアセンサ１０４の有被写体撮影出力
の信号線オープンが存在するラインの撮影出力のみを補
正することにより、各センサの撮影出力を正しい撮影出
力に補正した場合の画像例を示す。図４においても図３
と同様に上部が電圧増幅型アンプＩＣが接続されてお
り、信号線オープン箇所の上部が出力値が正常値である
ことを確認できる。

【００４５】図５は二次元エリアセンサ１０４の構成を
示す全体回路図、図６（ａ）、（ｂ）は二次元エリアセ
ンサ１０４中の１画素に相当する各構成素子の平面図、
断面図である。図５において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変
換素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示してい
る。Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３
３は転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇ
はリフレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷ
ｓ、ＳＷｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ
電極に接続されている。

【００４６】スイッチＳＷｓはインバータを介して、ス
イッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦに接続
されており、リフレッシュ期間はＳＷｇがオン、その他
の期間はＳＷｓがオンするよう制御される。１画素は１
個の光電変換素子とコンデンサ及びＴＦＴで構成され、
その信号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路Ｉ
Ｃに接続されている。本実施形態の二次元エリアセンサ
は計９個の画素を３つのブロックに分け１ブロック当た
り３画素の出力を同時に転送し、この信号配線を通して
検出用集積回路によって順次出力に変換され出力され
る。また、１ブロック内の３画素を横方向に配置し、３
ブロックを順に縦に配置することにより各画素を二次元
的に配置している。

【００４７】図中破線で囲む部分は大面積の同一絶縁基
板上に形成されているが、このうち第１画素に相当する
部分の平面図を図６（ａ）に示す。Ｓ１１は光電変換素
子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、及びＳＩＧ
は信号配線である。本実施形態においてはコンデンサＣ
１１と光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離してお
らず、光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくするこ
とによりコンデンサＣ１１を形成している。

【００４８】これは本実施形態の光電変換素子とコンデ
ンサが同じ層構成であるから可能で、本実施形態の特徴
でもある。また、図６（ａ）のＡ−Ｂ線における断面図
を図６（ｂ）に示す。画素上部にはパッシベーション用
窒化シリコン膜ＳｉＮ８、ＣｓＩ、Ｇｄ₂０₂等の蛍光体
１２が形成されている。紙面上方より像情報の含まれる
Ｘ線１３が入射すると蛍光体１２により像情報光１４に
変換され、この光が光電変換素子に入射する。蛍光体１
２は図１の蛍光体１０３に対応する。

【００４９】次に、図６を用いて各素子の形成方法につ
いて順に説明する。まず、絶縁材料であるガラス基板１
上にスパッタ等により下部メタル層２としてＣｒを約５
００オングストローム堆積させ、その後フォトリソによ
りパターニングし不必要なエリアをエッチングする。こ
れにより光電変換素子Ｓ１１の下部電極、ＴＦＴ・Ｔ１
１のゲート電極及びコンデンサＣ１１の下部電極を形成
する。

【００５０】次いで、ＣＶＤにより同一真空内でＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をそれぞれ約２０００／
５０００／５００オングストローム堆積する。これら各
層は光電変換素子Ｓ１１の絶縁層／光電変換半導体層／
ホール注入阻止層、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲート絶縁膜／半
導体層／オーミックコンタクト層、及びコンデンサＣ１
１の中間層となる。また、信号配線のクロス部絶縁層と
しても使われる。各層の厚さはこれに限らず二次元エリ
アセンサとして使用する電圧、電流、電荷、入射光量等
により最適に設計するが、少なくともＳｉＮは電子とホ
ールが通過できず、また、ＴＦＴのゲート絶縁膜として
機能ができる５００オングストローム以上が必要であ
る。

【００５１】各層堆積後、上部メタル層６としてＡｌを
スパッタ等で約１００００オングストローム堆積させ
る。更に、フォトリソによりパターニングし不必要なエ
リアをエッチングし、光電変換素子Ｓ１１の上部電極、
ＴＦＴ・Ｔ１１の主電極であるソース電極並びにドレイ
ン電極、コンデンサＣ１１の上部電極、及び信号配線Ｓ
ＩＧを形成する。

