JP2004264634A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004264634A JP2004264634A JP2003055336A JP2003055336A JP2004264634A JP 2004264634 A JP2004264634 A JP 2004264634A JP 2003055336 A JP2003055336 A JP 2003055336A JP 2003055336 A JP2003055336 A JP 2003055336A JP 2004264634 A JP2004264634 A JP 2004264634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gate
- pixel
- drain
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L2029/7863—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile with an LDD consisting of more than one lightly doped zone or having a non-homogeneous dopant distribution, e.g. graded LDD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
【課題】有機ＥＬ素子が僅かに発光し、微輝度として表示に現れてしまうという問題を解消する。
【解決手段】ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上にゲート絶縁層１０２が形成されている。ゲート絶縁層１０２上にゲート１３ｇが延在している。能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース・ドレインが形成されている。ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層はボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層である。Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。また、ドレイン１３ｄも互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。
【選択図】 図２
【解決手段】ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上にゲート絶縁層１０２が形成されている。ゲート絶縁層１０２上にゲート１３ｇが延在している。能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース・ドレインが形成されている。ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層はボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層である。Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。また、ドレイン１３ｄも互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンス表示装置に関し、各画素毎に、画素選択用トランジスタと、エレクトロルミネッセンス素子を電流駆動するための駆動用トランジスタと、を有するエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「有機ＥＬ」と略称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特に、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と略称する）を備えた有機ＥＬ表示装置が開発されている。
【０００３】
図４に、有機ＥＬ表示パネル内の一画素の等価回路図を示す。実際の有機ＥＬ表示パネルでは、この画素がｎ行ｍ列のマトリクスに多数配置されている。ゲート信号Ｇｎを供給するゲート信号線１０と、表示信号Ｄｍを供給するドレイン信号線１１とが互いに交差している。
【０００４】
それらの両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素子１２及びこの有機ＥＬ素子１２を駆動する駆動用ＴＦＴ１３、画素を選択するための画素選択用ＴＦＴ１４が配置されている。
【０００５】
駆動用ＴＦＴ１３のソース１３ｓには、電源ライン１５から正電源電圧ＰＶｄｄが供給されている。また、そのドレイン１３ｄは有機ＥＬ素子１２のアノード（陽極）に接続されている。有機ＥＬ素子１２のカソード（陰極）には負電原電圧ＣＶが供給されている。
【０００６】
画素選択用ＴＦＴ１４のゲートにはゲート信号線１０が接続されることによりゲート信号Ｇｎが供給され、そのドレイン１４ｄにはドレイン信号線１１が接続され、表示信号Ｄｍが供給される。画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓは駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇに接続されている。ここで、ゲート信号Ｇｎは不図示の垂直ドライバ回路から出力される。表示信号Ｄｍは不図示の水平ドライバ回路から出力される。
【０００７】
また、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇには保持容量Ｃｓが接続されている。保持容量Ｃｓは表示信号Ｄｍに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間、表示画素の表示信号を保持するために設けられている。
【０００８】
上述した構成のＥＬ表示装置の動作を説明する。ゲート信号Ｇｎが一水平期間ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４がオンする。すると、ドレイン信号線１１から表示信号Ｄｍが画素選択用ＴＦＴ１４を通して、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇに印加される。
【０００９】
そして、そのゲート１３ｇに供給された表示信号Ｄｍに応じて、駆動用ＴＦＴ１３のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ１３を通して有機ＥＬ素子１２に供給され、有機ＥＬ素子１２が点灯する。そのゲート１３ｇに供給された表示信号Ｄｍに応じて、駆動用ＴＦＴ１３がオフ状態の場合には、駆動用ＴＦＴ１３には電流が流れないため、有機ＥＬ素子１２も消灯する。
