JP2010056570A - 放射線検出装置及びその駆動方法、並びに光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MIS型光電変換部11にて得られた電気信号のスイッチング手段として、電気信号を転送する信号転送動作を行う転送用TFT12と、MIS型光電変換部11に一定電位を印加して信号リセット動作を行うリセット用TFT19を備えており、1ラインの各画素について読み出し動作として信号転送動作を実行している間に、既に読み出された前段の1ラインにおける各画素のリセット動作が行われる。
【選択図】図1
Description
図中、101は光電変換素子部、102は転送用TFT部、103は転送用TFT駆動配線、104は信号線、105はバイアス配線、106は信号処理回路、107はTFT駆動回路、108はA/D変換部である。
変換光は、変換素子101により電荷に変換され、変換素子101内に蓄積される。その後、TFT駆動回路107より、TFT駆動配線から転送TFT102を動作させ、この蓄積電荷を信号線104に転送し、信号処理回路106にて処理され、更に、108にてA/D変換され出力される。
図中、201はMIS型光電変換素子、202は転送TFT、203は転送TFT駆動配線、204は信号線である。205はセンサーバイアス配線、211は転送TFTゲート電極、212は転送TFTソースドレイン電極(以下、SD電極と略記)、213はコンタクトホールである。
図中、301はガラス基板、302は転送用TFT駆動配線、303はMIS型光電変換素子の下電極である。304は転送用TFTゲート電極、305はゲート絶縁膜、306は真性a-Si膜、307はホールブロッキング層、308はバイアス配線、309は転送TFTSD電極、310は信号線、320は保護膜、321は有機樹脂層、322は蛍光体層である。
図中、C1はMIS型光電変換素子の合成容量、C2は信号線に形成される寄生容量、Vsはセンサーバイアス電位、Vrはセンサーリセット電位である。SW1はMIS型光電変換素子のVs/Vr切り替えスイッチ、SW2は転送TFTのオン/オフ切り替えスイッチ、SW3は信号線リセットスイッチ、Voutは出力電圧である。
図中、T1は1ラインの読み取り等処理時間、T2は全ラインの読み取り等処理時間、T3はリセット等処理時間、Tは1フレーム処理時間である。上述のように、1フレーム処理時間Tが33msec以下が必要であれば、リセット等処理時間T3が15msecとすれば、T2は18msecとなり、1500ラインを読み込むとすると1ラインに割り当てられる読み取り等処理時間T1は12μsecとなる。また、放射線曝射時間、即ちセンサー蓄積時間を入れると、更に、読み取り等処理時間T1は制限される。その結果、転送TFTの能力を向上させる必要があり、これにより開口率を犠牲にしてTFTのサイズを大きくすることにつながり、逆に、感度低下や画像品位の低下、放射線量の増加など問題点が多発する。
本実施形態では、MIS型光電変換素子を放射線検出するセンサー部として用いたFPD型のX線検出装置を開示する。
図中、11は変換素子であるMIS型光電変換素子、12は第1の薄膜トランジスタ(スイッチ素子)である転送用TFT、13は転送用TFT駆動配線、14は信号線、15はバイアス配線、16は信号処理回路である。17はTFT駆動回路、18はA/D変換部、19は第2のスイッチ素子であるリセット用TFT、20はリセットTFT駆動用配線、21はリセット配線である。変換素子11と後述する放射線を波長変換する波長変換体により放射線検出部が形成される。
Vgt(1)より転送TFTのオン電圧が印加され、Sig線を介して出力される。次に、Vgr(1)よりリセットTFTのオン電圧が印加され、センサーがリセットされ、同様に、Vgt(2)より転送TFTのオン電圧が印加されてSig線を介して出力される。次に、Vgr(2)よりリセットTFTのオン電圧が印加され、センサーがリセットされる。以上の動作を図2においては、Vgt(1)、Vgr(1)、Vgt(2)、Vgr(2)、・・・、Vgt(4)、Vgr(4)・・と順番に駆動することにより、動画読み取りとリセットが可能となる。
図中、S1は1ラインの読み出し処理時間、S2は1ラインのリセット処理時間、S4はセンサー蓄積時間、Sは1フレーム処理時間である。
図中、転送用TFT12とリセット用TFT19は駆動配線、信号配線などのレイアウト上、画素対角位置に配置している。図13に図4のA−A断面図を、図14に図4のB−B断面図をそれぞれ示す。11が光電変換素子、12が信号転送用TFT、19がリセット用TFTである。この図から明らかなように、光電変換素子の下電極303と、信号転送用TFT及びリセット用のゲート電極とが接続された構成、すなわち、信号転送用TFTとリセット用TFTが光電変換素子の同一電極に接続された構成となっている。このような構成にすることにより好適なリセット動作を行なうことが可能となる。
