JP2003258227A - 放射線検出装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号成分及びノイズ成分を夫々に影響を与え
ることなく、単独で向上でき、感度の向上が可能な放射
線検出装置を実現する。 【解決手段】 ノイズ成分においては、信号線とスイッ
チＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層１４、
半導体層１５、第２の絶縁層１６の積層構造とすること
により、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信
号線ノイズ、ＩＣノイズを低減する。また、信号成分に
おいてはｎ⁺膜の機能であるホールブロッキング機能と
電極機能を、夫々、ｎ⁺膜と透明導電膜に機能分離する
ことにより、ｎ⁺膜を薄膜化し、光入射効率を向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、X線、γ線等の放
射線を用いた放射線検出装置及びその製造方法、特に、
医療画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分
析装置等に好適な放射線検出装置及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、医療画像診断で用いられる撮影方
法は、静止画像を得る一般撮影と動画像を得る透視撮影
に大きく分類される。夫々の撮影方法は、必要に応じて
撮影装置を含めて選択されている。このうち、一般撮
影、即ち、静止画を得る方法は、蛍光板とフィルムを組
み合わせたスクリーンフィルム系（以下、S/Fと略記）
を用い、フィルムを露光、現像した後、定着する方法、
或いは放射線画像を輝尽性蛍光体に潜像として記録した
後、輝尽性蛍光体にレーザ光を走査し、出力された光出
力情報をセンサで読み取る（コンピューティッドラジオ
グラフィ、以下、ＣＲと略記）方法が一般的である。

【０００３】しかしながら、これらの両方法は、放射線
画像を得るためのワークフローが煩雑であると言った欠
点があり、且つ、デジタル化は間接的には可能である
が、即時性に欠け、他の医療画像診断で用いられるＣ
Ｔ、ＭＩＲ等のデジタル化された環境を考慮すると、整
合性のある十分な状況とは言い難い。

【０００４】また、透視撮影、即ち、動画像は、電子管
を用いたイメージインテンシファイア（以下、Ｉ．Ｉと
略記）が主に使用されているが、電子管を用いるため装
置が大規模となるばかりか、未だ、視野領域、即ち、検
出面積が小さい。しかし、医療画像診断分野においては
大面積化が切望されているため、それに使用するには検
出面積を大きくする必要がある。更に、装置構成上の問
題から、得られた動画像はクロストークが多く、鮮明な
画像を得るための改善が期待されている。

【０００５】一方、液晶ＴＦＴ技術の進歩、情報インフ
ラの整備が充実した現在では、非単結晶シリコン、例え
ば、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記）を用いた
光電変換素子とスイッチＴＦＴにより構成されたセンサ
アレーと、放射線を可視光等に変換する蛍光体とを組み
合わせたフラットパネル検出器（以下、ＦＰＤと略記）
が提案され、大面積で、且つ、真のデジタル化の可能性
が出てきている。

【０００６】このＦＰＤは、放射線画像を瞬時に読み取
り、瞬時にディスプレイ上に表示できるものであり、し
かも、画像はデジタル情報として直接取り出すことが可
能であるため、データの保管、或いは、加工、転送等取
り扱いが便利であるといった特徴がある。また、感度等
の諸特性は撮影条件に依存するが、従来のＳ／Ｆ系撮影
法、ＣＲ撮影法に比較して、同等又はそれ以上である事
が確認されている。

【０００７】図１７は従来のＦＰＤの模式的等価回路図
を示す。図中、１０１は光電変換素子部、１０２は転送
用ＴＦＴ部、１０３は転送用ＴＦＴ駆動配線、１０４は
信号線、１０５はバイアス配線、１０６は信号処理回
路、１０７はＴＦＴ駆動回路、１０８はＡ／Ｄ変換部で
ある。

【０００８】Ｘ線等の放射線は紙面上部より入射し、不
図示の蛍光体により可視光に変換される。変換光は、光
電変換素子部１０１により電荷に変換され、光電変換素
子部１０１内に蓄積される。その後、ＴＦＴ駆動回路１
０７の駆動により転送用ＴＦＴ駆動配線１０３を通して
転送用ＴＦＴ部１０２を動作させる。これにより、この
蓄積電荷は信号線１０４に転送され、信号処理回路１０
６で処理され、更に、A/D変換部１０８でＡ／Ｄ変換さ
れ出力される。

【０００９】基本的には、上述の様な素子構成が一般的
であり、特に、光電変換素子としてはＰＩＮ型フォトダ
イオード（以下、ＰＩＮ型ＰＤと略記）、やＭＩＳ型フ
ォトダイオード（以下、ＭＩＳ型ＰＤと略記）等様々な
素子が用いられている。このＭＩＳ型ＰＤは、本願発明
者等が特許第３０６６９４４号、ＵＳＰ６０７５２５６
等で提案しているものである。

【００１０】図１８は光電変換素子をＭＩＳ型ＰＤとし
た場合の１画素の模式的平面図を示す。図中２０１はＭ
ＩＳ型ＰＤ部の下電極、２０２はスイッチＴＦＴ駆動配
線、２０３はスイッチＴＦＴゲート電極、２０４はコン
タクトホール、２０５はセンサバイアス配線、２０６は
信号線、２０７はスイッチＴＦＴのソース・ドレイン電
極（以下、ＳＤ電極と略記）である。

【００１１】また、図１９は図１８の１画素内の各素子
を模式的に配列した場合の模式的断面図を示す。３０１
はガラス基板、３０２はスイッチＴＦＴ駆動配線、３０
３はＭＩＳ型ＰＤ下電極、３０４はスイッチＴＦＴゲー
ト電極、３０５はゲート絶縁膜、３０６は真性ａ−Ｓｉ
膜、３０７はホールブロッキング層、３０８はバイアス
配線、３０９は転送ＴＦＴ ＳＤ電極、３１０は信号
線、３２０は保護膜、３２１は有機樹脂層、３２２は蛍
光体層である。

