JP2007049124A - 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の変換装置は、絶縁基板上に形成されたスイッチング素子が行方向及び列方向に複数配されたスイッチング素子領域と、スイッチング素子領域上に形成された変換素子が行方向及び列方向に複数配された変換素子領域と、を有し、スイッチング素子とスイッチング素子上に配置され接続された変換素子とからなる画素を複数有する画素領域と、を有し、複数の信号配線は第2の金属層により形成され、複数の信号配線は列方向の複数のスイッチング素子に接続され、バイアス配線は第4の金属層により形成され、バイアス配線は複数の変換素子に接続され、外部信号配線は第1の金属層により画素領域外に形成され、外部信号配線は信号配線と接続され、外部信号配線部とバイアス配線と、は交差する。
【選択図】 図1
Description
図1〜3を用いて、本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態における光電変換装置及び放射線検出装置を説明する概念的平面図である。図2は、図1のAの領域を拡大した概念的平面図である。図3は、図2のB−B’における模式的断面図である。また、図1〜3において、図6〜8で示した従来のFPDと同様の構成要素は同一の番号で示し、その詳細な説明は割愛する。
図5は、本発明によるFPD型の放射線検出装置を用いたX線診断システムへの応用例を示したものである。
101 光電変換素子(MIS型フォトセンサ)
102 スイッチング素子
103 駆動配線
103a 駆動配線引き出し部
104 信号配線
104a 第1の信号配線引き出し部
104b 第2の信号配線引き出し部
105 バイアス配線
106 信号処理回路
107 駆動回路
108 A/D変換部
109 バイアス電源部
110 第1の金属層M1(スイッチング素子102のゲート電極)
111 第1の絶縁層
112 第1の半導体層
113 第1の不純物半導体層
114 第2の金属層M2(スイッチング素子102のソース又はドレイン電極)
115 層間絶縁層
116 第3の金属層M3(センサ下部電極)
117 第2の絶縁層
118 第2の半導体層
119 第2の不純物半導体層
120 上部電極層(透明電極層)
121 保護層
122 波長変換体
123 駆動配線端子部
124 信号配線端子部
125 バイアス配線端子部
126〜129 コンタクト
130 第3の不純物半導体層
131 光電変換素子(PIN型フォトダイオード)
Claims (14)
- 絶縁基板上に形成された第1の金属層と、該第1の金属層上に形成された絶縁層と、第1の半導体層と、第2の金属層と、を含むスイッチング素子が行方向及び列方向に複数配されたスイッチング素子領域と、
該スイッチング素子領域上に形成された第3の金属層からなる下部電極と、該下部電極上に形成された第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成された第4の金属層と、を含む変換素子が行方向及び列方向に複数配された変換素子領域と、
を有し、前記スイッチング素子と該スイッチング素子上に配置され接続された前記変換素子とからなる画素を複数有する画素領域と、を有する変換装置であって、
複数の信号配線は前記第2の金属層により形成され、複数の前記信号配線は前記列方向の複数の前記スイッチング素子に接続され、
バイアス配線は前記第4の金属層により形成され、前記バイアス配線は複数の前記変換素子に接続され、
外部信号配線は前記第1の金属層により前記画素領域外に形成され、前記外部信号配線は前記信号配線と接続され、
前記外部信号配線部と前記バイアス配線と、は交差することを特徴とする変換装置。 - 前記スイッチング素子は、前記絶縁基板上に形成された前記第1の金属層からなる駆動電極と、該駆動電極上に形成された前記絶縁層と、前記絶縁層上に形成された前記第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された前記第2の金属層からなるソース又はドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の変換装置。
- 前記スイッチング素子領域と前記変換素子領域との間に配された層間絶縁層を更に有し、前記外部信号配線部と前記バイアス配線とが更に前記層間絶縁層を挟んで交差することを特徴とする請求項2に記載の変換装置。
- 前記第2の金属層と前記第3の金属層とが同一の金属層により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の変換装置。
- 前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記外部信号配線部と接続された第2の外部信号配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記第1の金属層により形成され、前記行方向の複数の前記スイッチング素子に接続された駆動配線の複数と、前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記駆動配線と接続された外部駆動配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記外部駆動配線部は第1端子部を、前記第2の外部信号配線部は第2端子部を、前記バイアス配線は第3端子部をそれぞれ有し、前記第1端子部には前記スイッチング素子を駆動するための駆動回路が、前記第2端子部には前記変換素子によって変換された電気信号を処理するための信号処理回路が、前記第3端子部には前記変換素子にバイアスを印加するためのバイアス電源部がそれぞれ接続されることを特徴とする請求項6に記載の変換装置。
- 前記変換素子は、光電変換素子であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第2の半導体層との間に配された第2の絶縁層と、前記第2の半導体層と前記上部電極との間に配された第2の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第2の半導体層との間に配された第2の不純物半導体層と、前記第2の半導体層と前記上部電極との間に配された第3の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の変換装置。
- 請求項1から11のいずれか1項に記載の変換装置と、
前記変換素子層上に配され、入射した放射線を可視光に変換する波長変換体と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。 - 請求項12に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を具備することを特徴とする放射線検出システム。 - 絶縁基板上に形成された第1の金属層と、該第1の金属層上に形成された絶縁層と、第1の半導体層と、第2の金属層と、を含むスイッチング素子と、
該スイッチング素子上に形成された第3の金属層からなる下部電極と、該下部電極上に形成された第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成された第4の金属層と、を含む前記スイッチング素子に接続された変換素子と、
を含む画素を行方向及び列方向に複数有する画素領域を含む変換装置であって、
信号配線は前記列方向の複数の前記スイッチング素子に接続され、バイアス配線は複数の前記変換素子に接続され、
前記信号配線と前記バイアス配線が交差する交差部において、前記信号配線は前記第1の金属層からなり、前記バイアス配線は前記第4の金属層からなることを特徴とする変換装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009267343A (ja) * | 2008-10-29 | 2009-11-12 | Epson Imaging Devices Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009283896A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-12-03 | Epson Imaging Devices Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010245078A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Epson Imaging Devices Corp | 光電変換装置、エックス線撮像装置 |
CN102376725A (zh) * | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 佳能株式会社 | 检测装置和放射线检测系统 |
JP2012079820A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
JP2014027300A (ja) * | 2013-10-22 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置 |
US8735886B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-05-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Image detector |
CN108701701A (zh) * | 2016-02-29 | 2018-10-23 | 夏普株式会社 | 光电转换装置 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5173234B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP5196739B2 (ja) | 2006-06-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP5406473B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置 |
