JP2006304212A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画像を適切に得ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アンプ・A/D変換回路での増幅率について撮像中にラインごとに切り換えて設定を行う機能をコントローラが備えている。例えば、互いに異なる2種類の増幅率(1倍および10倍)についてゲートラインGごとに交互に切り換えて設定を行う。このように、ラインごとに撮像中において増幅率の設定を行えるので、増幅した状態でディジタル値に変換されたキャリア(電荷情報)、さらには撮像によって得られた画像を、ラインごとに設定することができる。その結果、画像を適切に得ることができる。
【選択図】 図4
【解決手段】 アンプ・A/D変換回路での増幅率について撮像中にラインごとに切り換えて設定を行う機能をコントローラが備えている。例えば、互いに異なる2種類の増幅率(1倍および10倍)についてゲートラインGごとに交互に切り換えて設定を行う。このように、ラインごとに撮像中において増幅率の設定を行えるので、増幅した状態でディジタル値に変換されたキャリア(電荷情報)、さらには撮像によって得られた画像を、ラインごとに設定することができる。その結果、画像を適切に得ることができる。
【選択図】 図4
Description
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像装置に関する。
電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置についてX線を入射して電荷情報に変換する場合を例に採って説明する。撮像装置は、X線感応型のX線変換層を備えており、X線の入射によりX線変換層はキャリア(電荷情報)に変換する。X線変換層としては非晶質のアモルファスセレン(a−Se)膜が用いられる。
また、撮像装置は、X線変換層で変換されたキャリアを蓄積して読み出す回路を備えている。この回路は、図9に示すように、2次元状に配列した複数のゲートラインGおよびデータラインDで構成されているとともに、キャリアを蓄積するコンデンサCaおよびそのコンデンサCaに蓄積されたキャリアをON/OFFの切り換えで読み出す薄膜トランジスタ(TFT)Trを2次元状に配列して構成されている。ゲートラインGは、各々の薄膜トランジスタTrのON/OFF切り換えを制御し、かつ各々の薄膜トランジスタTrのゲートに電気的に接続されている。データラインDは、薄膜トランジスタTrの読み出し側に電気的に接続されている。
例えば、図9に示すように、ゲートラインGが10本のゲートラインG1〜G10からなり、データラインDが10本のデータラインD1〜D10からなるときの制御シーケンスは以下のようになる。先ず、X線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアがキャリアとしてコンデンサCaに蓄積される。ゲート駆動回路101からゲートラインG1を選択して、選択されたゲートラインG1に接続されている各薄膜トランジスタTrが選択指定される。その選択指定された各薄膜トランジスタTrに接続されているコンデンサCaから蓄積されたキャリアが読み出されて、データラインD1〜D10の順に読み出される。次に、ゲート駆動回路101からゲートラインG2を選択して、同様の手順で、選択されたゲートラインG1および各薄膜トランジスタTrに接続されているコンデンサCaから蓄積されたキャリアが読み出されて、データラインD1〜D10の順に読み出される。残りのゲートラインGについても同様に順に選択することで、2次元状のキャリアを読み出す。読みだされた各キャリアはアンプでそれぞれ増幅されて、A/D変換器でアナログ値からディジタル値に変換される。このディジタル値に変換されたキャリアに基づいて2次元状の画像を得る。なお、アンプやA/D変換器は、図9に示すように回路基板102に搭載されている。このような読み出しによって撮像を行う場合には、撮像中のアンプの増幅率(倍率)は一定である。
しかしながら、濃度差が大きい被検体、例えばX線撮影装置で人体胸部を撮像した場合に、固定の増幅率では入射するX線線量の多い部分または少ない部分のいずれかに最適化した増幅率を撮像前に選択するのみである。したがって、得られた画像全体で十分な濃度分解能を得ることができない。さらに、アンプで増幅されてA/D変換器でキャリアについてオーバーフローを起こした場合には、本来であれば高い値を有するにも関わらずオーバーフローによって低い値で出力されてしまい、適切な画像を得ることができない。