JP2007144064A - 撮像センサおよびそれを用いた撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】FPD制御部は、所定の読み出し領域(2048画素×2048画素で構成された視野内)において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域においてキャリア(電荷情報)をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、キャリア情報を読み出す読み出し動作と、キャリアをリセットして破棄するリセット動作とを行うようにフラットパネル型X線検出器(FPD)を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
【選択図】図4
【解決手段】FPD制御部は、所定の読み出し領域(2048画素×2048画素で構成された視野内)において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域においてキャリア(電荷情報)をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、キャリア情報を読み出す読み出し動作と、キャリアをリセットして破棄するリセット動作とを行うようにフラットパネル型X線検出器(FPD)を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
【選択図】図4
Description
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置に関する。
検出された光または放射線に基づいて撮像を行う撮像装置は、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。X線検出器を例に採って説明する。X線検出器はX線感応型のX線変換層(半導体層)を備えており、X線の入射によりX線変換層はキャリア(電荷情報)に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでX線を検出する。X線変換層としては非晶質のアモルファスセレン(a−Se)膜が用いられる(例えば、非特許文献1参照)。
被検体にX線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、2次元状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間(『蓄積時間』とも呼ばれる)分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。
このようなX線検出器の周辺には、薄膜トランジスタのスイッチングのON/OFFの切り換えを行うゲートドライバ回路や、キャリアを読み出すためのアンプアレイ回路といった周辺回路が配設されている。駆動回路はX線検出器に駆動信号を与えてX線検出器を駆動させ、キャリアの読み出しに関連する読み出し信号に基づいて、読み出されたキャリアをアンプアレイ回路が受け取る。これらの回路とX線検出器とを含めて撮像センサを構成している。
かかるアンプアレイ回路の概略ブロック図を図12に示す。アンプアレイ回路は、図12に示すように、初段の電荷感応型アンプ(CSA: Charge Sensitive Amplifier)CSAと、後段の電荷感応型メインアンプ(MA: Main Amplifier)MAと、最終段のサンプリングホールドSHとを備えている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、所定の読み出し領域を画像視野の一部分に限定してキャリアを選択的に読み出す場合がある(例えば、特許文献1参照)。例えば、縦横がともに4096画素×4096画素で構成された総視野のうち、中央の2048画素×2048画素を選択して読み出す場合には、X線検出器やゲートドライバ回路やアンプアレイ回路などを制御する。
特開2004−23750号公報(第7−9頁、図1)
特開平8−47491号公報(第3−4頁、図1)
W. Zhao, et al. , "A flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium," Proc. SPIE Vol. 2708, pp. 523 - 531, 1996.
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、画像視野の一部分に限定してキャリアを選択して読み出すような部分読み出しモードを含めて、1フレーム分の画像視野における読み出し時点から次の1フレーム分の画像視野における読み出し時点までのフレーム周期において、以下のような問題がある。すなわち、前のフレームによる影響が次のフレームにまで及ぼすという問題がある。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる撮像センサおよびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えた撮像センサであって、前記検出器を制御する制御手段を備え、その制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御することを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えた撮像センサであって、前記検出器を制御する制御手段を備え、その制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御することを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までの期間をフレーム周期とする。このフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように制御手段は光または放射線検出器を制御する。もし、フレーム周期の間で上述した読み出し動作を先に行うとともに上述したリセット動作を後で行うときには、その所定の読み出し領域での電荷情報の読み出しを前回とすると、前回の所定の読み出し領域で読み出された電荷情報が前回のリセット動作によって破棄されてリセットされる。したがって、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す際に、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。もし、フレーム周期の間で上述したリセット動作を先に行うとともに上述した読み出し動作を後で行うときには、その所定の読み出し領域での電荷情報の読み出しを今回とすると、前回の所定の読み出し領域で読み出された電荷情報が今回のリセット動作によって破棄されてリセットされる。したがって、今回の所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す際に、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。このように、制御手段は、上述したフレーム周期の間で読み出し動作とリセット動作とを行うように検出器を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
