JP2010245078A - 光電変換装置、エックス線撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。
【選択図】図３

Description

本発明は、光電変換装置、エックス線撮像装置に関する。

従来から、フォトダイオードに入射した光を検知してイメージを読取るイメージセンサー（光電変換装置）が提案されている。イメージセンサーは、例えば行列状に配置された複数の画素領域を含んでいる。複数の画素領域には、それぞれフォトダイオードと薄膜トランジスター（以下、ＴＦＴと略記する）とが設けられている。フォトダイオードの一方の電極は、ＴＦＴのソース領域と電気的に接続されている。フォトダイオードの他方の電極は、複数の画素領域で共通の共通電極になっている。行方向に並ぶ複数のＴＦＴのドレイン領域は、一括してデータ線と電気的に接続されている。列方向に並ぶ複数のＴＦＴのゲート電極は、一括して走査線と電気的に接続されている。

このようなイメージセンサーにおいて、フォトダイオードに光が入射するとフォトダイオードに電荷が発生する。走査線に電圧が印加されるとＴＦＴがオンになり、フォトダイオードに発生した電荷（電気信号）がデータ線に読出される。複数の画素領域から電荷を順に読出すことにより、イメージを読取ることが可能になっている。

近年、イメージセンサーをエックス線撮像装置に適用する試みがなされている（例えば、特許文献１）。エックス線撮像装置の１つとして、エックス線を受けて蛍光等を発するシンチレーターをイメージセンサーに組み合わせたものがある。エックス線撮像装置は、例えば医療用機器への応用が考えられている。エックス線撮像装置は、エックス線フィルム等を用いた静止画撮像装置と比較して、透視画像をリアルタイムで得られるという長所がある。また、光電子増倍管とＣＣＤ素子を組み合わせた動画撮像装置等と比較して、高解像度な透視画像が得られるという長所もある。

以上のような光電変換装置やエックス線撮像装置には、高感度化や高解像度化が期待されている。高感度化等を図る上で有効な方法の１つに、データ線や走査線等の配線を通る電気信号が容量結合により劣化することを防止する方法が挙げられる。特許文献１には、共通電極をパターニング形成することにより、共通電極においてデータ線と重なる部分を小面積にする方法が開示されている。

特開平９−２４７５３３号公報

特許文献１の技術によれば、共通電極とデータ線との容量結合を低減することができると考えられるが、さらに容量結合を低減する観点で改善すべき点がある。
特許文献１では、フォトダイオードの半導体層に光を入射させるために、通常と同様に共通電極がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料で形成されている。一般に、透明導電材料は、アルミニウム等のメタル材料に比べて導電性が低い。特許文献１の技術によれば、共通電極をベタ状に形成する場合よりも容量結合を相対的に低減することができるが、容量結合の絶対値を十分に低減できるとは言えない。

本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、容量結合が低減された光電変換装置、エックス線撮像装置を提供することを目的の１つとする。

本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、前記複数の画素領域の各々に配置され、第１電極と第２電極との間に配置された光電変換層を有する、光電変換素子と、前記第１電極と導通接続されたソース領域を有する電界効果トランジスターと、前記電界効果トランジスターのドレイン領域と導通接続された第１配線と、前記電界効果トランジスターのゲート電極と導通接続された第２配線と、前記第２電極と導通接続され、前記第１配線と第２配線とのうちの一方の配線と略平行に延設された第３配線と、を備え、前記第２電極が、透明導電材料からなり、前記光電変換層に対する光入射側に配置されており、前記第３配線が、前記透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、前記光検出領域の面方向における、前記第３配線と前記一方の配線との間隔が、前記面方向に垂直な厚み方向における、前記第３配線と前記一方の配線との間の間隔よりも長いことを特徴とする。

