KR100527029B1 - 일렉트로 루미네센스 표시 장치 - Google Patents

일렉트로 루미네센스 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100527029B1
KR100527029B1 KR10-2003-0027036A KR20030027036A KR100527029B1 KR 100527029 B1 KR100527029 B1 KR 100527029B1 KR 20030027036 A KR20030027036 A KR 20030027036A KR 100527029 B1 KR100527029 B1 KR 100527029B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode layer
insulating film
gate
layer
capacitor electrode
Prior art date
Application number
KR10-2003-0027036A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030085508A (ko
Inventor
안자이가쯔야
Original Assignee
산요덴키가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산요덴키가부시키가이샤 filed Critical 산요덴키가부시키가이샤
Publication of KR20030085508A publication Critical patent/KR20030085508A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100527029B1 publication Critical patent/KR100527029B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

EL 표시 장치에 있어서, 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량의 형성 면적을 축소하여, 표시 품위의 향상과 유기 EL 소자의 수명 연장을 도모하는 것을 과제로 하며, 제1 용량 전극층(55)과 겸용된 TFT(30)의 소스(33s) 상에는, 게이트 절연막(12)을 개재하여 제2 용량 전극층(54)이 형성되어 있다. 제2 용량 전극층(54)은 게이트 전극(31)과 동일한 층에서, 동일 공정으로 형성되어 있다. 제2 용량 전극층(54) 상에는 층간 절연막(15)을 개재하여 제3 용량 전극층(70)이 형성되어 있다. 제3 용량 전극층(70)은 드레인 전극(36), 드레인 신호선(52)과 동일한 층에서 형성되어 있다. 제3 용량 전극층(70)은 TFT(30)의 소스(33s)와 접속되어 있다.

Description

일렉트로 루미네센스 표시 장치{ELECTRO LUMINESCENCE DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 일렉트로 루미네센스 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량을 갖는 일렉트로 루미네센스 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence: 이하, 「EL」이라고 칭함) 소자를 이용한 EL 표시 장치가, CRT나 LCD에 대신하여 표시 장치로서 주목받고 있으며, 예를 들면, 그 EL 소자를 구동하는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하, 「TFT」라고 칭함)를 구비한 EL 표시 장치의 연구 개발도 진행되고 있다.
도 4에 유기 EL 표시 장치의 일 화소의 등가 회로도를 도시한다. 게이트 신호 Gn을 공급하는 게이트 신호선(51)과, 드레인 신호, 즉, 비디오 신호 Dm을 공급하는 드레인 신호선(52)이 상호 교차하고 있다.
이들 양 신호선의 교차점 부근에는, 유기 EL 소자(60) 및 이 유기 EL 소자(60)를 구동하는 TFT(40), 화소를 선택하기 위한 TFT(30)가 배치되어 있다.
유기 EL 소자 구동용 TFT(40)의 드레인(43d)에는, 플러스 전원 전압 PVdd가 공급되고 있다. 또한, 소스(43s)는 유기 EL 소자(60)의 애노드(61)에 접속되어 있다.
또한, 화소 선택용 TFT(30)의 게이트(31)에는 게이트 신호선(51)이 접속됨으로써 게이트 신호 Gn이 공급되고, 드레인(33d)에는 드레인 신호선(52)이 접속됨으로써 비디오 신호 Dm이 공급된다. TFT(30)의 소스(33s)는 상기 TFT(40)의 게이트(41)에 접속되어 있다. 여기서, 게이트 신호 Gn은 도시되지 않은 게이트 드라이버 회로에서 출력된다. 비디오 신호 Dm은 도시되지 않은 드레인 드라이버 회로에서 출력된다.
또한, 유기 EL 소자(60)는, 애노드(61), 캐소드(65), 이 애노드(61)와 캐소드(65) 사이에 형성된 발광 소자층(63)으로 이루어진다. 캐소드(65)에는 마이너스 전원 전압 CV가 공급되고 있다.
또한, TFT(40)의 게이트(41)에는 유지 용량(130)이 접속되어 있다. 즉, 유지 용량(130)의 한쪽 전극은 게이트(41)에 접속되고, 다른쪽 전극은 유지 용량 전극(131)에 접속되어 있다. 유지 용량(130)은 비디오 신호 Dm에 대응되는 전하를 유지함으로써, 1 필드 기간, 표시 화소의 비디오 신호를 유지하기 위해서 형성되어 있다.
상술한 구성의 EL 표시 장치의 동작을 설명하면 이하와 같다. 게이트 신호 Gn이 일 수평 기간, 하이 레벨이 되면, TFT(30)가 온된다. 그러면, 드레인 신호선(52)으로부터 비디오 신호 Dm이 TFT(30)를 통해서 TFT(40)의 게이트(41)에 인가된다. 그리고, 게이트(41)에 공급된 비디오 신호 Dm에 따라 TFT(40)의 컨덕턴스가 변화하며, 그에 따른 구동 전류가 TFT(40)를 통해서, 유기 EL 소자(60)에 공급되어 유기 EL 소자(60)가 점등한다.
도 5에 상술한 유지 용량(130)의 단면 구조를 도시한다. 절연성 기판(10) 상에, TFT(30)가 형성되어 있다. TFT(30)는 소스(33s), 드레인(33d) 및 게이트 절연막상(12) 상에 형성된 게이트(31)를 갖고 있다. 그리고, TFT(30)의 소스(33s) 상에는 게이트 절연막(12)을 개재하여 유지 용량 전극(131)이 형성되어 있다. 유지 용량 전극(131)에는 일정 전압이 인가되고 있다.
이와 같이, 종래, 유기 EL 소자(60)의 휘도를 결정하는 전류량을 제어하는 구동용 트랜지스터(40)의 게이트의 전위를 고정하기 위해서, 각 화소마다 유지 용량(130)을 형성하고 있었다.
화소에 공급되는 비디오 신호 Dm의 강하 전압량이 크면 표시 품위에 영향을 미치게 된다. 따라서, 이 강하 전압량을 억제하기 위해서는, 유지 용량(130)의 용량값을 어느 정도 크게 할 필요가 있다. 즉, 유지 용량(30)의 면적을 크게 할 필요가 있다.
그런데, 유기 EL 표시 장치에는, 톱 에미션형과 보텀 에미션형이 있다. 톱 에미션형에서는, 유기 EL 소자(60)로부터 발광된 광은 절연성 기판(10)과는 반대측의 유기 EL 소자(60)측, 즉 패널 상면측에서 사출된다. 한편, 보텀 에미션형에서는, 유기 EL 소자(60)로부터 발광된 광은 절연성 기판(10)측에서 사출된다.
유지 용량(130)의 면적을 크게 해도, 톱 에미션형의 유기 EL 표시 장치에서는 문제가 없지만, 보텀 에미션형에서는 유지 용량의 형성 부분이 블라인드로서 기능하여 개구율이 감소한다. 이 때문에, 필요한 휘도를 얻기 위해서, 개구율에 여유가 있는 경우에 비하여 유기 EL 소자에 공급하는 전류를 증가시킬 필요가 있어, 결과적으로 유기 EL 소자의 수명이 짧아지는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은, 복수의 화소부를 갖고, 각 화소부는, 일렉트로 루미네센스 소자와, 상기 일렉트로 루미네센스 소자를 구동하는 구동용 트랜지스터와, 드레인 신호선과, 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 상기 드레인 신호선으로부터의 비디오 신호를 공급하는 화소 선택용 트랜지스터와, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량을 구비하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치로서, 상기 유지 용량은, 제1 용량 전극층을 겸한 상기 화소 선택용 트랜지스터의 소스 상에, 제1 절연막을 개재하여 형성된 제2 용량 전극층과, 상기 소스에 접속되며, 상기 제2 용량 전극층 상에 제2 절연막을 개재하여 연장 형성된 제3 용량 전극층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라, 유지 용량을 다층 구조의 용량 전극층에서 형성하기 때문에, 유지 용량의 형성 면적을 축소할 수 있다. 또한, 개구율의 저하를 초래하지 않고 유지 용량이 갖는 용량값을 크게 할 수 있다.
<실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제1 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1에 유기 EL 표시 장치의 화소부를 나타내는 평면도를 도시하며, 도 2의 (a)에 도 1에서의 A-A선을 따른 단면도를 도시하며, 도 2의 (b)에 도 1에서의 B-B선을 따른 단면도를 도시한다. 해당 화소부의 등가 회로는 도 4에 도시한 것과 동일하다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 신호선(51)과 드레인 신호선(52)으로 둘러싸인 영역에 화소부(115)가 형성되어 있다. 그리고, 복수의 화소부(115)가 매트릭스 형상으로 배치되어 표시 영역을 구성하고 있다.
이 화소부(115)에는, 자발광 소자인 유기 EL 소자(60)와, 이 유기 EL 소자(60)에 전류를 공급하는 타이밍을 제어하는 화소 선택용 TFT(30)와, 유기 EL 소자(60)에 전류를 공급하는 유기 EL 소자 구동용 TFT(40)와, 유지 용량(130)이 배치되어 있다. 또한, 유기 EL 소자(60)는, 애노드(양극)층(61)과 발광 재료로 이루어지는 발광 소자층과, 캐소드(음극)층(65)으로 이루어져 있다.
즉, 양 신호선(51, 52)의 교점 부근에는 화소 선택용 TFT(30)가 형성되어 있다. TFT(30)의 소스(33s)는 제1 용량 전극층(55)을 겸함과 동시에, 유기 EL 소자 구동용 TFT(40)의 게이트(41)에 접속되어 있다. TFT(30)의 소스(33s) 상에는, 게이트 절연막(12)을 개재하여 제2 용량 전극층(54)이 형성되어 있다. 제2 용량 전극층(54)은 크롬이나 몰리브덴 등으로 이루어지고, 게이트 신호선(51)과 병행하여 배치되어 있다. 또한, 제2 용량 전극층(54) 상에는, 층간 절연막(15)을 개재하여 제3 용량 전극층(70)이 형성되어 있다.
또한, 유기 EL 소자 구동용 TFT(40)의 소스(43s)는 유기 EL 소자(60)의 애노드층(61)에 접속되고, 다른쪽 드레인(43d)은 유기 EL 소자(60)에 공급되는 전류원인 구동 전원선(53)에 접속되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시 장치는, 유리나 합성 수지 등으로 이루어지는 기판 또는 도전성을 갖는 기판 혹은 반도체 기판 등의 기판(10) 상에, TFT 및 유기 EL 소자를 순서대로 적층 형성하여 이루어진다. 단, 기판(10)으로서 도전성을 갖는 기판 및 반도체 기판을 이용하는 경우에는, 이들 기판(10) 상에 SiO2나 SiN 등의 절연막을 형성한 후에 TFT(30, 40) 및 유기 EL 소자를 형성한다. 어느 TFT와도, 게이트 전극이 게이트 절연막을 개재하여 능동층의 위쪽에 있는 소위 톱 게이트 구조이다.
다음으로, 화소 선택용 TFT(30) 및 유지 용량(139)의 구조에 대하여 상세히 설명한다. 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 석영 유리, 무알카리 유리 등으로 이루어지는 절연성 기판(10) 상에, 비정질 실리콘막(이하, 「a-Si막」이라고 칭함)을 CVD법 등으로 성막하고, 그 a-Si막에 레이저광을 조사하여 용융 재결정화시켜 다결정 실리콘막(이하, 「p-Si막」이라고 칭함)으로 하여, 이것을 능동층(33)으로 한다. 그 위에, SiO2막, SiN막의 단층 혹은 적층체를 게이트 절연막(12)으로서 형성한다.
또한 그 위에, Cr, Mo 등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(31)을 겸한 게이트 신호선(51) 및 Al로 이루어지는 드레인 신호선(52)을 구비하며, 유기 EL 소자의 구동 전원이고 Al로 이루어지는 구동 전원선(53)이 배치되어 있다.
그리고, 게이트 절연막(12) 및 능동층(33) 상의 전면에는, SiO2막, SiN막 및 SiO2막의 순서로 적층된 층간 절연막(15)이 형성되고, 드레인(33d)에 대응하여 형성한 컨택트홀에 Al 등의 금속을 충전한 드레인 전극(36)이 형성되며, 또한 전면에 유기 수지로 이루어져 표면을 평탄하게 하는 제1 평탄화 절연막(17)이 형성되어 있다.
다음으로 유지 용량(130)의 구조에 대하여 설명한다. TFT(30)의 소스(33s)는 제1 용량 전극층(55)을 겸하고 있다. 제1 용량 전극층(55)과 겸용된 TFT(30)의 소스(33s) 상에는, 게이트 절연막(12)을 개재하여 제2 용량 전극층(54)이 형성되어 있다. 제2 용량 전극층(54)은, Cr, Mo 등의 고융점 금속으로 이루어지고, 게이트 전극(31)과 동일한 층에서 동일 공정으로 형성되어 있다. 제2 용량 전극층(54) 상에는, 층간 절연막(15)을 개재하여, 제3 용량 전극층(70)이 연장 형성되어 있다. 제3 용량 전극층(70)은, 드레인 전극(36), 드레인 신호선(52)과 동일한 층에서, 동일 공정으로 형성되어 있다. 또한, 제3 용량 전극층(70)은 컨택트홀을 개재하여 TFT(30)의 소스(33s)와 접속되어 있다.
즉, 유지 용량(139)은, 제2 용량 전극층(54)을, 절연막을 개재하여, 제1 용량 전극층(55), 제3 용량 전극층(70) 사이에 삽입한 다층 구조로 되어 있기 때문에, 적은 점유 면적으로 큰 용량을 형성할 수 있다.
또한, 제3 용량 전극층(70) 상에, 제1 평탄화 절연막(17), 제2 평탄화 절연막(19)을 개재하여, 캐소드층(65)을 연장 형성함으로써, 더욱 큰 용량을 얻는 것이 가능하다.
다음으로, 유기 EL 소자 구동용 TFT(40)에 대하여 설명한다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 석영 유리, 무알카리 유리 등으로 이루어지는 절연성 기판(10) 상에, a-Si막에 레이저광을 조사하여 다결정화하여 이루어지는 능동층(43), 게이트 절연막(12), 및 Cr, Mo 등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(41)이 순서대로 형성되어 있고, 그 능동층(43)에는, 채널(43c)과, 이 채널(43c)의 양측에 소스(43s) 및 드레인(43d)이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 절연막(12) 및 능동층(43) 상의 전면에, SiO2막, SiN막 및 SiO2막의 순서로 적층된 층간 절연막(15)이 형성되고, 드레인(43d)에 대응하여 형성된 컨택트홀에 Al 등의 금속을 충전하여 구동 전원에 접속된 구동 전원선(53)이 형성되어 있다. 또한, 소스(43s)에 대응하여 형성한 컨택트홀에 Al 등의 금속을 충전하여 소스 전극(56)이 형성되어 있다.
또한, 전면에 예를 들면 유기 수지로 이루어져 표면을 평탄하게 하는 제1 평탄화 절연막(17)을 구비하고 있다. 그리고, 그 제1 평탄화 절연막(17)의 소스 전극(56)에 대응되는 위치에 컨택트홀을 형성하고, 이 컨택트홀을 개재하여 소스 전극(56)과 접속된 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극, 즉 유기 EL 소자의 애노드층(61)이 제1 평탄화 절연막(17) 상에 형성되어 있다. 이 애노드층(61)은 각 화소부마다 섬 형상으로 분리 형성되어 있다. 제1 평탄화 절연막(17) 상에는, 또한 제2 평탄화 절연막(19)이 형성되어 있지만, 애노드층(61) 상에는, 제2 평탄화 절연막(19)은 제거되어 있다.