ところで、下記で詳述する知見に基づく請求項2,3に記載の発明は、次のような構成をとる。
すなわち、請求項2に記載の発明は、前記検出器にラインごとに駆動信号を与えて駆動させる駆動手段を備え、前記読み出し動作では1ラインごとに駆動信号を与えて検出器を駆動させて前記1ラインごとに前記電荷情報を読み出し、前記リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないように前記制御手段は制御することを特徴とするものである。
また、請求項3に記載の発明は、前記検出器にラインごとに駆動信号を与えて駆動させる駆動手段を備え、nを2以上の整数として、互いに隣接するnラインをライングループとしたときに、前記読み出し動作では1ライングループごとに駆動信号を与えて検出器を駆動させて前記1ライングループごとに前記電荷情報を読み出し、前記リセット動作では互いに隣接するライングループに駆動信号を同時に与えないように前記制御手段は制御することを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明と同様に、制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
さらに、請求項2に記載の発明によれば、リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないようにするので、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れるのを防止することもできる。同様に、請求項3に記載の発明によれば、nを2以上の整数として、互いに隣接するnラインをライングループとしたときに、リセット動作では互いに隣接するライングループに駆動信号を同時に与えないようにするので、読み出し動作では1ライングループごとに駆動信号を与えて検出器を駆動させて1ライングループごとに電荷情報を読み出す場合においても、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れるのを防止することもできる。
ところで、上述したリセット動作を行う場合には、所定の読み出し領域を画像視野の一部分に限定して電荷情報を選択的に読み出すモード(以下、このモードを『部分読み出しモード』と呼ぶ)のときには、その読み出し領域以外、すなわち視野外の電荷情報が残留するので、この発明は特に有用である。すなわち、この発明が部分読み出しモードに適用することで、画像視野の一部分に限定した読み出し領域以外(視野外)の電荷情報をリセット動作でリセットするので、視野外の電荷情報による影響をリセットによって低減させることができる。
なお、リセット動作を行うときには、ゲートドライバ回路に代表される、検出器にラインごとに駆動信号を与えて駆動させる駆動手段は、全ラインに駆動信号を同時に一括して与える(例えば全ゲート線を同時に一括してONにする)。部分読み出しモードにおいて全ラインに駆動信号を同時に一括して与えると、上述した画像視野の一部分について電荷情報を読み出す際に、ラインごとのオフセットが発生して、画像上にすじ状のアーティファクトが現れるという別の問題が発生することが判明した。
上記問題を解決するために、発明者は、以下のような前記請求項2,3に関する知見を得た。上記問題が発生するメカニズムを考察した結果、図13および図14に示す合理的な説明モデルを想到した。
この説明モデルでは、光または放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採って説明するとともに、そのFPDに全ラインに駆動信号を同時に一括して与えるのに、全ゲート線を同時に一括してONにする場合を例に採って説明する。図13は、1本のデータ線に着目して抜粋したフラットパネル型X線検出器のレイアウトであって、図13(a)は平面図で、図13(b)は断面図である。また、図14は、フラットパネル型X線検出器内の薄膜トランジスタの等価回路である。
図13に示すように、フラットパネル型X線検出器(FPD)3において、縦・横式2次元マトリックス状配列でデータ線34(図13では1本のみ図示)、ゲート線35、薄膜トランジスタ(TFT)Trおよび検出素子DUが配設されている。各検出素子DUはキャリア(電荷情報)を蓄積するコンデンサCa(図14を参照)を有する。各検出素子DUに対して結合するゲート線35からの寄生容量は、図13、図14に示すように、薄膜トランジスタTrの配線レイアウトに起因するCGPと、薄膜トランジスタTrのゲート・ソース間オーバーラップ容量CGSとの2つになる。なお、データ線34からの寄生容量は、図14に示すように薄膜トランジスタTrのゲート・ドレイン間オーバーラップ容量CGDとなる。
あるゲート線35をONにしてスイッチングを行う場合には、そのゲート線35に接続されている検出素子DUへは、寄生容量(CGP+CGS)を介してキャリアのフィードスルーが発生するが、そのときに同時に、隣接する検出素子DUに対しても寄生容量CGPを介してキャリアのフィードスルーが発生する。したがって、等価回路は図14のように表される。
ここで、重要なポイントは、あるゲート線35をONにして駆動して、そのゲート線35に属する検出素子DUからキャリアを読み出す際には、その読み出し対象の検出素子DUのみならず、ゲート線35を挟んだ隣接する検出素子DUにも、寄生容量を介したフィードスルーが発生する点である。この隣接する検出素子DUに接続された隣接するゲート線35からのフィードスルーのキャリアの値(電荷量値)は、ゲート線35をONにする場合がCGP×(VGON−VGOFF)、OFFにする場合が、その逆極性の−CGP×(VGON−VGOFF)となる。ここで、VGONはゲート電圧がONのときの電圧であって、VGOFFはゲート電圧がOFFのときの電圧である。つまり、OFF→ON→OFFのサイクルを経れば、この影響は逆極性によってキャンセルすることになる。ただし、それには、『隣接する検出素子DUは常にOFF』という前提条件が必要である。