【００１２】なお、図１９におけるＭＩＳ型ＰＤ下電極
３０３、スイッチＴＦＴ駆動配線３０２、スイッチＴＦ
Ｔゲート電極３０４、バイアス配線３０８、スイッチＴ
ＦＴＳＤ電極３０９、信号線３１０は、図１８における
ＭＩＳ型ＰＤ下電極２０１、スイッチＴＦＴ駆動配線２
０２、スイッチＴＦＴゲート電極２０３、バイアス配線
２０５、スイッチＴＦＴ ＳＤ電極２０７、信号線２０
６にそれぞれ対応する。

【００１３】次に、従来のＭＩＳ型ＰＤを用いたＦＰＤ
の製造方法を図１８、図１９及び図２０（ａ）〜図２０
（ｅ）を用いて説明する。なお、図２０では図１８と同
一部分は同一符号を付している。従来のＦＰＤの製造は
以下の工程で行う。

【００１４】（１）まず、図２０（ａ）に示すようにガ
ラス基板３０１上に第１の金属層によりスイッチＴＦＴ
駆動配線２０２、ＭＩＳ型ＰＤ下電極２０１、スイッチ
ＴＦＴゲート電極２０３を形成する。即ち、ガラス基板
上に第１の金属層を形成した後、第１の金属層をエッチ
ングすることにより、これらの配線２０２や電極２０
１、２０３を形成する。

【００１５】（２）次に、ゲート絶縁膜３０５、真性ａ
−Ｓｉ膜３０６、ホールブロッキング層３０７を順次積
層する（図１９参照）。

【００１６】（３）図２０（ｂ）に示すようにＭＩＳ型
ＰＤ下電極２０１とスイッチＴＦＴＳＤ電極２０７とを
接合するためのコンタクトホール２０４を形成する。

【００１７】（４）図２０（ｃ）に示すように第２の金
属層を積層し、１回目のレジストワークによりバイアス
配線２０５を形成する。この時、後述するスイッチＴＦ
ＴＳＤ電極２０７及び信号線２０６を形成する領域を２
１０で示すように島状に残す。

【００１８】（５）図２０（ｄ）に示すように２回目の
レジストワークによりスイッチＴＦＴ ＳＤ電極２０
７、信号線２０６を形成し、引き続いてn⁺半導体層（ホ
ールブロッキング層）を除去する。即ち、スイッチＴＦ
ＴのＳＤ電極間のギャップ部を形成し、同時にＭＩＳ型
ＰＤ部のn⁺半導体層を２１１で示すように電極として残
す。

【００１９】（６）図２０（ｅ）に示すように素子間分
離を行う。

【００２０】（７）次に、保護膜３２０を積層し、配線
引き出し部等、必要な領域を除去する。その後、蛍光体
層３２２を有機樹脂３２１等で張り合わせる。

【００２１】上述の様に製造されるＦＰＤは、図１８及
び図１９からも明らかな様にＭＩＳ型ＰＤとスイッチＴ
ＦＴは層構成が同一であるため、製造方法が簡便で、高
歩留り、低価格を実現できる利点がある。しかも、感度
等の諸特性も十分満足できるものと評価されており、現
在、一般撮影に用いられる装置としては、従来のＳ／Ｆ
法及びＣＲ法に代わって、上述のＦＰＤが採用されるに
至っている。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なＦＰＤにおいては、大面積で、且つ、完全デジタル化
が実現可能で、漸く、一般撮影に主に使用され始めてい
る状況であるが、感度といった点では、更なる向上が期
待されている。また、透視撮影を可能とするためには、
より一層の感度向上が必須と考えられている。

【００２３】図２１はＭＩＳ型ＰＤを用いたＦＰＤの１
ビットの等価回路を示す。図中、C１はＭＩＳ型ＰＤの
合成容量、C２は信号線に形成される寄生容量、Ｖｓは
センサバイアス電位、Ｖｒはセンサリセット電位、SW１
はＭＩＳ型ＰＤのVs/Ｖｒ切り替えスイッチ、SW２は転
送TFTのON/OFF切り替えスイッチ、SW３は信号線リセッ
トスイッチ、Ｖｏｕｔは出力電圧である。

【００２４】ＭＩＳ型ＰＤには、バイアス電位として半
導体層が空乏化する様にスイッチＳＷ１によりセンサバ
イアス電位Vsが与えられる。この状態で、蛍光体からの
変換光が半導体層に入射すると、ホールブロッキング層
で阻止されていた正電荷がａ-Ｓｉ層内に蓄積され、電
位差Ｖｔが発生する。その後、スイッチＳＷ２よりスイ
ッチＴＦＴのＯＮ電圧が印加され、電圧Ｖｏｕｔとして
出力される。出力Ｖｏｕｔは不図示の読出し回路（図１
７の信号処理回路１０６）により読み出され、その後ス
イッチＳＷ３により信号線がリセットされる。

【００２５】上述の駆動方法に従ってスイッチＴＦＴを
図１７に示すライン毎に順次ＯＮすることにより、１フ
レームの全読出しを完了する。その後、スイッチＳＷ１
よりＭＩＳ型ＰＤにリセット電位Ｖｒを与え、リセット
を行う。また、再度、同様にバイアス電位Ｖｓを与え、
画像読み取りの蓄積動作を行う。このようにして放射線
を用いての画像が得られる。

【００２６】ＭＩＳ型ＰＤの出力Ｖｏｕｔの飽和値は、
概ね電位Ｖｔに比例する。電位Ｖｔはバイアス電圧差Ｖ
ｓ−Ｖｒと内部ＧａｉｎＧの積により決まる。内部Ｇａ
ｉｎＧは、Ｃｉｎｓ/(Ｃｉｎｓ+Ｃsｅｍｉ)で求められ
る。出力電圧Ｖｏｕｔは、概ね電位Ｖｔに対しC1/C2容
量比で出力される。また、MIS型PDの感度は、光入射状
態での上述の飽和出力電圧、即ち、信号成分と、暗状態
での出力電圧、即ち、ノイズ成分の比で概ね表される。

【００２７】信号成分は、一般的には、（１）ＰＤ開口
率、（２）ＰＤ光入射効率、言い換えれば、真性ａ−Ｓ
ｉ膜内に入射する光量、更に、（３）内部Ｇａｉｎに依
存する。一方、ノイズ成分は以下に示す様々なノイズが
確認されている。 （１）ショットノイズ センサ開口率の平方根
に比例するショットノイズ （２）ＫＴＣノイズ Ｃ１容量の平方根に比
例するＫＴＣノイズ （３）信号配線ノイズ 配線抵抗の平方根、及びＣ
２容量に比例する配線ノイズ （４）ＩＣノイズ Ｃ２容量に比例する
ＩＣノイズ （５）ゲート配線ノイズ 配線抵抗の平方根に比例
する配線ノイズ 通常、感度向上を達成するためには、当然のことなが
ら、信号成分を増大させるか、或いは、ノイズ成分を減
少させるか、或いは、それらを同時に達成する必要があ
る。しかし、信号成分とノイズ成分は相互に関係してお
り、前者を改善した結果、後者に影響を及ぼし、結局、
感度改善には至らない場合が多い。

【００２８】例えば、信号成分を改善するために、上述
の（１）ＰＤ開口率を向上させる場合、配線幅、或い
は、配線間のスペースをシュリンクして、実現すること
が考えられるが、逆に、微細化に伴い、配線抵抗、或い
は、信号線の寄生容量が増大し、ノイズ成分が増大する
結果となる。即ち、信号成分は改善されるが、ノイズ成
分は増加することになり、感度低下を引き起こす場合が
ある。更に、微細化により配線ルールが厳しくなるた
め、歩留り低下等の生産性を低下させることになる。

【００２９】また、上述の（２）光入射効率において
も、同様に光電変換層であるａ−Ｓｉ膜に接合されてい
るオーミックコンタクト層は、キャリアブロッキング層
としての機能と上部電極としての機能が必要なため、光
吸収を無視できない５００Å程度以上の膜厚が必要であ
る。その結果、ｎ⁺膜での光吸収が感度低下を引き起こ
す。当然、ｎ⁺膜の薄膜化を実施した場合、逆に、ｎ⁺膜
の抵抗が大きくなり、ＰＤ上部電極として機能しない結
果となる。

【００３０】更に、上述の（３）内部Ｇａｉｎを向上さ
せる場合、ａ−Ｓｉ膜も厚膜化、或いは、ゲートＳｉＮ
膜の薄膜化を実施する必要がある。しかし、ａ−Ｓｉ膜
の厚膜化は、一方でスイッチＴＦＴの転送能力の低下を
引き起こし、その結果、ＴＦＴサイズの増大、開口率の
低下となる。また、その応力、異物発生等、生産上の問
題においても限度がある。また、ＳｉＮ膜の薄膜化は配
線交差部等での絶縁耐圧を考慮すると同様に限度があ
り、仮に、薄膜化を達成できたとしても、寄生容量Ｃ２
の増大によりノイズ成分が増加し、目立った感度向上は
達成できない。

【００３１】一方、ノイズ低減に着目して、ゲート配線
抵抗を低減する場合、ゲート配線の厚膜化、或いは、幅
広化が必要であるが、前者は配線交差部での絶縁耐圧の
低下を引き起こし、後者は開口率の低下を引き起こす事
になる。また、信号線の配線抵抗を低減する場合、信号
線の厚膜化、或いは、幅広化が必要であるが、前者は応
力の増大により生産設備上限度があるばかりか、加工上
の問題から厚膜化には限度がある。また、後者は上述と
同様に開口率の低下を引き起こす。

【００３２】以上の説明から明らかなように、現行の構
成では、設計において感度を最適化することは可能であ
るが、感度の向上には限界があった。そのため、より一
層感度を向上するためには、根本的な構成、或いは製造
プロセスの改良が必要であった。

【００３３】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、その目的は、信号成分、ノイズ成分をそれぞ
れに影響を与えることなく改善でき、より感度を向上す
ることが可能な放射線検出装置及びその製造方法を提供
することにある。

【００３４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、放射線信号を可視光に変換する蛍光体と、
前記可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記
光電変換素子の信号を読み出すスイッチＴＦＴとを有す
る放射線検出装置において、前記光電変換素子及びスイ
ッチＴＦＴは、夫々同一部材の電極層、第１の絶縁層、
半導体層、オーミックコンタクト層で構成され、且つ、
前記光電変換素子のバイアス配線と前記スイッチＴＦＴ
の駆動配線の配線交差部、或いは、前記スイッチＴＦＴ
の駆動配線と信号線の配線交差部は、少なくとも、前記
第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層を介して構成さ
れていることを特徴とする。

【００３５】また、本発明は、放射線信号を可視光に変
換する蛍光体と、前記可視光を電気信号に変換する光電
変換素子と、前記光電変換素子の信号を読み出すスイッ
チＴＦＴとを有する放射線検出装置の製造方法におい
て、（１）絶縁基板上に第１の金属層により前記光電変
換素子の下電極、前記スイッチＴＦＴのゲート電極、前
記スイッチＴＦＴのゲート駆動配線を形成する工程と、
（２）第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層を順次積
層する工程と、（３）前記光電変換素子及び前記スイッ
チＴＦＴのソース・ドレイン部の第２の絶縁層を除去す
る工程と、（４）n⁺型半導体層を積層する工程と、
（５）第２の金属層により前記光電変換素子のバイアス
配線及び前記スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極及
び信号線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

【００３６】本発明においては、ノイズ成分において信
号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の
絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造とすること
により、配線交差部で形成される寄生容量Ｃ２を低減
し、信号線ノイズ、ＩＣノイズを低減するものである。
更に、信号成分においては、ｎ⁺膜の機能であるホール
ブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ⁺膜と透明導
電膜機能分離することにより、ｎ⁺膜を薄膜化し、光入
射効率を向上させるものである。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００３８】（第１の実施形態）図１は本発明によるＭ
ＩＳ型ＰＤを用いた放射線検出装置の第１の実施形態を
示す模式的平面図である。なお、図１では１画素の構成
を示す。また、ここでは、放射線としてＸ線を用いてい
るが、α線、γ線等を用いてもよい。これは、以下の実
施形態でも同様である。図１において、１はＭＩＳ型Ｐ
Ｄ部、２はスイッチＴＦＴ部、３はスイッチＴＦＴ駆動
配線、４は信号線、５はバイアス配線である。

