JP2012130406A - 二次元画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】散乱線による影響やリーク電流による影響を軽減させることができる二次元画像撮影装置を提供する。
【解決手段】駆動制御部25は、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstにより、X線を照射する蓄積期間では、変換層31と蓄積容量Cとを接続させることで、変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させることができる。一方、蓄積期間以外では、変換層31と電荷除去部35とを接続させることで、変換層31からの電荷を蓄積容量Cに蓄積させずに電荷除去線41を通じて除去させることができる。そのため、蓄積期間以外に散乱線が入射しても、変換された不要な電荷は蓄積容量Cに蓄積されないようにすることができ、散乱線による影響を軽減させることができる。また、蓄積期間のみに変換層31と蓄積容量Cとを接続させているので、リーク電流による影響を軽減させることができる。
【選択図】図2
【解決手段】駆動制御部25は、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstにより、X線を照射する蓄積期間では、変換層31と蓄積容量Cとを接続させることで、変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させることができる。一方、蓄積期間以外では、変換層31と電荷除去部35とを接続させることで、変換層31からの電荷を蓄積容量Cに蓄積させずに電荷除去線41を通じて除去させることができる。そのため、蓄積期間以外に散乱線が入射しても、変換された不要な電荷は蓄積容量Cに蓄積されないようにすることができ、散乱線による影響を軽減させることができる。また、蓄積期間のみに変換層31と蓄積容量Cとを接続させているので、リーク電流による影響を軽減させることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、X線・γ線等の放射線、可視光、赤外光等の電磁波情報に基づいて画像を取得する二次元画像撮影装置に関する。
従来、二次元画像撮影装置に使用される二次元画像検出器として、例えば、フラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」と略記する)が知られている。FPDは、図9に示すように、薄膜トランジスタ(TFT)等のスイッチング素子Gaやコンデンサ等の蓄積容量Cが二次元状に配列されたアクティブマトリックス基板135上に、a−Se(アモルファス・セレン)等の変換層131が形成された構成を備えている。
このFPDにおいて、電磁波として例えばX線が被検体に照射されると、被検体を透過したX線像が変換層131上に投影され、X線像の濃淡に比例して電荷が生成される。生成された電荷は、変換層131を挟んで、バイアス電圧Vaが印加される共通電極132の反対側に設けられた画素電極133により収集され、蓄積容量Cに蓄積される。蓄積された電荷は、スイッチング素子Gaの動作によって読み出され、X線検出信号(電気信号)として出力される。出力されたX線検出信号は、画像処理等が行われてモニタに表示される。なお、符号xはX線の照射方向を示している。
このようなFPDには、X線が照射されていない状態でも変換層131の欠陥などによるリーク電流(暗電流)によって電荷が蓄積容量Cに蓄積される問題がある。リーク電流による電荷が蓄積容量Cに蓄積されると、蓄積容量Cの容量がリーク電流による電荷によって占められてしまうので、ダイナミックレンジが減少してしまう。そこで、リーク電流による電荷を蓄積容量Cから除去する方法として、X線照射前に全てのスイッチング素子Gaを駆動させて、リーク電流による電荷をリセットさせる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
なお、特許文献1には、間接変換型の二次元画像検出器が開示されている。この検出器は、X線検出素子が二次元状に配列したものの上に、X線を光に変換する蛍光体層(シンチレータ層)が形成されている。X線検出素子は、図10に示すように、入射した光を電荷に変換するフォトダイオード201と、フォトダイオード201からの電荷を蓄積するコンデンサ202と、コンデンサ202に蓄積された電荷を読み出すTFT203とを備えている。フォトダイオード201のカソード端子とコンデンサ202の一方の端子の接続点は逆バイアス電源に接続され、その反対側の接続点にはTFT203が接続されている。
しかしながら、このような構成を有する従来装置には、次のような問題がある。すなわち、従来装置は、二次元画像検出器(FPD)と対となって設けられ、電磁波を照射する電磁波照射部(X線管)以外からの電磁波の影響を受けてしまうという問題がある。例えば、電磁波照射部と二次元画像検出器等の撮影系が2組設けられたバイプレーン式の二次元画像撮影装置の場合が挙げられる。この場合、一方の組の電磁波照射部から照射された電磁波が被検体を透過する際に散乱線を生じ、その散乱線が他方の組の二次元画像検出器に入射される。この散乱線の入射により変換された電荷が、被検体の電磁波像により変換された電荷を蓄積している蓄積容量に加わってしまうと、リセット動作等では、その散乱線による電荷を除去することができない。
ここで、図11を参照する。図11は、従来の二次元画像撮影装置の動作シーケンスの一例を示した図である。二次元画像撮影装置は、F側(正面側)の撮影系とL側(側面側)との撮影系で交互に撮影を行っている。具体的には、F側の撮影系において、X線照射(ON)を行って電荷を蓄積容量に蓄積させ(時刻t101〜t102)、スイッチング素子Gaを接続(ON)させることで、蓄積された電荷が読み出される(時刻t102〜t103)。その後、L側の撮影系において、X線照射を行って電荷を蓄積容量に蓄積させ(時刻t103〜t104)、蓄積された電荷が読み出される(時刻t104〜t105)。そして再び、F側の撮影系における撮影が行われることで、F側の撮影系とL側の撮影系とで交互に撮影を行っている。すなわち、散乱線の影響を軽減させるために、一方のX線照射および読み出し動作が終了した後に、他方のX線照射および読み出し動作を行っている。そのため、フレームレートは、通常の撮影に対し、半分(1/2)にして行われている。このように従来装置には、散乱線の影響によりフレームレートに制限がある。
なお、上述した特許文献1において、X線曝射(照射)を行う前は、TFTを常にONにして、コンデンサに蓄積されたリーク電流による電荷(暗電流ノイズ)を外部へ除去し(掃き出し)ている。そして、X線照射を行う際は、X線照射のタイミングと同時にTFTをOFFにし、X線照射の終了後は、TFTをONにして蓄積された電荷を読み出している。それにより、X線照射と同時に電荷の蓄積を開始するようにしている。しかしながら、このような検出器を採用した場合でも上述した散乱線による影響は解消されない。また、特許文献1では、さらに、X線曝射を行う前は、検出器の蓄積用コンデンサへの電力供給を遮断(停止)し、X線照射のタイミングが発生すると、電力供給を行っている。しかしながら、このような検出器を採用した場合でも、図11に示すように、一方の撮影系のX線照射および読み出し動作が終了した後に、他方の撮影系のX線照射および読み出し動作を行っているとすれば、従来装置の動作と変わらず、散乱線による影響は解消されない。
また、従来装置は、リーク電流による影響の問題がある。例えば、図11の期間Bに示すように、時刻t101に電荷の読み出し動作やリセット動作が終了したとすると、それらの動作が行われた時刻t101から読み出し期間の終了の時刻t103までの期間にリーク電流による電荷が蓄積される。また、例えば期間Cに示すように、X線を照射する期間を長くすると、その長くなった分のリーク電流による電荷を蓄積するので、期間Bが長くなり蓄積量が多くなる。それにより、リーク電流の電荷によるアーチファクトの影響が大きくなってしまう。