もし、全ゲート線35を同時に一括してONにして、全ゲート線35を一括駆動する場合には、『隣接する検出素子DUは常にOFF』という前提条件が成立しないので、隣接するゲート線35からの影響を考慮しなければならない。すなわち、ONからOFFに遷移する場合には、自分自身のゲート線35からのフィードスルーと、隣接するゲート線35からのフィードスルーを加算する必要がある。この場合に、図14に示すTFTソース端電位(オフセット電圧)VSは下記(1)式、さらには下記(2)式のように表される。
VS=−(CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca
−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca …(1)
=−(2×CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca …(2)
上記(1)式の右辺の第1項〔−(CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca〕は、対象となる検出素子DUのゲート線35からの影響であって、各検出素子DUをそれぞれ駆動させる場合と同じである。上記(1)式中の右辺の第2項〔−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca〕は、隣接する検出素子DUのゲート線35からの影響である。したがって、通常の順次駆動に比べると、上記(1)式中の右辺の第2項〔−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca〕の電位だけ変化があると考えられる。その変化量をΔVSとすると、ΔVSは下記(3)式のように表される。
−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca …(1)
=−(2×CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca …(2)
上記(1)式の右辺の第1項〔−(CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca〕は、対象となる検出素子DUのゲート線35からの影響であって、各検出素子DUをそれぞれ駆動させる場合と同じである。上記(1)式中の右辺の第2項〔−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca〕は、隣接する検出素子DUのゲート線35からの影響である。したがって、通常の順次駆動に比べると、上記(1)式中の右辺の第2項〔−CGP×(Vth−VGOFF)/Ca〕の電位だけ変化があると考えられる。その変化量をΔVSとすると、ΔVSは下記(3)式のように表される。
ΔVS=(CGP+CGS)×(Vth−VGOFF)/Ca …(3)
以上をまとめると、通常の順次駆動に比べると、上記(3)式中のΔVSだけ低くなると結論づけられる。
以上をまとめると、通常の順次駆動に比べると、上記(3)式中のΔVSだけ低くなると結論づけられる。
以上の説明モデルでの結論が正しければ、オフセット誤差を発生させないためには、『隣接する検出素子DUは常にOFF』の条件を常に保ち続けることが重要となる。このような説明モデルに基づいて、リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないようにすれば、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れるのを防止できるという知見を得た。
上述したこれらの発明(請求項1〜3に記載の発明)において、電荷情報を増幅させる増幅手段を備え、リセット動作ではその増幅手段についてリセットするように制御手段は制御するのが好ましい(請求項4に記載の発明)。リセット動作で増幅手段についてリセットすることで、リセット動作において増幅器の出力が振りきってしまうのを防止することができ、リセット動作から次なる読み出し動作においてスムーズに移行することができる。
また、請求項5に記載の発明は、撮像センサを用いた撮像装置であって、撮像センサを用いた撮像装置であって、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えるとともに、前記装置は、前記検出器を制御する制御手段を備え、その制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御することを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項5に記載の発明によれば、制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
撮像装置に係る発明(請求項5に記載の発明)において、制御手段を撮像センサの外部に備えてもよいし(請求項6に記載の発明)、制御手段を撮像センサの内部に備えてもよい(請求項7に記載の発明)。
この発明に係る撮像センサおよびそれを用いた撮像装置によれば、制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図1は、実施例に係るX線透視撮影装置のブロック図であり、図2は、X線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図3は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図4は、フラットパネル型X線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。本実施例では、光または放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採るとともに、撮像装置としてX線透視撮影装置を例に採って説明する。
図1は、実施例に係るX線透視撮影装置のブロック図であり、図2は、X線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図3は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図4は、フラットパネル型X線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。本実施例では、光または放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採るとともに、撮像装置としてX線透視撮影装置を例に採って説明する。
本実施例に係るX線透視撮影装置は、図1に示すように、被検体Mを載置する天板1と、その被検体Mに向けてX線を照射するX線管2と、被検体Mを透過したX線を検出するFPD3とを備えている。FPD3は、この発明における放射線検出器に相当する。
