JP2001272930A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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- JP2001272930A JP2001272930A JP2000088211A JP2000088211A JP2001272930A JP 2001272930 A JP2001272930 A JP 2001272930A JP 2000088211 A JP2000088211 A JP 2000088211A JP 2000088211 A JP2000088211 A JP 2000088211A JP 2001272930 A JP2001272930 A JP 2001272930A
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- Japan
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- tft
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- display device
- anode
- drain
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴの特性を安定させて、所定の輝度が安
定して得られるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、陽極６１、陰極６
７及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６６から成る
有機ＥＬ素子６０と、これに電流を供給するタイミング
を制御するスイッチング用の第１のＴＦＴ３０と、有機
ＥＬ素子駆動用の第２のＴＦＴ４０と、ＥＬ素子６０に
第２のＴＦＴ４０を介して電流を供給する駆動電源線５
３とを備えており、駆動電源線５３と第２のＴＦＴ４０
のドレインとの間にＥＬ素子６０の陽極６１と同一工程
で同一材料から成る抵抗８０を形成する。
定して得られるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、陽極６１、陰極６
７及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６６から成る
有機ＥＬ素子６０と、これに電流を供給するタイミング
を制御するスイッチング用の第１のＴＦＴ３０と、有機
ＥＬ素子駆動用の第２のＴＦＴ４０と、ＥＬ素子６０に
第２のＴＦＴ４０を介して電流を供給する駆動電源線５
３とを備えており、駆動電源線５３と第２のＴＦＴ４０
のドレインとの間にＥＬ素子６０の陽極６１と同一工程
で同一材料から成る抵抗８０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
troLuminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備
えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
troLuminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備
えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図５に有機ＥＬ表示装置の１表示画素を示
す等価回路図を示し、図６に有機ＥＬ表示装置の１表示
画素の平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に
沿った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に
沿った断面図を示す。
す等価回路図を示し、図６に有機ＥＬ表示装置の１表示
画素の平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に
沿った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に
沿った断面図を示す。
【０００４】図５及び図６に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
が形成されている。両信号線の交点付近にはスイッチン
グ素子である第１のＴＦＴ３０が備えられており、その
ＴＦＴ３０のソース１３ｓは後述の保持容量電極５４と
の間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、有機
ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ４０のゲート４２に接
続されている。第２のＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機
ＥＬ素子の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄ
は有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源５０に接続された駆
動電源線１５３に接続されている。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
が形成されている。両信号線の交点付近にはスイッチン
グ素子である第１のＴＦＴ３０が備えられており、その
ＴＦＴ３０のソース１３ｓは後述の保持容量電極５４と
の間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、有機
ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ４０のゲート４２に接
続されている。第２のＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機
ＥＬ素子の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄ
は有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源５０に接続された駆
動電源線１５３に接続されている。
【０００５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極５４が配置されている。この保
持容量電極５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁
膜１２を介して第１のＴＦＴ３０のソース１３ｓと一体
形成された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を
成している。この保持容量７０は、第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に印加される電圧を保持するために設けられ