また、例えば、リーク電流による電荷の蓄積する時間が長いことにより、欠陥画素と判定される規定値以上の画素値(電荷)を有する画素がある場合、その画素は、例えばその周囲の画素の画素値から求められた値で補正される。そのため、取得される画像が補正された画素を含むこととなるので画質を低下させてしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、散乱線による影響やリーク電流による影響を軽減させることができる二次元画像撮影装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る二次元画像撮影装置は、被検体に向けて電磁波を照射する電磁波照射部と、被検体を透過した電磁波を検出する二次元画像検出器と、前記電磁波照射部および前記二次元画像検出器を制御する駆動制御部と、を備え、前記二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、前記変換層と前記蓄積容量との接続または前記変換層と前記電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有し、前記駆動制御部は、前記電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とを接続させ、前記蓄積期間以外では、前記接続切換部により前記変換層と前記電荷除去部とを接続させることを特徴とするものである。
本発明に係る二次元画像撮影装置によれば、二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、変換層と蓄積容量との接続または変換層と電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有している。駆動制御部は、電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、接続切換部により変換層と蓄積容量とを接続させることで、変換層で変換された電荷を蓄積させることができる。また、蓄積期間以外では、接続切換部により変換層と電荷除去部とを接続させることで、変換層からの電荷を蓄積容量に蓄積させずに電荷除去部を通じて除去することができる。すなわち、電磁波を照射する蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させるので、蓄積期間以外に散乱線が入射したとしても、その散乱線により変換された不要な電荷を蓄積容量に蓄積させないようにすることができる。そのため、散乱線による影響を軽減させることができる。
また、従来装置では、電荷の読み出し動作やリセット動作が行われた後から次のそれらの動作が行われるまでの期間にリーク電流による電荷が蓄積容量に蓄積される。また、電磁波を照射する時間(すなわち蓄積期間)を長くすると、その長くなった分のリーク電流による電荷を蓄積する期間が長くなり、電荷の蓄積量が多くなる。一方、本装置では、変換層と蓄積容量とを接続させると、リーク電流による電荷が蓄積容量に蓄積される。しかしながら、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、リーク電流による電荷を蓄積する期間を短縮することができる。そのため、リーク電流による影響を軽減させることができる。
また、例えば、従来、リーク電流による電荷の蓄積する時間が長いことにより、欠陥画素と判定される規定値以上の画素値(電荷量)を有する画素がある場合、その画素は、例えばその周囲の画素の画素値から求められた値で補正される。しかしながら、本装置では、リーク電流による電荷の蓄積する期間を短縮することができるので、欠陥画素として判定されていたものを、欠陥画素として判定されない規定値以下である画素値とすることができる。欠陥画素として判定されない画素は、その画素値を補正なしの実際の画素値のままで用いることができる。そのため、取得される画像の画質を向上させることができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置において、前記電磁波照射部および二次元画像検出器は、複数組設けられ、前記駆動制御部は、前記複数組の前記電磁波照射部から交互に電磁波を照射することが好ましい。駆動制御部は、電磁波を照射する蓄積期間では接続切換部により変換層と蓄積容量とを接続させ、蓄積期間以外では、接続切換部により変換層と電荷除去部とを接続させている。これにより、複数組の電磁波照射部から交互に電磁波を照射する場合に、一方の組が蓄積期間以外、例えば読み出し期間中であるときに他方の組から電磁波照射を行うことができる。すなわち、従来、電磁波の入射による影響から、一方の組の読み出し期間が終了した後に他方の組から電磁波照射を行わせていたが、一方の組の読み出し期間中に他方の組から電磁波照射を行うことができる。これにより、次の撮影までの期間を短縮することができ、フレームレートを大きくすることができる。例えば、蓄積期間よりも読み出し期間が長い場合には、いわゆるシングルプレーン式の場合と同じフレームレートで撮影を行うことができる。また、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、リーク電流による影響を軽減させることができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置において、被検体に向けて電磁波を照射する電磁波照射部と、被検体を透過した電磁波を検出する二次元画像検出器と、前記電磁波照射部および前記二次元画像検出器を制御する駆動制御部と、を備え、前記電磁波照射部および二次元画像検出器は複数組設けられ、前記二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、前記変換層と前記蓄積容量との接続または前記変換層と前記電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有し、前記駆動制御部は、外部装置から与えられた信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて前記複数組の前記電磁波照射部から交互に電磁波を照射し、前記電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とを接続させ、前記蓄積期間以外では、前記接続切換部により前記変換層と前記電荷除去部とを接続させることを特徴とするものである。
本発明に係る二次元画像撮影装置によれば、二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、変換層と蓄積容量との接続または変換層と電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有している。駆動制御部は、外部装置から与えられた信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて複数組の撮影系の電磁波照射源から交互に電磁波を照射し、電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、接続切換部により変換層と蓄積容量とを接続させることで、変換層で変換された電荷を蓄積させることができる。また、蓄積期間以外では、接続切換部により変換層と電荷除去部とを接続させることで、変換層からの電荷を蓄積容量に蓄積させずに電荷除去部を通じて除去することができる。そのため、電磁波を照射する蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させるので、蓄積期間以外に散乱線が入射したとしても、その散乱線により変換された不要な電荷を蓄積容量に蓄積させないようにすることができる。したがって、散乱線による影響を軽減させることができる。
また、従来装置では、電荷の読み出し動作やリセット動作が行われた後から次のそれらの動作が行われるまでの期間にリーク電流による電荷が蓄積容量に蓄積される。また、電磁波を照射する時間(すなわち蓄積期間)を長くすると、その長くなった分のリーク電流による電荷を蓄積する期間が長くなり、電荷の蓄積量が多くなる。一方、本装置では、変換層と蓄積容量とを接続させると、リーク電流による電荷が蓄積容量に蓄積される。しかしながら、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、リーク電流による電荷を蓄積する期間を短縮することができる。そのため、リーク電流による影響を軽減させることができる。
また、例えば、従来、リーク電流による電荷の蓄積する時間が長いことにより、欠陥画素と判定される規定値以上の画素値(電荷量)を有する画素がある場合、その画素は、例えばその周囲の画素の画素値から求められた値で補正される。しかしながら、本装置では、リーク電流による電荷の蓄積する期間を短縮することができるので、欠陥画素として判定されていたものを、欠陥画素として判定されない規定値以下である画素値とすることができる。欠陥画素として判定されない画素は、その画素値を補正なしの実際の画素値のままで用いることができる。そのため、取得される画像の画質を向上させることができる。