X線透視撮影装置は、他に、天板1の昇降および水平移動を制御する天板制御部4や、FPD3の走査を制御するFPD制御部5や、X線管2の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部6を有するX線管制御部7や、FPD3から電荷信号であるX線検出信号をディジタル化して取り出すA/D変換器8や、A/D変換器8から出力されたX線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部9や、これらの各構成部を統括するコントローラ10や、処理された画像などを記憶するメモリ部11や、オペレータが入力設定を行う入力部12や、処理された画像などを表示するモニタ13などを備えている。
天板制御部4は、天板1を水平移動させて被検体Mを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Mを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。FPD制御部5は、FPD3を水平移動させたり、被検体Mの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部6は、X線を照射させるための管電圧や管電流を発生してX線管2に与え、X線管制御部7は、X線管2を水平移動させたり、被検体Mの体軸の軸心周りに回転移動させるによる走査に関する制御や、X線管3側のコリメータ(図示省略)の照視野の設定の制御などを行う。なお、X線管2やFPD3の走査の際には、X線管2から照射されたX線をFPD3が検出できるようにX線管2およびFPD3が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
コントローラ10は、中央演算処理装置(CPU)などで構成されており、メモリ部11は、ROM(Read-only Memory)やRAM(Random-Access Memory)などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部12は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。X線透視撮影装置では、被検体Mを透過したX線をFPD3が検出して、検出されたX線に基づいて画像処理部9で画像処理を行うことで被検体Mの撮像を行う。画像処理部9は、この発明における画像処理手段に相当する。
本実施例では、FPD制御部5は、フレーム周期の間でキャリア(電荷情報)を読み出す読み出し動作と、キャリアをリセットして破棄するリセット動作とを行う機能を備えている。さらに、本実施例では、FPD制御部5は、上述した読み出し動作では後述する各々のゲート線35を順次にONにしてFPD3を駆動させて各ゲート線35ごとにキャリアを読み出し、上述したリセット動作では互いに隣接するゲート線35を同時にONにしないように制御する機能を備えている。具体的なFPD制御部5の機能については後述する。また、FPD3およびFPD制御部5で、この発明における撮像センサ(図3の撮像センサSを参照)を構成する。FPD制御部5は、この発明における制御手段に相当する。
FPD3は、図2に示すように、X線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜31と、半導体厚膜31の表面に設けられた電圧印加電極32と、半導体厚膜31の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極33と、キャリア収集電極33への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサCaと、コンデンサCaに蓄積された電荷を取り出すための通常時OFF(遮断)の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ(TFT)Trとを備えている。本実施例では、半導体厚膜31は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。
この他に、本実施例では、薄膜トランジスタTrのソースに接続されているデータ線34と、薄膜トランジスタTrのゲートに接続されているゲート線35とを備えており、電圧印加電極32,半導体厚膜31,キャリア収集電極33,コンデンサCa,薄膜トランジスタTr,データ線34およびゲート線35が絶縁基板36の上に積層されて構成されている。
図2、図3に示すように、縦・横式2次元マトリックス状配列で多数個(例えば、1024個×1024個や4096×4096個)形成されたキャリア収集電極33ごとに、上述した各々のコンデンサCaおよび薄膜トランジスタTrがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極33,コンデンサCa,および薄膜トランジスタTrが各検出素子DUとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極32は、全検出素子DUの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線34は、図3に示すように、横(X)方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線35は、図3に示すように、縦(Y)方向に複数本に並列されており、各々のデータ線34およびゲート線35は各検出素子DUに接続されている。また、データ線34はアンプアレイ回路37に接続されており、ゲート線35はゲートドライバ回路38に接続されている。なお、検出素子DUの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子DUが1個のみの形態であってもよい。
検出素子DUは2次元マトリックス状配列で絶縁基板36にパターン形成されており、検出素子DUがパターン形成された絶縁基板36は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。
また、FPD3の検出素子DU周辺を作成する場合には、絶縁基板36の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線34およびゲート線35を配線し、薄膜トランジスタTr,コンデンサCa,キャリア収集電極33,半導体厚膜31,電圧印加電極32などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜31を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。