【００１０】
従来、画素選択用ＴＦＴ１４はＮチャネル型で構成され、駆動用ＴＦＴ１３はＰチャネル型で構成されていた。
【００１１】
なお、関連する先行技術文献には、例えば以下の特許文献１がある。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−１７５０２９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来、画素選択用ＴＦＴ１４については、オフ時に流れるリーク電流によりゲート１３ｇのレベルが変動するのを防止するため、係るリーク電流を低減するためにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造が採用されていた。しかしながら、駆動用ＴＦＴ１３については通常の高濃度のソース・ドレイン構造が採用されていた。
【００１４】
このため、駆動用ＴＦＴ１３がそのゲート電圧によりオフ状態に設定されていても、電源ライン１５から僅かなに駆動電流（リーク電流）が流れ、有機ＥＬ素子１２が僅かに発光し、微輝度として表示に現れてしまうという問題があった。このリーク電流は本発明者の検討によれば、ゲート１３ｇとドレイン１３ｄの間、あるいはゲート１３ｇとソース１３ｓとの間で生じるものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、複数の画素を備え、各画素は、ゲート信号に応じて各画素を選択するための画素選択用トランジスタと、エレクトロルミネッセンス素子と、前記画素選択用トランジスタを通して供給される表示信号に応じて前記エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動用トランジスタとを有し、前記駆動用トランジスタをＬＤＤ構造で形成したことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、この有機ＥＬ表示装置の一画素のパターンレイアウト例を示す図（平面図）である。また、図２及び図３は図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。この有機ＥＬ装置の等価回路は図４と同様である。
【００１７】
ゲート信号Ｇｎを供給するゲート信号線１０が行方向に延在し、表示信号Ｄｍを供給するドレイン信号線１１が行方向に延在し、これらの信号線が互いに立体的に交差している。ゲート信号線１０は、クロム層若しくはモリブデン層等から成り、ドレイン信号線１１はその上層のアルミニウム層等から成る。
【００１８】
画素選択用ＴＦＴ１４はＮチャネル型のポリシリコンＴＦＴである。この画素選択用ＴＦＴ１４は、ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層２０上に、ゲート絶縁層が形成され、そのゲート絶縁層上に、ゲート信号線１０から延びた２つのゲート２１，２２が形成され、ダブルゲート構造を成している。
【００１９】
また、この画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｄは、ドレイン信号線１１とコタクト２２を介して接続されている。画素選択用ＴＦＴ１４のドレイン１４ｓを構成しているポリシリコン層は、保持容量領域に延在され、その上層の保持容量線２３は容量絶縁膜を介してオーバーラップしており、このオーバーラップ部分で保持容量Ｃｓが形成されている。
【００２０】
そして、画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓから延びたポリシリコン層は、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇにアルミニウム配線２４を介して接続されている。
【００２１】
駆動用ＴＦＴ１３はＰチャネル型のポリシリコンＴＦＴであり、ＬＤＤ構造を有している。この駆動用ＴＦＴ１３の構造について図２及び図３を参照しながら詳しく説明する。まず、図２に示す駆動用ＴＦＴ１３の構造について説明する。
【００２２】
ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上に、ゲート絶縁層１０２が形成されている。ゲート絶縁層１０２は、能動層１０１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とシリコン窒化膜（ＳｉＮＸ）がこの順番で積層して形成されている。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の膜厚は８０ｎｍ、シリコン窒化膜（ＳｉＮＸ）の膜厚は４０ｎｍである。
【００２３】
そのゲート絶縁層１０２上に、クロム層若しくはモリブデン層等から成るゲート１３ｇが延在している。このゲート１３ｇ上には、層間絶縁膜１０３が形成されている。更にこの層間絶縁膜１０３上には平坦化絶縁膜１０４が形成されている。
【００２４】
ここで、能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース及びドレインが形成されている。すなわち、ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層は例えばボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層であり、このＰ＋層はその上に形成されたコンタクト孔２５を通して正電源電圧ＰＶｄｄが供給された電源ライン１５に接続されている。このようにＰ＋層はコンタクト領域に形成されている。
【００２５】
一方、Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。Ｐ−層はゲート１３ｇのエッジに対して、ゲート１３ｇのエッジから離れた位置（図中のオフセット長ＯＦだけ離す）に形成されている。このオフセット領域は不純物のノンドープ領域である。これにより、ゲート１３ｇとソース１３ｓの間のリーク電流を更に低減することができる。
【００２６】
また、ドレイン１３ｄも互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層は例えばボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層であり、このＰ＋層はその上に形成されたコンタクト孔２６を通して、有機ＥＬ素子１２のアノード３０（陽極）に接続されている。このようにＰ＋層はコンタクト領域に形成されている。
【００２７】
一方、Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。Ｐ−層はソース１３ｓと同様にゲート１３ｇのエッジから離れた位置（図中のオフセット長ＯＦだけ離す）に形成されている。このオフセット領域は同様に不純物のノンドープ領域である。これにより、ゲート１３ｇとドレインｄの間のリーク電流を更に低減することができる。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子１３のアノード３０の上に、ホール輸送層３１、発光層３２、電子輸送層３３が積層され、さらにこの上にカソード３４が形成されている。