このようにすれば、第３配線が透明導電材料よりも導電率が高いメタル材料からなっているので、第２電極を第３配線により実質的に低抵抗化することができる。したがって、第２電極と第１配線との間の容量結合や、第２電極と第２配線との間の容量結合が低減される。また、光検出領域の面方向における第３配線と一方の配線との間隔が、厚み方向における第３配線と一方の配線との間の間隔よりも長いので、第３配線と一方の配線との間の容量結合が格段に小さくなる。
以上のように、本発明によれば一方の配線の容量結合が格段に低減されるので、一方の配線を介して伝達される電気信号にノイズを生じることが格段に低減され、光電変換装置を良好に動作させることができる。

また、前記第２電極が、前記第１配線と前記第２配線とのいずれとも前記厚み方向において重ならない位置に設けられていることが好ましい。
このようにすれば、第１配線と第２電極との間の容量結合と、第２配線と第２電極との間の容量結合とがいずれも低減され、第１、第２配線を介して伝達される電気信号にノイズを生じることが格段に低減される。

また、前記一方の配線は、前記第１配線と第２配線とのうちの他方の配線よりも、前記厚み方向において前記第３配線に近い位置に設けられているとよい。この場合には、前記他方の配線と前記第３配線とが互いに略直交する方向に延設されていることが好ましい。

前記のように本発明によれば、一方の配線と第３配線との間の容量結合を格段に低減することができる。前記の構成によれば、他方の配線が一方の配線よりも厚み方向において第３配線から離れているので、他方の配線は厚み方向における第３配線との電位差による影響を一方の配線よりも受けにくい。したがって、一方の配線と第３配線との容量結合と、他方の配線と第３配線との容量結合とがいずれも低減され、一方の配線、他方の配線を介して伝達される電気信号にノイズを生じることが格段に低減される。

また、他方の配線は、厚み方向における第３配線との電位差による影響が一方の配線に比べて小さいので、第３配線と直交する部分における容量結合も小さくなる。よって、他方の配線よりも第３配線に近い位置に配置される配線を第３配線と交差させる構成と比較して容量結合を低減することができる。

本発明のエックス線撮像装置は、前記の本発明の光電変換装置と、入射したエックス線を該エックス線よりも長波長の光に変換して該光を前記光電変換装置に向けて射出する光変換部と、を備えていることを特徴とする。
本発明の光電変換装置によれば高解像度な画像が得られるので、本発明のエックス線撮像装置は高解像度な透視画像が得られる。また、透視画像の解像度をある程度以上に確保しつつエックス線の照射量を減らすことができ、被写体に対するエックス線の負荷を減らすことができる。

エックス線撮像装置の概略構成を示す斜視図である。 光電変換装置の回路構成を示す模式図である。 光電変換装置の画素領域の構成を示す平面図である。 図３のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明に用いる図面において、特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造の寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせている場合がある。また、実施形態において同様の構成要素については、同じ符号を付して図示し、その詳細な説明を省略する場合がある。

図１は、本実施形態に係るエックス線撮像装置１の概略構成を示す斜視図である。図１に示すようにエックス線撮像装置１は、光電変換装置２とシンチレーター（光変換部）３を含んでいる。光電変換装置２は、本発明の光電変換装置を適用したものである。

光電変換装置２は、略矩形状の光検出領域Ａ１を有している。光検出領域Ａ１は、略矩形状の複数の画素領域Ａ２に区画されている。複数の画素領域Ａ２は、行列状に配置されている。複数の画素領域Ａ２域の各々に、後述する光電変換素子が配置されている。光検出領域Ａ１の一辺に沿う周辺部（額縁）には、複数の第１外部接続端子２１１が設けられている。第１外部接続端子２１１は、走査線駆動回路２１と接続される。光検出領域Ａ１の他辺に沿う周辺部には、複数の第２外部接続端子２２１が設けられている。第２外部接続端子２２１は、データ線駆動回路２２と接続される。エックス線撮像装置１は、概略すると以下のように動作する。