このように、ゲートドライバ回路38は、FPD3にゲート線35ごとに駆動信号を与えて駆動させる機能を備えている。したがって、ゲートドライバ回路38は、この発明における駆動手段に相当する。本実施例では、駆動信号を、例えばゲート電圧がONのときの電圧VGONとする。そして、ゲート線35をONにするように駆動信号(VGON)を与えて駆動させるように構成されている。
アンプアレイ回路37は、FPD3外のA/D変換器8を含めて、キャリアの読み出しに関連する読み出し信号に基づいて、キャリアを受け取る機能を備えている。なお、A/D変換器8については、FPD3の構成内に備えてもよい。これらのゲートドライバ回路38やアンプアレイ回路37やA/D変換器8は、FPD3の周辺回路である。
なお、アンプアレイ回路37は増幅させる機能を備えている。したがって、アンプアレイ回路37は、この発明における増幅手段に相当する。
上述したアンプアレイ回路37は、図4に示すように、2段の増幅回路41,42およびサンプリングホールドSHからなり、キャリアの読み出し方向から見て上流側、すなわち初段の増幅回路41は、初段の電荷感応型アンプ(CSA: Charge Sensitive Amplifier)CSA用の回路であって、下流側すなわち後段の増幅回路42は、後段の電荷感応型メインアンプ(MA: Main Amplifier)MA用の回路である。そして、キャリアの読み出し方向から見て上流側から順に、増幅回路41,42および最終段のサンプリングホールドSHを電気的に接続している。
初段の電荷感応型アンプCSAおよび後段の電荷感応型メインアンプMAは、キャリアを電圧に変換して出力する。また、両アンプCSA,MAの間には、初段の電荷感応型アンプCSAの出力電圧VOUTをキャリアに変換するコンデンサCiを介在させ、コンデンサCiによって変換された電荷を後段の電荷感応型メインアンプMAが再度に電圧に変換する。なお、両アンプCSA,MAの入出力間で各アンプCSA,MAに対して並列に電気的に接続されたコンデンサCf,CFをそれぞれ備えている。コンデンサCFと後段の電荷感応型メインアンプMAとによって後段の増幅回路42を構成する。
両アンプCSA,MAは演算増幅器で構成されている。そして、正電源VDDと負電源VSSとによって給電され、演算増幅器の正転入力には基準電圧VREFが入力されている。通常では、基準電圧VREFは、正電源VDDと負電源VSSとの中間レベルに設定される。例えば、正電源VDD=5.0V、負電源VSS=−5.0Vならば、基準電圧VREF=0Vとなり、正電源VDD=5.0V、負電源VSS=0Vならば、基準電圧VREF=2.5Vとなる。
初段の電荷感応型アンプCSAの場合には、アンプCSAに入力されるキャリアをQINとしたときには、アンプCSAのアンプ出力は以下のような挙動を示す。すなわち、キャリアQINがゼロの場合には、アンプ出力である出力電圧VOUTは基準電圧VREFと等しくなる。そして、キャリアQINが正(QIN>0)の場合には、基準電圧VREFを基準にして負電源VSSに向かう方向(負の方向)に、キャリアQINが負(QIN<0)の場合には、基準電圧VREFを基準にして正電源VDDに向かう方向(正の方向)にその出力がそれぞれ振れる。
また、両アンプCSA,MAには、各アンプCSA,MAに対して並列に電気的に接続されたコンデンサCf,CFと同様に並列に電気的に接続された切り換えスイッチSCSA,SMAをそれぞれ有している。各切り換えスイッチSCSA,SMAをONにすることで、コンデンサCf,CFにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、各切り換えスイッチSCSA,SMAをOFFにすることでOFF移行後においてコンデンサCf,CFにキャリアをそれぞれ蓄積する。
特に、本実施例では、リセット動作では切り換えスイッチSCSA,SMAをOFFにするようにFPD制御部5は制御することで、キャリアを放電してリセットを行う。すなわち、リセット動作ではアンプアレイ回路37についてリセットするようにFPD制御部5は制御する。
FPD制御部5は、後述する図5のアンプアレイ回路37の動作シーケンスにおける各信号のタイミングを制御するとともに、後述する図7の動作シーケンスのようなゲート線35の駆動制御をFPD制御部5が行う。
続いて、本実施例に係るX線透視撮影装置およびフラットパネル型X線検出器(FPD)の作用について説明する。電圧印加電極32に高電圧(例えば数100V〜数10kV程度)のバイアス電圧VAを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧VAの印加の制御についてもFPD制御部5から行う。
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサCaに蓄積される。ゲートドライバ回路38の信号取り出し用の走査信号(すなわちゲート駆動信号)によって、ゲート線35が選択されて、さらに選択されたゲート線35に接続されている検出素子DUが選択指定される。その指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、選択されたゲート線35の信号によってON状態に移行した薄膜トランジスタTrを経由して、データ線34に読み出される。
また、各検出素子DUのアドレス(番地)指定は、データ線34およびゲート線35の信号取り出し用の走査信号(ゲート線35の場合にはゲート駆動信号、データ線34の場合にはアンプ駆動信号)に基づいて行われる。アンプアレイ回路37やゲートドライバ回路38に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路38から縦(Y)方向の走査信号(ゲート駆動信号)に従って各検出素子DUが選択される。そして、横(X)方向の走査信号(アンプ駆動信号)に従ってアンプアレイ回路37が切り換えられることによって、選択された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積された電荷が、データ線34を介してアンプアレイ回路37に送り出される。そして、アンプアレイ回路37で増幅されて、X線検出信号としてアンプアレイ回路37から出力されてA/D変換器8に送り込まれる。なお、アンプアレイ回路37の各アンプCSA,MAによって、キャリアの形態から電圧の形態として変換されてX線検出信号は出力される。
上述の動作によって、例えばX線透視撮影装置の透視X線像の検出に本実施例に係るFPD3を備えた撮像センサSを用いた場合、データ線34を介して外部に読み出された電荷情報(X線検出信号)がアンプアレイ回路37で電圧として増幅された状態で画像情報に変換されて、X線透視画像として出力される。