【００５２】また、ＴＦＴ・Ｔ１１のチャネル部のみｎ
層をＲＩＥでエッチングし、その後不必要なＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をエッチングし、各素子
を分離する。これで光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ・Ｔ１
１及びコンデンサＣ１１が完成する。以上、第一画素目
について説明したが他の画素についても同時に形成され
ることは言うまでもない。更に、耐久性を向上させるた
め通常各素子の上部がＳｉＮ等のパッシベーション膜８
で覆われ、更に、ＣｓＩ、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ等の蛍光体１２が
形成される。

【００５３】本実施形態では、光電変換素子、ＴＦＴ、
コンデンサ及び信号配線ＳＩＧとが同時に堆積された共
通の下部メタル層２、ＳｉＮ（７）／ｉ（４）／ｎ
（５）層、及び上部メタル層６と各層のエッチングのみ
で形成することができる。また、光電変換素子Ｓ１１内
に注入素子層が１カ所しかなく、且つ、同一真空内で形
成できる。更に、ＴＦＴの特性上重要なゲート絶縁膜／
ｉ層界面も同一真空内で形成できる。また、コンデンサ
Ｃ１１の中間層が熱によるリークの少ない絶縁層を含ん
でいるため良好な特性のコンデンサが得られる。

【００５４】次に、図１、図５及び図７によって本実施
形態の放射線撮像装置の動作について説明する。まず、
無被写体明状態で撮影を行い、撮影出力をメモリ回路１
１０に記憶させ、信号線オープンが存在している事が信
号線オープン／座標検知手段１１１により確認できた場
合は、その信号線オープン座標を演算処理回路１１２に
より求める。これは、図１、図２で説明した通りであ
る。

【００５５】次に、有被写体状態で撮影を行う。この
際、本実施形態の光電変換素子は定期的にリフレッシュ
すれば光電変換モードにおいては入射した光に比例した
光電流を出力する光センサとして動作する。図７はこの
場合の動作を示すタイミングチャートである。

【００５６】まず、医師または技師は診断対象である患
者、つまり被写体１０１をＸ線源１０２と二次元エリア
センサ１０４の間に配置し、診断したい部位が観察でき
るように被写体にポーズさせる。同時に前もって問診等
で得た患者の症状、体格、年齢や得たい情報を考慮し、
最適な撮影出力が得られるように条件を制御パネル（図
示せず）に入力する。この信号は電気信号で制御回路１
０７に電送され、同時に条件メモリ回路（図示せず）に
これら条件が記憶される。

【００５７】この状態で、医師または技師が撮影スイッ
チ１０５を押すと撮影モードが開始される。まず、制御
回路１０７は二次元エリアセンサ１０４をリフレッシュ
動作させる。ここでリフレッシュ動作を説明する。ま
ず、シフトレジスタＳＲ１及びＳＲ２により制御配線ｇ
１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＨｉが印加される。すると、転
送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がオ
ンし導通し、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極は
ＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐの入力端子はＧＮ
Ｄ電位に設計されているため）。

【００５８】同時にリフレッシュ制御回路ＲＦがＨｉを
出力し、スイッチＳＷｇがオンし、全光電変換素子Ｓ１
１〜Ｓ３３のＧ電極はリフレッシュ用電源Ｖｇにより正
電位になる。すると、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は
リフレシュモードになりリフレッシュされる。次に、リ
フレッシュ制御回路ＲＦがＬｏを出力しスイッチＳＷｓ
がオンし、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は読
み取り用電源Ｖｓにより負電位になる。これにより、全
光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換モードになり同
時にコンデンサＣ１１〜Ｃ３３は初期化される。

【００５９】この状態で、シフトレジスタＳＲ１及びＳ
Ｒ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＬｏが印
加される。すると、転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とス
イッチＭ１〜Ｍ３がオフし、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ
３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンになるが、コンデン
サＣ１１〜Ｃ１３によって電位は保持される。しかしこ
の時点ではＸ線は入射されていないため全光電変換素子
Ｓ１１〜Ｓ３３には光は入射されず光電流は流れない。
これでリフレッシュ動作は終了する。