また、複数組の電磁波照射部から交互に電磁波を照射する場合に、一方の組が蓄積期間以外、例えば読み出し期間中であるときに他方の組から電磁波照射を行うことができる。すなわち、従来、電磁波の入射による影響から、一方の組の読み出し期間が終了した後に他方の組から電磁波照射を行わせていたが、一方の組の読み出し期間中に他方の組から電磁波照射を行うことができる。これにより、次の撮影までの期間を短縮することができ、フレームレートを大きくすることができる。例えば、蓄積期間よりも読み出し期間が長い場合には、いわゆるシングルプレーン式の場合と同じフレームレートで撮影を行うことができる。また、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、リーク電流による影響を軽減させることができる。
また、駆動制御部は、外部装置から与えられた信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて前記電磁波照射部から電磁波を照射させている。これにより、外部装置から与えられる信号に基づいて設定された任意のタイミングで撮影することができる。すなわち、電磁波を照射する蓄積期間のみに接続切換部により変換層と蓄積容量とを接続させる場合、蓄積期間が一定であれば、電磁波照射のタイミングが変化しても、リーク電流による電荷が蓄積される期間が一定なので、オフセット補正を容易に行うことができる。従来装置は、電磁波照射のタイミングを変化させると、リーク電流による電荷が蓄積される期間が変わるので、その期間に応じた複数個のオフセット補正値を予め準備しなければならない。また、従来装置は、フレームレートのフレーム同期信号に合わせて電磁波照射していたが、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、任意のタイミングで電磁波照射して撮影を行うことができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置の前記外部装置一例は、心電計である。これにより、心電計から出力される心電波形信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて電磁波照射部から電磁波を照射させることができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置において、前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とが接続された状態、かつ電磁波非照射の状態で、前記蓄積期間と同じ期間に前記蓄積容量に蓄積される電荷を用いて、前記二次元画像検出器から出力される電磁波検出信号に対してオフセット補正を行う画像処理部を備えていることが好ましい。接続切換部により変換層と蓄積容量とが接続された状態、かつ電磁波非照射の状態で、蓄積期間と同じ期間に蓄積容量に蓄積される電荷をオフセット補正値として、オフセット補正を行うことができる。これにより、蓄積期間が一定であれば、電磁波照射のタイミングが変化しても、電磁波照射のタイミングの変化に応じた複数個のオフセット補正値を準備しなくてもよく、容易にオフセット補正をすることができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置において、二次元画像検出器は、前記蓄積容量に蓄積された電荷を読み出す読み出しスイッチを備え、駆動制御部は、二次元状に配列された前記読み出しスイッチおよび前記接続切換部のうち、前記読み出しスイッチを駆動させる列ごとに前記接続切換部を駆動させることが好ましい。それにより、任意の領域に対応する列を選択して読み出しスイッチにより読み出す場合、読み出しスイッチを駆動させる列ごとに接続切換部を駆動させることができる。例えば、全領域に対応する列の接続切換部を一度に駆動させると、任意の領域以外にも、電磁波を照射する蓄積期間に蓄積容量に電荷が蓄積される。そのため、任意の領域以外に対応する列では、画像を取得するための読み出し動作が行われないので、読み出し動作やリセット動作を行って蓄積された電荷を除去する必要がある。しかしながら、読み出しスイッチを駆動させる列ごとに接続切換部を駆動させるようになっているので、任意の領域以外に対応する列の接続切換部により、変換層と電荷除去部とを接続させることができるので、任意の領域以外には、蓄積期間でも蓄積容量に電荷を蓄積させないようにすることができる。そのため、蓄積された電荷を除去するための読み出し動作やリセット動作を省略することができるので、撮影時間を短縮することができる。
また、本発明に係る二次元画像撮影装置において、撮影中に前記変換層にバイアス電圧を連続して印加するバイアス電源を備え、前記変換層は、入射された電磁波を直接電荷に変換するものであることが好ましい。入射された電磁波を直接電荷に変換する変換層にバイアス電源からバイアス電圧を連続して印加した安定した状態で、接続切換部により、変換層と蓄積容量との接続または変換層と電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換えることができる。
本発明に係る二次元画像撮影装置によれば、二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、変換層と蓄積容量との接続または変換層と電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有している。駆動制御部は、複数組の撮影系の電磁波照射源から交互に電磁波を照射して撮影を行い、電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、接続切換部により変換層と蓄積容量とを接続させることで、変換層で変換された電荷を蓄積させることができる。また、蓄積期間以外では、接続切換部により変換層と電荷除去部とを接続させることで、変換層からの電荷を蓄積容量に蓄積させずに電荷除去部を通じて除去することができる。そのため、電磁波を照射する蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させるので、蓄積期間以外に散乱線が入射したとしても、その散乱線により変換された不要な電荷を蓄積容量に蓄積させないようにすることができる。そのため、散乱線による影響を軽減させることができる。また、蓄積期間のみに変換層と蓄積容量とを接続させているので、リーク電流による電荷を蓄積する期間を短縮することができる。そのため、リーク電流による影響を軽減させることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。本実施例では、二次元画像撮影装置の一例としてX線撮影装置1を説明する。図1は実施例1に係るX線撮影装置の概略構成図である。図2はフラットパネル型X線検出器(FPD)の概略構成を示す縦断面図であり、図3はその平面図である。
<X線撮影装置1>
図1を参照する。X線撮影装置1は、被検体Mを載置する天板2と、2組の撮影系3,4を備えている。2組の撮影系3,4は、それぞれ、被検体Mに向けてX線を照射するX線管5,6と、被検体Mを挟んでX線管5,6と対向して配置され、被検体Mを透過したX線を検出するフラットパネル型X線検出器(FPD)7,8と、X線管5,6およびFPD7,8をC字状の支持部材の両端に支持するC型アーム9,10等を備えている。X線撮影装置1は、いわゆるバイプレーン式のX線撮影装置である。X線撮影装置1は、X線管5とFPD7とC型アーム9等の撮影系3を備えるとともに、X線管6とFPD8とC型アーム10等の撮影系4を備えている。これにより、被検体Mを2方向から撮影するようになっている。
図1を参照する。X線撮影装置1は、被検体Mを載置する天板2と、2組の撮影系3,4を備えている。2組の撮影系3,4は、それぞれ、被検体Mに向けてX線を照射するX線管5,6と、被検体Mを挟んでX線管5,6と対向して配置され、被検体Mを透過したX線を検出するフラットパネル型X線検出器(FPD)7,8と、X線管5,6およびFPD7,8をC字状の支持部材の両端に支持するC型アーム9,10等を備えている。X線撮影装置1は、いわゆるバイプレーン式のX線撮影装置である。X線撮影装置1は、X線管5とFPD7とC型アーム9等の撮影系3を備えるとともに、X線管6とFPD8とC型アーム10等の撮影系4を備えている。これにより、被検体Mを2方向から撮影するようになっている。