次に、アンプアレイ回路37の動作シーケンスの一例について、図5を参照して説明する。図5は、実施例に係るアンプアレイ回路37の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。図5中の『CSA』は初段の電荷感応型アンプCSAに対して電気的に接続されたスイッチSCSAのON(キャリア放電)またはOFF(キャリア蓄積)を示す。図5中の『MA』は後段の電荷感応型メインアンプMAに対して電気的に接続されたスイッチSMAのON(キャリア放電)またはOFF(キャリア蓄積)を示す。図5中の『TFT Gate』は薄膜トランジスタTrのゲートのONまたはOFFを示す。図5中の『SH』はサンプリングホールドSHのONまたはOFFを示す。なお、『CSA』や『MA』のONから次回の『CSA』や『MA』のONまでの期間が、1本のデータ線34の1ライン分の読み出し周期となり(図5中の読み出し周期TLを参照)、『TFT Gate』のON/OFFの切り換えの1回分で、実際の1本のデータ線34の1ライン分の読み出し期間となる。
FPD制御部5が各切り換えスイッチSCSA,SMAをON(図5中の『CSA』、『MA』のONを参照)にすると、コンデンサCf,CFにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、前回に蓄積されたキャリアについてリセットする。切り換えスイッチSCSAを先にOFF(図5中の『CSA』のOFFを参照)にして、続いて切り換えスイッチSMAをOFF(図5中の『MA』のOFFを参照)にする。このOFFへの移行で、OFF移行後におけるコンデンサCf,CFへのキャリアの蓄積のための準備段階となる。
FPD制御部5が薄膜トランジスタTrのゲートをON(図5中の『TFT Gate』のONを参照)にしている間に、1本のデータ線34の1ライン分のキャリアを読み出して、アンプアレイ回路37に送り込む。
FPD制御部5が薄膜トランジスタTrのゲートをOFF(図5中の『TFT Gate』のOFFを参照)にすると、基準電圧VREFを基準にして初段の電荷感応型アンプCSAの出力電圧VOUTが振れる。
そして、得られたアンプCSAの出力電圧VOUTをコンデンサCiはキャリアに変換し、その変換されたキャリアを後段の電荷感応型メインアンプMAは再度に電圧に変換する。このアンプMAはX線検出信号のデータとして出力電圧を出力する。FPD制御部5がサンプリングホールドSHをON(図5中の『SH』のONを参照)にすると、後段の電荷感応型メインアンプMAから出力されたデータをサンプリングして保持する。
次に、所定の読み出し領域を画像視野の一部分に限定してキャリア(電荷情報)を選択的に読み出すモード(部分読み出しモード)について、図6を参照して説明するとともに、その部分読み出しモードにおけるゲート線35の駆動制御の動作シーケンスの一例について、図7、図8を参照して説明する。図6は、総視野および部分読み出しモードにおける画像視野を模式的に表した説明図であり、図7(a)は、ゲート線35の駆動制御の動作シーケンスを示すタイミングチャートであり、図7(b)は、奇数・偶数ラインのゲート線35の動作シーケンスについて時系列的に拡大したタイミングチャートであり、図8は、図7とは別の実施形態に係るタイミングチャートである。また、本実施例の図7、図8との比較のために、図9を併せて参照して説明する。図9は、図7、図8との比較に用いられる従来のゲート線の駆動制御の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。
なお、本実施例では、縦横がともに4096画素×4096画素で構成された総視野のうち、中央の2048画素×2048画素を選択して読み出す場合を例に採って説明する。図7〜図9中の『TFT Gate』は図5と同じく薄膜トランジスタTrのゲートのONまたはOFFを示す。
また、本明細書での『フレーム』とは、所定の読み出し領域においてキャリアをまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域においてキャリアをまとめて読み出す読み出し時点までの周期として、以下を説明する。
従来の場合も含めて、図7〜図9のシーケンスは、1フレームごとに関するもので、図5で述べた読み出し周期TLは、1フレームから見ると図7〜図9においては図示した関係になる。また、従来では、図9に示したように、各ラインの読み出し以外を『ブランキング期間』としたときに、1フレーム内では、実際に読み出される読み出し期間とブランキング期間とに区分けされる。つまり、従来では、1フレーム分の周期は、読み出し期間およびブランキング期間からなる。
一方、本実施例での図7、図8では、読み出し期間およびブランキング期間以外に、キャリアをリセットして破棄するリセット期間が含まれている。図7、図8では、リセット期間においてゲート線35がONになっている部分(図7、図8中の『TFT Gate』が『ON』を参照)をクロスのハッチングで示す。
図6に示すように、4096画素×4096画素で構成された総視野P(図6では『4096×4096』)のうち、中央の2048画素×2048画素を画像視野の一部分に限定した所定の読み出し領域とし、その読み出し領域を視野内PIN(図6では『2048×2048』)とする。視野内PINの領域を図6では右上斜線のハッチングで示す。また、総視野Pのうち、視野内PIN以外である外部の領域を視野外POUTとする。各ゲート線35を駆動させて走査(スキャン)させる方向は、図6に示すとおりである。
部分読み出しモードにおいて、読み出し動作ではゲート線35を1ラインごとに順次にONにして、1ラインごとにキャリアを読み出す(図7、図8の『読み出し期間』を参照)。一方、リセット動作では互いに隣接するゲート線35を同時にONにしないようにする。本実施例では、図7(b)に示すように、ゲート線35を奇数・偶数ラインに分けて、奇数ラインに関するゲート線35を同時にONにしている間には、偶数ラインに関するゲート線35をOFFにし、逆に偶数ラインに関するゲート線35を同時にONにしている間には、奇数ラインに関するゲート線35をOFFにする(図7(a)の『リセット』を参照)。図8のリセット動作の場合も同様に行う。
図7の実施形態では、リセット動作を読み出し期間の直前と直後との両方にそれぞれ挟んで行っている。図8の実施形態では、リセット動作を読み出し期間の直前または直後のいずれか一方に行っている。図8(a)では、1フレーム分の周期の間で読み出し動作を先に行うとともにリセット動作を後で行うときで、図8(b)では、1フレーム分の周期の間でリセット動作を先に行うとともに読み出し動作を後で行う。