【００６０】この初期条件でＸ線が出射され、被写体１
０１を通過し、蛍光体１０３に入射すると光に変換さ
れ、その光がそれぞれの光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に
入射する。ある一定量この光により流れた光電流は電荷
としてそれぞれのコンデンサＣ１１〜Ｃ３３に蓄積さ
れ、Ｘ線の入射終了後も保持される。

【００６１】次に、二次元エリアセンサ１０４の読み出
し動作を行う。シフトレジスタＳＲ１により制御配線ｇ
１にＨｉの制御パルスが印加され、シフトレジスタＳＲ
２の制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パルス印加によって転
送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ１３、スイッチＭ１〜Ｍ３を通
してｖ１〜ｖ３が順次出力される。同様にシフトレジス
タＳＲ１、ＳＲ２の制御により他の光信号も出力され
る。これにより人体等の内部構造の二次元情報がｖ１〜
ｖ９として得られる。

【００６２】これら出力は、撮影出力記憶手段であるメ
モリ回路１１０に記憶される。この後は、図１及び図２
で説明したように信号線オープンが存在している事が、
信号線オープン／座標検知手段１１１により検知された
できた場合は、演算処理回路１１２により求められた信
号線オープン座標を用い、メモリ回路１１０に記憶して
おいた二次元エリアセンサ１０４の有被写体撮影出力の
信号線オープンが存在するラインの撮影出力の補正を行
う。

【００６３】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。第２の実施形態は撮像手段
が蛍光体と二次元エリアセンサの構成ではなく、Ｘ線を
直接検知して電荷を発生する撮像手段を用いた形態であ
る。本実施形態においても医療用Ｘ線診断を目的とする
放射線撮像装置を例として説明する。

【００６４】図８は直接型の放射線撮像装置に用いる1
画素の等価回路図である。ここで、Ｓ１１は放射線を電
気信号に変換するＧａＡｓセンサ素子であり、センサ素
子で感知した電気信号を蓄積する素子が蓄積容量Ｃ１１
である。更に、蓄積容量Ｃ１１から増幅するアンプ（Ａ
ｍｐ）へ電気信号を転送する素子がトランジスタＴ１１
である。

【００６５】また、本実施形態では、センサ素子を構成
しているＧａＡｓ基板と蓄積容量Ｃ１１及び転送用トラ
ンジスタＴ１１を構成するガラス基板を導電性接着剤で
接合する構成としている。そのため、ＧａＡｓ基板とガ
ラス基板との接合抵抗をｒ１１としており、センサ素子
Ｓ１１と接合抵抗をｒ１１とを合わせてセンサ部Ｒ１１
とし破線で示している。

【００６６】図９は図８の画素部分の模式的断面図であ
る。ここで、図８に於いて説明したそれぞれの素子は、
センサ素子Ｓ１１と接合抵抗をｒ１１とを合わせたセン
サ部Ｒ１１とに相当するセンサ部と、蓄積容量Ｃ１１に
相当する蓄積容量と、転送用トランジスタＴ１１に相当
するトランジスタ５０３である。

【００６７】また、ＧａＡｓ基板５０２の共通電極５０
５と、ＧａＡｓセンサ素子によって変換された電気信号
を収集する電荷収集電極５０６と、ＧａＡｓ基板５０２
とガラス基板５１５とを電気的に接続する導電性接着剤
５０７、蓄積容量からの電気信号の読み出しを制御する
トランジスタ５０３に接続されている接合電極５０８が
示されている。

【００６８】また、ガラス基板５１５に形成された蓄積
容量及びトランジスタ５０３の層構成は、第１層のメタ
ル層が５０４であり、その上に堆積される絶縁層が５２
０であり、更にその上に真性半導体層５３０が堆積され
ている。