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、画像を適切に得ることができる撮像装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を増幅してアナログ値からディジタル値に変換する増幅・アナログ/ディジタル変換回路とを備え、前記蓄積・読み出し回路を2次元状に配列した複数のラインで構成し、ディジタル値に変換された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記増幅・アナログ/ディジタル変換回路での増幅率について撮像中に前記ラインごとに切り換えて設定を行う増幅率設定手段を備えることを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を増幅してアナログ値からディジタル値に変換する増幅・アナログ/ディジタル変換回路とを備え、前記蓄積・読み出し回路を2次元状に配列した複数のラインで構成し、ディジタル値に変換された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記増幅・アナログ/ディジタル変換回路での増幅率について撮像中に前記ラインごとに切り換えて設定を行う増幅率設定手段を備えることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、増幅・アナログ/ディジタル変換回路での増幅率について撮像中にラインごとに切り換えて設定を行う増幅率設定手段を備える。したがって、ラインごとに撮像中において増幅率の設定を行えるので、増幅した状態でディジタル値に変換された電荷情報、さらには撮像によって得られた画像を、ラインごとに設定することができる。その結果、画像を適切に得ることができる。
上述した発明の好ましい一例は、互いに異なる2種類の増幅率についてラインごとに交互に切り換えて設定を行うように増幅率設定手段を構成することである(請求項2に記載の発明)。このように構成することで、各ラインごとに交互に2種類の増幅率で画像を適切に得ることができる。
上述した発明の好ましい他の一例は、互いに異なる2種類の増幅率について、隣接するラインを1つずつ跳ばした状態でラインを切り換えながら一方の増幅率の設定を行い、一方の増幅率の設定を終了したら、跳ばされた残りのラインを対象にしてラインを切り換えながら他方の増幅率の設定を行うように増幅率設定手段を構成することである(請求項3に記載の発明)。このように構成することで、先ず、跳ばしたラインを切り換えながら一方の増幅率の設定を行った後に、跳ばされた残りのラインを切り換えながら他方の増幅率の設定を行う。このような設定を行うことで、一方の増幅率から他方の増幅率への切り換えが1回で済む。また、各ラインごとに交互に2種類の増幅率で画像を適切に得ることができる。
上述したこれらの発明において、増幅率の異なる複数のラインの画像に関する画像情報に基づいて1つのラインの画像情報を求めて画像を得るのが好ましい(請求項4に記載の発明)。増幅率の異なる複数のラインの画像に関する画像情報に基づいて1つのラインの画像情報を得ることで濃度分解能が高い画像を得ることができる。また、オーバーフローによる出力の低下、いわゆる『画像つぶれ』を防止することができる。
上述したこれらの発明において、撮像位置と各々のラインとを対応させて、撮像位置に応じて増幅率をラインごとに切り換えて設定を行うように増幅率設定手段を構成するのが好ましい(請求項5に記載の発明)。このように構成することで、撮像位置に起因した濃度分解能の低下や、オーバーフローによる出力の低下(画像つぶれ)を防止することができ、画像を適切に得ることができる。
さらに、上述したこれらの発明の一例は、蓄積・読み出し回路を、電荷情報を蓄積する蓄積素子とその蓄積素子で蓄積された電荷情報をON/OFFの切り換えで読み出すスイッチング素子とを2次元状に配列して構成するとともに、2次元状に配列されたラインのうち、一方の方向に並んだラインを、各々のスイッチング素子のON/OFF切り換えを制御し、かつ各々のスイッチング素子のゲートに電気的に接続されたゲートラインで構成し、他方の方向に並んだラインを、スイッチング素子の読み出し側に電気的に接続された読み出しラインで構成し、増幅率について撮像中にゲートラインごとに切り換えて設定を行うように増幅率設定手段を構成することである(請求項6に記載の発明)。
先ず、光または放射線の入射によって変換層で電荷情報に変換して生成されて蓄積素子に蓄積される。複数のゲートラインのうち、対象となるゲートラインを選択して、選択されたゲートラインに接続されているスイッチング素子が選択指定される。その選択指定されたスイッチング素子に接続されている蓄積素子から蓄積された電荷情報が読み出しラインに読み出される。同様の手順で、他のゲートラインについても同様に順に選択することで、2次元状の電荷情報を読み出す。読みだされた各電荷情報は、増幅・アナログ/ディジタル変換回路でそれぞれ増幅されてアナログ値からディジタル値に変換される。このディジタル値に変換された電荷情報に基づいて2次元状の画像を得る。上述したゲートラインにおいて、増幅率について撮像中にゲートラインごとに切り換えて設定を行うことで、増幅した状態でディジタル値に変換された電荷情報、さらには撮像によって得られた画像を、ゲートラインごとに設定することができる。その結果、ゲートラインごとに画像を適切に得ることができる。
このように増幅率について撮像中にゲートラインごとに切り換えて設定を行う発明(請求項6に記載の発明)において、読み出しラインごとにも応じて増幅率について設定を行うように増幅率設定手段を構成してもよい(請求項7に記載の発明)。この場合には、ゲートラインのみならず読み出しラインごとに画像を適切に得ることができる。