なお、図7、図8に示すリセット動作では、リセットの間、図4に示すアンプアレイ回路37についてリセットする。本実施例では、上述したように切り換えスイッチSCSA,SMAをOFFにするようにFPD制御部5は制御することで、キャリアを放電してリセットを行う。
上述した本実施例に係る撮像センサSによれば、所定の読み出し領域(本実施例では2048画素×2048画素で構成された図6の視野内PIN)においてキャリアである電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域においてキャリアをまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、キャリアを読み出す読み出し動作と、キャリアをリセットして破棄するリセット動作とを行うようにFPD制御部5はFPD3を制御する。
もし、図8(a)のようにフレーム周期の間で上述した読み出し動作を先に行うとともに上述したリセット動作を後で行うときには、そのキャリアの読み出しを前回とすると、前回で読み出されたキャリアが前回のリセット動作によって破棄されてリセットされる。したがって、次なる所定の読み出し領域においてキャリアをまとめて読み出す際に、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
もし、図8(b)のようにフレーム周期の間で上述したリセット動作を先に行うとともに上述した読み出し動作を後で行うときには、そのキャリアの読み出しを今回とすると、前回で読み出されたキャリアが今回のリセット動作によって破棄されてリセットされる。したがって、今回の所定の読み出し領域においてキャリアをまとめて読み出す際に、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
なお、図7のようにリセット動作を読み出し動作の前後でそれぞれ行う場合には、図8(a)および図8(b)の効果を両方組み合わせた効果を奏する。このように、FPD制御部5は、上述したフレーム周期の間で読み出し動作とリセット動作とを行うようにFPD3を制御するので、前回の所定の読み出し領域による影響を低減させることができる。
リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないようにする。本実施例では、リセット動作では互いに隣接するゲート線35を同時にONにしないように、ゲート線35を奇数・偶数ラインに分けて、奇数ラインに関するゲート線35を同時にONにしている間には、偶数ラインに関するゲート線35をOFFにし、逆に偶数ラインに関するゲート線35を同時にONにしている間には、奇数ラインに関するゲート線35をOFFにして制御するので、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れるのを防止することもできる。
また、本実施例では、リセット動作でアンプアレイ回路37についてリセットすることで、リセット動作において初段の電荷感応型アンプCSAの出力電圧VOUTなどに代表されるアンプの出力が振りきってしまうのを防止することができ、リセット動作から次なる読み出し動作においてスムーズに移行することができる。
ところで、本実施例のように部分読み出しモードのときには、その読み出し領域(視野内PIN)以外、すなわち視野外POUTのキャリアが残留するので、この発明は特に有用である。すなわち、この発明が部分読み出しモードに適用することで、画像視野(総視野P)の一部分に限定した視野内PIN以外(視野外POUT)のキャリアをリセット動作でリセットするので、視野外POUTのキャリアによる影響をリセットによって低減させることができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、図1に示すようなX線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばC型アームに配設されたX線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、X線CT装置にも適用してもよい。
(2)上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜31(半導体層)によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、フォトダイオードで形成してもよい。
(3)上述した実施例では、X線を検出するX線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ECT(Emission Computed Tomography)装置のように放射性同位元素(RI)を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したECT装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
(4)上述した実施例では、X線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、光を検出する光検出器にも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
(5)上述した実施例では、読み出し動作ではゲート線35を1ラインごとに順次にONにして、リセット動作では互いに隣接するゲート線35を同時にONにしないように制御したが、nを2以上の整数として、互いに隣接するnラインをライングループとしたときに、読み出し動作では1ライングループごとに駆動信号を与えて(実施例のように1ライングループごとに順次にONにして)、1ライングループごとにキャリアを読み出すモード(以下、このモードを『同時読み出しモード』とする)においても適用してもよい。例えば、図10に示すように、互いに隣接する4本のゲート線35(350,351,352,353)をライングループとして、後に続く4本のゲート線35(354,355,356,357)もライングループとして、以下同様にして、1ライングループごとに4本分のキャリアを読み出すとする。そして、リセット動作では互いに隣接する互いに隣接するライングループに駆動信号を同時に与えないようにする。図10では、4本のゲート線35(350,351,352,353)をONにしている間には、4本のゲート線35(354,355,356,357)をOFFにし、逆に4本のゲート線35(354,355,356,357)をONにしている間には、4本のゲート線35(350,351,352,353)をOFFにする。このような同時読み出しモードにおいても、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れるのを防止することができる。
