JPH06130196A - Ｘ線像形成要素および該要素上に放射線像を形成する方法 - Google Patents

Ｘ線像形成要素および該要素上に放射線像を形成する方法

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JPH06130196A JP11869593A JP11869593A JPH06130196A JP H06130196 A JPH06130196 A JP H06130196A JP 11869593 A JP11869593 A JP 11869593A JP 11869593 A JP11869593 A JP 11869593A JP H06130196 A JPH06130196 A JP H06130196A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｘ線像を形成するにおいて、ＳＮ比の向上
と、形成方法の簡易化を図る。 【構成】 層状構造を持つパネルから構成され、該パネ
ルは、像の画素が占める範囲と同一の寸法を持つ複数の
離散したマイクロプレートから成る導電層と、該パネル
上に設けられた複数のアクセス電極と電子部材を備えて
おり、該マイクロプレートにアクセスし、貯蔵電荷の形
で該パネル中に得られたＸ線潜像を形成し、読み取る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタルＸ線像を形成
するための方法および装置に関するものである。さらに
詳しくは、独特のマイクロコンデンサマトリックスパネ
ルにＸ線潜像を表わす電荷を得、これを読取ることによ
り、Ｘ線像を表わす電気信号を得るための方法および関
連装置に関するものである。
【０００２】なお、本明細書の記述は、本件出願の優先
権の基礎たる米国特許出願０７／８８６，６６１号と、
この出願の継続出願である米国特許出願号との両明細書
の記載に基づくものであって、当該各米国特許出願の番
号を参照することによって当該各米国特許出願の明細書
の記載内容が本明細書の一部分を構成するものとする。
【０００３】
【従来の技術】伝統的Ｘ線撮影は、ハロゲン化銀感光フ
ィルムを遮光性カセット容器で用い、Ｘ線潜像を得、そ
の後化学現像と定着により可視化する。ハロゲン化銀フ
ィルムは、Ｘ線にあまり感度がよくなく、像を得るため
には多くの露光を必要とするので、カセット中に組み込
まれた蛍光層からなる増倍スクリーンとハロゲン化銀フ
ィルムとの組み合わせを用いて、露光を少なくすること
が多い。
【０００４】Ｘ線像は、また、ゼロラジオグラフィー法
による光導電板を用いて放射線潜像を得ることによって
も、得られる。この場合、導電性支持層上に塗布された
光導電層から少なくともなる、Ｘ線に感度のある光導電
板を、典型的にはコロナ放電ワイヤーからなる荷電ステ
ーションの下を通すことにより、まず荷電させる。陽電
荷または陰電荷が前記板表面に均一に与えられる。次
に、この板をＸ線で露光する。入射線の強度により、Ｘ
線により生じた電子正孔対が前記板表面を覆う電荷に入
射する電場によって分離され、その結果、前記電場に沿
って移動して前記板表面の電荷と再結合する。Ｘ線露光
後、様々な大きさの電荷の形をした潜像が、前記板表面
上に残り、静電放射線潜像を表わす。この潜像は、次に
調色により可視化され、好ましくは受容面に転写されて
より見やすくなる。
【０００５】より最近の方法の中には、Ｘ線潜像を得る
ための静電像形成要素を用いる方法がある。この要素
は、導電性支持体上の絶縁層が光導電層で覆われ、前記
光導電層も誘電層で覆われ、該誘電層が透明電極で覆わ
れてなるものである。バイアス電圧が、前記透明電極と
導電性支持体の間に与えられ、大きな平行板コンデンサ
である該要素が荷電される。このバイアス電圧が印加さ
れている間、該要素は画像に従って変調されたＸ線に露
光される。露光後、前記バイアスが除去されて、潜像
が、前記誘電層中にストアされた電荷分布として保存さ
れる。
【０００６】この要素構造に生起する問題点は、局部的
な電荷の変化で表わされる潜像が極めて小さい信号電荷
であり、この信号電荷を、全板中の総電荷容量に含まれ
る不規則雑音の存在下で引き出さなければならないこと
である。ＳＮ比は典型的に低い。
【０００７】ＳＮ比を改善するため、前記誘電層上に前
記透明電極を置く。この透明電極は、像中の解像可能な
最小要素の面積と比例する面積を持つ画素の大きさの複
数のマイクロプレートとして置かれる。このようにし
て、該板の総静電容量は減るので、１つの画素につき引
き出される信号は、より高いＳＮ比を持つ。潜像を読み
取る方法の中でも、特に、前記マイクロプレートと導電
板との間に形成されたマイクロコンデンサの各々からの
電荷流を読み取りながら、レーザービームで帯状電極を
長さ方向に走査する方法がある。この要素は、板全体を
カバーする連続電極構造よりはるかに優れているが、こ
の板の使用法は、特にマイクロプレートを始めに荷電す
る方法に関しては、幾分複雑である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、前記
従来の問題点を解決したＸ線像形成要素と、この要素の
上に放射線像を形成する方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線像形成要素
は、第１の導電性の支持層と、実質的に前記支持層上を
覆って延びており、化学線およびＸ線の両方に応答する
第２の光導電層と、実質的に化学線およびＸ線の両方に
対し透明であり、実質的に前記光導電層を覆うとともに
接触している裏面と、前面とを持つ第３の誘電層と、実
質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離散
した導電性マイクロプレートであって、該マイクロプレ
ートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔を置いて
該前面上に配置されており、該マイクロプレートの各々
は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を持
っている、該マイクロプレートと、前記マイクロプレー
トに沿って延びている第１の複数の離散した導電性Ｘｎ
アドレスラインと、前記マイクロプレートに沿って延び