【００６９】図１０は図８、図９の画素を用いた直接型
の二次元エリアセンサを示す等価回路図である。この二
次元エリアセンサは、2000個×2000個の画素を有し、20
00個×2000個のセンサ素子と2000個×2000個の転送回路
（薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）を有する。更に、ＴＦＴ
を駆動するための垂直駆動回路７０４と、ＴＦＴから出
力された信号を読み取る為の読み取り回路７００、電源
７０３、Ｘ線２次元センサの制御及びＸ線２次元エリア
センサから出力された信号を受け取り２次元画像として
表示と保存と画像の補正及びＸ線２次元エリアセンサの
制御を司るコンピュータ７０５からなっている。

【００７０】２次元のＸ線画像を得るには、1本のゲー
ト線に＋１５Ｖの電圧を印加し、ゲート線に接続されて
いるＴＦＴをオンにし、センサ素子からコンデンサに蓄
積された電気信号を、信号転送線(Sig1〜Sig2000)を介
し、読み取り回路のサンプルホールド回路７０２に転送
する。信号の転送は一定時間ＴＦＴをオン状態にした
後、ゲート線に−５Ｖを印加してＴＦＴをオフして終了
する。

【００７１】更に、サンプルホールド回路７０２からマ
ルチプレクサ（図示せず）によって信号は順次転送され
る。この動作を順次繰り返すことで、Ｘ線２次元画像を
得ることができる。この例において、電気信号を蓄積す
るコンデンサはＭＩＳ型であり、一定電位電極は接地さ
れているのでデプレッション（空乏）状態で常に使用す
ることになる。

【００７２】ここで、第２の実施形態において、図１０
の構成は第１の実施形態における図１の二次元エリアセ
ンサ１０４に相当する。また、図１０のコンピュータ７
０５は図１の制御回路１０７に相当する。従って、図１
０では直接型の放射線検出素子を用いた二次元エリアセ
ンサについて説明したが、第２の実施形態の全体の構成
としては図１の二次元エリアセンサ１０４の代わりに図
１０の構成を用い、その他の構成は図１と同様の構成と
する。なお、第２の実施形態では直接型二次元エリアセ
ンサを用いているため蛍光体１０３は不要である。

【００７３】また、第２の実施形態において、無被写体
明状態撮影出力において信号線オープンが存在している
事が、信号線オープン／座標検知手段１１１により検知
された場合は、その信号線オープン座標を演算処理回路
１１２により求め、得られた信号線オープン座標を用い
て、メモリ回路１１０に記憶しておいた二次元エリアセ
ンサ１０４の有被写体撮影出力の信号線オープンが存在
するラインの撮影出力を補正することは、第１の実施形
態と全く同様である。

【００７４】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。図１１は直接型の放射線撮
像装置の更に他の実施形態を示す図である。なお、図１
１は直接型放射線検出装置に用いる２画素分の断面図で
あり、センサ素子及び蓄積用コンデンサ及びＴＦＴの層
構成を示す。

【００７５】図１１のセンサ素子は半導体であるシリコ
ン(Si)、ガリウムヒ素(GaAs)やガリウムリン(GaP)等が
適応できるが、ここではGaAsを用いて説明する。センサ
素子はGaAsウェハーを用いて、まず、上から保護層２０
０、アルミニウム(Al)等の金属材料によって形成された
上部電極層２０１、GaAs基板と上部基板をオーミックコ
ンタクトを取るためのｐ⁺型GaAs層２０３、光電効果に
よりキャリアを発生する光電変換層２０４、ｎ型GaAs層
２０５、下部接続電極とオーミックコンタクトを取るた
めのｎ⁺型GaAs層２０６及びアルミニウム等の金属電極
で形成される下部接続電極２０７からなるＰＩＮ型ダイ
オードになっている。

【００７６】まず、半絶縁性GaAs基板又は低ドーピング
のｐ型GaAs基板上にｎ型GaAs層3000Å、ｎ⁺型GaAs層を1
000Å、分子線エピタキシー法(MBE法)や液相エピタキシ
ー法(LPE法)等で順次堆積する、その後、リソグラフィ
ーによりパターニングし、各電極に対応した形状にエッ
チングする。更に、シリコン窒化膜(SiNx)を化学気相体
積法(CVD法)で１μｍ堆積し表面を保護する。