例えば、エックス線撮像装置１は医療用機器であり、撮像対象物９は人である。エックス線Ｌ１の射出源８から射出されたエックス線Ｌ１は、撮像対象物９に入射する。撮像対象物９に入射したエックス線Ｌ１の一部は、撮像対象物９で散乱・吸収される。これにより、撮像対象物９を透過したエックス線Ｌ２の強度分布は、撮像対象物９の内部組成や内部構造を反映した分布になる。撮像対象物９を透過したエックス線Ｌ２は、シンチレーター３に入射する。シンチレーター３は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等からなる膜により構成されており、実際には光電変換装置２の光検出領域Ａ１側に当接して配置されている。シンチレーター３は、入射したエックス線Ｌ２をエックス線Ｌ２よりも長波長の蛍光Ｌ３に変換して射出する。射出された蛍光Ｌ３の強度分布は、シンチレーター３に入射するエックス線Ｌ２の強度分布を反映した分布になる。

シンチレーター３から射出された蛍光Ｌ３は、光電変換装置２の複数の画素領域Ａ２に空間的に分かれて入射する。画素領域Ａ２に入射した光は、この画素領域Ａ２に配置された光電変換素子に電荷を発生させる。この電荷は、読出回路により画素領域Ａ２ごとに読出され、撮像対象物９の透視画像を示すデータになる。

図２は、光電変換装置２の読出回路の構成を示す模式図であり、図３は、画素領域Ａ２の平面構成を拡大して示す平面図である。図３では、図を見やすくするために光電変換装置２のいくつかの構成要素の図示を省いている。

図２に示すように、読出回路は、互いに平行して延在する複数の走査線（第２配線、他方の配線）２１２を含んでいる、複数の走査線２１２は、走査線２１２ごとに第１外部接続端子２１１と導通接続されている。走査線２１２と略直交する方向に沿って、複数のデータ線（第１配線、一方の配線）２２２が延設されている。複数のデータ線２２２は、データ線２２２ごとに第２外部接続端子２２１と導通接続されている。データ２２２と略平行な方向に沿って、複数のバイアス線（第３配線）２３が延設されている。複数のバイアス線２３は、図示略のグランドラインに一括して接続されている。

走査線駆動回路２１、データ線駆動回路２２は、それぞれシフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を含んでいる。走査線駆動回路２１、データ線駆動回路２２は、ＩＣチップ（図示略）内等に形成されている。ＩＣチップは、第１外部接続端子２１１、第２外部接続端子２２１を外部接続端子として実装される。

走査線２１２とデータ線２２２とにより区画される領域の各々が画素領域Ａ２になっている。画素領域Ａ２は、例えば５０〜１００μｍ角の概略矩形状の領域である。図３に示すように、複数の画素領域Ａ２の各々に、フォトダイオード（光電変換素子）２５が配置されている。画素領域Ａ２において走査線２１２がデータ線２２２と交差する領域付近には、電界効果トランジスターとしてＴＦＴ２４が配置されている。

ＴＦＴ２４のゲート電極２４１は、走査線２１２と一体に形成されている。走査線２１２において、画素領域Ａ２に張り出して形成された部分がゲート電極２４１になっている。ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２は、データ線２２２において画素領域Ａ２に張り出して形成された部分と導通接続されている。ＴＦＴ２４のソース領域２４３は、導電部２８１と導通接続されている。フォトダイオード２５の第１電極２５１は、コンタクトホールＨ１内に埋め込まれており、コンタクトホールＨ１内で導電部２８１と導通接続されている。フォトダイオード２５の第２電極２５２は、バイアス線２３と導通接続されている。

本実施形態では、画素領域Ａ２の面方向において、バイアス線２３が２つのデータ線２２２のほぼ中央に配置されている。詳しくは、バイアス線２３の幅方向の一端と、１つの画素領域Ａ２に接続されたデータ線２２２の幅方向の端との間隔ｄ１は、このバイアス線の幅方向の他端と、隣の画素領域Ａ２に接続されたデータ線２２２の端との間隔ｄ２と略一致している。目安として数値例を挙げると、バイアス線２３の線幅は例えば３〜５μｍ程度であり、間隔ｄ１、ｄ２は、例えば２０〜４０μｍ程度である。