ている第２の複数の相互接続した導電性荷電ラインと、
前記マイクロプレートに沿って延びている第３の複数の
離散した導電性Sn感知ラインと、を有し、各マイクロプ
レートは、ダイオードにより前記複数の荷電ラインのう
ちの隣接したラインと結合されており、またトランジス
タを介して前記Ｘｎアドレスおよび感知ラインと結合さ
れている、ことを特徴とする。
【００１０】前記構成において、さらに、Ｘｎアドレス
ラインを横断する方向に前記マイクロプレートに沿って
延びている第４の複数の離散した導電性Ｙｎアドレスラ
インを有し、前記マイクロプレートの各々は、少なくと
も２つのトランジスタを介して、前記Ｘｎアドレスライ
ン、前記Ｙｎアドレスラインおよび前記Ｓｎ感知ライン
と結合されていてもよい。
【００１１】また、前記複数のＸｎアドレスラインとＹ
ｎアドレスラインが、前記マイクロプレートの間のスペ
ースにおいて該要素の前面上で直交するように配置され
ていてもよい。
【００１２】また、前記トランジスタとしてはＦＥＴト
ランジスタを用いることができる。
【００１３】また、前記光導電層と前記支持層との間で
延びている電荷障壁層をさらに有し、前記光導電層がセ
レンから構成してもよい。
【００１４】前記光導電層がアルミニウムからなり、該
光導電層が該導電層の表面を実質的に覆っている酸化ア
ルミニウム層上にあってもよい。
【００１５】本発明のＸ線像形成要素上に放射線像を形
成する方法は、第１の導電性の支持層と、実質的に前記
支持層を覆って延びており、化学線およびＸ線の両方に
応答する第２の光導電層と、実質的に化学線およびＸ線
の両方に対し透明であり、実質的に前記光導電層を覆う
とともに接触している裏面と、前面とを持つ第３の誘電
層と、実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複
数の離散した導電性マイクロプレートであって、該マイ
クロプレートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔
を置いて該前面上に配置されており、該マイクロプレー
トの各々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める
寸法を持っており、該マイクロプレートと支持板は複数
のマイクロコンデンサを形成している、該マイクロプレ
ートと、前記マイクロプレートに沿って延びている第１
の複数の離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、前記マ
イクロプレートに沿って延びている第２の複数の相互接
続した導電性荷電ラインと、前記マイクロプレートに沿
って延びている第３の複数の離散した導電性感知ライン
であって、１つ以上の電荷検出装置の入力に終点して該
１つ以上の電荷検出装置の該入力に検出された電荷を表
わす出力信号を生成する、該感知ラインと、を有し、各
マイクロプレートはダイオードにより前記複数の荷電ラ
インのうちの隣接した１つのラインと結合されており、
トランジスタを介して前記Ｘｎアドレスおよび感知ライ
ンと結合されている、Ｘ線像形成要素の上に放射線像を
形成する方法であって、（ａ） 第１の時間だけ該要素
に化学線が当たることを防止し、（ｂ） 前記相互接続
した荷電ラインに正の電圧を印加し、前記複数の離散し
た導電性マイクロプレートと前記支持層との間に電位差
を設け、（ｃ） 前記第１の時間だけ該要素に画像に従
って変調されたＸ線を照射し、（ｄ） 該第１の時間の
経過後、該印加工程を停止して、該マイクロプレートに
照射されたＸ線の強度に比例する電荷を該マイクロコン
デンサ中にストアし、（ｅ） 前記工程（ｄ）の終了
後、該要素に均一な化学線を照射し、該複数のＸｎアド
レスラインの１つに正の電圧を印加して、該１つのＸｎ
アドレスラインと前記感知ラインとを該マイクロプレー
トに接続している該トランジスタを導電性にし、該マイ
クロコンデンサを該感知ラインと該１つ以上の電荷検出
装置に放電させ、該１つ以上の電荷検出装置の各々の上
に出力信号を生成し、（ｆ） 各感知ライン用の出力信
号を逐次に検出し、（ｇ） 前記複数のＸｎアドレスラ
インに対して、全てのマイクロプレートからの全ての信
号が検出されるまで、前記工程（ｅ）および（ｆ）を繰
り返す、各工程を有することを特徴とする。
【００１６】さらに、本発明の方法は、第１の導電性の
支持層と、実質的に前記支持層を覆って延びており、化
学線およびＸ線の両方に応答する第２の光導電層と、実
質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、実質
的に前記光導電層を覆うとともに接触している裏面と、
前面とを持つ第３の誘電層と、実質的に化学線およびＸ
線の両方に対し透明な複数の離散した導電性マイクロプ
レートであって、該マイクロプレートは隣接したマイク
ロプレートとの間に間隔を置いて該前面上に配置されて
おり、該マイクロプレートの各々は解像可能な最小の画
素と同一の範囲を占める寸法を持っており、該マイクロ
プレートと支持板は複数のマイクロコンデンサを形成し
ている、該マイクロプレートと、前記マイクロプレート
に沿って延びている第１の複数の離散した導電性Ｘｎア
ドレスラインと、前記マイクロプレートに沿って延びて
いる第２の複数の相互接続した導電性荷電ラインと、前
記第１の複数のＸｎアドレスラインを横断する方向に前
記マイクロプレートに沿って延びている第３の複数の導
電性Ｙｎアドレスラインと、前記マイクロプレートに沿
って延びている第４の複数の導電性感知ラインと、を有
し、各マイクロプレートは、ダイオードにより前記複数
の荷電ラインのうちの隣接した１つのラインと接続され
ており、各マイクロプレートは、また、２つのトランジ
スタを介して前記Ｘｎアドレスライン、Ｙｎアドレスラ
インおよび感知ラインと接続されている、Ｘ線像形成要
素の上に放射線像を形成する方法であって、（ａ） 第
１の時間だけ該要素に化学線が当たることを防止し、
（ｂ） 前記相互接続された荷電ラインに正の電圧を印
加して、前記複数の離散した導電性マイクロプレートと
前記支持層との間に電位差を設け、（ｃ） 前記第１の
時間だけ該要素に画像に従って変調されたＸ線を照射
し、（ｄ） 該第１の時間の経過後、該印加工程を停止