この発明に係る撮像装置によれば、増幅・アナログ/ディジタル変換回路での増幅率について撮像中にラインごとに切り換えて設定を行う増幅率設定手段を備えることで、ラインごとに撮像中において増幅率の設定を行えるので、増幅した状態でディジタル値に変換された電荷情報、さらには撮像によって得られた画像を、ラインごとに設定することができる。その結果、画像を適切に得ることができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図1は、実施例1に係るX線撮影装置の概略ブロック図であり、図2は、X線撮影装置のX線変換層周辺の概略断面図であり、図3は、X線撮影装置のアンプ・A/D変換回路内のデータの流れを模式化した概略ブロック図である。後述する実施例2も含めて、本実施例1では、入射する放射線としてX線を例に採って説明するとともに、撮像装置としてX線撮影装置を例に採って説明する。
図1は、実施例1に係るX線撮影装置の概略ブロック図であり、図2は、X線撮影装置のX線変換層周辺の概略断面図であり、図3は、X線撮影装置のアンプ・A/D変換回路内のデータの流れを模式化した概略ブロック図である。後述する実施例2も含めて、本実施例1では、入射する放射線としてX線を例に採って説明するとともに、撮像装置としてX線撮影装置を例に採って説明する。
後述する実施例2も含めて、本実施例1に係るX線撮影装置は、被検体にX線を照射して撮像を行う。具体的には、被検体を透過したX線像がX線変換層(本実施例1ではアモルファスセレン膜)上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリア(電荷情報)が層内に発生することでキャリアに変換される。
X線撮影装置は、図1に示すように、後述するゲートラインGを選択するゲート駆動回路1と、X線変換層23(図2を参照)で変換されたキャリアを蓄積して読み出すことでX線を検出する検出素子用回路2と、その検出素子用回路2で読み出されたキャリアを増幅してアナログ値からディジタル値に変換するアンプ・A/D変換回路3と、アンプ・A/D変換回路3でディジタル値に変換されたキャリアに対して信号処理を行って画像を得る画像処理部4と、これらの回路1〜3や画像処理部4や後述するメモリ部6やモニタ8などを統括制御するコントローラ5と、処理された画像などを記憶するメモリ部6と、入力設定を行う入力部7と、処理された画像などを表示するモニタ8とを備えている。本明細書では、キャリアや画像などの情報を、画像に関する画像情報とする。X線変換層23は、この発明における変換層に相当し、検出素子用回路2は、この発明における蓄積・読み出し回路に相当し、アンプ・A/D変換回路3は、この発明における増幅・アナログ/ディジタル変換回路に相当する。
ゲート駆動回路1は複数のゲートラインGに電気的に接続されている。ゲート駆動回路1から各ゲートラインGに電圧を印加することで、後述する薄膜トランジスタ(TFT)TrをONにして後述するコンデンサCaに蓄積されたキャリアの読み出しを開放し、各ゲートラインGへの電圧を停止する(電圧を−10Vにする)ことで、薄膜トランジスタTrをOFFにしてキャリアの読み出しを遮断する。なお、各ゲートラインGに電圧を印加することでOFFにしてキャリアの読み出しを遮断し、各ゲートラインGへの電圧を停止することでONにしてキャリアの読み出しを開放するように、薄膜トランジスタTrを構成してもよい。
検出素子用回路2は、2次元状に配列した複数のゲートラインGおよびデータラインDで構成されているとともに、キャリアを蓄積するコンデンサCaおよびそのコンデンサCaに蓄積されたキャリアをON/OFFの切り換えで読み出す薄膜トランジスタTrを2次元状に配列して構成されている。ゲートラインGは、各々の薄膜トランジスタTrのON/OFF切り換えを制御し、かつ各々の薄膜トランジスタTrのゲートに電気的に接続されている。データラインDは、薄膜トランジスタTrの読み出し側に電気的に接続されている。ゲートラインGは、この発明におけるゲートラインに相当し、データラインDは、この発明における読み出しラインに相当し、薄膜トランジスタTrは、この発明におけるスイッチング素子に相当し、コンデンサCaは、この発明における蓄積素子に相当する。
説明の便宜上、後述する実施例2も含めて、本実施例1では、縦・横式2次元マトリックス状配列で10×10個の薄膜トランジスタTrおよびコンデンサCaが形成されているとする。すなわち、ゲートラインGは、10本のゲートラインG1〜G10からなり、データラインDは、10本のデータラインD1〜D10からなる。各ゲートラインG1〜G10は、図1中のX方向に並設された10個の薄膜トランジスタTrのゲートにそれぞれ接続され、各データラインD1〜D10は、図1中のY方向に並設された10個の薄膜トランジスタTrの読み出し側にそれぞれ接続されている。薄膜トランジスタTrの読み出し側とは逆側にはコンデンサCaが電気的に接続されており、薄膜トランジスタTrとコンデンサCaとの個数が一対一に対応する。