本実施形態の第２電極２５２は、画素領域Ａ２ごとに独立して設けられている。バイアス線２３の延在方向に並ぶ複数のフォトダイオード２５の第２電極２５２は、このバイアス線２３に一括して導電接続されている。走査線２１２やデータ線２２２は、画素領域Ａ２の間に設けられており、第２電極２５２は、走査線２１２やデータ線２２２と平面的に重なり合わないようになっている。これにより、第２電極２５２と走査線２１２との間の容量、第２電極２５２とデータ線２２２との間の容量が低減される。

フォトダイオード２５に蛍光Ｌ３が入射すると、フォトダイオード２５の光電変換層に電荷が生じる。走査線駆動回路２１から走査線２１２に走査信号が供給されると、この走査線２１２に接続された複数のＴＦＴ２４がオンになる。ＴＦＴ２４がオンになると、フォトダイオード２５に生じた電荷がＴＦＴ２４のチャネル領域を通ってデータ線２２２に流れ、この電流が電気信号としてデータ線駆動回路２２に読出される。このように、１つの走査線２１２に接続された複数のＴＦＴ２４から電気信号が並行して読出される。

１つの走査線２１２に対応するＴＦＴ２４から電気信号が読出された後に、複数のデータ線２２２は放電されて所定の電位に保持される。複数のデータ線２２２が所定の電位になった後に、次の走査線２１２に走査線駆動回路２１から走査信号が供給される。同様にして複数のフォトダイオード２５に発生した電荷の各々に対応した電気信号が順に読出される。前記のように、走査線２１２やデータ線２２２と第２電極２５２との間の容量が低減されているので、走査線２１２やデータ線２２２を通る電気信号に容量に起因するノイズを生じることが低減される。

図４は、図３におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図４に示すように、光電変換装置２は、例えばガラス等からなる基板２０を基体として形成されている。基板２０は、走査線２１２に対して配線下地層になっている。基板２０上には、ＴＦＴ２４が設けられている。ＴＦＴ２４は、ゲート電極２４１、ドレイン領域２４２、ソース領域２４３、ゲート絶縁膜２４４、半導体層２４５を含んでいる。

ゲート電極２４１は、適宜選択される配線材料、例えばアルミニウム、モリブデン、チタン、銀、タンタル、クロム、タングステン等の単体や合金からなる。本実施形態のゲート電極２４１は、アルミニウム・モリブデンからなる。ゲート絶縁膜２４４は、ゲート電極２４１を覆って、基板２０上のほぼ全面に設けられている。ゲート絶縁膜２４４は、シリコン窒化物やシリコン酸化物等の絶縁材料からなる。ゲート絶縁膜２４４は、走査線２１２に対して中間層になっており、データ線２２２に対して配線下地層になっている。本実施形態のゲート絶縁膜２４４は、シリコン窒化物等からなり、厚みが２００〜５００ｎｍ程度のものである。

半導体層２４５は、例えばポリシリコンやアモルファスシリコン等からなる。ドレイン領域２４２、ソース領域２４３は、半導体層２４５上において、互いに離れた位置に設けられている。ドレイン領域２４２、ソース領域２４３は、例えば不純物が高濃度に注入されたアモルファスシリコンからなる。半導体層２４５においてドレイン領域２４２、ソース領域２４３間の領域が、チャネル領域として機能する。