なお、X線管5,6は本発明における電磁波照射部に相当し、FPD7,8は本発明における二次元画像検出器に相当する。
なお、X線管5とFPD7とC型アーム9等から構成される一方の撮影系3をF側(正面側)とし、X線管6とFPD8とC型アーム10等から構成される他方の撮影系4をL側(側面側)とする。F側およびL側の撮影系3,4のC型アーム9,10は、それぞれ検査室の床面上から支持、あるいは天井から懸架されて支持されている。なお、L側の撮影系4のX線管6およびFPD8は、便宜上、図1のように示されているが、被検体Mの側面側を撮影するように配置される。
また、X線撮影装置1は、水平方向および垂直(Z)方向に天板2を移動させる天板駆動機構11と、天板駆動機構11を制御する天板制御部12とを備えている。また、X線撮影装置1は、X線管5,6およびFPD7,8を支持しているC型アーム9,10を駆動するC型アーム駆動機構13と、C型アーム駆動機構13を制御するC型アーム制御部14とを備えている。
C型アーム駆動機構13は、C型アーム9,10を駆動させて、その姿勢を変更させるようになっている。具体的な動作をF側の撮影系3を一例に説明する。C型アーム駆動機構13は、符号R1に示すように、C型アーム9をその曲がりに沿ってスライド移動させる動作を行う。また、C型アーム駆動機構13は、符号R2に示すように、被検体Mの体軸とほぼ平行の水平軸Hを中心にC型アーム9を回転させる動作を行う。すなわち、被検体Mの体軸周りにX線管5およびFPD7を回転させることができる。また、X線管5から照射されるX線のX線束の中心を符号Vとする場合、C型アーム駆動機構13は、符号R3に示すように、符号Vを中心にC型アーム9を回転させる動作を行う。なお、C型アーム駆動機構13は、被検体Mやその他の構成と干渉しないようにC型アーム制御部14により制御される。
また、X線撮影装置1は、X線管制御部15を備えている。X線管制御部15は、X線管5,6の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部16を有しており、後述する入力部23などで予め設定された管電流や管電流等の照射条件に応じて、X線管5,6に対してX線照射に必要な制御を実行する。また、X線管制御部15は、X線管5,6のそれぞれの照射口側に設けられたコリメータ17,18の照射野を設定する制御などを実行する。
また、X線撮影装置1は、FPD7,8から出力されたX線検出信号をアナログからディジタルに変換するA/D変換器19と、A/D変換器19でディジタル変換されたX線検出信号に基づくX線画像に対して種々の処理を行う画像処理部20と、X線撮影装置1の各構成を統括的に制御する主制御部21とを備えている。また、X線撮影装置1は、画像処理部20で処理されたX線画像を表示する表示部22と、操作者が入力設定や各種操作を行う入力部23と、処理されたX線画像を記憶するメモリ部24とを備えている。
なお、主制御部21は、中央演算処理装置(CPU)などで構成されている。入力部23は、マウスやキーボード等などで構成されている。メモリ部24は、ROM(Read-only Memory)、RAM(Random-Access Memory)またはハードディスク等の記憶媒体で構成されている。
また、X線撮影装置1は、X線管5,6およびFPD7,8を制御する駆動制御部25を備えている。
<フラットパネル型X線検出器(FPD)7,8>
図2および図3を参照する。FPD7,8は、入射されたX線を電荷(キャリア)に直接変換する変換層31と、変換層31の一方の面のほぼ全体を覆うように形成され、バイアス電圧Vaが印加される共通電極32と、変換層31を挟んで共通電極32の反対側の面に設けられた、変換層31で変換された電荷を収集する画素電極33とを備えている。バイアス電圧Vaはバイアス電源34から印加される。バイアス電源34は、撮影中に、共通電極32を介して、変換層31にバイアス電圧Vaを連続して印加するようになっている。
図2および図3を参照する。FPD7,8は、入射されたX線を電荷(キャリア)に直接変換する変換層31と、変換層31の一方の面のほぼ全体を覆うように形成され、バイアス電圧Vaが印加される共通電極32と、変換層31を挟んで共通電極32の反対側の面に設けられた、変換層31で変換された電荷を収集する画素電極33とを備えている。バイアス電圧Vaはバイアス電源34から印加される。バイアス電源34は、撮影中に、共通電極32を介して、変換層31にバイアス電圧Vaを連続して印加するようになっている。
変換層31は、例えば、a−Se(アモルファス・セレン)、CdTe(テルル化カドミウム)、CdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)等で構成される。変換層31がa−Seの場合は、10kV程度のバイアス電圧Vaが印加され、CdTeおよびCdZnTeの場合は、100〜300V程度のバイアス電圧Vaが印加される。共通電極32は、二次元状に配列された全X線検出素子DUに共通する電極である。画素電極33は、X線検出素子DUごとに設けられている。X線検出素子DUは、取得されるX線画像の1画素分に対応する。
変換層31の画素電極33側には、変換層31で変換された電荷の蓄積および読み出しを行うアクティブマトリックス基板35が設けられている。アクティブマトリックス基板35は、X線検出素子DUごとに、蓄積容量(コンデンサ)C、読み出しスイッチ(スイッチング素子)Ga、選択スイッチSel、リセットスイッチRstを絶縁基板36上に備えている。なお、X線検出素子DUは、図2に示すように、変換層31、共通電極32、画素電極33、蓄積容量C、読み出しスイッチGa、選択スイッチSel、リセットスイッチRstで構成される。また、図3において、X線検出素子DUは、図示の便宜上、3×3画素で構成しているが、この画素数に限られない。
蓄積容量Cは、変換層31で変換された電荷を蓄積する。読み出しスイッチGaは、蓄積容量Cに蓄積された電荷を読み出すため、蓄積容量Cと後述するデータ線38との間の電気的な接続(ON)および遮断(OFF)を行う。選択スイッチSelは、画素電極33を介して変換層31と蓄積容量Cとの間の電気的な接続(ON)および遮断(OFF)を行う。リセットスイッチRstは、画素電極33を介して変換層31と後述する電荷除去線41との間の電気的な接続(ON)および遮断(OFF)を行う。読み出しスイッチGa、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstは、薄膜トランジスタ(TFT)等で構成される。
また、アクティブマトリックス基板35は、読み出し用ゲート線37とデータ線38とを備えている。読み出し用ゲート線37とデータ線38とは直交して配置されている。読み出し用ゲート線37は、二次元状に配列された読み出しスイッチGaの横方向の列ごとに形成され、各列の読み出しスイッチGaのゲートに接続されている。データ線38は、二次元状に配列された読み出しスイッチGaの縦方向の列ごとに形成され、各列の読み出しスイッチGaの蓄積容量Cの反対側(ドレイン側)に接続されている。読み出しスイッチGaが接続(ON)された場合、蓄積容量Cに蓄積された電荷はデータ線38を通じて読み出される。なお、読み出し用ゲート線37が縦方向の列で、データ線38が横方向の列であってもよい。
また、アクティブマトリックス基板35は、選択用ゲート線39とリセット用ゲート線40とを備えている。選択用ゲート線39は、二次元状に配列された選択スイッチSelの横方向の列ごとに形成され、各列の選択スイッチSelのゲートに接続されている。リセット用ゲート線40も同様に、二次元状に配列されたリセットスイッチRstの横方向の列ごとに形成され、各列のリセットスイッチRstのゲートに接続されている。横方向の各列の選択用ゲート線39およびリセット用ゲート線40は、一度に信号を送信するようにそれぞれ接続されている。なお、選択用ゲート線39およびリセット用ゲート線40は縦方向の列であってもよい。また、選択用ゲート線39およびリセット用ゲート線40は、二次元状に配列した選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstに一度に信号を送信する構成であれば、他の公知の方法でも構わない。
リセットスイッチRstの変換層31の反対側には、電荷除去線41が接続されている。電荷除去線41は、接地(アース)または予め設定された電圧を印加して、電荷を除去するようになっている。選択スイッチSelが遮断(OFF)の状態で、リセットスイッチRstが接続(ON)された場合、電荷除去線41を通じて、変換層31等により生じた電荷がFPD7,8の外部に除去される。
