JP4637873B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4637873B2 JP4637873B2 JP2007157811A JP2007157811A JP4637873B2 JP 4637873 B2 JP4637873 B2 JP 4637873B2 JP 2007157811 A JP2007157811 A JP 2007157811A JP 2007157811 A JP2007157811 A JP 2007157811A JP 4637873 B2 JP4637873 B2 JP 4637873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- film
- layer
- line
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 382
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 226
- 239000000463 material Substances 0.000 description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 description 85
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 35
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 34
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 22
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 17
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical class [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリシリコンなどの多結晶半導体膜を用いたTFTは、従来のアモルファスシリコン等の非晶質半導体膜を用いたTFTよりも電界効果移動度(モビリティともいう)が高いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。
画素部の電源供給線の外部への引き出しを一方向だけでなく、複数の方向へ引き出す。
本実施の形態では、電源供給線の引き回し部の配線は、小単位にまとめて、それぞれの引き出し口の、複数の隣接ではない外部入力端子に引き出される。
電源供給線に流れる電流は、前述したように大型の表示装置においては大電流になり得る。そのような場合に、画素領域から外部入力端子までの引き回しの配線抵抗による電位降下の影響は無視できない。
図2に本発明の画素部の構成を示す回路図を示す。
をA-A'で切断した断面図を図6(B)に示す。
このNi含有層の形成に関しては、前記公報を参考にすれば良い。
)
6906及びカラーフィルタ(B)(図示せず)がカバー材6804に形成されている点に特徴がある。本実施例のEL素子の構造とした場合、発光層から発した光の放射方向がカバー材側に向かうため、図22の構造とすればその光の経路にカラーフィルタを設置することができる。
を添加する。p型不純物元素としては、代表的には13族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程(チャネルドープ工程という)はTFTのしきい値電圧を制御するための工程である。
を添加する。なお、n型不純物元素としては、代表的には15族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いることができる。なお、本実施例ではフォスフィン(PH3)を質量分離しないでプラズマ励起したプラズマドーピング法を用い、リンを1×1018atoms/cm3の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。
を添加する。p型不純物元素としては、代表的には13族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程(チャネルドープ工程という)はTFTのしきい値電圧を制御するための工程である。
Claims (4)
- 複数の第1の信号線と、複数の第2の信号線と、複数の第1の電源線と、複数の第2の電源線と、複数の画素とを有し、
ビデオ信号は、前記第1の信号線に入力され、
選択信号は、前記第2の信号線に入力され、
前記第1の信号線は、前記第2の信号線と交差するように設けられ、
前記第1の信号線は、前記第2の電源線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の信号線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の電源線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の電源線と電気的に接続され、
前記画素は、第1の薄膜トランジスタと、第2の薄膜トランジスタと、画素電極を有するEL素子とを有し、
前記第1の薄膜トランジスタのゲートは、前記第2の信号線と電気的に接続され、
前記第2の薄膜トランジスタは、前記第1の薄膜トランジスタを介して前記第1の信号線から供給される前記ビデオ信号に応じて、前記EL素子に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第1の電源線及び前記第2の電源線は、前記第2の薄膜トランジスタを介して前記EL素子に前記電流を供給する機能を有し、
前記第2の薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方は、第1の絶縁膜に設けられた第1のコンタクトホールを介して導電膜に電気的に接続され、
前記導電膜は、第2の絶縁膜に設けられた第2のコンタクトホールを介して前記画素電極に電気的に接続され、
前記第1の信号線、前記第1の電源線、及び前記導電膜は、前記第1の絶縁膜上であって、かつ前記第2の信号線及び前記第2の電源線とは異なる層に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 複数の第1の信号線と、複数の第2の信号線と、複数の第1の電源線と、複数の第2の電源線と、複数の画素とを有し、
ビデオ信号は、前記第1の信号線に入力され、
選択信号は、前記第2の信号線に入力され、
前記第1の信号線は、前記第2の信号線と交差するように設けられ、
前記第1の信号線は、前記第2の電源線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の信号線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の電源線と交差するように設けられ、
前記第1の電源線は、前記第2の電源線と電気的に接続され、
前記画素は、第1の薄膜トランジスタと、第2の薄膜トランジスタと、画素電極を有するEL素子とを有し、
前記第1の薄膜トランジスタのゲートは、前記第2の信号線と電気的に接続され、
前記第2の薄膜トランジスタは、前記第1の薄膜トランジスタを介して前記第1の信号線から供給される前記ビデオ信号に応じて、前記EL素子に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第1の電源線及び前記第2の電源線は、前記第2の薄膜トランジスタを介して前記EL素子に前記電流を供給する機能を有し、
前記第2の薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方は、第1の絶縁膜に設けられた第1のコンタクトホールを介して導電膜に電気的に接続され、
前記導電膜は、第2の絶縁膜に設けられた第2のコンタクトホールを介して前記画素電極に電気的に接続され、
前記第1の信号線、前記第1の電源線、及び前記導電膜は、第1の導電材料を用いて形成され、
前記第2の信号線及び前記第2の電源線は、第2の導電材料を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記画素電極は、透明導電膜を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記表示装置を用いたことを特徴とするテレビ受像器、電話機、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ゲーム機、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007157811A JP4637873B2 (ja) | 2000-05-12 | 2007-06-14 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000140513 | 2000-05-12 | ||
JP2007157811A JP4637873B2 (ja) | 2000-05-12 | 2007-06-14 | 表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001140325A Division JP2002032037A (ja) | 2000-05-12 | 2001-05-10 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007299003A JP2007299003A (ja) | 2007-11-15 |
JP4637873B2 true JP4637873B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=38768473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007157811A Expired - Lifetime JP4637873B2 (ja) | 2000-05-12 | 2007-06-14 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4637873B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7977678B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
JP2012163651A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Sony Corp | 有機el表示装置及び電子機器 |
JP6217161B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-10-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234785A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-24 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 大型表示装置 |
JPH10284690A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びその電源配線方法 |
JPH1124606A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP2000242196A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001100654A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2002032037A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
2007
- 2007-06-14 JP JP2007157811A patent/JP4637873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04234785A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-24 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 大型表示装置 |
JPH10284690A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びその電源配線方法 |
JPH1124606A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP2000242196A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001100654A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2002032037A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007299003A (ja) | 2007-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6586537B2 (ja) | 表示装置 | |
US10867557B2 (en) | Display device | |
JP6419229B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4831862B2 (ja) | 電子装置 | |
JP2002032037A (ja) | 表示装置 | |
JP4637873B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4637873 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |