JP2003323979A - エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】白ラスターでＲ，Ｇ，Ｂ同時にエージングを行
うと、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素で有機ＥＬ素子の輝度劣化特
性が異なるために、それぞれの適切なエージング条件に
対して、エージングの過剰、あるいは不足が起こり、有
機ＥＬ素子の輝度劣化特性に合わせて適切なエージング
を行うことができなかった。 【解決手段】Ｒ画素１０１，Ｇ画素１０２，Ｂ画素１０
３に、それぞれの画素に対応するＥＬ素子の輝度劣化特
性に合わせて、当該ＥＬ素子に電流を順次供給するエー
ジングを行うようにしたので、有機ＥＬ素子の輝度劣化
特性に合わせて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色で見かけ上の最大寿
命を持たせた状態で出荷をすることができる。また、
Ｒ，Ｇ，ＢのＥＬ素子を同時に点灯させないので、発熱
が抑えられ、ＥＬ素子に加わるダメージが軽減される。
うと、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素で有機ＥＬ素子の輝度劣化特
性が異なるために、それぞれの適切なエージング条件に
対して、エージングの過剰、あるいは不足が起こり、有
機ＥＬ素子の輝度劣化特性に合わせて適切なエージング
を行うことができなかった。 【解決手段】Ｒ画素１０１，Ｇ画素１０２，Ｂ画素１０
３に、それぞれの画素に対応するＥＬ素子の輝度劣化特
性に合わせて、当該ＥＬ素子に電流を順次供給するエー
ジングを行うようにしたので、有機ＥＬ素子の輝度劣化
特性に合わせて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色で見かけ上の最大寿
命を持たせた状態で出荷をすることができる。また、
Ｒ，Ｇ，ＢのＥＬ素子を同時に点灯させないので、発熱
が抑えられ、ＥＬ素子に加わるダメージが軽減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置のエージング方法に関し、特に、出荷
後のエレクトロルミネッセンス素子の輝度の経時変化を
抑制するために、エレクトロルミネッセンス素子に所定
時間、電流を供給するエージング方法に関するものであ
る。
ッセンス表示装置のエージング方法に関し、特に、出荷
後のエレクトロルミネッセンス素子の輝度の経時変化を
抑制するために、エレクトロルミネッセンス素子に所定
時間、電流を供給するエージング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機エレクトロルミネッセンス
（Electro Luminescence：以下、「有機ＥＬ」と称す
る。）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣ
Ｄに代わる表示装置として注目されている。フルカラー
の有機ＥＬ表示装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素がマ
トリクス状に複数配置され表示領域を構成しており、こ
れらの各画素に駆動信号を供給することで、画素毎に対
応して設けられ、それぞれＲ，Ｇ，Ｂに対応した発光特
性を有する有機ＥＬ素子を自発光させて表示を行ってい
る。
（Electro Luminescence：以下、「有機ＥＬ」と称す
る。）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣ
Ｄに代わる表示装置として注目されている。フルカラー
の有機ＥＬ表示装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素がマ
トリクス状に複数配置され表示領域を構成しており、こ
れらの各画素に駆動信号を供給することで、画素毎に対
応して設けられ、それぞれＲ，Ｇ，Ｂに対応した発光特
性を有する有機ＥＬ素子を自発光させて表示を行ってい
る。
【０００３】有機ＥＬ素子は、輝度の初期劣化が大きい
という特性を有するため、出荷前に有機ＥＬ素子に電流
を供給して発光させるエージングを行うことによってそ
の輝度を劣化させ、その後の輝度の経時変化を抑制して
いた。
という特性を有するため、出荷前に有機ＥＬ素子に電流
を供給して発光させるエージングを行うことによってそ
の輝度を劣化させ、その後の輝度の経時変化を抑制して
いた。
【０００４】従来の有機ＥＬ表示装置のエージング方法
は、図８に示すように、白ラスターでＲ画素１０１，Ｇ
画素１０２，Ｂ画素１０３に対して同時にエージングを
行っていた。
は、図８に示すように、白ラスターでＲ画素１０１，Ｇ
画素１０２，Ｂ画素１０３に対して同時にエージングを
行っていた。
【０００５】また、従来の有機ＥＬ表示装置のエージン
グ方法は、有機ＥＬ素子を定電流で駆動し、輝度劣化が
所定値に達するまでエージングを行っていた。なお、有
機ＥＬ表示装置のエージング方法に係る先行技術として
は、特許第３２５０５６１号がある。
グ方法は、有機ＥＬ素子を定電流で駆動し、輝度劣化が
所定値に達するまでエージングを行っていた。なお、有
機ＥＬ表示装置のエージング方法に係る先行技術として
は、特許第３２５０５６１号がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、白ラス
ターでＲ，Ｇ，Ｂ同時にエージングを行うと、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各画素で有機ＥＬ素子の輝度劣化特性が異なるため
に、それぞれの適切なエージング条件に対して、エージ
ングの過剰、あるいは不足が起こり、有機ＥＬ素子の輝
度劣化特性に合わせて適切なエージングを行うことがで
きなかった。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子を同時に
点灯させることにより、発熱が大きくなり、有機層（発
光層）に与えるダメージが大きくなる。
ターでＲ，Ｇ，Ｂ同時にエージングを行うと、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各画素で有機ＥＬ素子の輝度劣化特性が異なるため
に、それぞれの適切なエージング条件に対して、エージ
ングの過剰、あるいは不足が起こり、有機ＥＬ素子の輝
度劣化特性に合わせて適切なエージングを行うことがで
きなかった。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子を同時に
点灯させることにより、発熱が大きくなり、有機層（発
光層）に与えるダメージが大きくなる。
【０００７】また、有機ＥＬ素子を定電流駆動するエー
ジング方法では、その輝度が所定輝度に劣化するまでの
時間が長いという欠点があった。
ジング方法では、その輝度が所定輝度に劣化するまでの
時間が長いという欠点があった。
【０００８】そこで、本発明は、有機ＥＬ素子の輝度劣
化特性に合わせてエージングを行うことにより、Ｒ，
Ｇ，Ｂの各色で、見かけ上の最大寿命を持たせた状態で
出荷をすることができるエレクトロルミネッセンス表示
装置のエージング方法を提供することを目的とする。
化特性に合わせてエージングを行うことにより、Ｒ，
Ｇ，Ｂの各色で、見かけ上の最大寿命を持たせた状態で
出荷をすることができるエレクトロルミネッセンス表示
装置のエージング方法を提供することを目的とする。
【０００９】また、本発明は、定電流駆動によるエージ
ング方法に比してエージング時間を短縮したエレクトロ
ルミネッセンス表示装置のエージング方法を提供するこ
とを目的とする。
ング方法に比してエージング時間を短縮したエレクトロ
ルミネッセンス表示装置のエージング方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、エレクトロル
ミネッセンス素子を含むＲ，Ｇ，Ｂの画素を有するエレ
クトロルミネッセンス表示装置のエージング方法におい
て、前記Ｒ，Ｇ，Ｂの画素別に、それぞれの画素に対応
するエレクトロルミネッセンス素子の輝度劣化特性に合
わせて、該エレクトロルミネッセンス素子に電流を順次
供給するエージングを行うことを特徴とする。
ミネッセンス素子を含むＲ，Ｇ，Ｂの画素を有するエレ
クトロルミネッセンス表示装置のエージング方法におい
て、前記Ｒ，Ｇ，Ｂの画素別に、それぞれの画素に対応
するエレクトロルミネッセンス素子の輝度劣化特性に合
わせて、該エレクトロルミネッセンス素子に電流を順次
供給するエージングを行うことを特徴とする。
【００１１】これにより、有機ＥＬ素子の輝度劣化特性
に合わせてエージングを行うことにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの
各色で、見かけ上の最大寿命を持たせた状態で出荷をす
ることができる。また、Ｒ，Ｇ，Ｂのエレクトロルミネ
ッセンス素子を同時に点灯させないので、発熱が抑えら
れ、エレクトロルミネッセンス素子に加わるダメージが
軽減される。
に合わせてエージングを行うことにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの
各色で、見かけ上の最大寿命を持たせた状態で出荷をす
ることができる。また、Ｒ，Ｇ，Ｂのエレクトロルミネ
ッセンス素子を同時に点灯させないので、発熱が抑えら
れ、エレクトロルミネッセンス素子に加わるダメージが
軽減される。
【００１２】また、本発明は、エレクトロルミネッセン
ス素子を含む複数の画素を有するエレクトロルミネッセ
ンス表示装置のエージング方法において、前記エレクト
ロルミネッセンス素子の輝度が一定となるように前記エ
レクトロルミネッセンス素子に電流を供給し、該電流が
所定電流値に達するまでエージングを行うことを特徴と
する。
ス素子を含む複数の画素を有するエレクトロルミネッセ
ンス表示装置のエージング方法において、前記エレクト
ロルミネッセンス素子の輝度が一定となるように前記エ
レクトロルミネッセンス素子に電流を供給し、該電流が
所定電流値に達するまでエージングを行うことを特徴と
する。
【００１３】これにより、エレクトロルミネッセンス素
子に供給される電流は時間と共に増加していくので、劣
化が促進され、エージング時間が短縮される。
子に供給される電流は時間と共に増加していくので、劣
化が促進され、エージング時間が短縮される。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】第１の実施形態について図１，図２を参照
して説明する。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置
は、一方向に配列されたＲ画素１０１，Ｇ画素１０２，
Ｂ画素１０３を有している。図面では省略したが、実際
にはこれらのＲ，Ｇ，Ｂの画素が、マトリクス状に複数
配列されて表示領域を構成している。そして、Ｒ，Ｇ，
Ｂの画素別に、それぞれの画素に対応する有機ＥＬ素子
の輝度劣化特性に合わせて、有機ＥＬ素子に電流を順次
供給するエージングを行う。
して説明する。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置
は、一方向に配列されたＲ画素１０１，Ｇ画素１０２，
Ｂ画素１０３を有している。図面では省略したが、実際
にはこれらのＲ，Ｇ，Ｂの画素が、マトリクス状に複数
配列されて表示領域を構成している。そして、Ｒ，Ｇ，
Ｂの画素別に、それぞれの画素に対応する有機ＥＬ素子
の輝度劣化特性に合わせて、有機ＥＬ素子に電流を順次
供給するエージングを行う。
【００１６】図２に、図１に示したＲ，Ｇ，Ｂの画素の
等価回路図を示す。図２において、ゲート信号Ｇnを供
給するゲート信号線５０と、ドレイン信号、すなわち、
信号電圧ＳＶを供給するドレイン信号線６０とが互いに
交差している。それらの両信号線の交差点付近には、有
機ＥＬ素子１２０及びこの有機ＥＬ素子１２０を駆動す
るＴＦＴ１００、表示画素を選択するためのＴＦＴ１１
０が配置されている。
等価回路図を示す。図２において、ゲート信号Ｇnを供
給するゲート信号線５０と、ドレイン信号、すなわち、
信号電圧ＳＶを供給するドレイン信号線６０とが互いに
交差している。それらの両信号線の交差点付近には、有
機ＥＬ素子１２０及びこの有機ＥＬ素子１２０を駆動す
るＴＦＴ１００、表示画素を選択するためのＴＦＴ１１
０が配置されている。
【００１７】有機ＥＬ素子駆動用の第１のＴＦＴ１００
のドレイン１１０ｄには駆動電源１０５が接続され、こ
の駆動電源１０５から正の駆動電圧ＰＶｄｄが供給され
ている。また、ソース１１０ｓは有機ＥＬ素子１２０の
アノード（陽極）１２１に接続されている。
のドレイン１１０ｄには駆動電源１０５が接続され、こ
の駆動電源１０５から正の駆動電圧ＰＶｄｄが供給され
ている。また、ソース１１０ｓは有機ＥＬ素子１２０の
アノード（陽極）１２１に接続されている。
【００１８】また、表示画素選択用の第２のＴＦＴ１１
０のゲート１１０ｇにはゲート信号線５０が接続される
ことによりゲート信号Ｇnが供給され、ドレイン１１０
ｄにはドレイン信号線６０が接続されることにより、信
号電圧ＳＶが供給される。第２のＴＦＴ１１０のソース
１１０ｓは上記第１のＴＦＴ１００のゲート１００ｇに
接続されている。
０のゲート１１０ｇにはゲート信号線５０が接続される
ことによりゲート信号Ｇnが供給され、ドレイン１１０
ｄにはドレイン信号線６０が接続されることにより、信
号電圧ＳＶが供給される。第２のＴＦＴ１１０のソース
１１０ｓは上記第１のＴＦＴ１００のゲート１００ｇに
接続されている。
【００１９】ここで、ゲート信号Ｇnは表示領域の周辺
に配置された不図示のゲートドライバ回路から出力され
る。信号電圧ＳＶは、同様に表示領域の周辺に配置され
た不図示のドレインドライバ回路から出力される。ま
た、有機ＥＬ素子１２０は、アノード（陽極）１２１、
カソード（陰極）１２２、このアノード１２１とカソー
ド１２２の間に形成された発光素子層１２３から成る。
に配置された不図示のゲートドライバ回路から出力され
る。信号電圧ＳＶは、同様に表示領域の周辺に配置され
た不図示のドレインドライバ回路から出力される。ま
た、有機ＥＬ素子１２０は、アノード（陽極）１２１、
カソード（陰極）１２２、このアノード１２１とカソー
ド１２２の間に形成された発光素子層１２３から成る。
【００２０】カソード１２２は負の共通電圧を供給する
共通電源１４０に接続されている。
共通電源１４０に接続されている。
【００２１】また、第１のＴＦＴ１００のゲート１００
ｇには保持容量１３０が接続されている。すなわち、保
持容量１３０の一方の電極はゲート１００ｇに接続さ
れ、他方の電極は保持容量電極１３１に接続されてい
る。保持容量１３０は信号電圧ＳＶに応じた電荷を保持
することにより、１フィールド期間、表示画素の信号電
圧を保持するために設けられている。
ｇには保持容量１３０が接続されている。すなわち、保
持容量１３０の一方の電極はゲート１００ｇに接続さ
れ、他方の電極は保持容量電極１３１に接続されてい
る。保持容量１３０は信号電圧ＳＶに応じた電荷を保持
することにより、１フィールド期間、表示画素の信号電
圧を保持するために設けられている。
【００２２】上述した構成のＥＬ表示装置の動作を簡単
に説明すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnが一水
平期間、ハイレベルになると、第２のＴＦＴ１１０がオ
ンする。すると、ドレイン信号線６０から信号電圧ＳＶ
が第２のＴＦＴ１１０を通して、第１のＴＦＴ１００の
ゲート１００ｇに印加される。そして、ゲート１００ｇ
に供給された信号電圧ＳＶに応じて、第１のＴＦＴ１０
０のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が
駆動電源１０５から第１のＴＦＴ１００を通して、有機
ＥＬ素子１２０に供給され、有機ＥＬ素子１２０が発光
する。
に説明すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnが一水
平期間、ハイレベルになると、第２のＴＦＴ１１０がオ
ンする。すると、ドレイン信号線６０から信号電圧ＳＶ
が第２のＴＦＴ１１０を通して、第１のＴＦＴ１００の
ゲート１００ｇに印加される。そして、ゲート１００ｇ
に供給された信号電圧ＳＶに応じて、第１のＴＦＴ１０
０のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が
駆動電源１０５から第１のＴＦＴ１００を通して、有機
ＥＬ素子１２０に供給され、有機ＥＬ素子１２０が発光
する。
【００２３】ここで、有機ＥＬ素子１２０は、Ｒ，Ｇ，
Ｂに対応して異なる有機材料を用いて作製されているた
め、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光特性を有している。
Ｂに対応して異なる有機材料を用いて作製されているた
め、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光特性を有している。
【００２４】図３にＲ（ＲＥＤ），Ｇ（ＧＲＥＥＮ），
Ｂ（ＢＬＵＥ）の各画素の輝度の時間変化を示す。同図
から明らかなように、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に異なる輝度劣化特
性を示している。そこで、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素別に、それ
ぞれの画素に対応する有機ＥＬ素子の輝度劣化特性に合
わせて、有機ＥＬ素子に電流を順次供給するエージング
を行うようにした。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順番に電流を
供給すればよいが、その順番はこれには限られない。
Ｂ（ＢＬＵＥ）の各画素の輝度の時間変化を示す。同図
から明らかなように、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に異なる輝度劣化特
性を示している。そこで、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素別に、それ
ぞれの画素に対応する有機ＥＬ素子の輝度劣化特性に合
わせて、有機ＥＬ素子に電流を順次供給するエージング
を行うようにした。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順番に電流を
供給すればよいが、その順番はこれには限られない。
【００２５】具体的なエージング条件については以下の
通りである。まず、輝度設定は、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素毎
に、例えば出荷時に設定される最大輝度となるような振
幅の信号電圧ＳＶ(信号電圧)を与える。この輝度設定
は、これに限らず、最大輝度の５０％〜１０００％の範
囲の輝度を含む。また、輝度設定は、信号電圧ＳＶの振
幅によるものに限られず、図２の正の駆動電源１０５及
び負の共通電源１４０による設定を含む。
通りである。まず、輝度設定は、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素毎
に、例えば出荷時に設定される最大輝度となるような振
幅の信号電圧ＳＶ(信号電圧)を与える。この輝度設定
は、これに限らず、最大輝度の５０％〜１０００％の範
囲の輝度を含む。また、輝度設定は、信号電圧ＳＶの振
幅によるものに限られず、図２の正の駆動電源１０５及
び負の共通電源１４０による設定を含む。
【００２６】そして、エージング時間については、Ｒ，
Ｇ，Ｂ毎の輝度劣化特性に従い、所定輝度に達するまで
の時間として設定される。例えば、図３において、初期
劣化と初期劣化後についてそれぞれ一次近似曲線が引け
るが、これらの一次近似曲線の交点に対応する時間、ｔ
R，ｔG，ｔBがエージング時間として設定される。ま
た、エージング時間は、これに限られず、例えば初期輝
度に対する減少率から算出してもよい。
Ｇ，Ｂ毎の輝度劣化特性に従い、所定輝度に達するまで
の時間として設定される。例えば、図３において、初期
劣化と初期劣化後についてそれぞれ一次近似曲線が引け
るが、これらの一次近似曲線の交点に対応する時間、ｔ
R，ｔG，ｔBがエージング時間として設定される。ま
た、エージング時間は、これに限られず、例えば初期輝
度に対する減少率から算出してもよい。
【００２７】また、有機ＥＬ素子１２０の駆動方法につ
いては、定電流駆動に限られず、後述する第２の実施形
態のように、輝度が一定となるように有機ＥＬ素子１２
０に電流を供給し、該電流が所定電流値に達するまでエ
ージングを行うようにしてもよい。
いては、定電流駆動に限られず、後述する第２の実施形
態のように、輝度が一定となるように有機ＥＬ素子１２
０に電流を供給し、該電流が所定電流値に達するまでエ
ージングを行うようにしてもよい。
【００２８】次に、第２の実施形態について、図４，図
５を参照しながら説明する。図４において、３０１は輝
度測定器であり、有機ＥＬ素子１２０が複数配列された
有機ＥＬ表示装置３００の輝度を測定し、その輝度に応
じた輝度信号ＫＳを出力する。３０２は輝度調整回路で
あり、輝度測定器３０１からの輝度信号ＫＳが一定とな
るように有機ＥＬ素子１２０に信号電圧ＳＶ（駆動信
号）を供給する。また、３０３は電流検知器であり、有
機ＥＬ素子１２０に供給される電流Ｉを検知し、該電流
Ｉが所定値に達した時にエージング停止信号ＥＳを出力
する。輝度調整回路３０２は、エージング停止信号ＥＳ
に応じて信号の信号電圧ＳＶの出力を停止する。
５を参照しながら説明する。図４において、３０１は輝
度測定器であり、有機ＥＬ素子１２０が複数配列された
有機ＥＬ表示装置３００の輝度を測定し、その輝度に応
じた輝度信号ＫＳを出力する。３０２は輝度調整回路で
あり、輝度測定器３０１からの輝度信号ＫＳが一定とな
るように有機ＥＬ素子１２０に信号電圧ＳＶ（駆動信
号）を供給する。また、３０３は電流検知器であり、有
機ＥＬ素子１２０に供給される電流Ｉを検知し、該電流
Ｉが所定値に達した時にエージング停止信号ＥＳを出力
する。輝度調整回路３０２は、エージング停止信号ＥＳ
に応じて信号の信号電圧ＳＶの出力を停止する。
【００２９】上記のエージングシステムに基づくエージ
ング方法について説明する。輝度測定器３０１から得ら
れた輝度信号ＫＳと輝度調整回路３０２が有している参
照輝度に応じた参照信号ＲＳとを比較し、輝度信号ＫＳ
が参照信号ＲＳより下がった時点信号電圧ＳＶを有機Ｅ
Ｌ素子１２０の輝度が上がる方向に変化させる。
ング方法について説明する。輝度測定器３０１から得ら
れた輝度信号ＫＳと輝度調整回路３０２が有している参
照輝度に応じた参照信号ＲＳとを比較し、輝度信号ＫＳ
が参照信号ＲＳより下がった時点信号電圧ＳＶを有機Ｅ
Ｌ素子１２０の輝度が上がる方向に変化させる。
【００３０】例えば、初期輝度５０ｃｄ／ｍ２からエー
ジングを開始し、４５ｃｄ／ｍ２に劣化した時点で、５
０ｃｄ／ｍ２近くになるように信号電圧ＳＶの振幅を変
える。
ジングを開始し、４５ｃｄ／ｍ２に劣化した時点で、５
０ｃｄ／ｍ２近くになるように信号電圧ＳＶの振幅を変
える。
【００３１】この場合のエージング時間は、前回のエー