なお、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstは、本発明における接続切換部に相当する。また、電荷除去線41は、本発明における電荷除去部に相当する。
また、読み出し用ゲート線37、選択用ゲート線39、リセット用ゲート線40は、それぞれ、読み出しスイッチ駆動回路42、選択スイッチ駆動回路43、リセットスイッチ駆動回路44に接続されている。駆動制御部25は、X線管制御部15、並びに、読み出しスイッチ駆動回路42、選択スイッチ駆動回路43およびリセットスイッチ駆動回路44を操作して、それぞれX線管3、並びに、読み出しスイッチGa、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させるようになっている。駆動制御部25は、これらの動作タイミングを制御する。
読み出しスイッチ駆動回路42は、信号を出力して、二次元状に配列された読み出しスイッチGaの横方向の列ごとに、読み出しスイッチGaを接続(ON)および遮断(OFF)させている。例えば、図3に示すように、読み出しスイッチ駆動回路42は、読み出し用ゲート線37の上側から順番に信号を出力して、横方向に配列した読み出しスイッチGaを1列ずつ駆動させている。選択スイッチ駆動回路43は、信号を出力して、二次元状に配列された選択スイッチSelを一度に接続(ON)および遮断(OFF)させている。リセットスイッチ駆動回路44は、信号を出力して、二次元状に配列されたリセットスイッチRstを一度に接続(ON)および遮断(OFF)させている。
駆動制御部25は、選択スイッチ駆動回路43およびリセットスイッチ駆動回路44を操作することにより、選択スイッチSelを接続(ON)の状態、リセットスイッチRstを遮断(OFF)の状態にさせることで、変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させるようになっている。また、選択スイッチSelを遮断(OFF)の状態、リセットスイッチRstを接続(ON)の状態にさせることで、散乱線が入射されることにより変換された電荷やリーク電流による電荷等を、蓄積容量Cに蓄積させずに、電荷除去線41を通じてFPD7,8の外部に除去させるようになっている。
データ線38の後段には、順番に、電荷電圧変換アンプ45、マルチプレクサ46が配置されている。電荷電圧変換アンプ45は電荷を電圧信号に変換し、マルチプレクサ46は、電荷電圧変換アンプ45で変換された各データ線38の電圧信号を1つの電圧信号にまとめて出力する。
<動作の説明>
次に、図面を参照してX線撮影装置1の動作について説明する。X線撮影装置1は、F側およびL側の撮影系3,4から交互にX線照射して撮影を行っている。
次に、図面を参照してX線撮影装置1の動作について説明する。X線撮影装置1は、F側およびL側の撮影系3,4から交互にX線照射して撮影を行っている。
まず、F側の撮影系の撮影が行われるものとする。X線管5から被検体Mに向けてX線を照射して、被検体Mを透過したX線がFPD7に入射される。入射されたX線は、図2および図3に示すように、変換層31で電荷に変換され、蓄積容量Cに蓄積される。そして、読み出しスイッチ駆動回路42は、各読み出し用ゲート線37の上側から順番に信号を出力して、読み出しスイッチGaを駆動させる。これにより、読み出しスイッチGaは接続(ON)の状態になり、蓄積容量Cに蓄積された電荷がデータ線38を介して読み出される。読み出された電荷は、電荷電圧変換アンプ45およびマルチプレクサ46で順番に処理され、X線検出信号としてFPD7から出力される。
FPD7から出力されたX線検出信号は、図1に示すように、A/D変換器19でアナログ値からディジタル値に変換される。ディジタル変換されたX線検出信号、すなわちX線画像は、画像処理部20でオフセット補正等の必要な種々の処理が行われる。画像処理されたX線画像は、表示部22に表示されたり、メモリ部24に記憶されたりする。F側の撮影系3での撮影後、L側の撮影系4の撮影が行われる。L側の撮影系4の撮影は、F側の撮影系3での撮影と同様の動作で行われる。
また、図4を参照する。F側およびL側の撮影系3,4から交互にX線照射する撮影において、X線管5,6によるX線照射、読み出しスイッチGa、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstの動作について説明する。図4は、実施例1に係るX線撮影装置の動作シーケンスの一例を示す図である。
1フレームの撮影は、X線管5,6からX線を照射して変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積する蓄積期間と、蓄積容量Cに蓄積された電荷を読み出す読み出し期間とから構成される。
駆動制御部25は、F側の撮影系3のX線を照射する蓄積期間(時刻t1〜t2、時刻t5〜t6、時刻t9〜10)において、X線管5からX線を照射させる。すなわち、X線照射(ON)の状態、かつ読み出しスイッチGaをOFFの状態させる。また、X線照射のタイミングに合わせて、選択スイッチSelをONの状態、かつリセットスイッチRstをOFFの状態にさせる。これにより、変換層31と蓄積容量Cとが接続されて、変換層31で蓄積された電荷を蓄積容量Cに蓄積させることができる。
蓄積期間の後、読み出し期間(時刻t2〜t4、時刻t6〜t8、時刻t10〜)に移行する。駆動制御部25は、読み出し期間において、蓄積容量Cに蓄積された電荷を読み出す。すなわち、X線照射をOFFの状態、かつ読み出しスイッチGaをONの状態にさせる。また、X線照射をOFFにするタイミングに合わせて、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせる。これにより、変換層31と蓄積容量Cとが接続されず、変換層31と電荷除去線41とが接続される。そのため、L側の撮影系から散乱して入射されたX線により変換された電荷や、リーク電流による電荷等を、電荷除去線41を通じて外部に除去することができる。すなわち、読み出し中に、蓄積容量Cに蓄積させないようにしている。
F側の撮影系での撮影後、駆動制御部25は、同様に、L側の撮影系4のX線を照射する蓄積期間(時刻t2〜t3、時刻t6〜t7、時刻t10〜11)において、X線管6からX線を照射させる。すなわち、X線照射(ON)の状態、読み出しスイッチGaをOFFの状態にさせる。また、X線照射のタイミングに合わせて、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態にさせる。これにより、X線が入射して変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させるようにしている。
蓄積期間の後、読み出し期間(時刻t3〜t5、時刻t7〜t9、時刻t11〜)に移行する。駆動制御部25は、読み出し期間において、蓄積容量Cに蓄積された電荷を読み出す。すなわち、X線照射をOFFの状態、かつ読み出しスイッチGaをONの状態にさせる。また、X線照射をOFFにするタイミングに合わせて、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせる。これにより、F側の撮影系3から散乱して入射されたX線により変換された電荷や、リーク電流による電荷等を、電荷除去線41を通じて外部に除去することができる。すなわち、読み出し中に、蓄積容量Cに蓄積させないようにしている。
このように、F側の撮影系3の読み出し期間(例えば時刻t2〜t4)に、L側の撮影系4は、X線管6からX線を照射する蓄積期間(例えば時刻t2〜t3)に移行している。すなわち、駆動制御部25は、一方の撮影系の蓄積期間以外の期間に重複させて、他方の撮影系のX線管からX線を照射する蓄積期間を設定している。
なお、例えば、F側の撮影系3は、時刻t4〜t5において、蓄積期間および読み出し期間以外である空白期間が存在する。そして、F側の撮影系3は、時刻t5において、X線を照射する蓄積期間に移行しているが、空白期間(時刻t4〜t5)にX線を照射する蓄積期間に移行してもよい。すなわち、駆動制御部25は、予め設定された所定のタイミングで撮影するようにしてもよい。また、例えば、F側の撮影系3の時刻t2において、蓄積期間と読み出し期間との間に空白期間を設けてもよい。また、例えば、時刻t2において、L側の撮影系4は、F側の撮影系3の蓄積期間の終了と同時に、X線を照射する蓄積期間に移行しているが、F側の撮影系3の蓄積期間の後、空白期間を設けてもよい。