また、検出素子用回路2は、図2に示すように、検出素子DUが2次元マトリックス状配列で絶縁基板21にパターン形成されている。すなわち、絶縁基板21の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、上述したゲートラインG1〜G10およびデータラインD1〜D10を配線し、薄膜トランジスタTr,コンデンサCa,キャリア収集電極22,X線変換層23,電圧印加電極24を順に積層形成することで構成されている。
X線変換層23は、X線感応型の半導体厚膜で形成されており、後述する実施例2も含めて、本実施例1では、非晶質のアモルファスセレン(a−Se)膜で形成されている。X線変換層23は、X線の入射によりX線の情報を電荷情報であるキャリアに変換する。なお、X線変換層23は、X放射線の入射によりキャリアが生成されるX線感応型の物質であれば、アモルファスセレンに限定されない。また、X線以外の放射線(γ線など)を入射して撮像を行う場合には、X線変換層23の替わりに、放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質を用いてもよい。また、光を入射して撮像を行う場合には、X線変換層23の替わりに、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質を用いてもよい。
キャリア収集電極22は、コンデンサCaに電気的に接続されており、X線変換層23で変換されたキャリアを収集してコンデンサCaに蓄積する。このキャリア収集電極22も、薄膜トランジスタTrおよびコンデンサCaと同様に、縦・横式2次元マトリックス状配列で多数個(本実施例1では10×10個)形成されている。それらキャリア収集電極22,コンデンサCaおよび薄膜トランジスタTrが各検出素子DUとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極24は、全検出素子DUの共通電極として全面にわたって形成されている。
アンプ・A/D変換回路3は、図3に示すように、キャリアを増幅するアンプ31と、増幅されたキャリアを所定時間だけ一旦蓄積するサンプルホールド32と、サンプルホールド32で読み出された増幅状態のキャリアをアナログ値からディジタル値に変換するA/D変換器33とを備えている。
画像処理部4は、アンプ・A/D変換回路3のA/D変換器33でディジタル値に変換されたキャリアに対して各種の信号処理を行って画像を求める。コントローラ5は、回路1〜3や画像処理部4やメモリ部6やモニタ8などを統括制御し、後述する実施例2も含めて、本実施例1ではアンプ・A/D変換回路3でのアンプ31の増幅率について撮像中にラインごとに設定を行う機能をも備えている。画像処理部4およびコントローラ5は、中央演算処理装置(CPU)などで構成されている。コントローラ5は、この発明における増幅率設定手段に相当する。
メモリ部6は、画像情報などを書き込んで記憶し、コントローラ5からの読み出し指令に応じて画像情報などがメモリ部6から読み出される。メモリ部6は、ROM(Read-only Memory)やRAM(Random-Access Memory)などに代表される記憶媒体などで構成されている。なお、画像情報の書き込みにはRAMが用いられ、例えば制御シーケンスに関するプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ5に実行させる場合には、制御シーケンスに関するプログラムの読み出し専用にはROMが用いられる。本実施例1では、後述するゲートラインGの番号が奇数(G3,G5,G7,G9)を認識すると、アンプ31の増幅率が1倍に切り換えられ、後述するゲートラインGの番号が偶数(G4,G6,G8,G10)を認識すると、アンプ31の増幅率が10倍に切り換えられる制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部6に記憶させ、そのプログラムの読み出しによってコントローラ5に実行させる。
入力部7は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイス、あるいはボタンやスイッチやレバーなどの入力手段で構成されている。入力部7に入力設定すると、入力設定データがコントローラ5に送り込まれ、入力設定データに基づいて回路1〜3や画像処理部4やメモリ部6やモニタ8などが制御される。
続いて、本実施例1のX線撮影装置の制御シーケンスについて説明する。電圧印加電極24に高電圧(例えば数100V〜数10kV程度)のバイアス電圧VAを印加した状態で、検出対象であるX線を入射させる。
X線の入射によってX線変換層23でキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報としてキャリア収集電極22を介してコンデンサCaに蓄積される。ゲート駆動回路1の信号(ここではキャリア)読み出し用の走査信号(すなわちゲート駆動信号)によって、対象となるゲートラインGが選択される。本実施例1では、ゲートラインG1,G2,G3,…,G9,G10の順に1つずつ選択されるものとして説明する。また、ゲート駆動回路1からの信号読み出し用の走査信号は、ゲートラインGに電圧(例えば15V程度)を印加する信号である。