【００７７】次に、基板の反対面にｐ型GaAs層を分子線
エピタキシー法(MBE法)や液相エピタキシー法(LPE法)で
3000Å、アルミニウム等の金属層を1μｍ、スパッター
で順次堆積する。ｎ型GaAs層を堆積した側のシリコン窒
化膜をエッチングにより開口し、下部接続電極となるア
ルミニウム等の金属層をスパッター等で１μｍ堆積す
る。更にに、リソグラフィーによりパターニング後、不
要部分をエッチングし電極を形成する。

【００７８】下側の電気回路基板は、少なくとも表面が
絶縁である基板２１０上に、蓄積用コンデンサ及びスイ
ッチ素子である薄膜トランジスタ(TFT)と、信号を転送
するための配線等が形成されている。層構成はそれぞ
れ、絶縁基板上にクロム(Cr)等からなる蓄積用コンデン
サの下部電極２１１とＴＦＴのゲート電極２１６、絶縁
層であるアモルファス窒化シリコン(a-SiNx)層２１２、
２１７、ＴＦＴのチャネル層や蓄積用コンデンサの誘電
体層となる水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)層２１
３、２１８、上部電極のオーミックコンタクトを取るた
めのｎ⁺型a-Si:H層２１４、２１９、蓄積用コンデンサ
の上部電極及びＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と
なるＡｌ等の金属からなる電極層２１５、２２０、及び
保護層となるa-SiNx層２２１、光電変換層と接続のため
の上部接続電極層２２２からなっている。上部接続電極
層はコンタクトホールを介して蓄積用コンデンサの下部
電極と接続されている。

【００７９】また、少なくとも表面が絶縁である基板上
にCr等の金属をスッパターにより1000Å形成する。その
後、リソグラフィーでパターニングした後、エッチング
し、蓄積用コンデンサの下部電極とＴＦＴのゲート電極
に分離する。次に、絶縁層となるa-SiNx層3000Å，a-S
i:H層3000Å、ｎ型a-Si:H層750Å順次ＣＶＤ法で堆積す
る。リソグラフィーでパターニングした後、リアクティ
ブイオンエッチング(RIE)でエッチングし、蓄積用コン
デンサとＴＦＴに分離し、更に、ＴＦＴと蓄積用コンデ
ンサを接続するためのコンタクトホールをＲＩＥで形成
する。

【００８０】Ａｌをスパッターで1μｍ堆積しリソグラ
フィーでパターニングした後、エッチングし、ＴＦＴの
ソース電極、ドレイン電極、蓄積用コンデンサの上部電
極及び信号転送配線に分離する。また、保護層となるa-
SiNxをＣＶＤ法で堆積し、ＲＩＥを用いて下部電極と上
部接続電極とを繋ぐためのコンタクトホールを形成す
る。更に、上部接続電極となる、Ａｌ等の金属層をスッ
パター等で堆積し、リソグラフィーでパターニングした
後、ＲＩＥで不要な部分をエッチングし、上部接続電極
層を形成する。

【００８１】なお、図１１では２画素分のみ図示してい
るが、実際には用途に応じて多数の画素が同時に形成さ
れることは言うまでもない。また、各層の厚さはこれに
限らず最適な膜厚を用いるものとする。

【００８２】センサ素子とＴＦＴの接続方法は、センサ
素子にバンプ２０８を形成し、異方導電接着剤で両者を
電気的に接続する。バンプはセンサ素子に金(Au)１μ
ｍ、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)からなるバリアメタル
を形成した後、15μｍ高さのＡｕのバンプを形成する。

【００８３】図１２はGaAs基板のセンサ素子を、図１３
は下側の電気回路基板をそれぞれ両者の接続側から見た
模式図を示す。図１２に示すようにセンサ素子のキャリ
ア供給電極はすだれ状になっており、すべて同電位が与
えられる。電圧は３１０を介してＴＦＴから供給され
る。

【００８４】下側の電気回路基板は、ＴＦＴ４０７、蓄
積用コンデンサ４０８からなる画素とＴＦＴのゲート電
極にバイアスを供給するゲートバイアス線４００〜４０
２、ＴＦＴから出力された電気信号を読み出し回路へ転
送するための信号転送線４０３〜４０５、蓄積用コンデ
ンサの上部電極と接続され、電位を固定するための電極
４０６、センサ素子と接続され、キャリア供給電極に電
圧を与える電極等で構成されている。