して、該マイクロプレートに照射されたＸ線の強度に比
例する電荷を該マイクロコンデンサ中にストアし、
（ｅ） 前記工程（ｄ）の終了後、該要素を均一な化学
線に露光するとともに、該Ｙｎアドレスラインの１つと
該複数のＸｎアドレスラインの１つに電圧を印加して、
該１つのＸｎアドレスラインと前記感知ラインとを、該
１つのＹｎアドレスライン、該１つのＸｎアドレスライ
ン、および該感知ラインの１つと接続された前記マイク
ロプレートに接続している前記トランジスタを導電性に
することにより、前記１つの感知ライン上に出力信号を
生成し、（ｆ） 該感知ライン上の出力信号を検出し、
（ｇ） 前記複数のＹｎアドレスラインおよびＸｎアド
レスラインの各々に対して、全てのマイクロプレートか
らの全ての信号が検出されるまで、前記工程（ｅ）およ
び（ｆ）を繰り返す、各工程を有することを特徴とす
る。
【００１７】前記各方法において、前記工程（ｄ）と工
程（ｅ）との間で第２の時間だけ該要素を均一な化学線
に露光する工程をさらに有するようにしてもよい。
【００１８】
【作用】本発明によれば、Ｘ線像を形成するにおいて、
高いＳＮ比を得ることができ、その形成方法もいたって
簡単である。
【００１９】
【実施例】以下の詳細な説明において、全ての図面中に
用いた同様の参照数字は同様の部材を示す。
【００２０】図１を参照すると、Ｘ線像形成装置、要素
またはパネル１６は、第１の導電性支持層１２を持つも
のとして示されている。この導電性支持層１２は導電性
素材から作られており、硬質または軟質、透過性または
非透過性でよい。好ましくは、この層１２は、Ｘ線像形
成装置１６に含まれる他の層の支持体として用いられる
のに十分な厚みと硬さを持った導電性素材から作られた
連続層である。簡単な構造の場合、導電性支持層１２と
接触した裏面と、前面とを持つ光導電層８が導電性支持
層１２上にコーティングされている。光導電層８は、好
ましくは極めて高い暗抵抗率を示す。
【００２１】光導電層８は、光導電性を示すアモルファ
スセレン、酸化鉛、硫化カドミウム、ヨウ化第二水銀ま
たはその他のこのような物質（好ましくはＸ線吸収性化
合物を充填した光導電性重合体等の有機物質を含む）か
らなってよい。
【００２２】本発明中においては、光導電性を示すと
は、化学線またはＸ線に露光されると、その材料がその
ような露光がない場合と比べより低い抵抗率を示すこと
をいう。この低減抵抗率は、実際には、入射した光線に
よりその材料中に作られた電子正孔対の影響である。好
ましくは、見掛抵抗率の変化は、入射光線の強度に比例
する。化学線とは、本発明を説明する目的においては、
紫外線（Ｕ．Ｖ．）、赤外線（Ｉ．Ｒ．）、可視光線、
またはガンマ線を指すが、Ｘ線を除く。
【００２３】光導電層８は、入射Ｘ線またはその実質的
部分を吸収するのに十分な厚みを持ち、高い光線検出効
率を与えられるようなものから選ぶべきである。選択さ
れる材料の特定の種類は、目的とする電荷保持時間と望
ましい簡易な製造工程にも依存すると思われる。セレン
はそのような好ましい物質の１つである。
【００２４】光導電層８の前面の上に誘電層６が設けら
れる。誘電層６は、Ｘ線と化学線の両方に対して透明で
なければならず、電荷の漏れを防ぐのに十分な厚みを持
たなければならない。本発明の好ましい実施態様におい
ては、誘電層６は、１００オングストロームより大きな
厚みを持つ必要がある。５０ミクロンの厚みを持つMyla
r （商品名；すなわちポリエチレンテレフタレート）シ
ートが層６として使用できるが、より薄い層が適当であ
る。
【００２５】図２により良く示したように、誘電層６上
には、複数の離散した微小な導電性電極４（即ち４ａ，
４ｂ，４ｃ, …４ｎ、本明細書中ではマイクロプレート
として示した）が形成される。マイクロプレートの寸法
は、要素１６により解像可能な最小の画像要素（画素）
を規定する。電極４は、実質的に化学線とＸ線との両方
に対し透明である。これらの電極は、典型的には（必ず
しもそうではないが）、真空蒸着または化学的堆積を用
いて誘電層６上に堆積され、金、銀、アルミニウム、
銅、クロム、チタン、白金、等の金属の極めて薄い膜か
ら作ることができる。好ましくは、マイクロプレート４
は、透明な酸化インジウムから作られる。マイクロプレ
ート４は、連続層として堆積されることができ、この連
続層は、次にエッチングされて、解像可能な最小の画素
と同一の範囲の寸法を持つ複数の個々の離散マイクロプ
レートとなる。これらのマイクロプレートはレーザーア
ブレーションまたはホトエッチングで作ることもでき
る。このようなマイクロプレート４を製造する方法は当
業者の間でよく知られているので、ここでは詳しい説明
は加えない。光微細加工技術については、“Imaging Pr
ocessing & Materials”Chapter 18 の“Imaging for M
icrofabrication”（J. M. Shaw, IBM Watson Research
Center ）に詳しい説明がある。
【００２６】中間の誘電性光導電層８を持ったマイクロ
プレート４ａ，４ｂ，４ｃ, …４ｎの各々１つと導電性
支持層１２は、直列の２つのマイクロコンデンサを形成
する。この際、第１のマイクロコンデンサは、マイクロ
プレート４と光導電層８の前面との間に形成され、第２
のマイクロコンデンサは、同様の前面と導電性支持層１
２との間に形成される。
【００２７】好ましい他の構造では、随意の電荷障壁層
１０（図１ではその上面を点線で示す）を導電層１２の
上面に加える。好ましくは、支持層１２はアルミニウム
のような酸化物を形成する金属で作られる。電荷障壁層
１０は、支持層１２の表面に形成された酸化アルミニウ
ム層で提供される。この場合、その表面をセレン光導電
層８でコーティングすると、ブロッキングダイオードと
して振る舞い、１方向への電荷の流れを阻止する障壁層
が得られる。
【００２８】電荷障壁層１０は、誘電層６と等しい寸法
を持ったポリエチレンテレフタレート等の単純な絶縁層
であってもよい。
【００２９】マイクロプレート４ａ，４ｂ，４ｃ, …４
ｎの間のスペースに、導電性アドレスラインＸ１，Ｘ
２，…Ｘｎ、荷電ラインＣ１，Ｃ２，…Ｃｎおよび感知
ラインＳ１，Ｓ２，…Ｓｎが敷設される。ＸｎおよびＣ
ｎラインは互いに平行な線として示されており、Ｓｎラ
インはＸｎおよびＣｎラインに直交する線として示され