駆動制御部25は、空白期間では、X線照射をOFFの状態、読み出しスイッチGaをOFFの状態にさせる。また、X線照射をOFFにするタイミングに合わせて、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせている。
また、駆動制御部25は、上述のように、X線を照射する蓄積期間(例えば時刻t1〜t2、時刻t5〜t6、時刻t9〜t10)において、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態にさせている。蓄積期間では、変換層31と蓄積容量Cが接続されるので、リーク電流による電荷が蓄積される。画像処理部20は、リーク電流による電荷をオフセット補正により除去させている。オフセット補正は、X線非照射の状態で蓄積期間に蓄積容量Cに蓄積された電荷に基づくX線画像であるオフセット補正値を予め設定しておき、X線照射の状態で蓄積期間に蓄積容量Cに蓄積された電荷に基づくX線画像からオフセット補正値を差分することで行われる。すなわち、画像処理部20は、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態にさせて、変換層31と蓄積容量Cが接続された状態、かつ、X線非照射の状態で、蓄積期間と同じ期間に蓄積される電荷に基づくオフセット補正値を用いて、FPD7,8から出力されるX線検出信号に対してオフセット補正を行っている。これにより、X線画像からリーク電流による成分を除去することができる。
本実施例におけるX線撮影装置1によれば、FPD7,8は、入射されたX線を電荷に変換する変換層31と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量Cと、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去線41と、変換層31と蓄積容量Cとの接続または変換層31と電荷除去線41との接続のいずれか一方の接続に切り換える選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを有している。駆動制御部25は、2組の撮影系3,4のX線管5,6から交互にX線を照射して撮影を行い、X線管5,6からX線を照射して変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させる蓄積期間では、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態に駆動させて、変換層31と蓄積容量Cとを接続させる。また、蓄積期間以外では、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態に駆動させて、変換層31と電荷除去線39とを接続させる。これにより、変換層31等からの電荷を蓄積容量Cに蓄積させず、電荷除去線39を通じて除去させることができる。
すなわち、X線を照射する蓄積期間のみに変換層31と蓄積容量Cとを接続させているので、蓄積期間以外に散乱線が入射したとしても、その散乱線により変換された不要な電荷を蓄積容量Cに蓄積させないようにすることができる。そのため、散乱線による影響を軽減させることができる。
また、図4の期間Aに示すように、X線を照射する蓄積期間では、変換層31と蓄積容量Cとを接続させると、リーク電流による電荷が蓄積容量Cに蓄積される。一方、従来装置では、電荷の読み出し動作やリセット動作が行われた後から次のそれらの動作が行われるまでの期間に、リーク電流による電荷が蓄積容量Cに蓄積される。また、電磁波を照射する時間(すなわち蓄積期間)を長くすると、その長くなった分のリーク電流による電荷を蓄積する期間が長くなり、電荷の蓄積量が多くなる。しかしながら、蓄積期間のみ変換層31と蓄積容量Cとを接続させているので、リーク電流による電荷を蓄積する期間を短縮することができる。そのため、リーク電流による影響を軽減させることができる。
また、例えば、従来、リーク電流による電荷の蓄積する時間が長いことにより、欠陥画素と判定される規定値以上の画素値(電荷)を有する画素がある場合、その画素は、例えばその周囲の画素の画素値から求められた値で補正される。しかしながら、リーク電流による電荷の蓄積する期間を短縮することができるので、欠陥画素として判定されていたものを、欠陥画素として判定されない規定値以下である画素値とすることができる。欠陥画素として判定されない画素は、その画素値を補正なしの実際の画素値のままで用いることができる。そのため、取得される画像の画質を向上させることができる。
また、2組の撮影系3,4のX線管5,6から交互にX線を照射する場合に、一方の組が蓄積期間以外、例えば読み出し中であるときに他方の組からX線照射を行うことができる。従来、X線の入射による影響から、一方の組の読み出し期間が終了した後に他方の組からX線照射を行わせていたが、一方の組の読み出し期間中に他方の組からX線照射を行うことができる。これにより、次の撮影までの期間を短縮することができ、フレームレートを大きくすることができる。例えば、蓄積期間よりも読み出し期間が長い場合には、いわゆるシングルプレーン式の場合と同じフレームレートで撮影を行うことができる。また、従来よりも大きいフレームレートで、任意のタイミングで交互に撮影することができる。
すなわち、従来装置では、図11の時刻t103に示すように、F側の撮影系3の読み出し期間が終了した後(読み出しスイッチGaがOFFの状態)に、L側の撮影系4のX線照射(ON)を行わせていた。また、次のF側の撮影系3のX線照射(蓄積期間)は、L側の撮影系4の読み出し期間が終了する時刻t105であり、次の撮影までの期間が時刻t101〜t105と長かったが、一方の組が読み出し期間中に他方の組のX線照射を行うことができるので、図4の時刻t1〜t5の期間のように、次の撮影までの期間を短縮することができる。そのため、フレームレートを大きくすることができる。また、従来よりも大きいフレームレートで、任意のタイミングで交互に撮影することができる。
また、X線照射に合わせて選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させて、変換層31と蓄積容量Cとを接続させることで、任意のタイミングでX線照射させる構成を実現することができる。すなわち、X線を照射する蓄積期間のみに変換層31と蓄積容量Cとを接続させる場合、蓄積期間が一定であれば、X線照射のタイミングが変化してもリーク電流による電荷が蓄積される期間が一定なので、オフセット補正を容易に行うことができる。なお、従来装置では、X線照射のタイミングを変化させると、図11に示す期間Bが変化するので、その期間に応じたオフセット補正値を予め複数個、準備しなければならない。
また、FPD7,8は、撮影中に変換層31にバイアス電圧Vaを連続して印加するバイアス電源34を備えている。そして、変換層31は、入射されたX線を直接電荷に変換するものである。入射されたX線を直接電荷に変換する変換層31に、バイアス電源34からバイアス電圧Vaが連続して印加された安定した状態で、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstにより、変換層31と蓄積容量Cとの接続または変換層31と電荷除去線41との接続のいずれか一方の接続に切り換えることができる。変換層31がa−Seの場合は、10kV程度のバイアス電圧Vaが印加され、CdTeおよびCdZnTeの場合は、100〜300V程度のバイアス電圧Vaが印加される。例えば、特許文献1に記載された発明のように、X線の曝射タイミングで電力供給を行う動作を、仮に、X線を照射する蓄積期間で実施させるとする。しかしながら、変換層31がa−Se、CdTeまたはCdZnTe等のものに適用させることは難しい。すなわち、バイアス電源34には、その出力にノイズ低減のためのコンデンサが設けられている。コンデンサが大容量の場合、コンデンサの放電および充電に時間が掛かってしまうので、例えばms(ミリ秒)単位の短時間でバイアス電源Vaを供給・停止させることは難しい。なお、X線検出領域において、バイアス電圧Vaにむらが存在する場合には、変換される電荷に影響を与えるおそれがある。
次に、図面を参照して本発明の実施例2を説明する。図5は、実施例2に係るX線撮影装置の概略構成図である。なお、上述した実施例と重複する構成については、その説明を省略する。