ジング時に４５ｃｄ／ｍ２に到達した時間を参考にして
決定することが考えられるが、それに限定されるもので
はない。
ジング時に４５ｃｄ／ｍ２に到達した時間を参考にして
決定することが考えられるが、それに限定されるもので
はない。
【００３２】例えば、エージング開始からの時間積算か
らの算出、あるいは計算せずに、はじめから所定時間に
なれば信号電圧ＳＶの振幅を変えるようにしてもよい。
また、上記の定輝度駆動は信号電圧調節に限らず、図２
の正の駆動電源１０５及び負の共通電源１４０による調
節であってもよい。
らの算出、あるいは計算せずに、はじめから所定時間に
なれば信号電圧ＳＶの振幅を変えるようにしてもよい。
また、上記の定輝度駆動は信号電圧調節に限らず、図２
の正の駆動電源１０５及び負の共通電源１４０による調
節であってもよい。
【００３３】図５は、有機ＥＬ素子の輝度及び有機ＥＬ
駆動電流の時間変化を示す図であり、図５（Ａ）は定電
流駆動の場合の特性、図５（Ｂ）は定輝度駆動の場合の
特性を示している。図５（Ｂ）の定輝度駆動では、輝度
を一定にするために時間の経過と共に駆動電流が増加す
るため、図５（Ａ）の定電流駆動の場合に比して短時間
でエージングを行うことができる。定輝度駆動のエージ
ングは上述したように、駆動電流値が所定値に到達した
時点で完了する。
駆動電流の時間変化を示す図であり、図５（Ａ）は定電
流駆動の場合の特性、図５（Ｂ）は定輝度駆動の場合の
特性を示している。図５（Ｂ）の定輝度駆動では、輝度
を一定にするために時間の経過と共に駆動電流が増加す
るため、図５（Ａ）の定電流駆動の場合に比して短時間
でエージングを行うことができる。定輝度駆動のエージ
ングは上述したように、駆動電流値が所定値に到達した
時点で完了する。
【００３４】次に、上記第１及び第２の実施形態に共通
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
【００３５】図６に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
【００３６】図６及び図７に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００３７】この表示画素１１５には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
【００３８】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００３９】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に供給される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に供給される電
圧を保持するために設けられている。
【００４０】図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
【００４１】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。図７（ａ）に示すよう
に、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基
板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」
と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜
にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコ
ン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを
能動層３３とする。
ＴＦＴ３０について説明する。図７（ａ）に示すよう
に、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基
板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」
と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜
にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコ
ン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを
能動層３３とする。
【００４２】その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あ
るいは積層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更に
その上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート
電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るド
レイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電
源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されてい
る。
るいは積層体をゲート絶縁膜３２として形成する。更に
その上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート
電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るド
レイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電
源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されてい