(6)上述した実施例の図7のようなリセット動作を読み出し動作の前後でそれぞれ行うような制御、あるいは図8(a)または図8(b)のような読み出し動作を読み出し動作の前または後のいずれかに行うような制御を行ったが、制御の方式については特に限定されない。フレーム周期の間で読み出し動作およびリセット動作をそれぞれ少なくとも1つずつ含んでいればよい。
(7)上述した実施例では、リセット動作では互いに隣接するゲート線35を同時にONにしないように、ゲート線35を奇数・偶数ラインに分けて、一方のラインに関するゲート線35を同時にONにしている間には、他方のラインに関するゲート線35をOFFにして2つに分けたが、3つ以上に分けてもよい。例えば、図11に示すように、nを自然数としたときに、ゲート線を(3×n)・(3×n+1)・(3×n+2)に分けて、(3×n)・(3×n+1)・(3×n+2)のいずれか1つのゲート線35を同時にONにしている間には、残りの2つのゲート線35をOFFにしてもよい。また、変形例(5)を組み合わせて、複数のライングループを3つ以上に分けて、分けられたうちの1つのライングループを同時にONにしている間には、残りのライングループをOFFにしてもよい。
(8)上述した実施例では、FPD3にゲート線35ごとに駆動信号を与えて駆動させるのに、駆動信号を、ゲート電圧がONのときの電圧VGONとして、ゲート線35をONにするように駆動信号(VGON)を与えて駆動させたが、このような駆動信号に限定されない。例えば、駆動信号を、ゲート電圧がOFFのときの電圧VGOFFとして、ゲート線35をOFFにするように駆動信号(VGOFF)を与えて駆動させてもよい。
(9)上述した実施例では、リセット動作ではアンプアレイ回路37に代表される増幅手段についてリセットするように制御したが、必ずしもリセット動作において増幅手段についてリセットする必要はない。また、リセットするのにアンプアレイ回路37の切り換えスイッチSCSA,SMAをOFFにしたが、切り換えスイッチSCSA,SMAのいずれか一方のみのスイッチをOFFにしてもよい。また、切り換えスイッチをOFFにする以外の手法でアンプアレイ回路37に代表される増幅手段についてリセットしてもよい。
(10)上述した実施例では、部分読み出しモードを例に採って説明したが、図6に示す視野内PINを読み出すような部分読み出しモードに限定されずに、総視野Pを読み出す通常の読み出しモードに適用してもよい。また、フレームごとに部分読み出しモードと通常の読み出しモードとを切り換えて制御を行う場合においても適用してもよい。
(11)上述した実施例では、リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないようにしたが、必ずしもリセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないようにする必要はない。もし、オフセット誤差が発生せずにすじ状のアーティファクトが画像上に現れない、あるいはすじ状のアーティファクトを考慮しないのであれば、リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えてもよい。
(12)上述した実施例では、FPD制御部5を撮像センサSの内部に備えたが、FPD制御部5を撮像センサSの外部に備えてもよい。
3 … フラットパネル型X線検出器(FPD)
5 … FPD制御部
9 … 画像処理部
37 … アンプアレイ回路
38 … ゲートドライバ回路
S … 撮像センサ
5 … FPD制御部
9 … 画像処理部
37 … アンプアレイ回路
38 … ゲートドライバ回路
S … 撮像センサ
Claims (7)
- 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えた撮像センサであって、前記検出器を制御する制御手段を備え、その制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御することを特徴とする撮像センサ。
- 請求項1に記載の撮像センサにおいて、前記検出器にラインごとに駆動信号を与えて駆動させる駆動手段を備え、前記読み出し動作では1ラインごとに駆動信号を与えて検出器を駆動させて前記1ラインごとに前記電荷情報を読み出し、前記リセット動作では互いに隣接するラインに駆動信号を同時に与えないように前記制御手段は制御することを特徴とする撮像センサ。
- 請求項1に記載の撮像センサにおいて、前記検出器にラインごとに駆動信号を与えて駆動させる駆動手段を備え、nを2以上の整数として、互いに隣接するnラインをライングループとしたときに、前記読み出し動作では1ライングループごとに駆動信号を与えて検出器を駆動させて前記1ライングループごとに前記電荷情報を読み出し、前記リセット動作では互いに隣接するライングループに駆動信号を同時に与えないように前記制御手段は制御することを特徴とする撮像センサ。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の撮像センサにおいて、前記電荷情報を増幅させる増幅手段を備え、前記リセット動作ではその増幅手段についてリセットするように前記制御手段は制御することを特徴とする撮像センサ。
- 撮像センサを用いた撮像装置であって、前記装置は、前記撮像センサと、画像処理を行う画像処理手段とを備え、前記撮像センサは、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えるとともに、前記装置は、前記検出器を制御する制御手段を備え、その制御手段は、所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点から、次なる所定の読み出し領域において電荷情報をまとめて読み出す読み出し時点までのフレーム周期の間で、電荷情報を読み出す読み出し動作と、電荷情報をリセットして破棄するリセット動作とを行うように検出器を制御することを特徴とする撮像装置。
- 請求項5に記載の撮像装置において、前記制御手段を前記撮像センサの外部に備えることを特徴とする撮像装置。
- 請求項5に記載の撮像装置において、前記制御手段を前記撮像センサの内部に備えることを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005346097A JP2007144064A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 撮像センサおよびそれを用いた撮像装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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