実施例1のように、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRst等を備えていることで、任意のタイミングでX線照射させる構成を実現することができる。その一例として、X線撮影装置51の駆動制御部25は、外部装置から与えられた信号に基づいて設定されたタイミングに同期させてX線管5,6からX線を照射させるようにしてもよい。また、外部装置は、例えば、被検体Mに取り付ける心電センサ52を有し、心電センサ52を用いて心臓の活動電位の変動を示す心電波形を検出する心電計53であってもよい。
心電センサ52で検出された信号は心電計53に入力される。心電計53は、入力された信号に必要な処理を行って心電波形信号として出力する。心電波形信号は、主制御部21、または、主制御部21を介して駆動制御部25に転送される。主制御部21または駆動制御部25は、心電計53から与えられた心電波形信号に基づいて、心臓の1拍ごとに繰り返される特徴的な波形(R波)をトリガとして、これに必要に応じて遅延時間を含ませたタイミングを設定する。そして、設定されたタイミングである心臓の拡張期・収縮期等の状態と同期(心電同期)させて、X線管5,6からX線を照射させて撮影を行う。
心電計53から与えられた心電波形信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて、駆動制御部25は、図4に示すように、F側またはL側の撮影系3,4のX線照射(ON)の状態、かつ読み出しスイッチGaを遮断(OFF)の状態にさせる。また、選択スイッチSelを接続(ON)の状態、かつリセットスイッチRstを遮断(OFF)の状態にさせている。これにより、変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させている(蓄積期間)。その後、蓄積容量Cに蓄積された電荷を読み出して(読み出し期間)、撮影が行われる。
本実施例に係るX線撮影装置51によれば、駆動制御部25は、心電計53等の外部装置から与えられる信号に基づいて設定されたタイミングに同期させてX線管5,6からX線を照射させている。すなわち、外部装置から与えられる信号に基づいて設定された任意のタイミングで撮影することができる。このとき上述のように、X線を照射する蓄積期間が一定であれば、X線照射のタイミングが変化しても、X線照射のタイミングの変化に応じた複数個のオフセット補正値を準備しなくてもよく、容易にオフセット補正をすることができる。
なお、本実施例では、外部装置として心電計53を一例に説明したが、この構成に限られない。すなわち、外部装置は、血流や手足などの動きを監視する装置であってもよい。この場合も同様に、装置から出力された信号のうち、特徴的な信号をトリガとして、これに必要に応じて遅延時間等を含ませてX線照射のタイミングを設定し、このタイミングに同期させてX線管5,6からX線を照射させるようにしてもよい。また、X線撮影装置51は、心電計53等を備える構成であってもよい。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した各実施例では、FPD7,8の駆動制御部25は、二次元状に配列された全ての選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させて、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを一度に接続(ON)および遮断(OFF)させていたが、この構成に限定されない。すなわち、駆動制御部25は、二次元状に配列された読み出しスイッチGa、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstのうち、読み出しスイッチGaを駆動させる横方向の列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させるようにしてもよい。
図6は、変形例(1)に係るフラットパネル型X線検出器(FPD)の概略構成を示す平面図である。なお、上述した各実施例と重複する構成については、その説明を省略する。
FPD71は、二次元状に配列された選択スイッチSelの横方向の列ごとに形成され、各列の選択スイッチSelのゲートに接続されている選択用ゲート線72と、二次元状に配列されたリセットスイッチRstの横方向の列ごとに形成され、各列の選択スイッチSelのゲートに接続されているリセット用ゲート線73とを備えている。選択用ゲート線72およびリセット用ゲート線73は、読み出し用ゲート線37と同方向に設けられている。
駆動制御部25は、選択スイッチ駆動回路43を操作して、選択用ゲート線72に信号を送信することで、各列の選択スイッチSelを駆動させるようになっている。同様に、駆動制御部25は、リセットスイッチ駆動回路44を操作して、リセット用ゲート線73に信号を送信することで、各列のリセットスイッチRstを駆動させるようになっている。また、読み出しスイッチGaを駆動させる横方向の列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させることで、全ての列の読み出しスイッチGaのうち、予め設定された列の読み出しスイッチGaに合わせて、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させるようになっている。
次に、このような構成を備えたX線撮影装置の動作の一例について説明する。図7を参照する。図7は、変形例(1)に係るX線撮影装置の動作の説明に供する図であり、(a)は一部の領域での撮影動作の説明に供する図を示し、(b)は従来装置の動作シーケンスの一例を示す。
符号74は、二次元状に配列されたX線検出素子DUにより構成される全X線検出領域を示す。領域75は撮影領域であり、領域76,領域77は撮影領域以外の領域である。
駆動制御部25は、X線を照射する蓄積期間において、X線照射(ON)の状態、かつ全ての読み出しスイッチGaをOFFの状態にさせる。また、X線照射のタイミングに合わせて、領域75および領域76に対応する列の選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させて、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態にさせる。これにより、領域75および領域76では、変換層31と蓄積容量Cとを接続させることで、変換層31で変換された電荷を蓄積容量Cに蓄積させている。一方、領域77に対応する列の選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstは、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせて、変換層31と電荷除去線41とを接続させている。
蓄積期間が終了し、読み出し期間に移行する。駆動制御部25は、読み出し期間において、X線照射をOFFの状態とし、領域75および領域76に対応する列の読み出しスイッチGaを順次駆動する。また、X線照射をOFFにするタイミングに合わせて、領域75および領域76に対応する列の選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させて、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせる。これにより、領域75および領域76では、変換層31と電荷除去線41とを接続させている。一方、領域77に対応する列の選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstは、変換層31と電荷除去線41とを接続させた状態である。
読み出された領域75および領域76の電荷は、図6に示すように、電荷電圧変換アンプ45およびマルチプレクサ46で処理されて、X線検出信号として出力される。そして、例えば、画像処理部20により必要な領域75のX線検出信号(X線画像)を取得する。
このような構成を備えたX線撮影装置によれば、駆動制御部25は、二次元状に配列された読み出しスイッチGa、選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstのうち、読み出しスイッチGaを駆動させる横方向の列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させている。それにより、任意の領域75に対応する列を選択して読み出しスイッチSelにより読み出す場合、読み出しスイッチSelを駆動させる列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させることができる。