ドレイン領域２４２に接触して、データ線２２２が設けられている。ソース領域２４３と接触して、ソース領域２４３上からゲート絶縁膜２４４上に連続して導電部２８１が設けられている。データ線２２２、導電部２８１は、例えばアルミニウム・モリブデン等の配線材料からなる。データ線２２２、導電部２８１、ゲート絶縁膜２４４等を覆って、ＴＦＴ２４を保護する第１パッシベーション膜２９１が設けられている。第１パッシベーション膜２９１は、基板２０のほぼ全面にわたって設けられている。第１パッシベーション膜２９１は、走査線２１２、データ線２２２に対して中間層になっている。第１パッシベーション膜２９１は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度のものである。

第１パッシベーション膜２９１には、導電部２８１に通じるコンタクトホールＨ１が設けられている。コンタクトホールＨ１内と第１パッシベーション膜２９１上とに連続して、第１電極２５１が設けられている。第１電極２５１は、コンタクトホールＨ１内で導電部２８１と接触している。第１パッシベーション膜２９１上に引き出された第１電極２５１上に、ｐ型の半導体層２５３、ｉ型の半導体層２５４、ｎ型の半導体層２５５が、第１電極２５１側からこの順に配置されている。半導体層２５３〜２５５により、光電変換層が構成されている。光電変換層上には、第２電極２５２が形成されている。第２電極２５２は、光の入射側になっており、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料からなっている。

第２電極２５２の中央部を除いたフォトダイオード２５を覆って第２パッシベーション膜２９２が設けられている。ここでは、第２パッシベーション膜２９２が基板２０上のほぼ全面に設けられている。第２パッシベーション膜２９２は、走査線２１２、データ線２２２に対して中間層になっている。第２パッシベーション膜２９２は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが２００〜５００ｎｍ程度のものである。

フォトダイオード２５の中央部を除いた基板２０上のほぼ全面を覆って、平坦化膜２９３が設けられている。平坦化膜２９３は、バイアス線２３に対して配線下地層になっており、走査線２１２、データ線２２２に対して中間層になっている。平坦化膜２９３は、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の樹脂材料からなり、厚みが１〜５μｍ程度のものである。

平坦化膜２９３の間に露出した第２電極２５２の中央部に接触して、バイアス線２３が形成されている。バイアス線２３は、画素領域Ａ２の第２電極２５２上から平坦化膜２９３上を経て別の画素領域Ａ２上に延設されている。バイアス線２３は、平坦化膜２９３上にて走査線２１２と立体的に交差している。バイアス線２３は、第２電極２５２よりも導電性が高い配線材料、例えばアルミニウム・モリブデン等のメタル材料からなる。

第２電極２５２上におけるバイアス線２３は、データ線２２２と厚み方向において間隔ｄ３だけ離れている。目安として数値例を挙げると、間隔ｄ３は、例えば１〜３μｍ程度である。バイアス線２３とデータ線２２２との面方向における間隔ｄ１、ｄ２は、いずれも間隔ｄ３よりも長くなっている。特に、間隔ｄ１、ｄ２を間隔ｄ３の５倍以上にすれば、バイアス線２３とデータ線２２２との間の結合容量が、データ線２２２を介して伝達される電気信号にノイズをほとんど生じない程度まで低減される。

平坦化膜２９３と、平坦化膜２９３の間に露出したフォトダイオード２５と、バイアス線２３とを覆って、第３パッシベーション膜２９４が設けられている。第３パッシベーション膜２９４が基板２０上のほぼ全面に設けられている。第３パッシベーション膜２９４は、素子層の表層になっている。第３パッシベーション膜２９４は、例えばシリコン窒化物からなり、厚みが２００〜５００ｎｍ程度のものである。

以上のような構成の光電変換装置２において、バイアス線２３は第２電極２５２よりも導電率が高いメタル材料からなっている。したがって、第２電極２５２がバイアス線によって低抵抗化され、第２電極２５２と走査線２１２との間の容量結合や、第２電極２５２とデータ線２２２との間の容量結合が低減される。

