JP2000242196A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動電源入力端子からの距離に起因する駆動
電源線の抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給
されるべき電流がＥＬ素子に供給して、明るい表示を得
ることができるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 表示画素を備えた表示画素領域に形成さ
れた有機ＥＬ素子１６０に駆動電源１５０からの駆動電
流を供給するための各駆動電源線１５３であって、隣接
する各表示画素に配置された各駆動電源線１５３は、表
示画素領域内においてバイパス線１８１によって各表示
画素ごとに接続されており、それによって駆動電源線１
５３の抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給さ
れるべき電流が有機ＥＬ素子に供給されて明るい表示を
得ることができる有機ＥＬ表示装置を得ることができ
る。
電源線の抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給
されるべき電流がＥＬ素子に供給して、明るい表示を得
ることができるＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 表示画素を備えた表示画素領域に形成さ
れた有機ＥＬ素子１６０に駆動電源１５０からの駆動電
流を供給するための各駆動電源線１５３であって、隣接
する各表示画素に配置された各駆動電源線１５３は、表
示画素領域内においてバイパス線１８１によって各表示
画素ごとに接続されており、それによって駆動電源線１
５３の抵抗による電源電流の低下を抑制し、本来供給さ
れるべき電流が有機ＥＬ素子に供給されて明るい表示を
得ることができる有機ＥＬ表示装置を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図３に有機ＥＬ表示装置の１表示画素を示
す平面図を示し、図４に有機ＥＬ表示装置の複数の表示
画素の等価回路図を示し、図５（ａ）に図３中のＡ−Ａ
線に沿った断面図を示し、図５（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ
線に沿った断面図を示す。
す平面図を示し、図４に有機ＥＬ表示装置の複数の表示
画素の等価回路図を示し、図５（ａ）に図３中のＡ−Ａ
線に沿った断面図を示し、図５（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ
線に沿った断面図を示す。
【０００４】図３、図４及び図５に示すように、ゲート
信号線１５１とドレイン信号線１５２とに囲まれた領域
に各表示画素が形成されている。両信号線の交点付近に
はスイッチング素子である第１のＴＦＴ１３０が備えら
れており、そのＴＦＴ１３０のソース１３１ｓは後述の
保持容量電極１５４との間で容量をなす容量電極1５５
を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦ
Ｔ１４０のゲート１４２に接続されている。第２のＴＦ
Ｔ１４０のソース１４１ｓは有機ＥＬ素子の陽極１６１
に接続され、他方のドレイン１４１ｄは有機ＥＬ素子を
駆動する駆動電源線１５３に接続されている。
信号線１５１とドレイン信号線１５２とに囲まれた領域
に各表示画素が形成されている。両信号線の交点付近に
はスイッチング素子である第１のＴＦＴ１３０が備えら
れており、そのＴＦＴ１３０のソース１３１ｓは後述の
保持容量電極１５４との間で容量をなす容量電極1５５
を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦ
Ｔ１４０のゲート１４２に接続されている。第２のＴＦ
Ｔ１４０のソース１４１ｓは有機ＥＬ素子の陽極１６１
に接続され、他方のドレイン１４１ｄは有機ＥＬ素子を
駆動する駆動電源線１５３に接続されている。
【０００５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線１
５１と並行に保持容量電極１５４が配置されている。こ
の保持容量電極１５４はクロム等から成っており、ゲー
ト絶縁膜１１２を介して第１のＴＦＴ１３０のソース１
３１ｓと接続された容量電極１５５との間で電荷を蓄積
して容量を成している。この保持容量は、第２のＴＦＴ
１４０のゲート１４２に印加される電圧を保持するため
に設けられている。
５１と並行に保持容量電極１５４が配置されている。こ
の保持容量電極１５４はクロム等から成っており、ゲー
ト絶縁膜１１２を介して第１のＴＦＴ１３０のソース１
３１ｓと接続された容量電極１５５との間で電荷を蓄積
して容量を成している。この保持容量は、第２のＴＦＴ
１４０のゲート１４２に印加される電圧を保持するため
に設けられている。
【０００６】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ１３０について説明する。
のＴＦＴ１３０について説明する。
【０００７】図３及び５（ａ）に示すように、石英ガラ
ス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上
に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点
金属からなるゲート電極１３２を兼ねたゲート信号線１
５１及びＡｌから成るドレイン信号線１５２を備えてお
り、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電
源線１５３を配置する。
ス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上
に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点
金属からなるゲート電極１３２を兼ねたゲート信号線１