すなわち、図7(a)に示すように、全X線検出領域74のうち、任意の領域75のX線画像を取得するために、領域75に対応する列(領域76も含む)を選択して、読み出しスイッチSelを駆動させて読み出している。また、読み出しスイッチSelを駆動させる列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させている。領域75に対応する列を選択して読み出す場合、全領域74の選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを一度に駆動させると、領域75と領域76以外、すなわち領域77にも、蓄積期間において蓄積容量Cに電荷が蓄積される。そのため、領域77では、X線画像を取得するための読み出し動作が行われないので、図7(b)に示すように、読み出し動作やリセット動作を行って蓄積された電荷を除去する必要がある。すなわち、読み出しスイッチSelを駆動させる列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させることができるので、その読み出し動作やリセット動作を省略することができ、撮影を短縮することができる。
なお、駆動制御部25は、二次元状に配列された選択スイッチSel、リセットスイッチRstおよび読み出しスイッチGaのうち、読み出しスイッチGaを駆動させる横方向の列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させていたが、読み出しスイッチGaを駆動させる縦方向の列ごとに選択スイッチSelおよびリセットスイッチRstを駆動させてもよい。
(2)上述した各実施例および変形例(1)では、変換層は入射されたX線を直接電荷に変換する直接変換型であり、変換層としてa−Se、CdTeおよびCdZnTe等で構成されていたが、この構成に限られない。すなわち、変換層は間接変換型であってもよい。この場合、図8に示すように、変換層は、X線を光に変換するシンチレータ81と、光を電荷に変換するフォトダイオード82で構成される。駆動制御部25は、選択スイッチSelをONの状態、リセットスイッチRstをOFFの状態にさせることで、フォトダイオード82と蓄積容量Cとを接続させる。また、選択スイッチSelをOFFの状態、リセットスイッチRstをONの状態にさせることで、フォトダイオード82と電荷除去線41とを接続させるようになっている。なお、上述した各実施例および変形例(1)と重複する構成については、その説明を省略する。
(3)上述した各実施例および各変形例では、X線管5,6およびFPD7,8は、C型アーム5の両端に支持されていたが、この構成に限定されない。すなわち、X線管5,6およびFPD7,8は、互い独立して移動するように構成してもよい。この場合、X線管3から照射されたX線束の中心がFPD7,8の中心を通るように駆動させてもよい。
(4)上述した各実施例および各変形例では、撮影系は2組であったが、この構成に限定されない。例えば、撮影系は1組であってもよく、撮影系は3組であってもよい。
1,51… X線撮影装置
3,4 … 撮影系
5,6 … X線管
7,8,71… フラットパネル型X線検出器(FPD)
15 … X線管制御部
20 … 画像処理部
25 … 駆動制御部
31 … 変換層
32 … 共通電極
34 … バイアス電源
35 … アクティブマトリックス基板
41 … 電荷除去線
52 … 心電センサ
53 … 心電計
C … 蓄積容量
Ga … 読み出しスイッチ
Sel … 選択スイッチ
Rst … リセットスイッチ
3,4 … 撮影系
5,6 … X線管
7,8,71… フラットパネル型X線検出器(FPD)
15 … X線管制御部
20 … 画像処理部
25 … 駆動制御部
31 … 変換層
32 … 共通電極
34 … バイアス電源
35 … アクティブマトリックス基板
41 … 電荷除去線
52 … 心電センサ
53 … 心電計
C … 蓄積容量
Ga … 読み出しスイッチ
Sel … 選択スイッチ
Rst … リセットスイッチ
Claims (7)
- 被検体に向けて電磁波を照射する電磁波照射部と、
被検体を透過した電磁波を検出する二次元画像検出器と、
前記電磁波照射部および前記二次元画像検出器を制御する駆動制御部と、を備え、
前記二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、前記変換層と前記蓄積容量との接続または前記変換層と前記電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有し、
前記駆動制御部は、前記電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とを接続させ、前記蓄積期間以外では、前記接続切換部により前記変換層と前記電荷除去部とを接続させることを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 請求項1に記載の二次元画像撮影装置において、
前記電磁波照射部および二次元画像検出器は、複数組設けられ、前記駆動制御部は、前記複数組の前記電磁波照射部から交互に電磁波を照射することを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 被検体に向けて電磁波を照射する電磁波照射部と、
被検体を透過した電磁波を検出する二次元画像検出器と、
前記電磁波照射部および前記二次元画像検出器を制御する駆動制御部と、を備え、
前記電磁波照射部および二次元画像検出器は複数組設けられ、
前記二次元画像検出器は、入射された電磁波を電荷に変換する変換層と、変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、接地または電圧を印加して電荷を除去する電荷除去部と、前記変換層と前記蓄積容量との接続または前記変換層と前記電荷除去部との接続のいずれか一方の接続に切り換える接続切換部とを有し、
前記駆動制御部は、外部装置から与えられた信号に基づいて設定されたタイミングに同期させて前記複数組の前記電磁波照射部から交互に電磁波を照射し、前記電磁波照射部から電磁波を照射して変換層で変換された電荷を蓄積容量に蓄積させる蓄積期間では、前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とを接続させ、前記蓄積期間以外では、前記接続切換部により前記変換層と前記電荷除去部とを接続させることを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 請求項3に記載の二次元画像撮影装置において、
前記外部装置は、心電計であることを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、
前記接続切換部により前記変換層と前記蓄積容量とが接続された状態、かつ電磁波非照射の状態で、前記蓄積期間と同じ期間に前記蓄積容量に蓄積される電荷を用いて、前記二次元画像検出器から出力される電磁波検出信号に対してオフセット補正を行う画像処理部を備えていることを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、
二次元画像検出器は、前記蓄積容量に蓄積された電荷を読み出す読み出しスイッチを備え、
駆動制御部は、二次元状に配列された前記読み出しスイッチおよび前記接続切換部のうち、前記読み出しスイッチを駆動させる列ごとに前記接続切換部を駆動させることを特徴とする二次元画像撮影装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、
撮影中に前記変換層にバイアス電圧を連続して印加するバイアス電源を備え、
前記変換層は、入射された電磁波を直接電荷に変換するものであることを特徴とする二次元画像撮影装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017067501A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
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-
2010
- 2010-12-20 JP JP2010283079A patent/JP2012130406A/ja active Pending
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