【００８５】電極４０６、ゲート電極４００〜４０２は
蓄積用コンデンサの下部電極と同じ材料で、信号転送線
は蓄積用コンデンサの上部電極と同じ材料で形成され、
それぞれ下部電極及び上部電極の形成時に作られる。

【００８６】図１２及び図１３において、3×3画素の例
を示したが、実際の画素数はこれに限らない。また、Ｔ
ＦＴからキャリア供給電極へ電圧を供給する方法を示し
たが、本発明はこれに限らず、何らかの方法でセンサ素
子から直接電源へ接続する方法でも構わない。

【００８７】ここで、図１１〜図１３においては直接型
の放射線検出素子を用いた二次元エリアセンサについて
説明したが、これは第１の実施形態の図１の二次元エリ
アセンサに相当する。従って、第３の実施形態における
全体の構成としては図１の二次元エリアセンサ１０４の
代わりに図１１〜図１３で説明した直接型二次元エリア
センサを用い、その他の構成は図１と同じ構成とする。
但し、直接型二次元エリアセンサを用いているため蛍光
体１０３は不要である。

【００８８】また、第３の実施形態において、無被写体
明状態撮影出力において信号線オープンが存在している
事が、信号線オープン／座標検知手段１１１により検知
された場合は、その信号線オープン座標を演算処理回路
１１２により求め、得られた信号線オープン座標を用い
て、メモリ回路１１０に記憶しておいた二次元エリアセ
ンサ１０４の有被写体撮影出力の信号線オープンが存在
するラインの撮影出力を補正することは、第１の実施形
態と全く同様である。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、切
断された信号線の切断されている座標を検知し、その座
標を用いて被写体がある時の撮影出力を補正することに
より、信号線が切断された状態である時、アナログ演算
増幅器を電圧増幅型で構成した場合であっても、信号線
が切断される部分のところまでのセンサの正常な出力信
号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の撮像装置の第1の実施形態を示す全体
システムブロック図である。

【図２】第1の実施形態の補正回路の動作を示すフロー
チャートである。

【図３】第１の実施形態の撮像装置で撮影した無被写体
撮影出力の補正前の画像例を示す図である。

【図４】第１の実施形態の撮像装置で撮影した無被写体
撮影出力の補正後の画像例を示す図である。

【図５】第１の実施形態に用いる二次元エリアセンサを
示す全体回路図である。

【図６】図５の二次元エリアセンサの１画素に相当する
各構成素子を示す平面図及び断面図である。

【図７】図５の二次元エリアセンサの動作を示すタイミ
ングチャートである。

【図８】本発明の第２の実施形態に用いる二次元エリア
センサの１画素の等価回路図である。

【図９】図８の１画素の断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態に用いる二次元エリ
アセンサを示す等価回路図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態に用いる画素の断面
図である。

【図１２】第３の実施形態におけるGaAs基板のセンサ素
子を接続側から見た模式図である。

【図１３】第３の実施形態における下側の電気回路基板
を接続側から見た模式図である。

【図１４】従来例の二次元撮像装置を示す全体回路図で
ある。

【図１５】図１４の動作を示すタイミングチャートであ
る。

【図１６】図１の二次元撮像装置の信号線オープンの例
を示す図である。

【符号の説明】

１０１患者（被写体）１０２Ｘ線源１０３蛍光体１０４二次元エリアセンサ１０５撮影スイッチ１０７制御回路１１０メモリ回路１１１信号線オープン／座標検知手段１１２演算処理回路１１３補正回路２０４、５０２ＧａＡｓ基板２１０、５１５ガラス基板５０３トランジスタ５０５ＧａＡｓ基板の共通電極５０６ＧａＡｓ基板の電荷収集電極５０７導電性接着剤５０８トランジスタ及び蓄積容量に接続されている接
合電極Ｔ１１トランジスタＣ１１蓄積容量Ｓ１１ＧａＡｓセンサ素子Ｒ１１ＧａＡｓセンサ部ｇ１〜ｇ２０００制御線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ２０００読み出し信号線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｂ 42/02 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ５Ｃ０５１Ｈ０４Ｎ 1/028 5/32 ５Ｃ０７２ 1/04 5/335 Ｐ 1/19 Ｇ０１Ｎ 23/04 5/32 Ａ６１Ｂ 6/00 ３５０Ｚ 5/335 Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｅ // Ｇ０１Ｎ 23/04 １０３ＥＦターム(参考） 2G001 AA01 BA11 CA01 DA01 DA02 DA09 DA10 FA01 FA06 FA08 GA04 HA12 LA01 2H013 AB02 4C093 AA30 CA36 CA50 EB12 EB13 EB17 EB20 FC16 FC17 FD01 FF01 GA06 GA07 5B047 AA17 AB02 BA02 BB04 BC01 BC11 BC14 CB05 CB22 DA06 DC06 5C024 AX11 CX22 GY31 HX13 HX14 HX29 HX57 5C051 AA01 BA02 DA06 DB01 DB04 DB07 DB18 DB30 DC03 DC07 DE13 DE17 5C072 AA01 BA15 CA06 EA08 FB25 FB27 UA11 UA20 VA01 XA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二次元に配列され、入射量に応じた電荷
を発生する複数の光感知センサ又は放射線感知センサを
含む二次元エリアセンサを有する撮像装置において、被
写体がない明状態の撮影出力を記憶する手段と、前記記
憶手段に記憶された撮影出力に基づいて切断された信号
線及びその切断されている座標を検知する手段と、被写
体がある状態の撮影出力を記憶する手段と、前記座標検
知手段で検知された座標を用いて、前記被写体がある状
態での撮影出力を補正する手段とを有することを特徴と
する撮像装置。
【請求項２】前記座標検知手段は、前記被写体のない
明状態での各撮影出力をその周りの前後左右の撮影出力
と比較することにより、切断された信号線及びその切断
されている座標を検知することを特徴とする請求項１に
記載の撮像装置。
【請求項３】前記補正手段は、切断された信号線の切
断されている箇所までの撮影出力を（Vhout）、各行に
おけるセンサ数を（Nall）、信号線の切断されている箇
所までのセンサ数を（Nh）とする場合、（Vout）＝（Vhout）×（Nh）／（Nall）を切断箇所までの正常な撮影出力として算出することを
特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】二次元に配列され、入射量に応じた電荷
を発生する複数の光感知センサ又は放射線感知センサを
含む二次元エリアセンサと、前記二次元エリアセンサに像情報を入射する像情報入射
手段と、被写体がない明状態の撮影出力を記憶する無被写体撮影
出力記憶手段と、被写体がない明状態の撮影出力に基づいて切断された信
号線及びその切断されている座標を検知する手段と、被写体がある状態の撮影出力を記憶する有被写体撮影出
力記憶手段と、前記信号線の切断されている座標を用いて、前記有被写
体撮影出力記憶手段に記憶された撮影出力を補正する演
算処理回路と、前記各手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】前記像情報入射手段は、放射線源及び蛍
光体から構成され、前記放射線源と蛍光体との間に被写
体を配置可能に構成されていることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項記載の撮像装置。
【請求項６】二次元に配列され、入射量に応じた電荷
を発生する複数の光感知センサ又は放射線感知センサを
含む二次元エリアセンサと、前記二次元エリアセンサに像情報を入射する像情報入射
手段と、被写体がない明状態の撮影出力を記憶する無被写体撮影
出力記憶手段と、被写体がない明状態の撮影出力に基づいて切断された信
号線及びその切断されている座標を検知する手段と、被写体がある状態の撮影出力を記憶する有被写体撮影出
力記憶手段と、を有する撮像装置の撮像方法において、前記検知手段で検知された信号線の切断されている座標
を用いて、前記有被写体撮影出力記憶手段に記憶された
撮影出力を演算処理回路で処理し、前記検知された信号
線の切断されている箇所までの正常な撮影出力を算出す
ることにより、被写体がある状態の撮影出力を補正する
ことを特徴とする撮像方法。