先ず、図5(a)に示すように、転送用TFTの駆動用配線13、ゲート電極、及びMIS型光電変換素子の下電極303、リセットTFTの駆動配線20を形成する、ゲート電極としては、以下のものとする。即ち、クロム薄膜をスパッタにより膜厚150nm程度に成膜し、フォトリソグラフィーによりパターン形成する。
次に、転送TFT及びリセットTFTのギャップ部のn+膜をRIEで除去する。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にMIS型光電変換素子を用いたFPD型のX線検出装置について開示するが、第1の実施形態のX線検出装置の更なる感度向上、換言すれば開口率向上、及びTFT駆動回路を単純化することを実現するものである。
なお、ここでは例示的に3×3マトリクス構成を示すが、実際には更に多数行多数列で構成されるものである。また便宜上、第1実施形態と同様の構成部材等については同符号を付す。
図中、11はMIS型光電変換素子、12は転送用TFT部、13は転送用及びリセットTFT駆動配線、14は信号線、15はバイアス配線、16は信号処理回路、17はTFT駆動回路、18はA/D変換部、19はリセットTFT、21はリセット配線である。
Vg(1)より転送TFT TT1のオン電圧が印加され、Sig線を介して出力される。次に、Vg(2)よりリセットTFT TR1のオン電圧が印加され、センサーがリセットされる。この時、同時に転送TFT TT2にオン電圧が印加され、同様に、Sig線を介して出力される。次に、Vg(3)よりリセットTFT TR2のオン電圧が印加され、センサーがリセットされる。以上の動作を繰り返すことにより、動画読み取りが可能となる。
図中、S1は1ラインの読み出し処理等時間、S2は1ラインのリセット処理等時間、S4はセンサー蓄積時間、Sは1フレーム処理時間である。
図中、転送用TFT12とリセット用TFT19は、駆動配線、信号配線などのレイアウト上、画素対角位置に配置している。また、構造上の特徴から、転送TFTとリセットTFTのオン時間は同一であるため、夫々のTFT能力は必ずしも同一である必要が無く、駆動方法、或いは、画像品位を考慮した上で決定される。
なお、上述の各実施形態では、光電変換手段としてMIS型光電変換素子を用いた場合を例示したが、例えばPIN型PDを用いても同様の効果が得られる。
本実施形態では放射線を直接電荷に変換して蓄積し、転送TFTを用いて読み出す、いわゆる直接変換方式を実現するものである。
なお、ここでは例示的に3×3マトリクス構成を示すが、実際には更に多数行多数列で構成されるものである。
図中、41はガラス基板、42は非晶質セレン又はGaAsからなる放射線直接変換部、50は共通電極、32は個別電極である。また、43は導電性樹脂によるバンプ接続部、51は転送TFT及びリセットTFTのゲート電極であり、45,46,47はそれぞれ両TFTのゲート絶縁膜、活性層、オーミックコンタクト層であり、52は蓄積用部の下電極である。
本実施形態の放射線検出装置の断面図を図15に示す。
本実施形態においては、MIS型光電変換素子を転送TFT及びリセットTFT上に平坦化膜を介して積層して構成している。図中、41はガラスなどの絶縁基板、61は転送TFTのゲート電極、62はリセットTFTのゲート電極、45はゲート絶縁膜,46は半導体層、47はオーミックコンタクト層である。63は平坦化膜、64は光電変換素子の第1の電極層、65は絶縁層、66は半導体層、67はオーミックコンタクト層、68は第2の電極層である。3×3マトリックス構成の模式的等価回路図は図1等に示したものと同様でよく、3×1マトリックス構成の模式的回路図は図2等に示したものと同様である。
12,22,102,202,302 転送用TFT部
13,103,203 転送用TFT駆動配線
14,24,104,310 信号線
15,105,205,308 バイアス配線
16,26,106 信号処理回路
17,27,107 TFT駆動回路
18,28,108 A/D変換部
19,29 リセット用TFT
20 リセットTFT駆動用配線
21,31 リセット配線
23 転送用TFT及びリセットTFT駆動配線
25 リセットTFTのSD電極
30 蓄積容量部
32 個別電極
11,201 MIS型PD
211,304 転送TFTゲート電極
24,212,309 転送TFTソースドレイン電極
213 コンタクトホール
41,301 ガラス基板
303 MIS型PD下電極
305 ゲート絶縁膜
306 真性a-Si膜
307 ホールブロッキング層
320 保護膜
321 有機樹脂層
322 蛍光体層
42 放射線直接変部
50 共通電極
43 導電性樹脂
51 転送TFT及びリセットTFTのゲート電極
45,46,47 ゲート絶縁膜、活性層、オーミックコンタクト層
52 蓄積用部の下電極
C1 MIS型PDの合成容量
C2 信号線に形成される寄生容量
Vs センサーバイアス電位
Vr センサーリセット電位
SW1 MIS型PDのVs/Vr切り替えスイッチ
SW2 転送TFTのオン/オフ切り替えスイッチ
SW3 信号線リセットスイッチ
Vout 出力電圧
Vt 電位差
S1、T1 1ラインの読み取り処理時間
T2 全ラインの読み取り処理時間
T3 リセット処理時間
S,T 1フレーム処理時間
S2 1ラインのリセット処理時間
S3 1ライン処理時間
S4 センサー蓄積時間
Claims (12)
- 放射線を電荷に変換する変換素子と、前記変換素子に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力する出力動作を行う出力用薄膜トランジスタと、前記変換素子に一定電位を印加してリセット動作を行うリセット用薄膜トランジスタと、を含む画素を行列状に複数有しており、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタが前記変換素子の同一電極に接続されており、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させる駆動回路と、出力された前記電気信号を処理する信号処理回路と、を有する放射線検出装置であって、
前記変換素子は、第1の電極層と、センサーバイアス電位が与えられる第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられた半導体層と、を含み、
前記出力用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、前記信号処理回路と接続された第2の主電極と、を含み、
前記リセット用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、第2の主電極と、を含み、複数の前記画素の前記リセット用薄膜トランジスタ前記第2の主電極は、前記変換素子に前記一定電位であるセンサーリセット電位を印加するためのリセット配線に共通に接続されており、
所定の前記画素において、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタと前記変換素子との間に平坦化膜を有し、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタの上に前記第1の電極層が配置されて前記変換素子が設けられており、前記出力動作の後に前記制御電極にオン電圧が印加されて前記リセット動作が実行され得ることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記駆動回路は、所定の1行における前記出力用薄膜トランジスタによる出力動作が、当該行の前に前記出力動作を終了した1行の前記リセット用薄膜トランジスタによるリセット動作と、前記所定の1行における前記リセット用薄膜トランジスタによるリセット動作と、の間に実行されるように、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記駆動回路は、所定の1行における前記出力用薄膜トランジスタによる出力動作が、当該行の前に前記出力動作を終了した1行の前記リセット用薄膜トランジスタによるリセット動作の間に実行されるように、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 所定行の前記画素の前記出力用薄膜トランジスタと、前行の前記画素の前記リセット用薄膜トランジスタとが同一の駆動用配線に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置。
- 前記駆動回路は、所定の1行における前記リセット用薄膜トランジスタによるリセット動作が、当該行の後に行われる複数行の前記出力動作を行う期間にわたって実行されるように、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子は、放射線を可視光に変換するCsI又はGOSの波長変換部材と、前記半導体層で前記可視光を前記電荷に変換する光電変換素子と、を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子は、前記第1の電極層と前記半導体層との間に設けられた絶縁層と、前記半導体層と前記第2の電極層との間に設けられたキャリアブロッキング層とを更に含む構成であり、前記半導体層は、非単結晶シリコンを用いて構成されたものであることを特徴とする請求項6に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子は、放射線を直接電荷に変換する部材から構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記リセット用薄膜トランジスタは、制御電極と第1及び第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記変換素子に接続され、複数の前記画素の前記第2の主電極がリセット配線に接続されることにより、前記変換素子に前記一定電位が印加されることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 放射線を電荷に変換する変換素子と、前記変換素子に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力する出力動作を行う出力用薄膜トランジスタと、前記変換素子に一定電位を印加してリセット動作を行うリセット用薄膜トランジスタと、を含む画素を行列状に複数有しており、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタが前記変換素子の同一電極に接続されており、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させる駆動回路と、出力された前記電気信号を処理する信号処理回路と、を有する放射線検出装置の駆動方法であって、
前記変換素子は、第1の電極層と、センサーバイアス電位が与えられる第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられた半導体層と、を含み、
前記出力用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、前記信号処理回路と接続された第2の主電極と、を含み、
前記リセット用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、第2の主電極と、を含み、複数の前記画素の前記リセット用薄膜トランジスタ前記第2の主電極は、前記変換素子に前記一定電位であるセンサーリセット電位を印加するためのリセット配線に共通に接続されており、
前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタと前記変換素子との間に平坦化膜を有し、且つ、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタの上に前記第1の電極層が配置されて前記変換素子が積層して設けられている所定の画素の前記出力動作の後に、前記所定の画素の前記リセット動作を実行することを特徴とする放射線検出装置の駆動方法。 - 所定の1行における前記リセット用薄膜トランジスタによるリセット動作が、当該行の後に行われる複数行の前記出力動作を行う期間にわたって実行されるように、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させることを特徴とする請求項10に記載の放射線検出装置の駆動方法。
- 光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子に接続され前記電荷に応じた電気信号を出力する出力動作を行う出力用薄膜トランジスタと、前記光電変換素子に一定電位を印加してリセット動作を行うリセット用薄膜トランジスタと、を含む画素を行列状に複数有しており、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタ前記光電変換素子の同一電極に接続されており、前記出力用薄膜トランジスタと前記リセット用薄膜トランジスタとを駆動させる駆動回路と、出力された前記電気信号を処理する信号処理回路と、を有する光電変換装置であって、
前記光電変換素子は、第1の電極層と、センサーバイアス電位が与えられる第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられた半導体層と、を含み、
前記出力用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、前記信号処理回路と接続された第2の主電極と、を含み、
前記リセット用薄膜トランジスタは、前記駆動回路に接続された制御電極と、前記第1の電極層と接続された第1の主電極と、第2の主電極と、を含み、複数の前記画素の前記リセット用薄膜トランジスタ前記第2の主電極は、前記光電変換素子に前記一定電位であるセンサーリセット電位を印加するためのリセット配線に共通に接続されており、
所定の前記画素において、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタと前記光電変換素子との間に平坦化膜を有し、前記出力用薄膜トランジスタ及び前記リセット用薄膜トランジスタの上に前記第1の電極層が配置されて前記光電変換素子が設けられており、前記出力動作の後に前記制御電極にオン電圧が印加されて前記リセット動作が実行され得ることを特徴とする光電変換装置。
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