유기 EL 소자(60)는, ITO 등의 투명 전극으로 이루어지는 애노드층(61), MTDATA(4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)로 이루어지는 제1 홀 수송층, TPD(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)로 이루어지는 제2 홀 수송층으로 이루어지는 홀 수송층(62), 퀴나크리돈(Quinacridone)유도체를 포함하는 Bebq2(10-벤조[h]퀴놀리놀-베릴륨착체)로 이루어지는 발광층(63), 및 Bebq2로 이루어지는 전자 수송층(64), 마그네슘 인듐 합금 혹은 알루미늄, 혹은 알루미늄 합금으로 이루어지는 캐소드층(65)이, 이 순서로 적층 형성된 구조이다.
유기 EL 소자(60)는, 애노드층(61)으로부터 주입된 홀과, 캐소드층(65)으로부터 주입된 전자가 발광층의 내부에서 재결합하여, 발광층을 형성하는 유기 분자를 여기하여 여기자가 발생한다. 이 여기자가 방사되어 비활성화하는 과정에서 발광층으로부터 광이 방출되고, 이 광이 투명한 애노드층(61)으로부터 투명 절연 기판을 통하여 외부로 방출되어 발광한다.
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 3은 화소부의 단면도를 도시하고, 도 3의 (a)는 도 1에서의 A-A선을 따른 단면도, 도 3의 (b)는 도 1에서의 B-B선을 따른 단면도에 대응된다. 본 실시 형태에서도 해당 화소부의 등가 회로는 도 3에 도시한 것과 동일하다.
제1 실시 형태에서는 유지 용량(139)은, 제2 용량 전극층(54)을 절연막을 통하여, 제1 용량 전극층(55), 제3 용량 전극층(70) 사이에 삽입된 다층 구조이지만, 본 실시 형태에서는 더욱 다층화를 도모하여, 단위 면적당 용량값의 증가를 도모한 것이다.
본 실시 형태에서는, 상기 구성 외에, 제3 용량 전극층(70) 상에, 추가로 제1 평탄화 절연막(17)을 개재하여 제4 용량 전극층(71)이 연장 형성되어 있다. 제4 용량 전극층(71)은, 애노드층(61)과 동일한 층에서 동일 공정으로 형성되어 있다.
또한, 제4 용량 전극층(71) 상에, 추가로 제2 평탄화 절연막(19)을 개재하고, 캐소드층(65)이 연장 형성되어 있다. 이 캐소드층(65)은 제5 용량 전극층으로서 기능한다.
제1 실시 형태에서는, 제3 용량 전극층(70)과 캐소드층(65) 사이에 용량이 형성되어 있지만, 그 용량 절연막은 제1 평탄화 절연막(17) 및 제2 평탄화 절연막(19)이다. 이것에 비하여, 본 실시 형태에서는, 제4 용량 전극층(71)과 캐소드층(65) 사이에 용량이 형성된다. 그 용량 절연막은 제2 평탄화 절연막(19)만 이므로, 대향하는 용량 전극 사이의 용량 절연막이 제1 실시 형태에 비하여 얇게 되어, 그 만큼 용량값을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 일렉트로 루미네센스 표시 장치에 따르면, 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량을 다층 구조의 용량 전극층으로 형성하기 때문에, 유지 용량의 형성 면적을 축소할 수 있다. 또한, 개구율의 저하를 초래하지 않고, 큰 유지 용량을 확보하여, 표시 품위의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 개구율의 저하를 초래하지 않기 때문에, 유기 EL 소자에 공급하는 전류를 증가시킬 필요가 없고, 그 결과 유기 EL 소자의 수명을 길게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소부를 도시하는 평면도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소부를 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소부를 도시하는 단면도.
도 4는 유기 EL 표시 장치의 일 화소의 등가 회로도.
도 5는 유지 용량의 구조를 도시하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 절연성 기판
12 : 게이트 절연막
15 : 층간 절연막
17 : 제1 평탄화 절연막
19 : 제2 평탄화 절연막
30 : 화소 선택용 TFT
31 : 게이트 전극
33s, 43s : 소스
33d : 드레인
40 : 유기 EL 소자 구동용 TFT
41 : 게이트 전극
51 : 게이트 신호선
52 : 드레인 신호선
54 : 제2 용량 전극층
60 : 유기 EL 소자
61 : 애노드
62 : 홀 수송층
63 : 발광 소자층
64 : 전자 수송층
65 : 캐소드층
70 : 제3 용량 전극층
71 : 제4 용량 전극층