第２電極２５２が画素領域Ａ２ごとに独立しており画素領域Ａ２の間に設けられていない。すなわち、第２電極２５２と走査線２１２が重なり合わないので、第２電極２５２と走査線２１２との間の容量結合が低減される。第２電極２５２とデータ線２２２が重なり合わないので、第２電極２５２とデータ線２２２との間の容量結合が低減される。

複数の第２電極２５２は、バイアス線２３に一括して導通接続されており、実質的に共通電極として機能するので、駆動系が複雑になることが回避される。バイアス線２３が第２電極２５２よりも導電率が高い形成材料からなっているので、第２電極がベタ状に形成されてデータ線と平面的に重なる構成よりも、容量結合が低減される。

光検出領域Ａ１の面方向、すなわち画素領域Ａ２の面方向におけるバイアス線２３とデータ線との間隔ｄ１、ｄ２が、厚み方向におけるバイアス線２３とデータ線２２２との間の間隔ｄ３よりも長いので、バイアス線２３とデータ線２２２との間の容量結合が格段に低減される。

以上のように光電変換装置２にあっては、データ線２２２の容量結合が格段に低減されるので、データ線２２２を介して読出されるデータにノイズ等を生じることが格段に低減される。したがって、フォトダイオード２５に発生した電荷量を正確に読出すことができ、高解像度の画像を得ることができる。また、走査線２１２の結合容量も低減されるので、ＴＦＴ２４に誤作動を生じることが防止され、フォトダイオード２５に発生した電荷を正確なタイミングで読出すことができる。

なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で多様な変形が可能である。例えば前記実施形態では、データ線２２２を一方の配線としており、データ線２２２がバイアス線２３と略平行になっているが、走査線２１２を一方の配線としてもよい。この場合には、走査線２１２と平行でデータ線２２２と直交する方向にバイアス線２３を延設すればよい。また、フォトダイオード２５に生じた電荷を保持する保持容量や、電流を増幅する増幅用ＴＦＴ等を設けてもよい。

１・・・エックス線撮像装置、２・・・光電変換装置、３・・・シンチレーター、２３・・・バイアス線（第３配線）、２４・・・ＴＦＴ（電界効果トランジスター）、２５・・・フォトダイオード（光電変換素子）、２１２・・・走査線（第２配線、他方の配線）、２２２・・・データ線（第１配線、一方の配線）、２４１・・・ゲート電極、２４２・・・ドレイン領域、２４３・・・ソース領域、２５１・・・第１電極、２５２・・・第２電極、Ａ１・・・光検出領域、Ａ２・・・画素領域

Claims (5)

1. 複数の画素領域に区画された光検出領域と、
   前記複数の画素領域の各々に配置され、第１電極と第２電極との間に配置された光電変換層を有する、光電変換素子と、
   前記第１電極と導通接続されたソース領域を有する電界効果トランジスターと、
   前記電界効果トランジスターのドレイン領域と導通接続された第１配線と、
   前記電界効果トランジスターのゲート電極と導通接続された第２配線と、
   前記第２電極と導通接続され、前記第１配線と第２配線とのうちの一方の配線と略平行に延設された第３配線と、を備え、
   前記第２電極が、透明導電材料からなり、前記光電変換層に対する光入射側に配置されており、
   前記第３配線が、前記透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、
   前記光検出領域の面方向における、前記第３配線と前記一方の配線との間隔が、前記面方向に垂直な厚み方向における、前記第３配線と前記一方の配線との間の間隔よりも長いことを特徴とする光電変換装置。
2. 前記第２電極が、前記第１配線と前記第２配線とのいずれとも前記厚み方向において重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記一方の配線は、前記第１配線と第２配線とのうちの他方の配線よりも、前記厚み方向において前記第３配線に近い位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
4. 前記他方の配線と前記第３配線とが互いに略直交する方向に延設されていることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
   入射したエックス線を該エックス線よりも長波長の光に変換して該光を前記光電変換装置に向けて射出する光変換部と、を備えていることを特徴とするエックス線撮像装置。

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