ている。しかしながら、Ｃｎラインも、Ｓｎラインと一
般的に平行に設けられることも可能であった。あるい
は、全てのラインがマイクロプレート４の間のスペース
に互いに平行に設けられることも可能であった。このこ
とは、必要性の問題というよりも、純粋に便宜上の問題
である。ＸｎおよびＳｎラインは、特に図面に示されて
はいないコネクターまたは導線を介して、パネル１６の
側面または端部に沿って、個々にアクセスできる。この
Ｃｎラインは、全てコネクターを通じてパネル１６の側
面または端部上を相互に接続されアクセスされている。
もちろん、Ｘｎ, ＳｎおよびＣｎライン用の適当に割り
当てられた多数の接点をもった単一のコネクターを設け
てもよい。
【００３０】加工の目的には、ＸｎおよびＣｎライン
は、マイクロプレート４を形成するのに用いられたと同
様のインジウムスズ酸化物層から構成されていてもよ
く、マイクロプレート４を作るのに使用できる前述のエ
ッチングの過程で製造されてもよい。ＸｎおよびＣｎラ
イン上に絶縁層17を置いた後、Ｓｎラインを形成するこ
とができる。もちろん、その逆も可能である。
【００３１】各マイクロプレート４をＣｎラインに接続
しているのは、図１および図２に示したように、Ｃｎラ
インとマイクロプレート４ｎとの間のスペースにおいて
誘電層６上に堆積されたＰ型およびＮ型不純物添加材料
から成るダイオード７である。また、各マイクロプレー
ト４ｎと導電性ラインＸｎおよびＳｎとの間のスペース
には、ＦＥＴトランジスタ５が構成されている。このト
ランジスタは、そのゲートがＸｎラインに、そのソース
とドレーンがマイクロプレート４ｎとＳｎラインにそれ
ぞれ接続されている。ＦＥＴトランジスタ５は、水素添
加アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、絶縁層１
５、および導電性電極１１，１１′，１１″からなって
いる。これらの電極１１，１１′，１１″は、それぞれ
ゲート、ドレーン、ソースを構成しており、ラインＸ
ｎ, Ｓｎ, マイクロプレート４ｎと接続されている。Ｆ
ＥＴトランジスタ５とダイオード７を形成する方法は、
当業者によく知られており、本発明の課題ではない。そ
れについては、例えば、R. C. Jaeger, Introduction t
o Microelectronics Fabrication (Addison-Wesley出
版、1988), Vol. 5,“Modular Series on Solid Device
s ”を参照されたい。
【００３２】最後のカバー層９は誘電体であり、ガラス
板でもよい。この層は、マイクロプレート４、ダイオー
ド７、ＦＥＴトランジスタ５、導電性ラインＳｎ, Ｘ
ｎ, Ｃｎ上に設けられてよく、各種部材を保護し、取り
扱いを容易にする。
【００３３】図４は、本発明にしたがうＸ線形成要素ま
たはパネル１６′の他の実施態様を模式的正面断面図で
示したものである。パネル１６′も、導電性支持体また
は層１２からなり、その上に障壁層１０を持っていても
よい。光導電層８は場合により導電層１２または随意の
障壁層１０上にコーティングされる。光導電層８の上に
も絶縁性誘電層６がコーティングされる。複数の導電性
マイクロプレート４ａ，４ｂ，４ｃ, …４ｎが前述のよ
うに絶縁層６の上に設けられる。
【００３４】図５を参照すると、この実施例では、Ｘ
ｎ, Ｓｎ, Ｃｎラインに加え、第４の複数のＹ１，Ｙ
２，Ｙ３，…Ｙｎアドレスラインが設けられ、これらは
好ましくはＸｎラインを横切って延びており、それらの
ラインは絶縁層９９により互いに絶縁されている。絶縁
層９９の材料は層１７の材料と同等である。本実施例で
は、マイクロプレート４をＣｎラインと接続しているダ
イオード７に加え、２つのａ−Ｓｉ：Ｈ ＦＥＴトラン
ジスタ５′が背面同士を接続された状態で用いられ、Ｘ
ｎ, Ｙｎ，Ｓｎラインとマイクロプレート４とを相互に
接続している。この構成においては、２つのＦＥＴトラ
ンジスタのゲートは、それぞれＸｎおよびＹｎラインに
接続され、２つのＦＥＴトランジスタ５′のうちの１つ
のトランジスタのソースは、マイクロプレート４ｎ接続
され、他の１つのトランジスタ５′のドレーンは、Ｓｎ
ラインに接続されている。前記Ｃｎラインは、相互に接
続され、パネル１６′の外部から１箇所でアクセスでき
る。各マイクロプレート４は、ダイオード７によりＣｎ
ラインと接続されている。Ｘｎ, Ｙｎ，Ｓｎラインは、
好ましくはパネル側面または端部に沿って適当な接続を
介し全て個々にアクセスできる。
【００３５】前記要素１６または１６′の全体は、支持
体上に導電体、絶縁体、光導電体、絶縁体、そして導電
体の層を次々に堆積させることにより、作ることができ
る。次に、ダイオード７とＦＥＴトランジスタ５，５′
とを、誘電層６上のマイクロプレート４同士の間のスペ
ースに形成できる。組立は、イオン注入、蒸着、真空蒸
着、貼合わせ、スパッタ、または均一な厚さの膜を沈着
させるのに有用な他の既知技術により、達成できる。該
要素１６または１６′は、また、始めにガラス支持体上
にアクティブトランジスタおよびダイオード層を形成す
ることによっても、作ることができる。次に、誘電体、
セレンおよび他の層をその上に堆積させ、要素１６また
は１６′を得る。
【００３６】好ましい実施態様では、導電性支持層１
２, 電荷障壁層１０, 光導電層８、誘電層６は全て連続
層である。しかしながら、上に述べた様な構造であっ
て、以下のような態様のＸ線形成要素を製造するのも、
本発明の範囲内である。即ち、透明電極層がエッチング
されて複数のマイクロプレート４を作るだけでなく、そ
の下の層の１つ以上も電極層と同様の形状でエッチング
されて、マイクロプレート４の下層としてプレート４と
位置合わせされた状態で複数の離散した誘電部分、光導
電部分、障壁層部分、さらに導電部分すらも形成される
態様である。さらに、連続層をエッチングしてマイクロ
プレート４を形成するのでなく、マスキング法を用いて
マイクロプレート４を直接堆積させる方法を用いること
もできる。いずれにしても、製造法は本発明の必須構成
要件でなく、利用できる資源とコストを考慮して撰択す
べきものである。
【００３７】図１，図２，図３，図４に示された二つの
パネル構造においては、要素１６，１６′に直流バイア
ス電圧を印加するために、パネル１６，１６′上のＣｎ