Claims (14)

  1. 복수의 화소부를 갖고, 각 화소부는, 일렉트로 루미네센스 소자와, 상기 일렉트로 루미네센스 소자를 구동하는 구동용 트랜지스터와, 드레인 신호선과, 게이트 신호에 따라 스위칭되어, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 상기 드레인 신호선으로부터의 비디오 신호를 공급하는 화소 선택용 트랜지스터와, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량을 구비하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치로서,
    상기 유지 용량은, 제1 용량 전극층을 겸한 상기 화소 선택용 트랜지스터의 소스 상에, 제1 절연막을 개재하여 형성된 제2 용량 전극층과, 상기 소스에 접속되어, 상기 제2 용량 전극층 상에 제2 절연막을 개재하여 연장 형성된 제3 용량 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 용량 전극층은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트와 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 절연막은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 용량 전극층은 상기 드레인 신호선과 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 절연막은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트와 상기 드레인 신호선 사이의 층간 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  6. 복수의 화소부를 갖고, 각 화소부는, 양극층, 발광층 및 음극층을 갖는 일렉트로 루미네센스 소자와, 상기 일렉트로 루미네센스 소자를 구동하는 구동용 트랜지스터와, 드레인 신호선과, 게이트 신호에 따라 스위칭되어, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 상기 드레인 신호선으로부터의 비디오 신호를 공급하는 화소 선택용 트랜지스터와, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 비디오 신호를 유지하기 위한 유지 용량을 구비하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치로서,
    상기 유지 용량은, 제1 용량 전극층을 겸한 상기 화소 선택용 트랜지스터의 소스 상에, 제1 절연막을 개재하여 형성된 제2 용량 전극층과, 상기 소스에 접속되어 상기 제2 용량 전극층 상에 제2 절연막을 개재하여 연장 형성된 제3 용량 전극층과, 상기 제3 용량 전극층에 접속되며 그 제3 용량 전극층 상에 제3 절연막을 개재하여 연장 형성된 제4 용량 전극층과, 상기 제4 용량 전극층 상에 제4 절연막을 개재하여 연장 형성된 제5 용량 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 용량 전극층은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트와 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연막은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제3 용량 전극층은 상기 드레인 신호선과 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제2 절연막은 상기 화소 선택용 트랜지스터의 게이트와 상기 드레인 신호선 사이의 층간 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 제4 용량 전극층은 상기 양극층과 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 제3 절연막은 제1 평탄화 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제5 용량 전극층은 상기 음극층과 동일한 층에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 제4 절연막은 제2 평탄화 절연막과 동일한 막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네센스 표시 장치.
KR10-2003-0027036A 2002-04-30 2003-04-29 일렉트로 루미네센스 표시 장치 KR100527029B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002128008A JP4027149B2 (ja) 2002-04-30 2002-04-30 エレクトロルミネッセンス表示装置
JPJP-P-2002-00128008 2002-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030085508A KR20030085508A (ko) 2003-11-05
KR100527029B1 true KR100527029B1 (ko) 2005-11-09