５１及びＡｌから成るドレイン信号線１５２を備えてお
り、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電
源線１５３を配置する。
【０００８】続いて、ゲート絶縁膜１１２、及び多結晶
シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）膜からなる能動層１３１を順に形成し、その能動
層１３１には、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drai
n）構造が設けられている。即ち、ゲート１３２の両側
に低濃度領域１３１ＬＤとその外側に高濃度領域のソー
ス１３１ｓ及びドレイン１３１ｄが設けられている。
シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）膜からなる能動層１３１を順に形成し、その能動
層１３１には、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drai
n）構造が設けられている。即ち、ゲート１３２の両側
に低濃度領域１３１ＬＤとその外側に高濃度領域のソー
ス１３１ｓ及びドレイン１３１ｄが設けられている。
【０００９】そして、ゲート絶縁膜１１２、能動層１３
１及びストッパ絶縁膜１１４上の全面には、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１１５を設け、ドレイン１４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
１１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を設ける。
１及びストッパ絶縁膜１１４上の全面には、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１１５を設け、ドレイン１４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
１１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を設ける。
【００１０】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第２のＴＦＴ１４０について説明する。
る第２のＴＦＴ１４０について説明する。
【００１１】図５（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１４２を
設け、ゲート絶縁膜１１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層１４１を順に形成し、その能動層１４１には、ゲー
ト電極１４２上方に真性又は実質的に真性であるチャネ
ル１４１ｃと、このチャネル１４１ｃの両側に、ｐ型不
純物のイオンドーピングを施してソース１４１ｓ及びド
レイン１４１ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを構成す
る。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１４２を
設け、ゲート絶縁膜１１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる能
動層１４１を順に形成し、その能動層１４１には、ゲー
ト電極１４２上方に真性又は実質的に真性であるチャネ
ル１４１ｃと、このチャネル１４１ｃの両側に、ｐ型不
純物のイオンドーピングを施してソース１４１ｓ及びド
レイン１４１ｄを設けて、ｐ型チャネルＴＦＴを構成す
る。
【００１２】そして、ゲート絶縁膜１１２及び能動層１
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１１５を形成し、ドレイン
１４１ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填して駆動電源１５０に接続された駆動電源線
１５３を配置する。更に全面に例えば有機樹脂から成り
表面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を形成して、その
平坦化絶縁膜１１７のソース１４１ｓに対応した位置に
コンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介
してソース１４１ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium T
hin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽
極１６１を平坦化絶縁膜１１７上に設ける。
４１上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜
の順に積層された層間絶縁膜１１５を形成し、ドレイン
１４１ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填して駆動電源１５０に接続された駆動電源線
１５３を配置する。更に全面に例えば有機樹脂から成り
表面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を形成して、その
平坦化絶縁膜１１７のソース１４１ｓに対応した位置に
コンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介
してソース１４１ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium T
hin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽
極１６１を平坦化絶縁膜１１７上に設ける。
【００１３】有機ＥＬ素子１６０は、ＩＴＯ等の透明電