ている。
１と並行に保持容量電極５４が配置されている。この保
持容量電極５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁
膜１２を介して第１のＴＦＴ３０のソース１３ｓと一体
形成された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を
成している。この保持容量７０は、第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に印加される電圧を保持するために設けられ
ている。
【０００６】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０について説明する。
のＴＦＴ３０について説明する。
【０００７】図７（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜にレーザを照射して多結晶化した多結晶シリ
コン膜から成る能動層１３を形成する。この能動層１３
にはいわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設
けられている。即ち、ゲート１３２の両側に低濃度領域
１３１ＬＤとその外側に高濃度領域のソース１３１ｓ及
びドレイン１３１ｄが設けられている。その上にゲート
絶縁膜１２、及びクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
などの高融点金属からなるゲート信号線５１の一部をな
すゲート電極１１を形成する。このとき同時に、保持容
量電極５４を形成する。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜にレーザを照射して多結晶化した多結晶シリ
コン膜から成る能動層１３を形成する。この能動層１３
にはいわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設
けられている。即ち、ゲート１３２の両側に低濃度領域
１３１ＬＤとその外側に高濃度領域のソース１３１ｓ及
びドレイン１３１ｄが設けられている。その上にゲート
絶縁膜１２、及びクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
などの高融点金属からなるゲート信号線５１の一部をな
すゲート電極１１を形成する。このとき同時に、保持容
量電極５４を形成する。
【０００８】続いて、ゲート絶縁膜１２及びゲート絶縁
膜１２上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2
膜の順に積層された層間絶縁膜１５を設け、ドレイン１
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填してドレイン信号線５２の一部をなすドレイン電
極１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を設ける。
膜１２上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2
膜の順に積層された層間絶縁膜１５を設け、ドレイン１
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填してドレイン信号線５２の一部をなすドレイン電
極１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を設ける。
【０００９】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第２のＴＦＴ４０について説明する。
る第２のＴＦＴ４０について説明する。
【００１０】図７（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、第１の
ＴＦＴ３０の能動層１３の形成と同時に、多結晶シリコ
ン膜から成る能動層４３を形成する。その能動層４３に
は、ゲート電極４１上方に真性又は実質的に真性である
チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、ｐ型
不純物のイオンドーピングを施してソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを構成す
る。その能動層４３の上にゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１１を設
ける。このゲート電極１１は、第１のＴＦＴ３０のソー
ス１３ｓに接続されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、第１の
ＴＦＴ３０の能動層１３の形成と同時に、多結晶シリコ
ン膜から成る能動層４３を形成する。その能動層４３に
は、ゲート電極４１上方に真性又は実質的に真性である
チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、ｐ型
不純物のイオンドーピングを施してソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを構成す
る。その能動層４３の上にゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１１を設
ける。このゲート電極１１は、第１のＴＦＴ３０のソー
ス１３ｓに接続されている。
【００１１】そして、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を
配置する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜１７を形成して、その平坦化絶縁
膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホー
ルを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３
ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子６０の陽極６１を平坦化
絶縁膜１７上に設ける。
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４
３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源５０に接続された駆動電源線５３を
配置する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜１７を形成して、その平坦化絶縁
膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホー
ルを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３
ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子６０の陽極６１を平坦化
絶縁膜１７上に設ける。
【００１２】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’-tris(3
-methylphenylphenylamino)triphenylamine）から成る
第１ホール輸送層６２、及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-
N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diam
ine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Q
uinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（bis(10-hydroxy
benzo[h]quinolinato)beryllium）から成る発光層６４
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６５からなる発光素
子層６６、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極
６７がこの順番で積層形成された構造である。これら第
１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、電子輸送
層６５及び陰極６７は、図６に示した各表示画素に備え
た有機ＥＬ素子に共通に形成されている。発光層６４
は、陽極６１に対応して島状に形成されている。
から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’-tris(3
-methylphenylphenylamino)triphenylamine）から成る
第１ホール輸送層６２、及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-
N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diam
ine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Q
uinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（bis(10-hydroxy
benzo[h]quinolinato)beryllium）から成る発光層６４
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６５からなる発光素
子層６６、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極
６７がこの順番で積層形成された構造である。これら第
１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、電子輸送
層６５及び陰極６７は、図６に示した各表示画素に備え
た有機ＥＬ素子に共通に形成されている。発光層６４
は、陽極６１に対応して島状に形成されている。
【００１３】なお、有機ＥＬ素子は、陽極から注入され
たホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部
で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起
子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層か
ら光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を
介して外部へ放出されて発光する。
たホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部
で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起
子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層か
ら光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を
介して外部へ放出されて発光する。
【００１４】このように、第１のＴＦＴ３０のソース１
３ｓから印加された電荷が保持容量７０に蓄積されると
ともに第２のＴＦＴ４０のゲート４１に印加されてその
電圧に応じて有機ＥＬ素子は発光する。
３ｓから印加された電荷が保持容量７０に蓄積されると
ともに第２のＴＦＴ４０のゲート４１に印加されてその
電圧に応じて有機ＥＬ素子は発光する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、有機ＥＬ素
子６０に供給する電流値を制御する機能を有する第２の
ＴＦＴ４０は、ゲート電圧に対するドレイン電流特性の
ばらつきが大きいため、発光材料に流れる電流の変動も
大きくなってしまっている。
子６０に供給する電流値を制御する機能を有する第２の
ＴＦＴ４０は、ゲート電圧に対するドレイン電流特性の
ばらつきが大きいため、発光材料に流れる電流の変動も
大きくなってしまっている。
【００１６】図４に、第２ＴＦＴのゲート電圧（Ｖｇ）
とドレイン電流（Ｉｄ）との特性関係を示す。同図にお
いて、横軸はゲート電圧（Ｖｇ）を示し、縦軸はドレイ
ン電流（Ｉｄ）を示す。実線で示した従来のＴＦＴにお
いては、下側の実線ｃと上側の実線ｄとの間で特性が変
化し、あるゲート電圧においてはその変動値がＩ１も変
動してしまっている。
とドレイン電流（Ｉｄ）との特性関係を示す。同図にお
いて、横軸はゲート電圧（Ｖｇ）を示し、縦軸はドレイ
ン電流（Ｉｄ）を示す。実線で示した従来のＴＦＴにお
いては、下側の実線ｃと上側の実線ｄとの間で特性が変
化し、あるゲート電圧においてはその変動値がＩ１も変
動してしまっている。
【００１７】このように特性が変動することにより、Ｅ
Ｌ素子の輝度も所定の輝度が得られないという欠点があ
った。
Ｌ素子の輝度も所定の輝度が得られないという欠点があ
った。
【００１８】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、ＴＦＴの特性を安定させて、所
定の輝度が安定して得られるＥＬ表示装置を提供するこ
とを目的とする。
て為されたものであり、ＴＦＴの特性を安定させて、所
定の輝度が安定して得られるＥＬ表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、前
記ＥＬ素子を駆動する駆動電源からの電流を供給する駆
動電源線と、該駆動電源線にドレインが接続されており
前記駆動電源からの電流を制御して前記ＥＬ素子に供給