ライン接点と支持層１２にバイアス電源３０を接続させ
るための接続回路が設けられる。スイッチ３２を閉じる
と、ダイオード７が前方にバイアスされ、導電性とな
る。バイアス電圧は、次にマイクロプレート４ｎと支持
層１２を横切って現われる。
【００３８】図１，図２，図３に示された構造に戻る
と、バイアス電源３０に加え、好ましくは除去可能なコ
ネクター（図示せず）を介してパネル１６と複数の電荷
検出器３６を接続させる回路も設けられる。各検出器３
６は、Ｓｎラインに接続されている。電荷検出器３６
は、マイクロコンデンサからの電荷が向けられる容量性
回路であって、そのような電荷に比例した電圧出力を生
みだす回路中の電荷を測定するために配置された演算増
幅器からなっていてもよい。出力信号を得るため検出器
３６の出力は、逐次サンプリングされることができ、そ
のための方法は当業者によく知られている。サンプリン
グネットワークを持つ単一の電荷検出器を用いることも
可能であり、そのようなネットワークは、Ｓｎラインの
出力を検出器の入力に逐次適用するように配置されてい
る。図３はそのような構成を示す。この場合、ライン３
９を通じてアドレスされるスイッチ３８は、ラインＳｎ
を単一の電荷検出器３６の入力に逐次適用する。
【００３９】Ｘｎラインも前に述べたようにパネル１６
の外部からアクセスできる。図示されていないスイッチ
手段を用いて、Ｘｎラインの各々に、逐次に、または必
要に応じて、アドレスし、各Ｘｎラインに電圧を印加し
てもよい。パネル上の複数のラインに逐次アドレスする
ための手技は十分に開発され、平板ＴＶデイスプレーの
分野で広く用いられており、またそのようなアドレス法
を行うのに選ばれる態様は本発明の要旨にとって重要で
はないので、ここでは詳述しない。
【００４０】図４に示されたパネル１６′の場合、該パ
ネル１６′とラインＣｎ に接続されたバイアス電源３
０と、上述のＸｎアドレス手段に加え、Ｙｎラインも、
Ｘｎラインのアドレスに用いられた手段と類似した逐次
または随意のアドレス手段を有している。このパネル１
６′においては、複数の感知ラインＳｎは、全てパネル
１６′そのものの上で相互接続されているか、またはパ
ネル１６′を出てから相互接続されている。それらの総
合出力は、単一の電荷検出器３６の入力に向けられてい
る。
【００４１】実際の使用において、パネル１６，１６′
は、カセットまたは容器を含んでいてよく、それによ
り、カセットがＸ線フィルムを遮蔽するのとほぼ同様
に、該要素を化学線への露光から遮蔽する。図６にカセ
ットまたは容器２２が用いられるそのような構成を示
す。カセット２２は、周囲の化学線に対し不透明である
が、Ｘ線には透明である材料から作られている。周囲の
ガンマ線量は、普通は露光問題を引き起こすほど高くは
ないので、その材料がガンマ線に対し不透明である必要
はない。同様に、周囲に赤外線がなければ、容器はそれ
に対し不透明である必要はない。
【００４２】容器２２は、上部２５と底部２７を回動自
在に結合したヒンジ２４を含んでいてもよく、そうすれ
ば、カセット２２は開閉自在である。
【００４３】カセット２２は、さらに電気的接続手段３
４を含んでいてもよく、これらの手段により電源３０が
配線２６，２８を介してパネル１６，１６′上のＣｎラ
イン接点に接続できる。スイッチ３２のようなスイッチ
手段も設けられ、カセット２２へのバイアス電圧３０の
印加および印加の停止を行うことができる。追加の接点
をカセット２２に設けることも可能であり、それらの接
点によりＸｎ, ＹｎおよびＳｎライン（選んだパネル構
造により）に電気的アクセスが可能となる。これを利用
すれば、カセット２２からデータを引き出すことなく、
パネル１６，１６′からデータを得ることができる。
【００４４】Ｘ線潜像を得るには、要素１６，１６′が
カセット２２に入れられ、カセット２２は、カセットに
感光フィルムを入れた伝統的な組立体が置かれるのと同
様に、情報変調Ｘ線の経路内に置かれる。この構成は図
７に模式的に示されており、ここではＸ線ビームを放出
するＸ線源４４が見られる。標的４８、すなわち医学分
野の画像診断法の場合には、患者がＸ線ビームの経路に
置かれる。患者４８を通過して現われる光線は、標的４
８のＸ線吸収度に差があるので強度変調される。次に、
変調されたＸ線ビーム４６は、要素１６，１６′を収容
したカセット２２で遮断される。Ｘ線は容器２２に浸透
し、最終的に光導電層８に吸収され、Ｘ線経路に沿った
線強度に比例して見掛抵抗率が変化する。違った見方を
すると、Ｘ線は電子正孔対の流れを生み、その中の電子
は光導電層８と誘電層６の間の界面に蓄積される。スイ
ッチ３２はそれと同時に露光工程中、またはその前に閉
じられ、電源３０から要素１６または１６′にバイアス
直流電圧を印加する。
【００４５】所定の第１の時間の経過後、Ｘ線束は遮断
され、Ｘ線はもはや要素１６，１６′に当たらない。そ
れと同時またはその直後に、バイアス電圧３０の印加
は、スイッチ３２を開くことにより要素１６，１６′か
ら取り除かれる。
【００４６】要素１６からバイアス電圧３０を取り除い
た後、カセット２２を開くことができる。要素１６は、
化学線の存在下で扱うことができ、誘電層６内のマイク
ロコンデンサに電荷分布として貯えられた画像情報の損
失は、起こらない。この電荷の存在、および電荷分布の
形で像を得る際のパネル１６の操作は、以下に述べる。
好ましくは、この時点で、要素１６を意図的に大きな線
量の化学線に露光し（例えばフラッシュ露光により）、
一時的に光導電層８を実質的に導電性にすることによ
り、該層８に貯えられた電荷を除去する。層８が実質的
に導電性として振る舞うのは、豊富な発光が電子正孔対
の豊富な供給源となり、光導電層８に貯えられた電荷を
中和するからである。
【００４７】導電性マイクロプレート４のうちの各々の
１つと支持層１２との間の誘電および光導電層６，８の
組み合わせは、直列の２つのコンデンサとして振る舞
い、図８に示したように、そのうち１つは誘電体とし
て、他は光導電体として機能する。この図においては、
それらは、透明電極４、誘電層６、光導電層８、支持導
電層１２の組み合わせからなる等価電気回路として、示
されている。光導電層８と平行に可変抵抗が点線で示さ
れ、光導電層８における電子正孔対形成の影響を表わし
ている。