極から成る陽極１６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis (3-met
hylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール
輸送層１６２、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylpheny
lphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸
送層１６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含
むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウ
ム錯体）から成る発光層１６４及びＢｅｂｑ2から成る
電子輸送層１６５からなる発光素子層１６６、マグネシ
ウム・インジウム合金から成る陰極１６７がこの順番で
積層形成された構造である。この陰極１６７は、図３に
示した有機ＥＬ表示素子の全面、即ち紙面の全面に設け
られている。
極から成る陽極１６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis (3-met
hylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール
輸送層１６２、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylpheny
lphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸
送層１６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含
むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウ
ム錯体）から成る発光層１６４及びＢｅｂｑ2から成る
電子輸送層１６５からなる発光素子層１６６、マグネシ
ウム・インジウム合金から成る陰極１６７がこの順番で
積層形成された構造である。この陰極１６７は、図３に
示した有機ＥＬ表示素子の全面、即ち紙面の全面に設け
られている。
【００１４】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【００１５】このように、第１のＴＦＴ１３０のソース
１３１ｓから印加された電荷が保持容量１７０に蓄積さ
れるとともに第２のＴＦＴ１４０のゲート１４２に印加
されてその電圧に応じて有機ＥＬ素子は発光する。
１３１ｓから印加された電荷が保持容量１７０に蓄積さ
れるとともに第２のＴＦＴ１４０のゲート１４２に印加
されてその電圧に応じて有機ＥＬ素子は発光する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図４に示す
ように有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源に接続された各
駆動電源線は、表示画素領域外に設けた駆動電源入力端
子１８０に接続されており、そして縦に並んだ表示画素
ごとに接続されて配置されている。そのため、駆動電源
入力端子１８０から遠ざかるにつれて電源線の抵抗がそ
の長さに応じて大きくなるので、駆動電源入力端子１８
０から遠い位置にある表示画素の有機ＥＬ素子１６０に
は本来供給されるべき電流が印加されなくなり、表示が
暗くなるという欠点があった。
ように有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源に接続された各
駆動電源線は、表示画素領域外に設けた駆動電源入力端
子１８０に接続されており、そして縦に並んだ表示画素
ごとに接続されて配置されている。そのため、駆動電源
入力端子１８０から遠ざかるにつれて電源線の抵抗がそ
の長さに応じて大きくなるので、駆動電源入力端子１８
０から遠い位置にある表示画素の有機ＥＬ素子１６０に
は本来供給されるべき電流が印加されなくなり、表示が
暗くなるという欠点があった。
【００１７】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、駆動電源線の抵抗による電源電
流の低下を抑制し、本来供給されるべき電流がＥＬ素子
に供給して、明るい表示を得ることができるＥＬ表示装
置を提供することを目的とする。
て為されたものであり、駆動電源線の抵抗による電源電
流の低下を抑制し、本来供給されるべき電流がＥＬ素子
に供給して、明るい表示を得ることができるＥＬ表示装
置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子と、半導体膜から成る能動層のドレイン
がドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線に
それぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、半導体
膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッ
センス素子の駆動電源線に接続され、ゲートが前記第１
の薄膜トランジスタのソースに接続され、ソースが前記
エレクトロルミネッセンス素子に接続された第２の薄膜
トランジスタとを備えた表示画素がマトリクス状に配列
して成る表示画素領域を有するエレクトロルミネッセン
ス表示装置であって、隣接する前記各表示画素に配置さ
れた前記各駆動電源線が、前記表示画素領域においてバ
イパス線によって接続されているものである。
は、陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミ
ネッセンス素子と、半導体膜から成る能動層のドレイン
がドレイン信号線に接続され、ゲートがゲート信号線に
それぞれ接続された第１の薄膜トランジスタと、半導体
膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッ
センス素子の駆動電源線に接続され、ゲートが前記第１
の薄膜トランジスタのソースに接続され、ソースが前記
エレクトロルミネッセンス素子に接続された第２の薄膜
トランジスタとを備えた表示画素がマトリクス状に配列
して成る表示画素領域を有するエレクトロルミネッセン
ス表示装置であって、隣接する前記各表示画素に配置さ
れた前記各駆動電源線が、前記表示画素領域においてバ
イパス線によって接続されているものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明のＥＬ表示装置について以
下に説明する。
下に説明する。
【００２０】図１に本発明を有機ＥＬ表示装置に適用し
た場合の１表示画素を示す平面図を示し、図２に有機Ｅ
Ｌ表示装置の複数の表示画素の等価回路図を示す。な
お、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図、及び図１中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図は前述の図５と同じであるので図
示を省略する。
た場合の１表示画素を示す平面図を示し、図２に有機Ｅ
Ｌ表示装置の複数の表示画素の等価回路図を示す。な
お、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図、及び図１中のＢ
−Ｂ線に沿った断面図は前述の図５と同じであるので図
示を省略する。
【００２１】なお、本実施の形態においては、第１及び
第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１
３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴを採
用した場合であり、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いた場
合を示す。またゲート電極１１，４２がダブルゲート構
造であるＴＦＴの場合を示す。
第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層１
３の下方に設けたいわゆるボトムゲート型のＴＦＴを採
用した場合であり、能動層としてｐ−Ｓｉ膜を用いた場
合を示す。またゲート電極１１，４２がダブルゲート構
造であるＴＦＴの場合を示す。
【００２２】また、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成
樹脂などから成る基板１１０、又は導電性を有する基板
あるいは半導体等の基板上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶
縁膜を形成した基板１１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素
子を順に積層形成して成る。
樹脂などから成る基板１１０、又は導電性を有する基板
あるいは半導体等の基板上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶
縁膜を形成した基板１１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素
子を順に積層形成して成る。
【００２３】図１及び図２に示すように、ゲート信号線
１５１とドレイン信号線１５２とに囲まれた領域に表示
画素が形成されている。有機ＥＬ素子１６０及びＴＦＴ
１３０，１４０を備えた表示画素が基板１１０上にマト
リクス状に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形
成される。
１５１とドレイン信号線１５２とに囲まれた領域に表示
画素が形成されている。有機ＥＬ素子１６０及びＴＦＴ
１３０，１４０を備えた表示画素が基板１１０上にマト
リクス状に配置されることにより有機ＥＬ表示装置が形
成される。
【００２４】両信号線の交点付近には第１のＴＦＴ１３
０が備えられており、そのＴＦＴ１３０のソース１３１
ｓは保持容量電極１５４との間で容量をなす容量電極１
５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ１４０のゲート１
４２に接続されている。第２のＴＦＴのソース１４１ｓ
は有機ＥＬ素子１６０の陽極１６１に接続され、他方の
ドレイン１４１ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
１５３に接続されている。
０が備えられており、そのＴＦＴ１３０のソース１３１
ｓは保持容量電極１５４との間で容量をなす容量電極１
５５を兼ねるとともに、第２のＴＦＴ１４０のゲート１
４２に接続されている。第２のＴＦＴのソース１４１ｓ
は有機ＥＬ素子１６０の陽極１６１に接続され、他方の
ドレイン１４１ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源線
１５３に接続されている。
【００２５】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線１
５１と並行に第１の保持容量電極１５４が配置されてい
る。この第１の容量電極１５４はクロム等から成ってお
り、ゲート絶縁膜１１２を介して第１のＴＦＴ１３０の
ソース１３１ｓと接続され多結晶シリコン膜から成る第
２の保持容量電極１５４との間で電荷を蓄積して容量を
成している。
５１と並行に第１の保持容量電極１５４が配置されてい
る。この第１の容量電極１５４はクロム等から成ってお
り、ゲート絶縁膜１１２を介して第１のＴＦＴ１３０の
ソース１３１ｓと接続され多結晶シリコン膜から成る第
２の保持容量電極１５４との間で電荷を蓄積して容量を
成している。
【００２６】スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦ
Ｔ１３０は、図１及び図５（ａ）に示すように、石英ガ
ラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上
に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１
３２を兼ねたゲート信号線１５１及びＡｌから成るドレ
イン信号線１５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電
源でありＡｌから成る駆動電源線１５３を配置する。ま
た、ゲート電極と同層にＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属か
ら成る第１の保持容量電極５４が設けられている。
Ｔ１３０は、図１及び図５（ａ）に示すように、石英ガ
ラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上
に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１
３２を兼ねたゲート信号線１５１及びＡｌから成るドレ
イン信号線１５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電
源でありＡｌから成る駆動電源線１５３を配置する。ま
た、ゲート電極と同層にＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属か
ら成る第１の保持容量電極５４が設けられている。
【００２７】続いて、ゲート絶縁膜１１２、及びｐ−Ｓ
ｉ膜からなる能動層１３１を順に積層する。ゲート電極
１３２の上方であって能動層１３１上には、ソース１３
１ｓ及びドレイン１３１ｄを形成する際のイオン注入時
にチャネル１３１ｃにイオンが入らないようにチャネル
１３１ｃを覆うマスクとして機能するＳｉＯ2膜から成
るストッパ絶縁膜１１４が設けられる。その能動層１３
１にはいわゆるＬＤＤ構造が設ける。即ち、ゲート１３
２の両側に低濃度領域１３１ＬＤとその外側に高濃度領
域の１３１ｓ及びドレイン１３１ｄが設けられている。
また、能動層のｐ−Ｓｉ膜は保持容量電極１５４上にま
で延在されており、第２の保持容量電極１５５としてゲ
ート絶縁膜１１２を介して保持容量電極１５４との間で
保持容量を成す。
ｉ膜からなる能動層１３１を順に積層する。ゲート電極
１３２の上方であって能動層１３１上には、ソース１３
１ｓ及びドレイン１３１ｄを形成する際のイオン注入時
にチャネル１３１ｃにイオンが入らないようにチャネル
１３１ｃを覆うマスクとして機能するＳｉＯ2膜から成
るストッパ絶縁膜１１４が設けられる。その能動層１３
１にはいわゆるＬＤＤ構造が設ける。即ち、ゲート１３
２の両側に低濃度領域１３１ＬＤとその外側に高濃度領
域の１３１ｓ及びドレイン１３１ｄが設けられている。
また、能動層のｐ−Ｓｉ膜は保持容量電極１５４上にま
で延在されており、第２の保持容量電極１５５としてゲ
ート絶縁膜１１２を介して保持容量電極１５４との間で
保持容量を成す。
【００２８】そして、ゲート絶縁膜１１２、能動層１３
１及びストッパ絶縁膜１１４上の全面には、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１１５を設け、ドレイン１４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
１１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を設ける。
１及びストッパ絶縁膜１１４上の全面には、ＳｉＯ
2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁
膜１１５を設け、ドレイン１４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
１１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を設ける。
【００２９】次に、有機ＥＬ素子１６０の駆動用のＴＦ
Ｔである第２のＴＦＴ１４０について説明する。
Ｔである第２のＴＦＴ１４０について説明する。
【００３０】図５（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１４２を
形成する。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１１０上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極１４２を
形成する。
【００３１】ゲート絶縁膜１１２、及びｐ−Ｓｉ膜から
なる能動層１４１を順に形成する。
なる能動層１４１を順に形成する。
【００３２】その能動層１４１には、ゲート電極１４２
上方に真性又は実質的に真性であるチャネル１４１ｃ
と、このチャネル１４１ｃの両側に、その両側をレジス
トにてカバーしてｐ型不純物である例えばボロン（Ｂ）
をイオンドーピングしてソース１４１ｓ及びドレイン１
４１ｄが設けられている。
上方に真性又は実質的に真性であるチャネル１４１ｃ
と、このチャネル１４１ｃの両側に、その両側をレジス
トにてカバーしてｐ型不純物である例えばボロン（Ｂ）
をイオンドーピングしてソース１４１ｓ及びドレイン１
４１ｄが設けられている。
【００３３】そして、ゲート絶縁膜１１２及び能動層１
４１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜１１５を形成し、ソース１４
１ｓに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源１５０に接続された駆動電源線１５
３を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面
を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を形成する。そして、
その平坦化絶縁膜１１７及び層間絶縁膜１１５のドレイ
ン１４１ｄに対応した位置にコンタクトホールを形成
し、このコンタクトホールを介してドレイン１４１ｄと
コンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ
素子の陽極１６１を平坦化絶縁膜１１７上に形成する。
４１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜１１５を形成し、ソース１４
１ｓに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属
を充填して駆動電源１５０に接続された駆動電源線１５
３を形成する。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面
を平坦にする平坦化絶縁膜１１７を形成する。そして、
その平坦化絶縁膜１１７及び層間絶縁膜１１５のドレイ
ン１４１ｄに対応した位置にコンタクトホールを形成
し、このコンタクトホールを介してドレイン１４１ｄと
コンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ
素子の陽極１６１を平坦化絶縁膜１１７上に形成する。
【００３４】有機ＥＬ素子１６０の構造は従来の技術で
説明した図５に示した構造と同じであるので説明を省略
する。
説明した図５に示した構造と同じであるので説明を省略
する。
【００３５】ここで、有機ＥＬ素子１６０に駆動電流を
供給する駆動電源線１５３について説明する。
供給する駆動電源線１５３について説明する。
【００３６】駆動電源線１５３は、表示画素領域内にお
いて、従来のように縦に並ぶいわゆる列方向に延在して
配置されており、列方向の各表示画素に接続されて駆動
電流を供給している。
いて、従来のように縦に並ぶいわゆる列方向に延在して
配置されており、列方向の各表示画素に接続されて駆動
電流を供給している。
【００３７】更に、本発明においては、各駆動電源線１
５３は隣接する各表示画素に接続された駆動電源線１５
３を、横に並ぶいわゆる行方向に延在させたバイパス線
１８１によって接続させる。即ち、隣接する表示画素に
は導電位の電圧が印加されることになる。このバイパス
線１８１はＡｌ等の材料によって形成される。
５３は隣接する各表示画素に接続された駆動電源線１５
３を、横に並ぶいわゆる行方向に延在させたバイパス線
１８１によって接続させる。即ち、隣接する表示画素に
は導電位の電圧が印加されることになる。このバイパス
線１８１はＡｌ等の材料によって形成される。
【００３８】このように、隣接する各表示画素の駆動電
源線１５３をバイパス線１８１で接続することにより、
駆動電源入力端子１８０から遠ざかるにつれて駆動電源
線１５３の配線の長さによる抵抗が増大することを抑制
できるため、各表示画素に設けられた有機ＥＬ素子１６
０に本来供給すべき電流を供給することができるので、
抵抗増大による表示の明るさの低下を防止することが可
能である。
源線１５３をバイパス線１８１で接続することにより、
駆動電源入力端子１８０から遠ざかるにつれて駆動電源
線１５３の配線の長さによる抵抗が増大することを抑制
できるため、各表示画素に設けられた有機ＥＬ素子１６
０に本来供給すべき電流を供給することができるので、
抵抗増大による表示の明るさの低下を防止することが可
能である。
【００３９】また、図１に示すように駆動電源線１５３
及びバイパス線１８１の線幅を広くすることにより、抵
抗を低減することができる。そのため、本来供給される
べき電流を各表示画素に設けた有機ＥＬ素子１６０に供
給することができ、表示が暗くなることを防止できる。
また、各線幅を広くすることにより、エレクトロマイグ
レーションの発生を防止することもできる。このときの
線幅としては例えばドレイン信号線１５２の線幅よりも
広ければよい。
及びバイパス線１８１の線幅を広くすることにより、抵
抗を低減することができる。そのため、本来供給される
べき電流を各表示画素に設けた有機ＥＬ素子１６０に供
給することができ、表示が暗くなることを防止できる。
また、各線幅を広くすることにより、エレクトロマイグ
レーションの発生を防止することもできる。このときの
線幅としては例えばドレイン信号線１５２の線幅よりも
広ければよい。
【００４０】なお、上述の実施の形態においては、ゲー
ト電極１１１，１１４がダブルゲート構造の場合につい
て説明したが、本願発明はそれに限定されるものではな
く、シングルゲートあるいは３つ以上のマルチゲート構
造を有していても本願と同様の効果を奏することが可能
である。
ト電極１１１，１１４がダブルゲート構造の場合につい
て説明したが、本願発明はそれに限定されるものではな
く、シングルゲートあるいは３つ以上のマルチゲート構
造を有していても本願と同様の効果を奏することが可能
である。
【００４１】また、上述の実施の形態においては、半導
体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。
体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。
【００４２】更に、上述の実施の形態においては、有機
ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機Ｅ
Ｌ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られ
る。
ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機Ｅ
Ｌ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られ
る。
【００４３】
【発明の効果】本発明のＥＬ表示装置は、駆動電源線の
長さによる抵抗の増大を低減し、本来供給されるべき電
流を各表示画素のＥＬ表示素子に供給して、暗い表示に
なることを防止することができるＥＬ表示装置を得るこ
とができる。
長さによる抵抗の増大を低減し、本来供給されるべき電
流を各表示画素のＥＬ表示素子に供給して、暗い表示に