するＴＦＴとを備えたＥＬ表示装置であって、前記駆動
電源線と前記ドレインとの間に抵抗を備えるものであ
る。
は、陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ素子と、前
記ＥＬ素子を駆動する駆動電源からの電流を供給する駆
動電源線と、該駆動電源線にドレインが接続されており
前記駆動電源からの電流を制御して前記ＥＬ素子に供給
するＴＦＴとを備えたＥＬ表示装置であって、前記駆動
電源線と前記ドレインとの間に抵抗を備えるものであ
る。
【００２０】また、本発明は、陽極と陰極との間に発光
層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレ
クトロルミネッセンス素子を駆動する電流を供給するタ
イミングを制御する第１の薄膜トランジスタと、前記エ
レクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動電源からの
電流を供給する駆動電源線と、該駆動電源線にドレイン
が接続されており前記駆動電源からの電流を制御して前
記エレクトロルミネッセンス素子に供給する薄膜トラン
ジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置で
あって、前記駆動電源線と前記ドレインとの間に抵抗を
備えるたものである。
層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレ
クトロルミネッセンス素子を駆動する電流を供給するタ
イミングを制御する第１の薄膜トランジスタと、前記エ
レクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動電源からの
電流を供給する駆動電源線と、該駆動電源線にドレイン
が接続されており前記駆動電源からの電流を制御して前
記エレクトロルミネッセンス素子に供給する薄膜トラン
ジスタとを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置で
あって、前記駆動電源線と前記ドレインとの間に抵抗を
備えるたものである。
【００２１】更に、上述のＥＬ表示装置は、前記駆動電
源線と前記ソースとの間の抵抗が、前記陽極と同じ材料
からなるＥＬ表示装置である。
源線と前記ソースとの間の抵抗が、前記陽極と同じ材料
からなるＥＬ表示装置である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明のＥＬ表示装置について以
下に説明する。
下に説明する。
【００２３】図１に本発明のＥＬ表示装置を有機ＥＬ表
示装置に適用した場合の等価回路図を示し、図２に有機
ＥＬ表示装置の平面図を示し、図３（ａ）に図２中のＡ
−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図２中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図を示す。
示装置に適用した場合の等価回路図を示し、図２に有機
ＥＬ表示装置の平面図を示し、図３（ａ）に図２中のＡ
−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図２中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２４】図１及び図２に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
５０（点線で示す領域）が形成されている。両信号線５
１，５２の交点付近にはスイッチング素子である第１の
ＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース
１３ｓは後述の保持容量電極５４との間で容量をなす容
量電極５５を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する
第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されている。第２
のＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機ＥＬ素子の陽極６１
に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０
を駆動する電流を供給する駆動電源５０に接続された駆
動電源線５３に接続されている。このとき、駆動電源線
５３と、それに接続されたドレイン４３ｄとの間には抵
抗８０が設けられている。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
５０（点線で示す領域）が形成されている。両信号線５
１，５２の交点付近にはスイッチング素子である第１の
ＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース
１３ｓは後述の保持容量電極５４との間で容量をなす容
量電極５５を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する
第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されている。第２
のＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機ＥＬ素子の陽極６１
に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０
を駆動する電流を供給する駆動電源５０に接続された駆
動電源線５３に接続されている。このとき、駆動電源線
５３と、それに接続されたドレイン４３ｄとの間には抵
抗８０が設けられている。
【００２５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線５
１と並行に保持容量電極５４が配置されている。この保
持容量電極５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁
膜１２を介して第１のＴＦＴ３０のソース３３と接続さ
れた容量電極７２との間で電荷を蓄積して容量を成して
いる。この保持容量７０は、第２のＴＦＴ４０のゲート
４２に印加される電圧を保持するために設けられてい
る。なお、第１のＴＦＴ３０の断面形状は従来の技術の
欄で説明した図７（ａ）と同じであるので、説明は省略
する。
１と並行に保持容量電極５４が配置されている。この保
持容量電極５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁
膜１２を介して第１のＴＦＴ３０のソース３３と接続さ
れた容量電極７２との間で電荷を蓄積して容量を成して
いる。この保持容量７０は、第２のＴＦＴ４０のゲート
４２に印加される電圧を保持するために設けられてい
る。なお、第１のＴＦＴ３０の断面形状は従来の技術の