【００３９】ここで、図１では１画素の構成を示してい
るが、実際には、図１７に示すように図１の画素が２次
元に複数配列され、且つ、図１７と同様にＴＦＴ駆動配
線１０３、信号線１０４、バイアス配線１０５、信号処
理回路１０６、ＴＦＴ駆動回路１０７、Ａ／Ｄ変換部１
０８、後述する放射線を可視光に変換する蛍光体等を用
いて放射線検出装置が構成される。これは、以下の実施
形態でも同様である。なお、図１の画素における１ビッ
トの等価回路は図２１と同様であり、これは以下の実施
形態でも同様である。

【００４０】Ｘ線は上述の蛍光体（図示せず）により可
視光に変換され、ＭＩＳ型ＰＤ部１に入射する。入射光
はＭＩＳ型ＰＤ部１で光電変換され、ＰＤ部１内に蓄積
される。その後、スイッチTFT駆動配線３からＯＮ電圧
が印加され、スイッチＴＦＴ部２をＯＮ状態とすること
により信号線４を介して出力電圧が読み出される。その
後、バイアス配線５からリセット電圧がＭＩＳ型ＰＤ部
１に印加され、ＰＤ部１に蓄積された電荷をリセットす
る。

【００４１】図２は図１のＡ−Ａ線における模式的断面
図、図３は図１のＢ−Ｂ線における模式的断面を示す。
図中１０はガラス基板（絶縁基板）、１１はＭＩＳ型Ｐ
Ｄ部１の下電極、１２はスイッチＴＦＴのゲート電極、
１３はスイッチＴＦＴ駆動配線、１４は第１の絶縁膜、
１５は半導体層、１６は第２の絶縁膜、１７はオーミッ
クコンタクト層、１８はコンタクトホール、１９はバイ
アス配線、２０は信号線、２１はスイッチＴＦＴ ＳＤ
（ソース・ドレイン）電極、３０は保護層、３１は有機
樹脂層、３２は蛍光体層である。なお、図２、図３にお
けるスイッチＴＦＴ駆動配線１３、バイアス配線１９、
信号線２０は、図１におけるスイッチＴＦＴの駆動配線
３、バイアス配線５、信号線４にそれぞれ対応する。

【００４２】ここで、図１、図２、図３から明らかなよ
うにスイッチＴＦＴ駆動配線１３とバイアス配線１９と
の交差部、及びスイッチＴＦＴ駆動配線１３と信号線２
０との交差部は、第１の絶縁膜１４、半導体層１５、第
２の絶縁膜１６を介して構成されている。この結果、信
号線の寄生容量を低減することができる。本願発明者の
実験によれば、信号線の寄生容量であるＣ２容量を１５
〜２０％程度低減できることを確認した。また、寄生容
量を低減できるので、ＩＣノイズ、信号線ノイズを単独
で改善することができる。更に、ゲート線の寄生容量に
起因すると考えられているクロストークも同様に低減す
ることが可能である。

【００４３】更に、後述する製造方法より確認できる様
にＴＦＴのチャネル部が、真空を破らず形成できるた
め、従来例で説明した様なオーミックコンタクト層をエ
ッチングしてＴＦＴのチャネル部を形成するスイッチＴ
ＦＴに比較して、ＴＦＴ特性、即ち、閾値電圧、ＯＮ抵
抗、ＯＦＦ抵抗の均一性を向上できる。本願発明者の実
験によれば、例えば、閾値電圧のバラツキが±１．５Ｖ
以上であったものが、±１．０Ｖ程度に改善できること
を確認した。その結果、スイッチＴＦＴのＯＮ電圧、Ｏ
ＦＦ電圧のマージンを低減でき、低消費電力化が可能と
なる。

【００４４】次に、本実施形態の製造方法を図２、図３
及び図４（ａ）〜図４（ｆ）を参照して説明する。な
お、図４は１画素の構成を示す。また、図４の符号は図
２、図３の符号に対応している。本実施形態では、以下
の工程で製造を行う。

【００４５】（１）まず、ガラス基板１０上に第１の金
属層として、Ａｌ−Ｎｄ薄膜２５００Å、Ｍｏ薄膜３０
０Åの積層膜をスパッター装置により成膜する。

【００４６】（２）図４（ａ）に示すようにウエットエ
ッチングを用いたフォトリソグラフィー法により第１の
金属層のエッチングを行い、スイッチＴＦＴ駆動配線１
３、スイッチＴＦＴゲート電極１２、及びＭＩＳ型ＰＤ
の下電極１１をパターン形成する。

【００４７】（３）次に、第１の絶縁膜１４としてＳｉ
Ｎ層、半導体層１５としてａ−Ｓｉ膜、第２の絶縁膜１
６としてＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ装置を用いて、夫々
２５００Å、５０００Å、２０００Å成膜する（図２、
図３参照）。

【００４８】（４）図４（ｂ）に示すようにＲＩＥ或い
はＣＤＥを用いたフォトリソグラフィー法により、スイ
ッチＴＦＴチャネル部４１、及びスイッチＴＦＴ駆動配
線１３とバイアス配線１９の交差部４２、及びＭＩＳ型
ＰＤ下電極１１とバイアス配線１９の交差部４３、及び
信号線部４４、及び信号線２０とスイッチＴＦＴ駆動配
線１３の交差部４５以外の第２の絶縁膜１６を除去す
る。この時、コンタクトホール１８の第２の絶縁膜も除
去される。

【００４９】（５）次いで、オーミックコンタクト層１
７として、ｎ⁺層をプラズマＣＶＤ装置を用いて、１０
００Å成膜する。

【００５０】（６）図４（ｃ）に示すようにＲＩＥ或い
はＣＤＥを用いたフォトリソグラフィー法により、コン
タクトホール１８を形成する。この時、コンタクトホー
ル１８は良好なテーパー形状を実現するため、（４）の
工程で第２の絶縁膜１６を除去し、第１の絶縁膜１４、
ａ−Ｓｉ層１５、ｎ⁺層をエッチングする構成としてい
る。