ゲート駆動回路1から対象となるゲートラインGを選択して、選択されたゲートラインGに接続されている各薄膜トランジスタTrが選択指定される。この選択指定で選択指定された薄膜トランジスタTrのゲートに電圧が印加されてON状態となる。その選択指定された各薄膜トランジスタTrに接続されているコンデンサCaから蓄積されたキャリアが、選択指定されてON状態に移行した薄膜トランジスタTrを経由して、データラインDに読み出される。すなわち、選択されたゲートラインGに関する検出素子DUが選択指定されて、その選択指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積されたキャリアが、データラインDに読み出される。
一方、選択指定された同一のゲートラインGに関する各々の検出素子DUからの読み出し順については、データラインD1〜D10の順に1つずつ選択されて読み出されるものとして説明する。すなわち、データラインDに接続されているアンプ31がリセットされて、さらに薄膜トランジスタTrがON状態(すなわちゲートがON)に移行することで、キャリアがデータラインDに読み出され、アンプ31にて増幅される。
つまり、各検出素子DUのアドレス(番地)指定は、ゲート駆動回路1からの信号読み出し用の走査信号と、データラインDに接続されているアンプ31の選択とに基づいて行われる。
先ず、ゲート駆動回路1からゲートラインG1を選択して、選択されたゲートラインG1に関する検出素子DUが選択指定されて、その選択指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積されたキャリアが、データラインD1〜D10の順に読み出される。次に、ゲート駆動回路1からゲートラインG2を選択して、同様の手順で、選択されたゲートラインG2に関する検出素子DUが選択指定されて、その選択指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積されたキャリアが、データラインD1〜D10の順に読み出される。残りのゲートラインGについても同様に順に選択することで、2次元状のキャリアを読み出す。
読みだされた各キャリアはアンプ31でそれぞれ増幅されて、サンプルホールド32で一旦蓄積されて、A/D変換器33でアナログ値からディジタル値に変換される。このディジタル値に変換されたキャリアに基づいて、画像処理部4は各種の信号処理を行って、2次元状の画像を得る。得られた2次元状の画像やキャリアなどに代表される画像情報は、コントローラ5を介してメモリ部6に書き込まれて記憶され、必要に応じてコントローラ5を介してメモリ部6から読み出される。また、画像情報は、コントローラ5を介してモニタ8に表示される。
後述する実施例2も含めて、本実施例1では、コントローラ5からアンプ・A/D変換回路3でのアンプ31の増幅率について撮像中にラインごとに設定を行うように、ゲート駆動回路1、検出素子用回路2、アンプ・A/D変換回路3およびコントローラ5は構成されている。特に、本実施例1では、互いに異なる2種類の増幅率についてゲートラインGごとに交互に切り換えて設定を行うようにコントローラ5は構成されている。
本実施例1でのゲートラインでのキャリアの読み出しについて、図4を参照して説明するとともに、従来との比較のために図5をも併せて参照して説明する。図4は、実施例1でのゲートラインでの読み出しに関するタイミングチャートであって、図5は、実施例1との比較のための従来のゲートラインでの読み出しに関するタイミングチャートである。
上述したように、ゲートラインG1,G2,G3,…,G9,G10の順に1つずつ選択されて、選択されたゲートラインGの順でキャリアが読み出される。従来の場合には、図5に示すように、ゲートラインGに関わりなく撮像中のアンプ31の増幅率(図5では1倍)は一定である。これに対して本実施例1では、互いに異なる2種類の増幅率(図4では1倍および10倍)についてゲートラインGごとに交互に切り換えて設定を行う。例えば、最初の読み出しの対象であるゲートラインG1に関する検出素子DUが選択指定されて、その選択指定された検出素子DUのコンデンサCaに蓄積されたキャリアが、データラインDに読み出されて、増幅率が1倍でアンプ31に送り込まれたとする。すると、次に選択されるゲートラインG2ではキャリアは増幅率が10倍に切り換えられて、アンプ31に送り込まれる。以下、ゲートラインGの番号が奇数(G3,G5,G7,G9)の場合にはアンプ31の増幅率が1倍に切り換えられ、ゲートラインGの番号が偶数(G4,G6,G8,G10)の場合にはアンプ31の増幅率が10倍に切り換えられる。
このように、増幅率が1倍・10倍と異なる2つのゲートラインGの画像に関する画像情報に基づいて、画像処理部4は1つのゲートラインGの画像情報に統一して求める。ゲートラインG1でデータラインD1での画素における信号レベル(増幅前のキャリア)をP(G1,D1)とし、画像処理部4での演算後の画素の信号レベルをCP(G1,D1)とする。以下、演算前の画素の信号レベルをP(〔ゲートラインGでのアドレス〕、〔データラインでのアドレス〕)とし、画像処理部4での演算後の画素の信号レベルをCP(〔ゲートラインGでのアドレス〕、〔データラインでのアドレス〕)とすると、下記のように演算後の画素の信号レベルは求まる。