欄で説明した図７（ａ）と同じであるので、説明は省略
する。
【００２６】ここで、駆動電源線５３と、それに接続さ
れたドレイン４３ｄとの間に設けられた抵抗８０につい
て、図３（ｂ）に従って説明する。
れたドレイン４３ｄとの間に設けられた抵抗８０につい
て、図３（ｂ）に従って説明する。
【００２７】図３（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、第１の
ＴＦＴ３０の能動層１３の形成と同時に形成した多結晶
シリコン膜から成る能動層４３を形成する。その能動層
４３には、ゲート電極４１上方に真性又は実質的に真性
であるチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側
に、ｐ型不純物のイオンドーピングを施してソース４３
ｓ及びドレイン４３ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを
構成する。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、第１の
ＴＦＴ３０の能動層１３の形成と同時に形成した多結晶
シリコン膜から成る能動層４３を形成する。その能動層
４３には、ゲート電極４１上方に真性又は実質的に真性
であるチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側
に、ｐ型不純物のイオンドーピングを施してソース４３
ｓ及びドレイン４３ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを
構成する。
【００２８】この能動層４３の上に、ＳｉＯ2膜から成
るゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属
からなるゲート電極４１を設ける。
るゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属
からなるゲート電極４１を設ける。
【００２９】そして、ゲート絶縁膜１２及びゲート電極
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成する。その上に
Ａｌから成りＥＬ素子６０に供給する駆動電源に接続さ
れた駆動電源線５３を形成する。その後、駆動電源線５
３を含む全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦
化絶縁膜１７を堆積し、その平坦化絶縁膜１７のソース
４３ｓドレイン４３ｄ及び駆動電源線５３の一部に対応
した位置にコンタクトホールＣ１，Ｃ２，Ｃ３を設け
る。そして、これらのコンタクトホールを介して、透明
導電材料であるＩＴＯによって、ソース４３ｓとコンタ
クトしたＥＬ素子の陽極６１、及びドレイン４３ｄと駆
動電源線５３とを接続した抵抗８０を平坦化絶縁膜１７
上に設ける。
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１５を形成する。その上に
Ａｌから成りＥＬ素子６０に供給する駆動電源に接続さ
れた駆動電源線５３を形成する。その後、駆動電源線５
３を含む全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦
化絶縁膜１７を堆積し、その平坦化絶縁膜１７のソース
４３ｓドレイン４３ｄ及び駆動電源線５３の一部に対応
した位置にコンタクトホールＣ１，Ｃ２，Ｃ３を設け
る。そして、これらのコンタクトホールを介して、透明
導電材料であるＩＴＯによって、ソース４３ｓとコンタ
クトしたＥＬ素子の陽極６１、及びドレイン４３ｄと駆
動電源線５３とを接続した抵抗８０を平坦化絶縁膜１７
上に設ける。
【００３０】これらの陽極６１及び抵抗８０を形成した
後、陽極６１の周辺まで覆った絶縁膜６８を形成する。
即ち、陽極６１の周辺を覆い、陽極６１の中央部に開口
部を有する絶縁膜６８を形成する。この絶縁膜６８は、
抵抗８０の上層に設けるＥＬ素子の第１ホール輸送層６
２と抵抗８０とを絶縁するとともに、陽極６１の厚みに
よる段差に起因して生じる陰極６７とのショートを防止
する機能を有する。
後、陽極６１の周辺まで覆った絶縁膜６８を形成する。
即ち、陽極６１の周辺を覆い、陽極６１の中央部に開口
部を有する絶縁膜６８を形成する。この絶縁膜６８は、
抵抗８０の上層に設けるＥＬ素子の第１ホール輸送層６
２と抵抗８０とを絶縁するとともに、陽極６１の厚みに
よる段差に起因して生じる陰極６７とのショートを防止
する機能を有する。
【００３１】そして、陽極６１及び陽極６１の周辺にま
で延在させて形成した絶縁膜６８の表面に、従来のＥｌ
素子６０と同様に、第１ホール輸送層６２、第２ホール
輸送層６３、発光層６４、電子輸送層６５及び陰極６７
を順に形成する。発光層６４は陽極６１よりも大きめの
面積とし、他の第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送
層６３、電子輸送層６５及び陰極６７のように全面には
形成しない。また、発光層６４はその材料を変えること
によって発光させる色を変えることが可能である。な
お、陰極６７は、各表示画素５０において共通の電位で
ある。
で延在させて形成した絶縁膜６８の表面に、従来のＥｌ
素子６０と同様に、第１ホール輸送層６２、第２ホール
輸送層６３、発光層６４、電子輸送層６５及び陰極６７
を順に形成する。発光層６４は陽極６１よりも大きめの
面積とし、他の第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送
層６３、電子輸送層６５及び陰極６７のように全面には
形成しない。また、発光層６４はその材料を変えること
によって発光させる色を変えることが可能である。な
お、陰極６７は、各表示画素５０において共通の電位で
ある。
【００３２】このように、ＥＬ素子の駆動電源線５３と
ドレイン電極４３ｄとの間にＩＴＯから成る抵抗８０を
設けることにより、第２のＴＦＴ４０からＥＬ素子６０
に供給される電流が変動することを防止することができ
る。
ドレイン電極４３ｄとの間にＩＴＯから成る抵抗８０を
設けることにより、第２のＴＦＴ４０からＥＬ素子６０
に供給される電流が変動することを防止することができ
る。
【００３３】前述の図４の点線で示すように、本発明に
よれば、ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ４０のＶｇ−
Ｉｄ特性は、曲線ａから曲線ｂ間での範囲での変動に治
まっており、従来の特性とあるゲート電圧における電流
値で比較すると、従来その変動がＩ１であったのに対し
て、それよりも小さい約７０％程度になっていることが
わかる。
よれば、ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ４０のＶｇ−
Ｉｄ特性は、曲線ａから曲線ｂ間での範囲での変動に治
まっており、従来の特性とあるゲート電圧における電流