【００５１】（７）次に、第２の金属層として、Ｍｏ薄
膜５００Å、Ａｌ薄膜１μｍ、Ｍｏ薄膜３００Åをスパ
ッター装置により成膜する。

【００５２】（８）図４（ｄ）に示すようにウエットエ
ッチングを用いたフォトリソグラフィー法によりバイア
ス配線１９をパターン形成する。この時、レジストパタ
ーンは、同時にスイッチＴＦＴ ＳＤ電極２１及び信号
線２０を形成する領域を、夫々のパターンを包括する島
状領域４６として残す。

【００５３】（９）次いで、図４（ｅ）に示すように再
度ウエットエッチングを用いたフォトリソグラフィー法
によりスイッチＴＦＴ ＳＤ電極２１、信号線２０をパ
ターン形成する。引き続いて、同一レジストパターンで
ＲＩＥを用いてｎ⁺膜を除去する。この時、レジストパ
ターンは、同時にＭＩＳ型ＰＤの上電極となる領域及び
バイアス線１９を包括する領域を島状領域４７として残
す。なお、（８）の工程と（９）の工程を入れ替えるこ
とは原理的に可能である。

【００５４】（１０）図４（ｆ）に示すようにＲＩＥ或
いはＣＤＥを用いたフォトリソグラフィー法により、第
１の絶縁膜１４、ａ−Ｓｉ膜１５を除去し、素子間分離
を行う。この時、第1の絶縁膜１４は必ずしも除去する
必要はなく、ａ−Ｓｉ膜１５のみを除去するだけでも十
分である。

【００５５】また、この素子間分離に関して、第１の絶
縁膜１４、ａ−Ｓｉ膜１５を一括して除去する様にＭＩ
Ｓ型ＰＤ部１の上部電極となるｎ⁺膜パターンを素子間
分離領域内に配置しているが、第１の絶縁膜１４、ａ−
Ｓｉ膜１５、ｎ⁺膜１７を一括して除去する様にするこ
とも、上述の（９）の工程において島状領域４７を素子
間分離領域外に配置することで可能である。図５はこの
場合の図１のＣ部の模式的断面図を示す。

【００５６】（１１）保護層３０として、ＳｉＮ膜２５
００ÅをプラズマＣＶＤ装置により成膜する。

【００５７】（１２）ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォ
トリソグラフィー法により、配線引き出し部等を露出さ
せる。

【００５８】（１３）最後に、蛍光体層３２を有機樹脂
３１等で張り合わせる。以上の工程により本実施形態の
放射線検出装置が完成する。

【００５９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。第２の実施形態は、第１の
実施形態の製造方法を簡略化した形態である。具体的に
は、第１の実施形態における（６）の工程と（１０）の
工程を同時に行うことにより製造工程を簡略化するもの
である。なお、放射線検出装置としての構成は第１の実
施形態と同様である。以下、本実施形態の製造方法につ
いて説明する。

【００６０】まず、（１）の工程から（５）の工程は第
１の実施形態と同様である。その後、（６）の工程とし
て、ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォトリソグラフィー
法により、コンタクトホール１８、及び素子間分離を同
時に行う。図６はこの素子間分離後の模式的平面図を示
す。図６では１画素分を示す。その後、第１の実施形態
における（７）の工程から（９）の工程、及び（１１）
の工程から（１３）の工程を行い、本実施形態の放射線
検出装置が完成する。

【００６１】なお、上述の一括処理工程は、第２の金属
層の加工時に第１の金属層がダメージを受けない様に材
料、或いは加工方法を選択する必要がある。これは、例
えば、単純に第１の金属層をＣｒ、第２の金属層をＡｌ
とする様にエッチング時の選択比が取れる異種金属で構
成すれば、原理的に可能である。しかし、第１の金属層
のＣｒの抵抗が大きいため、実際的には、第１の金属層
をＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、第２の金属層をＣｒ／Ａｌ／Ｍｏ
とし、第２の金属層のＡｌ／Ｍｏ膜をエッチングした
後、同一レジストパターンでＣｒエッチングを行うとい
った２段エッチングにより、第１の金属層であるＡｌ−
Ｎｄ／Ｍｏ膜との選択性を確保でき、また、配線材料の
選択性も広がり、低抵抗化を阻害することなく実現でき
る。

【００６２】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。第３の実施形態では、高歩
留まりを実現するための製造方法について説明する。放
射線検出装置の構成としては第１の実施形態と同様であ
る。具体的には、第１の実施形態の（８）の工程のバイ
アス配線１９の形成と、（９）の工程のスイッチＴＦＴ
ＳＤ電極２１の形成、信号線２０の形成とを一度に行
い、その後、スイッチＴＦＴのチャネル部のｎ⁺膜を除
去する製造方法である。図７（ａ）は配線形成時の模式
的平面図、図７（ｂ）はｎ⁺膜除去時の模式的平面図を
示す。なお、図７では１画素の構成を示す。

【００６３】本実施形態では、第２の金属層を一度で加
工する事から、配線形成時の歩留りを更に向上すること
が可能である。

【００６４】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施形態について説明する。第４の実施形態は、更に、
感度を向上することが可能な放射線検出装置の形態であ
る。図８は本実施形態の模式的平面図である。本実施形
態では、詳しく後述するように第１〜第３の実施形態に
対しオーミックコンタクト層上に透明導電膜を形成して
いる点が異なっている。その他の構成は第１〜第３の実
施形態と同様である。図８では１画素分の構成を示す。
図中１はＭＩＳ型ＰＤ部、２はスイッチＴＦＴ部、３は
スイッチＴＦＴの駆動配線、４は信号線、５はバイアス
配線である。

【００６５】図９は図８のＡ−Ａ線における模式的断面
図、図１０は図８のＢ−Ｂ線における模式的断面図を示
す。図中、１０はガラス基板、１１はＭＩＳ型ＰＤの下
電極、１２はスイッチＴＦＴゲート電極、１３はスイッ
チＴＦＴ駆動配線、１４は第１の絶縁膜、１５は半導体
層、１６は第２の絶縁膜、１７はオーミックコンタクト
層、１８はコンタクトホール、１９はバイアス配線、２
０は信号線、２１はスイッチＴＦＴ ＳＤ電極、２２は
透明導電膜、３０は保護層、３１は有機樹脂層、３２は
蛍光体層である。

【００６６】本実施形態では、図９、図１０に示すよう
に透明導電膜２２をオーミックコンタクト層１７上に形
成している。これは、後述するようにｎ⁺膜を薄膜化す
るために形成されている。なお、図９、図１０における
スイッチＴＦＴ駆動配線１３、バイアス配線１９、信号
線２０は、図８におけるスイッチＴＦＴの駆動配線３、
バイアス配線５、信号線４にそれぞれ対応する。

【００６７】図９及び図１０から明らかなようにスイッ
チＴＦＴ駆動配線１３とバイアス配線１９との交差部、
及びスイッチＴＦＴ駆動配線１３と信号線２０との交差
部は、第１の絶縁膜１４、半導体層１５、第２の絶縁膜
１６を介して構成されている。この結果、信号線の寄生
容量であるＣ２容量の１５〜２０％程度低減が可能とな
り、ＩＣノイズ、信号線ノイズを単独で低減できる。

【００６８】更に、後述する製造方法からも明かな様に
スイッチＴＦＴのチャネル部が、真空を破らず形成でき
るため、従来のエッチングにより形成されるスイッチＴ
ＦＴに比較して、ＴＦＴ特性、即ち、閾値電圧、ＯＮ、
０ＦＦ抵抗の均一性を向上できる。例えば、閾値電圧の
バラツキが±１.５Ｖ以上であったものが、±１．０Ｖ
程度に改善でき、その結果、ＯＮ／ＯＦＦ電圧のマージ
ンを低減でき、低消費電力化が可能となる。

【００６９】また、本実施形態では、透明導電膜２２を
形成することによってオーミックコンタクト層の機能で
あるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ⁺
膜と透明導電膜２２に機能分離させているので、ｎ⁺膜
を薄膜化することが可能となり、オーミックコンタクト
層での光吸収を低減でき、１０％以上の信号成分の向
上、即ち、感度向上を達成できる。

【００７０】次に、本実施形態の放射線検出装置の製造
方法を図９、図１０、及び図１１（ａ）〜図１１
（ｃ）、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）を参照して説明す
る。本実施形態では放射線検出装置の製造を以下の工程
で行う。なお、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）、図１２
（ａ）〜図１２（ｄ）では１画素の模式的平面図を示
す。

【００７１】（１）まず、ガラス基板（絶縁基板）１０
上に第１の金属層として、Ａｌ−Ｎｄ薄膜２５００Å、
Ｍｏ薄膜３００Åの積層膜をスパッター装置により成膜
する。

【００７２】（２）ウエットエッチングを用いたフォト
リソグラフィー法により第１の金属層のエッチングを行
い、スイッチＴＦＴ駆動用配線１３、スイッチＴＦＴゲ
ート電極１２、及びＭＩＳ型ＰＤの下電極１１をパター
ン形成する。図１１（ａ）はこの場合の模式的平面図を
示す。

【００７３】（３）第１の絶縁膜１４としてＳｉＮ層、
半導体層１５としてａ−Ｓｉ膜、第２の絶縁膜１６とし
てＳｉＮ層をプラズマＣＶＤ装置により夫々２５００
Å、５０００Å、２０００Å成膜する。

【００７４】（４）ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォト
リソグラフィー法によりスイッチＴＦＴチャネル部４
１、及びスイッチＴＦＴ駆動配線１３とバイアス配線１
９の交差部４２、及びＭＩＳ型ＰＤの下電極１１とバイ
アス配線１９の交差部４３、及び信号線部４４、及び信
号線２０とスイッチＴＦＴ駆動配線１３の交差部４５以
外の第２の絶縁膜１６を除去する。図１１（ｂ）はこの
場合の模式的平面図を示す。

【００７５】（５）オーミックコンタクト層として、ｎ
⁺層をプラズマＣＶＤ装置により３００Å成膜する。

【００７６】（６）ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォト
リソグラフィー法によりコンタクトホール１８を形成す
る。図１１（ｃ）はこの場合の模式的平面図を示す。こ
の時、コンタクトホール１８は、良好なテーパー形状を
実現するため、（４）の工程で第２の絶縁膜を除去し、
第１の絶縁膜、ａ−Ｓｉ層、ｎ⁺層をエッチングする構
成としている。

【００７７】（７）第２の金属層として、Ｍｏ薄膜５０
０Å、Ａｌ薄膜１μｍ、Ｍｏ薄膜３００Åをスパッター
装置により成膜する。

【００７８】（８）ウエットエッチングを用いたフォト
リソグラフィー法により、バイアス配線１９をパターン
形成する。図１２（ａ）はこの場合の模式的平面図を示
す。この時、レジストパターンは、同時にスイッチＴＦ
ＴのＳＤ電極、及び信号線を形成する領域は、夫々のパ
ターンを包括する島状領域４６として残す。

【００７９】（９）ＭＩＳ型ＰＤの上部電極として、Ｉ
ＴＯ薄膜４００Åをスパッター装置により成膜する。

【００８０】（１０）ウエットエッチングを用いたフォ
トリソグラフィー法によりＭＩＳ型ＰＤの透明導電膜
（上部電極）２２を形成する。図１２（ｂ）はこの場合
の模式的平面図を示す。

【００８１】（１１）再度、ウエットエッチングを用い
たフォトリソグラフィー法によりスイッチＴＦＴのＳＤ
電極２１、信号線２０をパターン形成する。引き続い
て、同一レジストパターンでＲＩＥを用いてｎ⁺膜を除
去する。図１２（ｃ）はこの場合の模式的平面図を示
す。この時、レジストパターンは、同時にＭＩＳ型ＰＤ
の上電極となる領域、及びバイアス線を包括する島状領
域４７を残す。