CP(G1,D)=10×P(G1,D)+P(G2,D) …(1)
CP(G2,D)=CP(G1,D) …(2)
CP(G3,D)=10×P(G3,D)+P(G4,D) …(3)
CP(G4,D)=CP(G3,D) …(4)
CP(G5,D)=10×P(G5,D)+P(G6,D) …(5)
CP(G6,D)=CP(G5,D) …(6)
CP(G7,D)=10×P(G7,D)+P(G8,D) …(7)
CP(G8,D)=CP(G7,D) …(8)
CP(G9,D)=10×P(G9,D)+P(G10,D) …(9)
CP(G10,D)=CP(G9,D) …(10)
上記(1)〜(10)式中の『D』はデータラインD1〜D10のうちのいずれにも当てはまることを意味する。また、上記(1)、(3)、(5)、(7)、(9)式からも明らかなように2つのゲートラインGの画像情報(ここでは信号レベル)に基づいて、ゲートラインGの番号が奇数のとき演算によって1つのゲートラインGの画像情報(ここでは信号レベル)に統一して求める。なお、上記(2)、(4)、(6)、(8)、(10)式からも明らかなように、ゲートラインGの番号が偶数のときもゲートラインGの番号が奇数と同じ値を用いる。
CP(G2,D)=CP(G1,D) …(2)
CP(G3,D)=10×P(G3,D)+P(G4,D) …(3)
CP(G4,D)=CP(G3,D) …(4)
CP(G5,D)=10×P(G5,D)+P(G6,D) …(5)
CP(G6,D)=CP(G5,D) …(6)
CP(G7,D)=10×P(G7,D)+P(G8,D) …(7)
CP(G8,D)=CP(G7,D) …(8)
CP(G9,D)=10×P(G9,D)+P(G10,D) …(9)
CP(G10,D)=CP(G9,D) …(10)
上記(1)〜(10)式中の『D』はデータラインD1〜D10のうちのいずれにも当てはまることを意味する。また、上記(1)、(3)、(5)、(7)、(9)式からも明らかなように2つのゲートラインGの画像情報(ここでは信号レベル)に基づいて、ゲートラインGの番号が奇数のとき演算によって1つのゲートラインGの画像情報(ここでは信号レベル)に統一して求める。なお、上記(2)、(4)、(6)、(8)、(10)式からも明らかなように、ゲートラインGの番号が偶数のときもゲートラインGの番号が奇数と同じ値を用いる。
上述した本実施例1に係るX線撮影装置によれば、アンプ・A/D変換回路3での増幅率について撮像中にラインごとに切り換えて設定を行うコントローラ5を備えている。したがって、ラインごとに撮像中において増幅率の設定を行えるので、増幅した状態でディジタル値に変換されたキャリア(電荷情報)、さらには撮像によって得られた画像を、ラインごとに設定することができる。その結果、画像を適切に得ることができる。
本実施例1では、互いに異なる2種類の増幅率についてゲートラインGごとに交互に切り換えて設定を行うようにコントローラ5を構成している。より具体的には、ゲートラインGの番号が奇数(G3,G5,G7,G9)を認識すると、アンプ31の増幅率が1倍に切り換えられ、ゲートラインGの番号が偶数(G4,G6,G8,G10)を認識すると、アンプ31の増幅率が10倍に切り換えられる制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部6から読み出すことによって制御シーケンスをコントローラ5に実行させる。このように構成することで、各ゲートラインGごとに交互に2種類の増幅率で画像を適切に得ることができる。
上記(1)〜(10)式によって、増幅率の異なる複数分の一(本実施例1では1/2)に解像度は減るが、濃度分解能が高い画像を得ることができる。また、A/D変換器33でのオーバーフローによる出力の低下、いわゆる『画像つぶれ』を防止することができる。
次に、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。
図6は、実施例2でのゲートラインでの読み出しに関するタイミングチャートである。上述した実施例1と共通する箇所については同じ符号を付して、その説明を省略する。
図6は、実施例2でのゲートラインでの読み出しに関するタイミングチャートである。上述した実施例1と共通する箇所については同じ符号を付して、その説明を省略する。
本実施例2では、互いに異なる2種類の増幅率について、隣接するゲートラインGを1つずつ跳ばした状態でゲートラインGを切り換えながら一方の増幅率の設定を行い、一方の増幅率の設定を終了したら、跳ばされた残りのゲートラインGを対象にしてゲートラインGを切り換えながら他方の増幅率の設定を行うようにコントローラ5は構成されている。例えば、最初に増幅率の設定を行うゲートラインGを、番号が奇数のゲートラインG1、G3,G5,G7,G9とし、次に残りの増幅率の設定を行い、かつ跳ばされたゲートラインGを、番号が偶数のゲートラインG2,G4,G6,G8,G10とする。この設定により、上述した実施例1と相違して、本実施例2では、ゲートラインG1,G3,…,G9の順に1つずつ選択された後に、ゲートラインG2,G4,…,G10の順に1つずつ選択される。このように、図6に示すように、ゲートラインG1,G3,…,G9の順に1つずつ選択した後に、ゲートラインG2,G4,…,G10の順に1つずつ選択し、奇数時に最初に設定される一方の増幅率を1倍にし、偶数時に設定される他方の増幅率を10倍に切り換える制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部6に記憶させ、そのプログラムの読み出しによってコントローラ5に実行させる。