値で比較すると、従来その変動がＩ１であったのに対し
て、それよりも小さい約７０％程度になっていることが
わかる。
【００３４】こうして、ＥＬ素子の発光輝度を安定させ
て得ることができるので、良好な表示を得ることができ
ることになる。
て得ることができるので、良好な表示を得ることができ
ることになる。
【００３５】また、抵抗８０の材料として、陽極６１と
同じ材料のＩＴＯを陽極６１形成と同時に形成すること
により、新たな工程を増やすことなく形成できるため、
工程増大につながることなく形成することができ、コス
ト増大を招くことがない。
同じ材料のＩＴＯを陽極６１形成と同時に形成すること
により、新たな工程を増やすことなく形成できるため、
工程増大につながることなく形成することができ、コス
ト増大を招くことがない。
【００３６】なお、本実施の形態においては、第２のＴ
ＦＴ４０が、能動層４３がゲート電極４１よりも下層に
あるいわゆるトップゲート型のＴＦＴについて説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、能動層４
３がゲート電極４１よりも上層にあるいわゆるボトムゲ
ート型のＴＦＴであっても同様の効果を得ることができ
る。第１のＴＦＴ３０においても、トップゲート型でも
ボトムゲート型でも良い。
ＦＴ４０が、能動層４３がゲート電極４１よりも下層に
あるいわゆるトップゲート型のＴＦＴについて説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、能動層４
３がゲート電極４１よりも上層にあるいわゆるボトムゲ
ート型のＴＦＴであっても同様の効果を得ることができ
る。第１のＴＦＴ３０においても、トップゲート型でも
ボトムゲート型でも良い。
【００３７】また、本願においては、ドレインはＴＦＴ
に電流が流れ込む領域を意味し、ソースはＴＦＴから電
流が流れ出す領域を意味するものとする。
に電流が流れ込む領域を意味し、ソースはＴＦＴから電
流が流れ出す領域を意味するものとする。
【００３８】また、上述の実施の形態においては、ゲー
ト電極１１，４１がダブルゲート構造の場合について説
明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、
シングルゲートあるいは３つ以上のマルチゲート構造を
有していても本願と同様の効果を奏することが可能であ
る。
ト電極１１，４１がダブルゲート構造の場合について説
明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、
シングルゲートあるいは３つ以上のマルチゲート構造を
有していても本願と同様の効果を奏することが可能であ
る。
【００３９】また、上述の実施の形態においては、第２
のＴＦＴがｐ型チャネルＴＦＴの場合を示したが、第２
のＴＦＴはｎ型の不純物を導入したｎ型チャネルＴＦＴ
でも良い。
のＴＦＴがｐ型チャネルＴＦＴの場合を示したが、第２
のＴＦＴはｎ型の不純物を導入したｎ型チャネルＴＦＴ
でも良い。
【００４０】また、上述の実施の形態においては、能動
層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は
非晶質シリコン膜を用いても良い。
層としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は
非晶質シリコン膜を用いても良い。
【００４１】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置によれば、ＥＬ素
子を駆動するＴＦＴからＥＬ素子に供給される電流が変
動することを防止することができ、安定した表示を得る
ことができる。
子を駆動するＴＦＴからＥＬ素子に供給される電流が変
動することを防止することができ、安定した表示を得る
ことができる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の実施の形態を示す平面
図である。
図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置の実施の形態を示す断面
図である。
図である。
【図４】ＴＦＴの特性を示す特性図である。
【図５】従来のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図６】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図７】従来のＥＬ表示装置の断面図である。
３０ 第１のＴＦＴ １３ｓ、１３ｓ ソース １３ｄ、１３ｄ ドレイン １３ｃ、１３ｃ チャネル １３ＬＤ、１３ＬＤ ＬＤＤ領域 １１、４１ ゲート電極 ４０ 第２のＴＦＴ ５０ 駆動電源 ５３ 駆動電源線 ６０ 有機ＥＬ素子 ８０ 抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
クトロルミネッセンス素子と、前記エレクトロルミネッ
センス素子を駆動する駆動電源からの電流を供給する駆
動電源線と、該駆動電源線にドレインが接続されており
前記駆動電源からの電流を制御して前記エレクトロルミ
ネッセンス素子に供給する薄膜トランジスタとを備えた
エレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記駆動
電源線と前記ドレインとの間に抵抗を備えることを特徴
とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
クトロルミネッセンス素子と、前記エレクトロルミネッ
センス素子を駆動する電流を供給するタイミングを制御
する第１の薄膜トランジスタと、前記エレクトロルミネ
ッセンス素子を駆動する駆動電源からの電流を供給する
駆動電源線と、該駆動電源線にドレインが接続されてお
り前記駆動電源からの電流を制御して前記エレクトロル
ミネッセンス素子に供給する薄膜トランジスタとを備え
たエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記駆
動電源線と前記ドレインとの間に抵抗を備えることを特
徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記駆動電源線と前記ソースとの間の抵
抗が、前記陽極と同じ材料からなることを特徴とする請