【００４８】図８に示すように、電圧供給源３０が化学
線やＸ線の不存在下で該要素と接続されると、マイクロ
コンデンサは全て均一に荷電され、この時の電荷は、各
コンデンサの静電容量の関数である。全てのコンデンサ
が同一面積の板を持つ本態様の場合には、静電容量は、
板同士の間隔と板の間の材料の誘電率に依存すると思わ
れる。その結果、ここに述べた構造では、コンデンサに
は２種類の電圧が現われる。その１つは光導電層８を表
わすコンデンサに現われる電圧であり、もう１つは誘電
層６に得られる電圧である。例えば、バイアス電源３０
からの印加電圧差が２，０００ボルトなら、それら２つ
のコンデンサに誘電体６には１００ボルト、光導電体８
には１，９００ボルトが分配される。
【００４９】要素１６がＸ線に露光されると、総電圧は
変化しないが、電子正孔対が形成され移動するので、マ
イクロコンデンサの各々に入射する線の強度に依存して
マイクロコンデンサの各々において新しい電荷の分布が
生まれる。それにより、直列に接続された２つのマイク
ロコンデンサの間に新しい電圧分布が作られる。図９
は、そのような仮想的電圧再分布を模式的に示す。
【００５０】Ｘ線露光の終了後、スイッチ32を開き、電
源３０を要素１６から遮断し、ライン２に沿ったマイク
ロプレート４への印加を終了させる。この段階では、マ
イクロプレート４の各々はダイオード７により他の全て
の部材から切り離され、孤立する。図１０はこの時点で
の電圧分布を示す。他の場所に行けない電荷は、Ｘ線露
光時間の終了時、そのままである。この時、電圧源３０
は、完全に要素１６またはカセット２２との接触から外
されると思われる。
【００５１】各コンデンサ対を通って現われる総電圧
は、まだ２，０００ボルトである。しかしながら、各コ
ンデンサ対の誘電部分における電荷は、要素１６（また
は１６″）の全表面で均一ではなく、変化して、放射線
潜像を表わす。総電圧を低下させるため、図１１に示す
ように、適当な供給源４０からの化学線で要素１６をフ
ラッシュ露光することが、この段階では好ましい。バイ
アス電圧３０の存在なしで行われるそのようなフラッシ
ュ露光の結果、本質的に光導電層８を表わすマイクロコ
ンデンサの各々を放電させ、誘電マイクロコンデンサの
各々の一端を本質的に接地電位にする。これには次のよ
うな利点がある。即ち、各マイクロコンデンサを逐次的
に放電させることがある像の読み取り時、十分に放電さ
れたマイクロコンデンサマイクロプレート４と隣接した
まだ放電されていないマイクロコンデンサマイクロプレ
ート４との間の電位差が、フラッシュ露光が起こらなか
った場合の電位差より小さいという利点である。これは
また、マイクロコンデンサ間の望ましくないアーク発生
またはトランジスタの故障の危険性を減らすことにな
る。
【００５２】フラッシュ露光は、化学線を用いて行うこ
とが好ましいが、追加の未変調Ｘ線を用いても実施でき
ることは、もちろん容易に理解されよう。
【００５３】様々な量の貯蔵電荷として要素１６のマイ
クロコンデンサ中に捕えられたＸ線潜像を表わす電気信
号の読み取りは、要素１６を均一な化学線に露光し、Ｘ
ｎラインの各々を逐次にアドレスし、Ｘｎラインに接続
されたＦＥＴ５のゲートに電圧を印加することにより成
される。その結果、ＦＥＴ５は導電性となり、相当する
マイクロコンデンサに貯えられた電荷は、Ｓｎラインに
沿って送られる。図２の回路が用いられる場合、電荷増
幅器３６の各々は、ラインＳｎ上に検出された電荷に比
例する電圧出力を生みだす。次に電荷検出器３６の出力
は、逐次にサンプリングされ、電気信号が得られる。こ
の信号はアドレスされたＸｎラインに沿った電荷分布を
表わし、各マイクロコンデンサは１つの画素を表わす。
その後、次のＸｎラインがアドレスされ、全てのマイク
ロコンデンサからサンプリングされ、全体像が読み取ら
れるまで、この過程が繰り返される。電気信号出力は、
保存または表示のいずれかが行われてもよく、その両者
が行われてもよい。
【００５４】図３のパネル１６が用いられると、操作は
ほぼ同様で、電荷検出器の出力でなくラインＳｎが逐次
にサンプリングされ、サンプリングされたＳｎライン
は、１つの電荷検出器３６の入力と接続され出力電圧が
出されるという点が異なる。次にこの出力電圧は前述の
ように用いられ、像が表示または保存される。
【００５５】図５のパネル１６′は上記と幾分異なった
ように読み取られる。即ち、２つのＦＥＴトランジスタ
５′を背面同士を合わせて用いることにより、図３のよ
うに全ラインがサンプリングされるのでなく、各マイク
ロプレート４と相当するマイクロコンデンサが個々にサ
ンプリングされる。ＸｎおよびＹｎラインを逐次アドレ
スすることにより、１種類の電圧が１列のマイクロコン
デンサのゲートでＹｎラインを通って現われ、もう１種
類の電圧がＸｎラインと相当する１列のマイクロコンデ
ンサを通って現われる。しかしながら、ある１つの場合
にだけ、同一のマイクロコンデンサに接続された２つの
ＦＥＴトランジスタ５′のＸｎおよびＹｎゲートの両方
で電圧が現われ、そこにストアされた電荷が感知ライン
Ｓｎに流れ、そこから電荷検出器３６に流れることがで
き、その特定のマイクロコンデンサに出力信号を与え、
結果として画素が与えられる。したがって、この場合の
走査操作は、用いられた走査ラインＸｎおよびＹｎを使
用して行われ、信号も利用された信号ライン上に得られ
る。
【００５６】図１２に示したように、検出器３６から得
られた信号は、好ましくはアナログ−デジタル（Ａ−
Ｄ）変換器１１０でデジタル信号に変換される。Ａ−Ｄ
変換器１１０から信号は、ライン１４０上をコンピュー
タ１４２まで送られる。コンピュータ１４２は信号を、
特に適当な記憶手段に送る。この手段は、内部ＲＡＭま
たは長期保存メモリ１４４のいずれか、またはそれら両
者であってよい。この過程で、Ｘ線像を表わすデータ
は、フィルタ処理、コントラスト強化等の画像処理を受
けることができ、ＣＲＴ１４６上に表示されて即時に見
ることもできるが、プリンタ１４８に用いられてハード
コピーとなることもできる。
【００５７】本明細書中に図示し論じた実施例と望まし
いシステムは、単に、本発明者が分かっている限りの最
良の発明の製造 および使用法を当業者に教示するため
のものである。したがって、本明細書の特定の実施態様
は、本発明の範囲を制限するものでなく、例示するもの