JP5954983B2 (ja) | 2011-12-21 | 2016-07-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法 |
JP6057511B2 (ja) | 2011-12-21 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6463136B2 (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
JP6585910B2 (ja) | 2014-05-01 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
US20170373111A1 (en) * | 2014-12-25 | 2017-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photosensor substrate and method of producing the same |
JP6555909B2 (ja) | 2015-03-20 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6570315B2 (ja) | 2015-05-22 | 2019-09-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6929104B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6990986B2 (ja) | 2017-04-27 | 2022-01-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6853729B2 (ja) | 2017-05-08 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6788547B2 (ja) | 2017-05-09 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法、制御装置、及び、放射線撮像システム |
JP6877289B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法 |
JP7045834B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-04-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム |
JP7079113B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-06-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP7198003B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法およびプログラム |
JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
EP3661190B1 (en) | 2018-11-27 | 2024-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
JP7397635B2 (ja) | 2019-11-22 | 2023-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、制御方法及びプログラム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114531A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002050754A (ja) * | 2000-05-08 | 2002-02-15 | Canon Inc | 半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システム |
JP2004325261A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Canon Inc | 放射線画像撮像装置 |
JP2005136254A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5262649A (en) | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
JP3066944B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
US7214945B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
EP1420453B1 (en) * | 2002-11-13 | 2011-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus and radiation image pickup system |
JP4323827B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
EP1593159B1 (en) | 2003-02-14 | 2013-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
JP4266656B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
JP4418720B2 (ja) | 2003-11-21 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
JP4845352B2 (ja) | 2004-06-15 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
US7557355B2 (en) | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
JP5159065B2 (ja) | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
JP5173234B2 (ja) | 2006-05-24 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
-
2006
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114531A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002050754A (ja) * | 2000-05-08 | 2002-02-15 | Canon Inc | 半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システム |
JP2004325261A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Canon Inc | 放射線画像撮像装置 |
JP2005136254A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283896A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-12-03 | Epson Imaging Devices Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US8497562B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-07-30 | Epson Imaging Devices Corporation | Solid-state image pickup device |
JP2009267343A (ja) * | 2008-10-29 | 2009-11-12 | Epson Imaging Devices Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010245078A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Epson Imaging Devices Corp | 光電変換装置、エックス線撮像装置 |
CN102376725A (zh) * | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 佳能株式会社 | 检测装置和放射线检测系统 |
US8759785B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus and radiation detection system |
JP2012079820A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
US8735886B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-05-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Image detector |
JP2014027300A (ja) * | 2013-10-22 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置 |
CN108701701A (zh) * | 2016-02-29 | 2018-10-23 | 夏普株式会社 | 光电转换装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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