求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088211A JP2001272930A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088211A JP2001272930A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001272930A true JP2001272930A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18604112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088211A Pending JP2001272930A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001272930A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101009A (ja) * | 2004-12-24 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2005302738A (ja) * | 2002-01-16 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 |
| US7301513B2 (en) | 2003-06-19 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display element and display device |
| JP2008181153A (ja) * | 2008-03-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2009134116A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| US8164267B2 (en) | 2002-10-07 | 2012-04-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic apparatus |
| JP2014038342A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-02-27 | Japan Display Inc | 表示装置 |
| JP2016033661A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示パネル |
| KR20160034414A (ko) * | 2013-08-29 | 2016-03-29 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광 다이오드의 애노드 연결구조 및 그 제작방법 |
| JP6306808B1 (ja) * | 2001-11-09 | 2018-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2019070817A (ja) * | 2018-12-04 | 2019-05-09 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088211A patent/JP2001272930A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP6306808B1 (ja) * | 2001-11-09 | 2018-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2018106182A (ja) * | 2001-11-09 | 2018-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2018097383A (ja) * | 2001-11-09 | 2018-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2005302738A (ja) * | 2002-01-16 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 |
| JP4701858B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 |
| US8164267B2 (en) | 2002-10-07 | 2012-04-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic apparatus |
| US7301513B2 (en) | 2003-06-19 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display element and display device |
| JP2005101009A (ja) * | 2004-12-24 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2009134116A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2008181153A (ja) * | 2008-03-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2016527696A (ja) * | 2013-08-29 | 2016-09-08 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 有機発光ダイオードの陽極接続構造及びその製造方法 |
| KR101958525B1 (ko) | 2013-08-29 | 2019-03-14 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광 다이오드의 애노드 연결구조 및 그 제작방법 |
| KR20160034414A (ko) * | 2013-08-29 | 2016-03-29 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광 다이오드의 애노드 연결구조 및 그 제작방법 |
| JP2014038342A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-02-27 | Japan Display Inc | 表示装置 |
| US9634294B2 (en) | 2014-07-30 | 2017-04-25 | Lg Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display panel |
| JP2016033661A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示パネル |
| JP2019070817A (ja) * | 2018-12-04 | 2019-05-09 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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