なることを防止することができるＥＬ表示装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の表示画素の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図３】従来のＥＬ表示装置の表示画素の平面図であ
る。
る。
【図４】従来のＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図５】ＥＬ表示装置の断面図である。
１３０ 第１のＴＦＴ １３１ｓ、１４１ｓ ソース １３１ｄ、１４１ｄ ドレイン １３１ｃ、１４１ｃ チャネル １３１ＬＤ、１４１ＬＤ ＬＤＤ領域 １３２、１４２ ゲート １４０ 第２のＴＦＴ １５３ 駆動電源線 １５４ 第１の保持容量電極 １５５ 第２の保持容量電極 １６０ 有機ＥＬ素子 １８１ バイパス線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 努 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 CA01 DA02 GA04 5C094 AA10 AA25 BA03 BA29 CA19 DB04 EA10
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するエレ
クトロルミネッセンス素子と、半導体膜から成る能動層
のドレインがドレイン信号線に接続され、ゲートがゲー
ト信号線にそれぞれ接続された第１の薄膜トランジスタ
と、半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクト
ロルミネッセンス素子の駆動電源線に接続され、ゲート
が前記第１の薄膜トランジスタのソースに接続され、ソ
ースが前記エレクトロルミネッセンス素子に接続された
第２の薄膜トランジスタとを備えた表示画素がマトリク
ス状に配列して成る表示画素領域を有するエレクトロル
ミネッセンス表示装置であって、隣接する前記各表示画
素に配置された前記各駆動電源線が、前記表示画素領域
においてバイパス線によって接続されていることを特徴
とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046741A JP2000242196A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TW089102238A TW451597B (en) | 1999-02-24 | 2000-02-11 | Electroluminescence display device |
| KR1020000008688A KR20010014501A (ko) | 1999-02-24 | 2000-02-23 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
| US09/510,853 US6724149B2 (en) | 1999-02-24 | 2000-02-23 | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance |
| US10/748,928 US7009345B2 (en) | 1999-02-24 | 2003-12-30 | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046741A JP2000242196A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000242196A true JP2000242196A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12755767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046741A Pending JP2000242196A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000242196A (ja) |
| KR (1) | KR20010014501A (ja) |
| TW (1) | TW451597B (ja) |
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| CN100514399C (zh) * | 2001-05-31 | 2009-07-15 | 索尼株式会社 | 有源矩阵型显示设备 |
| JP2009157156A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Sony Corp | 画素回路および表示装置 |
| US7977678B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
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| US8164267B2 (en) | 2002-10-07 | 2012-04-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic apparatus |
| US8610645B2 (en) | 2000-05-12 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9035855B2 (en) | 2003-07-08 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
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| KR100453635B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
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