なお、演算後の画素の信号レベルを求める式は、実施例でも述べた上記(1)〜(10)式に示すとおりである。
上述した本実施例2に係るX線撮影装置によれば、先ず、跳ばしたゲートラインG1、G3,G5,G7,G9を切り換えながら一方の増幅率(図6では1倍)の設定を行った後に、跳ばされた残りのゲートラインG2,G4,…,G10を切り換えながら他方の増幅率(図6では10倍)の設定を行う。このような設定を行うことで、1倍から10倍への切り換えが1回で済む。なお、上述した実施例1では、1倍から10倍への切り換えが5回行われ、10倍から1倍への切り換えが4回行われ、合計9回分の増幅率の切り換えが行われる。また、上述した実施例1と同様に、各ゲートラインGごとに交互に2種類の増幅率で画像を適切に得ることができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した各実施例では、図1に示すようなX線撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばC型アームに配設されたX線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、X線CT装置にも適用してもよい。
(2)上述した各実施例では、入射したX線に代表される放射線をX線変換層(変換層)によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の検出素子用回路をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された変換層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の検出素子用回路をこの発明は適用してもよい。
(3)上述した各実施例では、X線を検出するための検出素子用回路を例に採って説明したが、この発明は、ECT(Emission Computed Tomography)装置のように放射性同位元素(RI)を投与された被検体から放射されるγ線を検出するための検出素子用回路に例示されるように、放射線を検出する検出素子用回路であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したECT装置に例示されるように、放射線の入射により撮像を行う装置であれば特に限定されない。
(4)上述した各実施例では、X線などに代表される放射線撮像を例に採って説明したが、この発明は、光の入射により撮像を行う装置にも適用することができる。
(5)上述した各実施例では、増幅率を2種類ずつ切り換えて設定を行ったが、3種類以上に切り換えて設定を行ってもよい。また、数ラインおきに1つのラインのみ異なる増幅率に切り換えたり、数ラインごとに同数種類の増幅率にそれぞれ切り換えてもよい。また、図7に示すように、画像の端に相当する奇数の番号のゲートラインG1,G9では増幅率を1倍にするとともに、画像の端に相当する偶数の番号のゲートラインG2,G10では増幅率を6倍にし、画像の端と中央との間の領域に相当する奇数の番号のゲートラインG3,G7では増幅率を2倍にするとともに、その領域に相当する偶数の番号のゲートラインG4,G8では増幅率を8倍にし、画像の中央部分に相当する奇数の番号のゲートラインG5では増幅率を5倍にするとともに、画像の中央部分に相当する偶数の番号のげーとラインG6では増幅率を10倍にする。この場合には、奇数/偶数のゲートラインGにそれぞれ着目すると、画像の端から中央部分にしたがって増幅率を大きくしている。なお、奇数と偶数とに区分しないで、単純に画像の端から中央部分にしたがって、増幅率を徐々に大きくするように設定してもよい。
(6)上述した各実施例では、増幅率について各ゲートラインGごとに切り換えて設定を行う構成であったが、データラインDごとにも応じて増幅率について設定を行う構成であってもよい。例えば、図8ではゲートラインGについて画像の端から中央部分にしたがって、増幅率が大きくなるように設定したが、図8に示すように、データラインDについても画像の端から中央部分にしたがって、増幅率が大きくなるように設定してもよい。この場合には、ゲートラインGのみならずデータラインDごとに画像を適切に得ることができる。