【００８２】（１２）ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォ
トリソグラフィー法により第１の絶縁膜、ａ−Ｓｉ膜を
除去し、素子間分離を行う。図１２（ｄ）はこの場合の
模式的平面図を示す。この時、第１の絶縁膜は必ずしも
除去する必要はなく、ａ−Ｓｉ膜のみを除去するだけで
も十分である。また、この素子間分離に関して、第１の
絶縁膜、ａ−Ｓｉ膜を一括して除去する様にＭＩＳ型Ｐ
Ｄ部の上部電極となるｎ⁺膜パターンを素子間分離領域
内に配置しているが、第１の絶縁膜、ａ−Ｓｉ膜、ｎ⁺
膜を一括して除去する様にすることも、上述の（１１）
の工程において島状領域４７を素子間分離領域外に配置
することで可能である。

【００８３】（１３）保護層３０として、ＳｉＮ膜２５
００ÅをプラズマＣＶＤ装置により成膜する。

【００８４】（１４）ＲＩＥ或いはＣＤＥを用いたフォ
トリソグラフィー法により配線引き出し部等を露出させ
る。

【００８５】（１５）蛍光体層３２を接着剤（有機樹脂
層３１）等で張り合わせる。以上により放射線検出装置
が完成する。

【００８６】なお、本実施形態の製造方法は、以下のよ
うな様々な変形が可能である。例えば、（８）の工程に
引き続いて、（１１）の工程、（９）の工程、（１０）
の工程の順に入れ替えることが原理的に可能である。ま
た、この際、上述の順序において、（８）の工程と、
（１１）の工程を入れ替えることも可能である。

【００８７】更に、（６）の工程に引き続いて（９）の
工程、（１０）の工程、（７）の工程、（８）の工程、
（１１）の工程の順に入れ替えることができ、この時、
同様に（８）の工程と（１１）の工程を入れ替えること
が可能である。また、（５）の工程に引き続いて、
（９）の工程、（１０）の工程、更に（６）の工程、
（７）の工程、（８）の工程、（１１）の工程の順に入
れ替えることができ、この時、同様に（８）の工程と
（１１）の工程を入れ替えることが可能である。

【００８８】また、（７）の工程に引き続いて、（８）
の工程のバイアス配線の形成と、（１１）の工程のスイ
ッチＴＦＴのＳＤ電極の形成、信号線の形成を一度に行
い、その後、スイッチＴＦＴのチャネル部のｎ⁺膜を除
去し、その後、（９）の工程と（１０）の工程を流動す
る事によっても同様に製造可能である。なお、この場
合、（９）の工程、（１０）の工程は、（７）の工程の
前に処理する事も可能である。

【００８９】上述の様に本実施形態では、製造装置及び
製造プロセスの個性を考慮して、工程入れ替え等の変更
が可能である。

【００９０】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態について説明する。本実施形態では、更に、感
度向上を実現するＭＩＳ型ＰＤを用いた放射線検出装置
について説明する。本実施形態では、ＭＩＳ型ＰＤの上
部透明電極がバイアス配線の機能を有する構造としてい
る。図１３は本実施形態の模式的平面図を示す。図１３
は１画素の構成を示す。図中１はＭＩＳ型ＰＤ部、２は
スイッチＴＦＴ部、３はスイッチＴＦＴの駆動配線、４
は信号線、５はバイアス配線である。

【００９１】図１４は図１３のＡ−Ａ線における模式的
断面図、図１５は図１３のＢ−Ｂ線における模式的断面
図を示す。図中、１０はガラス基板、１１はＭＩＳ型Ｐ
Ｄの下電極、１２はスイッチＴＦＴゲート電極、１３は
スイッチＴＦＴ駆動配線、１４は第１の絶縁膜、１５は
半導体層、１６は第２の絶縁膜、１７はオーミックコン
タクト層、１８はコンタクトホール、１９はバイアス配
線、２０は信号線、２１はスイッチＴＦＴ ＳＤ電極、
２２はＭＩＳ型ＰＤの上部透明電極（透明導電膜）、３
０は保護層、３１は有機樹脂層、３２は蛍光体層であ
る。なお、図１４、図１５におけるスイッチＴＦＴ駆動
配線１３、バイアス配線１９、信号線２０は、図１３に
おけるスイッチＴＦＴの駆動配線３、バイアス配線５、
信号線４にそれぞれ対応する。

【００９２】本実施形態では、ＭＩＳ型ＰＤ１の上部透
明電極２２をバイアス配線の一部として機能させ、ＭＩ
Ｓ型ＰＤ１内において透明電極２２とバイアス配線１９
を接続する構造である。即ち、透明電極２２を各ＰＤ間
を接続するための配線とすることにより、ＭＩＳ型ＰＤ
１内に配されていたバイアス配線による開口率低下を防
止でき、一層、感度向上を実現できる構造である。

【００９３】また、図１５に示すようなバイアス配線１
９がＭＩＳ型ＰＤ１の下電極１１内に入るような構造か
ら、図１６に示す様に透明電極２２とバイアス配線１９
がＭＩＳ型ＰＤ１の下電極１１の外側で接合する構造と
することで、更に、開口率を改善することが可能であ
る。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、信
号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の
絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造とすること
により、配線交差部で形成される寄生容量を低減でき、
信号線ノイズ、ＩＣノイズを低減することができる。更
に、ｎ⁺膜の機能であるホールブロッキング機能と電極
機能を、夫々、ｎ⁺膜と透明導電膜に機能分離すること
により、ｎ⁺膜を薄膜化でき、光入射効率を向上するこ
とができる。即ち、信号成分及びノイズ成分を夫々に影
響を与えることなく、単独で向上することができ、感度
の向上を実現することができる。

【００９５】また、ＭＩＳ型ＰＤとスイッチＴＦＴを第
１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造から、
簡便に製造可能であり、特に、スイッチＴＦＴはチャネ
ル部を安定に製造できるため、低価格、高歩留まり、更
には、低消費電力化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す模式的平面図で
ある。