として考えるべきである。当業者は、これまで述べたよ
うな本発明の教示を利用し、本発明に対し多くの変更を
加えることができる。これらの変更は、添付の請求範囲
に述べたような本発明の範囲内に含まれるものと考える
べきである。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、層状構
造のパネルから構成され、該パネルは、像の画素が占め
る範囲と同一の寸法を持つ複数の離散したマイクロプレ
ートからなる導電層と、該パネル上に設けられた複数の
アクセス電極と電子部材を備えているので、該マイクロ
プレートにアクセスし、貯蔵電荷の形で該パネル中に得
られたＸ線潜像を形成し、読みとることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にしたがうＸ線形成要素の模式的正断面
図である。
【図２】図１に示されたＸ線形成要素の実施態様を示す
模式的平面図である。
【図３】他の読み取り構成を持つ図１に示されたＸ線形
成要素の実施態様を示す模式的平面図である。
【図４】本発明にしたがうＸ線形成要素の他の実施態様
を示す模式的正断面図である。
【図５】図４に示されたＸ線形成要素の実施態様を示す
模式的平面図である。
【図６】本発明にしたがうＸ線パネルを用いてＸ線潜像
を得るためのカセット状装置を模式的に示した断面構成
図である。
【図７】本発明にしたがうＸ線パネルを用いてＸ線潜像
を得るための構成を模式的に示した説明図である。
【図８】Ｘ線に露光する前の本発明にしたがう要素の等
価電気回路を示す回路図である。
【図９】Ｘ線に露光した直後の本発明にしたがう要素の
等価電気回路を示す回路図である。
【図１０】Ｘ線への露光とバイアス電圧の除去の直後の
本発明にしたがう要素の等価電気回路を示す回路図であ
る。
【図１１】Ｘ線への露光とバイアス電圧の除去の後に均
一な化学線への露光を行った直後の該要素の等価電気回
路を示す回路図である。
【図１２】本発明にしたがうＸ線像を形成、表示するた
めの構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
２ ライン ４，４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｎ 導電性電極（マイクロ
プレート） ４ 透明電極 ５，５′ ＦＥＴトランジスタ ６ 誘電層（絶縁性誘電層，絶縁層） ７ ダイオード ８ 誘電性光導電層（セレン光導電層） ９ カバー層 １０ 電荷障壁層 １１，１１′，１１″ 導電性電極 １２ （第１の）導電性支持層（導電層，導電性支持体
または層，支持導電層） １５ 絶縁層 １６ Ｘ線像形成装置、要素またはパネル １６′ Ｘ線形成要素またはパネル １７ 絶縁層 ２２ カセットまたは容器 ２４ ヒンジ ２５ 上部 ２６，２８ 配線 ２７ 底部 ３０ バイアス電源（バイアス電圧，電圧供給源，電圧
源） ３２ スイッチ ３４ 電気的接続手段 ３６ 電荷検出器（電荷増幅器） ３８ スイッチ ３９ ライン ４０ 供給源 ４４ Ｘ線源 ４６ Ｘ線ビーム ４８ 標的（患者） ９９ 絶縁層 １１０ アナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換器 １４０ ライン １４２ コンピュータ １４４ 長期保存メモリ １４６ ＣＲＴ １４８ プリンタ Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ 導電性アドレスライン Ｃ１，Ｃ２，…Ｃｎ 荷電ライン Ｓ１，Ｓ２，…Ｓｎ 感知ライン Ｓｎ, Ｘｎ, Ｃｎ 導電性ライン Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…Ｙｎ アドレスライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローサー ジークフリート ジェロミン アメリカ合衆国 19711 デラウェア州 ニューアーク ブランチ ロード 912

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の導電性の支持層と、 実質的に前記支持層上を覆って延びており、化学線およ
    びＸ線の両方に応答する第２の光導電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、実
    質的に前記光導電層を覆うとともに接触している裏面
    と、前面とを持つ第３の誘電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離
    散した導電性マイクロプレートであって、該マイクロプ
    レートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔を置い
    て該前面上に配置されており、該マイクロプレートの各
    々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を
    持っている、該マイクロプレートと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第１の複数の
    離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第２の複数の
    相互接続した導電性荷電ラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第３の複数の
    離散した導電性Sn感知ラインと、 を有し、 各マイクロプレートは、ダイオードにより前記複数の荷
    電ラインのうちの隣接したラインと結合されており、ま
    たトランジスタを介して前記Ｘｎアドレスおよび感知ラ
    インと結合されている、 ことを特徴とするＸ線像形成要素。
  2. 【請求項２】 第１の導電性の支持層と、 実質的に前記支持層を覆って延びており、化学線および
    Ｘ線の両方に応答する第２の光導電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、実
    質的に前記光導電層を覆うとともに接触している裏面
    と、前面とを持つ第３の誘電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離