る。
【００４３】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００４４】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。
【００４５】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されて
いる。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を備えている。
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に
積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに
対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されて
いる。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する平坦化絶縁膜１７を備えている。
【００４６】そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６
１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は
各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６
１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は
各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００４７】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００４８】なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
【００４９】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素別
に、それぞれの画素に対応するＥＬ素子の輝度劣化特性
に合わせて、当該ＥＬ素子に電流を順次供給するエージ
ングを行うようにしたので、有機ＥＬ素子の輝度劣化特
性に合わせて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色で見かけ上の最大寿命
を持たせた状態で出荷をすることができる。また、Ｒ，
Ｇ，ＢのＥＬ素子を同時に点灯させないので、発熱が抑
えられ、ＥＬ素子に加わるダメージが軽減される。
に、それぞれの画素に対応するＥＬ素子の輝度劣化特性
に合わせて、当該ＥＬ素子に電流を順次供給するエージ
ングを行うようにしたので、有機ＥＬ素子の輝度劣化特
性に合わせて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色で見かけ上の最大寿命
を持たせた状態で出荷をすることができる。また、Ｒ，
Ｇ，ＢのＥＬ素子を同時に点灯させないので、発熱が抑
えられ、ＥＬ素子に加わるダメージが軽減される。
【００５１】また、ＥＬ素子の輝度が一定となるように
ＥＬ素子に電流を供給し、該電流が所定電流値に達する
までエージングを行うようにしたので、ＥＬ素子に供給
される電流は時間と共に増加し、劣化が促進され、エー
ジング時間が短縮される。
ＥＬ素子に電流を供給し、該電流が所定電流値に達する
までエージングを行うようにしたので、ＥＬ素子に供給
される電流は時間と共に増加し、劣化が促進され、エー
ジング時間が短縮される。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装
置のエージング方法を説明する図である。
置のエージング方法を説明する図である。
【図２】Ｒ，Ｇ，Ｂの画素の等価回路図である。
【図３】Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の輝度の時間変化を示す図
である。
である。
【図４】有機ＥＬ表示装置のエージングを行うためのシ
ステムを示す図である。
ステムを示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子の輝度及び有機ＥＬ駆動電流の時
間変化を示す図である。
間変化を示す図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図
である。
である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す断面図
である。
である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置のエージング方法を示
す図である。
す図である。
１０１ Ｒ画素 １０１ Ｇ画素 １０３ Ｂ画素
３０１ 輝度測定器 ３０２ 輝度調整回路 ３０
３ 電流検知器
３ 電流検知器
Claims (7)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス素子を含む
Ｒ，Ｇ，Ｂの画素を有するエレクトロルミネッセンス表
示装置のエージング方法において、前記Ｒ，Ｇ，Ｂの画
素別に、それぞれの画素に対応するエレクトロルミネッ
センス素子の輝度劣化特性に合わせて、該エレクトロル
ミネッセンス素子に電流を順次供給するエージングを行
うことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置
のエージング方法。 - 【請求項２】 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝
度が初期輝度から所定輝度に低下するまでエージングを
行うことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置のエージング方法。 - 【請求項３】 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝
度劣化特性の初期劣化期間の一次近似曲線と、前記初期
劣化期間経過後の一次近似曲線との交点に対応する時間
に至るまでエージングを行うことを特徴とする請求項１
または２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置のエ
ージング方法。 - 【請求項４】 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝
度が一定となるように前記エレクトロルミネッセンス素
子に電流を供給し、該電流が所定電流値に達するまでエ
ージングを行うことを特徴とする請求項１または２記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方
法。 - 【請求項５】 エレクトロルミネッセンス素子を含む複
数の画素を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の
エージング方法において、 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度が一定となる
ように前記エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給
し、該電流が所定電流値に達するまでエージングを行う
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の
エージング方法。 - 【請求項６】 エレクトロルミネッセンス素子を含む複
数の画素を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の
エージング方法において、 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を測定し、輝
度が一定となるように前記エレクトロルミネッセンス素
子に駆動信号を供給し、前記エレクトロルミネッセンス
素子に供給される電流を検知して、該電流が所定値に達
した時にエージングを停止することを特徴とするエレク
トロルミネッセンス表示装置のエージング方法。 - 【請求項７】 エレクトロルミネッセンス素子を含む複
数の画素を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の
エージング方法において、 前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を測定し、輝
度信号を出力する輝度測定器と、前記輝度測定器からの
前記輝度信号が一定となるように前記エレクトロルミネ
ッセンス素子に駆動信号を供給する輝度調整回路と、前
記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流を検
知し、該電流が所定値に達した時にエージング停止信号
を出力する電流検知器と、を準備し、前記輝度調整回路
は、前記エージング停止信号に応じて前記駆動信号の供
給を停止することを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス表示装置のエージング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127421A JP2003323979A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127421A JP2003323979A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003323979A true JP2003323979A (ja) | 2003-11-14 |
Family
ID=29541537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002127421A Withdrawn JP2003323979A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置のエージング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003323979A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006289721A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光走査装置における光量偏差補正方法 |
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| WO2012164598A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法、有機発光素子のエージング方法、有機発光素子、有機発光装置、有機表示パネル、および有機表示装置 |
| JP2013093111A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Panasonic Corp | 電流駆動型アクティブマトリクス表示装置のエージング方法、電流駆動型アクティブマトリクス表示装置、表示領域におけるウインドウを決定する方法、表示領域におけるウインドウを決定するプログラム、電流駆動型アクティブマトリクス表示装置の製造方法、およびエージング装置 |
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