【図２】図１のＡ−Ａ線における模式的断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ線における模式的断面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態の製造方法を説明する
ための図である。

【図５】図１のＣ部における模式的断面図である。

【図６】本発明の第２実施形態の製造方法を説明するた
めの図である。

【図７】本発明の第３の実施形態の製造方法を説明する
ための図である。

【図８】本発明の第４の実施形態を示す模式的平面図で
ある。

【図９】図８のＡ−Ａ線における模式的断面図である。

【図１０】図８のＢ−Ｂ線における模式的断面図であ
る。

【図１１】本発明の第４の実施形態の製造方法を説明す
るための図である。

【図１２】本発明の第４の実施形態の製造方法を説明す
るための図である。

【図１３】本発明の第５の実施形態を示す模式的断面図
である。

【図１４】図１３のＡ−Ａ線における模式的断面図であ
る。

【図１５】図１３のＢ−Ｂ線における模式的断面図であ
る。

【図１６】第５の実施形態を更に改良した実施形態を示
す断面図である。

【図１７】従来例のＦＰＤを示す等価回路図である。

【図１８】従来のＭＩＳ型ＰＤを用いた場合の１画素の
模式的平面図である。

【図１９】図１８の模式的断面図である。

【図２０】従来のＦＰＤの製造方法を説明するための図
である。

【図２１】従来のＭＩＳ型ＰＤを用いた場合の１ビット
の等価回路図である。

【符号の説明】

１ ＭＩＳ型ＰＤ部 ２ スイッチＴＦＴ部 ３ スイッチＴＦＴの駆動配線 ４ 信号線 ５ バイアス配線 １０ ガラス基板 １１ ＭＩＳ型ＰＤの下電極 １２ スイッチＴＦＴゲート電極 １３ スイッチＴＦＴ駆動配線 １４ 第１の絶縁膜 １５ 半導体層 １６ 第２の絶縁膜 １７ オーミックコンタクト層 １８ コンタクトホール １９ バイアス配線 ２０ 信号線 ２１ スイッチＴＦＴ ＳＤ電極 ２２ 透明導電膜（上部透明電極） ３０ 保護層 ３１ 有機樹脂層 ３２ 蛍光体層 ４１ スイッチＴＦＴチャネル部 ４２ ゲート駆動配線とバイアス配線の交差部 ４３ ＭＩＳ型ＰＤの下電極とバイアス配線の交差部 ４４ 信号線部 ４５ 信号線とゲート駆動配線の交差部 ４６ スイッチＴＦＴ ＳＤ電極と信号線の領域 ４７ バイアス線とＭＩＳ型ＰＤの上電極部の領域 １０１ 光電変換素子部 １０２ スイッチTFT部 １０３ スイッチＴＦＴの駆動配線 １０４ 信号線 １０５ バイアス配線 １０６ 信号処理回路 １０７ ＴＦＴ駆動回路 １０８ Ａ／Ｄ変換部 Ｃ１ ＭＩＳ型ＰＤの合成容量 Ｃ２ 信号線に形成される寄生容量 Ｖｓ センサバイアス電位 Ｖｒ センサリセット電位 ＳＷ１ ＭＩＳ型ＰＤのＶｓ／Ｖｒ切り替えスイッチ ＳＷ２ 転送ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ切り替えスイッチ ＳＷ３ 信号線リセットスイッチ Ｖｏｕｔ 出力電圧 Ｖｔ 電位差

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/321 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE29 FF02 FF04 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ32 JJ33 JJ37 LL11 LL12 LL15 4M118 AB01 BA05 CA02 FB03 FB09 FB13 FB16 FB19 5C024 AX12 CX41 CY47 GX03 5F049 MA01 MB05 NA01 NA04 NB05 PA14 QA02 RA04 RA08 SE04 SS01 SZ20 UA01 UA07 UA14 UA20 WA07 5F088 AA01 AB05 BA01 BA03 BB03 BB07 CA01 CB14 EA04 EA08 EA14 EA16 FA04 GA02 HA15 HA20 KA03 KA08 KA10 LA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 放射線信号を可視光に変換する蛍光体
   と、前記可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、
   前記光電変換素子の信号を読み出すスイッチＴＦＴとを
   有する放射線検出装置において、前記光電変換素子及び
   スイッチＴＦＴは、夫々同一部材の電極層、第１の絶縁
   層、半導体層、オーミックコンタクト層で構成され、且
   つ、前記光電変換素子のバイアス配線と前記スイッチＴ
   ＦＴの駆動配線の配線交差部、或いは、前記スイッチＴ
   ＦＴの駆動配線と信号線の配線交差部は、少なくとも、
   前記第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層を介して構
   成されていることを特徴とする放射線検出装置。
2. 【請求項２】 前記光電変換素子のオーミックコンタク
   ト層上に透明電極層が形成されていることを特徴とする
   請求項１に記載の放射線検出装置。
3. 【請求項３】 前記光電変換素子のオーミックコンタク
   ト層と前記透明電極の積層構成の一部において、バイア
   ス配線が配置されていることを特徴とする請求項２に記
   載の放射線検出装置。
4. 【請求項４】 放射線信号を可視光に変換する蛍光体
   と、前記可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、
   前記光電変換素子の信号を読み出すスイッチＴＦＴとを
   有する放射線検出装置の製造方法において、 （１）絶縁基板上に第１の金属層により前記光電変換素
   子の下電極、前記スイッチＴＦＴのゲート電極、前記ス
   イッチＴＦＴのゲート駆動配線を形成する工程と、 （２）第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層を順次積
   層する工程と、 （３）前記光電変換素子及び前記スイッチＴＦＴのソー
   ス・ドレイン部の第２の絶縁層を除去する工程と、 （４）n⁺型半導体層を積層する工程と、 （５）第２の金属層により前記光電変換素子のバイアス
   配線及び前記スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極及
   び信号線を形成する工程と、を含むことを特徴とする放
   射線検出装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記（５）の工程において、前記光電変
   換素子部に透明電極を形成することを特徴とする請求項
   ４に記載の放射線検出装置の製造方法。