    散した導電性マイクロプレートであって、該マイクロプ
    レートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔を置い
    て該前面上に配置されており、該マイクロプレートの各
    々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を
    持っており、該マイクロプレートと支持板は複数のマイ
    クロコンデンサを形成している、該マイクロプレート
    と、 前記マイクロプレートに沿って延びている第１の複数の
    離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第２の複数の
    相互接続した導電性荷電ラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第３の複数の
    離散した導電性感知ラインであって、１つ以上の電荷検
    出装置の入力に終点して該１つ以上の電荷検出装置の該
    入力に検出された電荷を表わす出力信号を生成する、該
    感知ラインと、 を有し、 各マイクロプレートはダイオードにより前記複数の荷電
    ラインのうちの隣接した１つのラインと結合されてお
    り、トランジスタを介して前記Ｘｎアドレスおよび感知
    ラインと結合されている、 Ｘ線像形成要素の上に放射線像を形成する方法であっ
    て、 （ａ） 第１の時間だけ該要素に化学線が当たることを
    防止し、 （ｂ） 前記相互接続した荷電ラインに正の電圧を印加
    し、前記複数の離散した導電性マイクロプレートと前記
    支持層との間に電位差を設け、 （ｃ） 前記第１の時間だけ該要素に画像に従って変調
    されたＸ線を照射し、 （ｄ） 該第１の時間の経過後、該印加工程を停止し
    て、該マイクロプレートに照射されたＸ線の強度に比例
    する電荷を該マイクロコンデンサ中にストアし、 （ｅ） 前記工程（ｄ）の終了後、該要素に均一な化学
    線を照射し、該複数のＸｎアドレスラインの１つに正の
    電圧を印加して、該１つのＸｎアドレスラインと前記感
    知ラインとを該マイクロプレートに接続している該トラ
    ンジスタを導電性にし、該マイクロコンデンサを該感知
    ラインと該１つ以上の電荷検出装置に放電させ、該１つ
    以上の電荷検出装置の各々の上に出力信号を生成し、 （ｆ） 各感知ライン用の出力信号を逐次に検出し、 （ｇ） 前記複数のＸｎアドレスラインに対して、全て
    のマイクロプレートからの全ての信号が検出されるま
    で、前記工程（ｅ）および（ｆ）を繰り返す、 各工程を有することを特徴とするＸ線像形成要素の上に
    放射線像を形成する方法。
  3. 【請求項３】 第１の導電性の支持層と、 実質的に前記支持層を覆って延びており、化学線および
    Ｘ線の両方に応答する第２の光導電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明であり、実
    質的に前記光導電層を覆うとともに接触している裏面
    と、前面とを持つ第３の誘電層と、 実質的に化学線およびＸ線の両方に対し透明な複数の離
    散した導電性マイクロプレートであって、該マイクロプ
    レートは隣接したマイクロプレートとの間に間隔を置い
    て該前面上に配置されており、該マイクロプレートの各
    々は解像可能な最小の画素と同一の範囲を占める寸法を
    持っており、該マイクロプレートと支持板は複数のマイ
    クロコンデンサを形成している、該マイクロプレート
    と、 前記マイクロプレートに沿って延びている第１の複数の
    離散した導電性Ｘｎアドレスラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第２の複数の
    相互接続した導電性荷電ラインと、 前記第１の複数のＸｎアドレスラインを横断する方向に
    前記マイクロプレートに沿って延びている第３の複数の
    導電性Ｙｎアドレスラインと、 前記マイクロプレートに沿って延びている第４の複数の
    導電性感知ラインと、 を有し、 各マイクロプレートは、ダイオードにより前記複数の荷
    電ラインのうちの隣接した１つのラインと接続されてお
    り、 各マイクロプレートは、また、２つのトランジスタを介
    して前記Ｘｎアドレスライン、Ｙｎアドレスラインおよ
    び感知ラインと接続されている、 Ｘ線像形成要素の上に放射線像を形成する方法であっ
    て、 （ａ） 第１の時間だけ該要素に化学線が当たることを
    防止し、 （ｂ） 前記相互接続された荷電ラインに正の電圧を印
    加して、前記複数の離散した導電性マイクロプレートと
    前記支持層との間に電位差を設け、 （ｃ） 前記第１の時間だけ該要素に画像に従って変調
    されたＸ線を照射し、 （ｄ） 該第１の時間の経過後、該印加工程を停止し
    て、該マイクロプレートに照射されたＸ線の強度に比例
    する電荷を該マイクロコンデンサ中にストアし、 （ｅ） 前記工程（ｄ）の終了後、該要素を均一な化学
    線に露光するとともに、該Ｙｎアドレスラインの１つと
    該複数のＸｎアドレスラインの１つに電圧を印加して、
    該１つのＸｎアドレスラインと前記感知ラインとを、該
    １つのＹｎアドレスライン、該１つのＸｎアドレスライ
    ン、および該感知ラインの１つと接続された前記マイク
    ロプレートに接続している前記トランジスタを導電性に
    することにより、前記１つの感知ライン上に出力信号を
    生成し、 （ｆ） 該感知ライン上の出力信号を検出し、 （ｇ） 前記複数のＹｎアドレスラインおよびＸｎアド
    レスラインの各々に対して、全てのマイクロプレートか
    らの全ての信号が検出されるまで、前記工程（ｅ）およ
    び（ｆ）を繰り返す、 各工程を有することを特徴とするＸ線像形成要素の上に
    放射線像を形成する方法。
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