Family

ID=29267666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0027036A KR100527029B1 (ko) 2002-04-30 2003-04-29 일렉트로 루미네센스 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7330168B2 (ko)
JP (1) JP4027149B2 (ko)
KR (1) KR100527029B1 (ko)
CN (1) CN1276404C (ko)
TW (1) TWI248775B (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7483001B2 (en) * 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
GB0313041D0 (en) * 2003-06-06 2003-07-09 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-driven pixels
JP2005173881A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
NL1025134C2 (nl) * 2003-12-24 2005-08-26 Lg Philips Lcd Co Organische licht emitterende diode-inrichting van de soort met actieve matrix en daarvoor bestemde dunne-filmtransistor.
DE102004002587B4 (de) * 2004-01-16 2006-06-01 Novaled Gmbh Bildelement für eine Aktiv-Matrix-Anzeige
JP4529467B2 (ja) * 2004-02-13 2010-08-25 ソニー株式会社 画素回路および表示装置
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3933667B2 (ja) * 2004-04-29 2007-06-20 三星エスディアイ株式会社 発光表示パネル及び発光表示装置
TWI467541B (zh) * 2004-09-16 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和其驅動方法
US7586121B2 (en) * 2004-12-07 2009-09-08 Au Optronics Corp. Electroluminescence device having stacked capacitors
KR100712111B1 (ko) 2004-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
GB0506899D0 (en) 2005-04-05 2005-05-11 Plastic Logic Ltd Multiple conductive layer TFT
WO2006106365A2 (en) * 2005-04-05 2006-10-12 Plastic Logic Limited Multiple conductive layer tft
US8633919B2 (en) 2005-04-14 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the display device, and electronic device
JP4350106B2 (ja) * 2005-06-29 2009-10-21 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置及びその駆動方法
TWI429327B (zh) * 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
WO2007011061A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101324756B1 (ko) 2005-10-18 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그의 구동방법
JP4661557B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4993292B2 (ja) * 2007-07-18 2012-08-08 カシオ計算機株式会社 表示パネル及びその製造方法
KR101839533B1 (ko) 2010-12-28 2018-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이의 구동 방법 및 그 제조 방법
JP5803232B2 (ja) 2011-04-18 2015-11-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、および電子機器
JP5853614B2 (ja) 2011-11-10 2016-02-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR102023295B1 (ko) 2012-06-15 2019-09-19 소니 주식회사 표시 장치, 반도체 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102110226B1 (ko) * 2013-09-11 2020-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
JP6459316B2 (ja) * 2014-09-03 2019-01-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
CN105097875A (zh) * 2015-06-11 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法
KR102566630B1 (ko) * 2015-12-30 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP7204429B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-16 キヤノン株式会社 表示装置および電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874770A (en) * 1996-10-10 1999-02-23 General Electric Company Flexible interconnect film including resistor and capacitor layers
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
KR100226494B1 (ko) * 1997-02-20 1999-10-15 김영환 액정표시장치 및 그 제조방법
US6593592B1 (en) * 1999-01-29 2003-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having thin film transistors
JP4334045B2 (ja) * 1999-02-09 2009-09-16 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
US6391801B1 (en) * 1999-09-01 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Method of forming a layer comprising tungsten oxide
JP2001282137A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI283427B (en) * 2001-07-12 2007-07-01 Semiconductor Energy Lab Display device using electron source elements and method of driving same
JP3909583B2 (ja) * 2001-08-27 2007-04-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
US6853052B2 (en) * 2002-03-26 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a buffer layer against stress

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030085508A (ko) 2003-11-05
JP4027149B2 (ja) 2007-12-26
CN1276404C (zh) 2006-09-20
CN1455381A (zh) 2003-11-12
US7330168B2 (en) 2008-02-12
US20040012548A1 (en) 2004-01-22
JP2003323133A (ja) 2003-11-14
TW200306754A (en) 2003-11-16
TWI248775B (en) 2006-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100527029B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치
KR100388174B1 (ko) 컬러 표시 장치
KR100653297B1 (ko) 일렉트로 루미네선스 표시 장치
JP4334045B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100564197B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100637822B1 (ko) 전자 발광 표시 장치
KR100513609B1 (ko) 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법
KR101699911B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2000214800A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100560026B1 (ko) 표시 장치
JPH11231805A (ja) 表示装置
JP2000242196A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000276078A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2001175200A (ja) 表示装置
US7129524B2 (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
JP3649927B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101552985B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
JP2001272930A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003323979A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法
JP2000172199A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100590255B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2004264633A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004118013A (ja) 表示装置
JP4086550B2 (ja) 表示装置
KR100669316B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121019

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131018

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141022

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161020

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181022

Year of fee payment: 14