(7)上述した変形例(6)では、図8に示すように縦横ともども画像の端から中央部分にしたがって増幅率が大きくなるように設定されている。一方、被検体が人体であって、人体胸部についてX線撮像を行う場合には、画像の端から画像の中央部分にしたがってX線の線量が少なくなる。したがって、胸部の撮像位置と各々のゲートラインGまたはデータラインDとを対応させて、撮像位置に応じて増幅率をラインごとに切り換えて設定を行うように設定してもよい。すなわち、画像の中央部分に相当する胸部の腹部ではX線の線量が少なく、逆にそれ以外の画像領域に相当する胸部の肺部分や皮膚の薄い部分では透過するX線の線量が多くなる。もし、撮像位置に関わらず撮像中のアンプの増幅率が一定であって、腹部に合わせて増幅率を大きくすると肺部分や皮膚の薄い部分でオーバーフローを起こしてしまう。そこで、このように撮像位置に応じて増幅率をラインごとに切り換えて設定を行うことで、撮像位置に起因した濃度分解能の低下や、オーバーフローによる出力の低下(画像つぶれ)を防止することができ、画像を適切に得ることができる。
(8)上述した各実施例では、増幅率について各ゲートラインGごとに切り換えて設定を行う構成であったが、少なくともデータラインごとに切り換えて設定を行ってもよい。
(9)上述した各実施例では、アンプ31の増幅率について撮像中にラインごとに設定する制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部6に記憶させ、そのプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ5に実行させることで、コントローラ5にアンプ31の増幅率について撮像中にラインごとに設定を行う機能を備えたが、この形態に限定されない。例えばラインの切り換えごとに増幅率の倍率を入力部7(図1を参照)に入力設定し、増幅率に関する入力設定データをコントローラ5に送り込むことで、コントローラ5にアンプ31の増幅率について撮像中にラインごとに設定を行う機能を備えてもよい。
2 … 検出素子用回路
23 … X線変換層
3 … アンプ・A/D変換回路
31 … アンプ
33 … A/D変換器
5 … コントローラ
G … ゲートライン
D … データライン
Tr … 薄膜トランジスタ
Ca … コンデンサ
23 … X線変換層
3 … アンプ・A/D変換回路
31 … アンプ
33 … A/D変換器
5 … コントローラ
G … ゲートライン
D … データライン
Tr … 薄膜トランジスタ
Ca … コンデンサ
Claims (7)
- 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を増幅してアナログ値からディジタル値に変換する増幅・アナログ/ディジタル変換回路とを備え、前記蓄積・読み出し回路を2次元状に配列した複数のラインで構成し、ディジタル値に変換された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記増幅・アナログ/ディジタル変換回路での増幅率について撮像中に前記ラインごとに切り換えて設定を行う増幅率設定手段を備えることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、互いに異なる2種類の前記増幅率について前記ラインごとに交互に切り換えて設定を行うように前記増幅率設定手段を構成することを特徴とする撮像装置。
- 請求項2に記載の撮像装置において、互いに異なる2種類の前記増幅率について、隣接するラインを1つずつ跳ばした状態でラインを切り換えながら一方の増幅率の設定を行い、一方の増幅率の設定を終了したら、跳ばされた残りのラインを対象にしてラインを切り換えながら他方の増幅率の設定を行うように前記増幅率設定手段を構成することを特徴とする撮像装置。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の撮像装置において、前記増幅率の異なる複数のラインの画像に関する画像情報に基づいて1つのラインの画像情報を求めて画像を得ることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載の撮像装置において、撮像位置と各々の前記ラインとを対応させて、撮像位置に応じて前記増幅率をラインごとに切り換えて設定を行うように前記増幅率設定手段を構成することを特徴とする撮像装置。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の撮像装置において、前記蓄積・読み出し回路を、前記電荷情報を蓄積する蓄積素子とその蓄積素子で蓄積された電荷情報をON/OFFの切り換えで読み出すスイッチング素子とを2次元状に配列して構成するとともに、2次元状に配列された前記ラインのうち、一方の方向に並んだラインを、各々の前記スイッチング素子のON/OFF切り換えを制御し、かつ各々のスイッチング素子のゲートに電気的に接続されたゲートラインで構成し、他方の方向に並んだラインを、スイッチング素子の読み出し側に電気的に接続された読み出しラインで構成し、前記増幅率について撮像中に前記ゲートラインごとに切り換えて設定を行うように前記増幅率設定手段を構成することを特徴とする撮像装置。
- 請求項6に記載の撮像装置において、前記読み出しラインごとにも応じて前記増幅率について設定を行うように前記増幅率設定手段を構成することを特徴とする撮像装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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