【００２９】
上記のように、図２の駆動用ＴＦＴ構造１３は、オフセット領域を有したＬＤＤ構造である。これに対して、図３に示す駆動用ＴＦＴ構造１３は、オフセット領域を有していない。係る駆動用ＴＦＴ１３の構造では、Ｐ−層はイオン注入によりゲート１３ｇのエッジに対して自己整合的に形成される。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の有機ＥＬ装置によれば、各画素内に設けられた有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタをＬＤＤ構造で形成したので、当該駆動用トランジスタがオフ状態のときのリーク電流が低減され、有機ＥＬ素子が僅かに発光し、微輝度として表示に現れてしまうという問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のパターンレイアウト図である。
【図２】駆動用ＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図３】駆動用ＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図４】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の等価回路図である。
【符号の説明】
１０ ゲート信号線 １１ ドレイン信号線 １２ 有機ＥＬ素子
１３ 駆動用ＴＦＴ １３ｇ ゲート １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １４ 画素選択用ＴＦＴ １５ 電源ライン
２０ 能動層 ２１，２２ ゲート ２２ コンタクト
２３ 保持容量線 ２４ アルミニウム配線 ２５，２６ コンタクト孔３０ アノード ３１ ホール輸送層 ３２ 発光層
３３ 電子輸送層 ３４ カソード
１００ 絶縁性基板 １０１ 能動層 １０２ ゲート絶縁層 １０３ 層間絶縁層 １０４ 平坦化絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンス表示装置に関し、各画素毎に、画素選択用トランジスタと、エレクトロルミネッセンス素子を電流駆動するための駆動用トランジスタと、を有するエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「有機ＥＬ」と略称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特に、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と略称する）を備えた有機ＥＬ表示装置が開発されている。
【０００３】
図４に、有機ＥＬ表示パネル内の一画素の等価回路図を示す。実際の有機ＥＬ表示パネルでは、この画素がｎ行ｍ列のマトリクスに多数配置されている。ゲート信号Ｇｎを供給するゲート信号線１０と、表示信号Ｄｍを供給するドレイン信号線１１とが互いに交差している。
【０００４】
それらの両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素子１２及びこの有機ＥＬ素子１２を駆動する駆動用ＴＦＴ１３、画素を選択するための画素選択用ＴＦＴ１４が配置されている。
【０００５】
駆動用ＴＦＴ１３のソース１３ｓには、電源ライン１５から正電源電圧ＰＶｄｄが供給されている。また、そのドレイン１３ｄは有機ＥＬ素子１２のアノード（陽極）に接続されている。有機ＥＬ素子１２のカソード（陰極）には負電原電圧ＣＶが供給されている。
【０００６】
画素選択用ＴＦＴ１４のゲートにはゲート信号線１０が接続されることによりゲート信号Ｇｎが供給され、そのドレイン１４ｄにはドレイン信号線１１が接続され、表示信号Ｄｍが供給される。画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓは駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇに接続されている。ここで、ゲート信号Ｇｎは不図示の垂直ドライバ回路から出力される。表示信号Ｄｍは不図示の水平ドライバ回路から出力される。
【０００７】
また、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇには保持容量Ｃｓが接続されている。保持容量Ｃｓは表示信号Ｄｍに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間、表示画素の表示信号を保持するために設けられている。
【０００８】
上述した構成のＥＬ表示装置の動作を説明する。ゲート信号Ｇｎが一水平期間ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４がオンする。すると、ドレイン信号線１１から表示信号Ｄｍが画素選択用ＴＦＴ１４を通して、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇに印加される。
【０００９】
そして、そのゲート１３ｇに供給された表示信号Ｄｍに応じて、駆動用ＴＦＴ１３のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ１３を通して有機ＥＬ素子１２に供給され、有機ＥＬ素子１２が点灯する。そのゲート１３ｇに供給された表示信号Ｄｍに応じて、駆動用ＴＦＴ１３がオフ状態の場合には、駆動用ＴＦＴ１３には電流が流れないため、有機ＥＬ素子１２も消灯する。
【００１０】
従来、画素選択用ＴＦＴ１４はＮチャネル型で構成され、駆動用ＴＦＴ１３はＰチャネル型で構成されていた。
【００１１】
なお、関連する先行技術文献には、例えば以下の特許文献１がある。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−１７５０２９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来、画素選択用ＴＦＴ１４については、オフ時に流れるリーク電流によりゲート１３ｇのレベルが変動するのを防止するため、係るリーク電流を低減するためにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造が採用されていた。しかしながら、駆動用ＴＦＴ１３については通常の高濃度のソース・ドレイン構造が採用されていた。
【００１４】
このため、駆動用ＴＦＴ１３がそのゲート電圧によりオフ状態に設定されていても、電源ライン１５から僅かなに駆動電流（リーク電流）が流れ、有機ＥＬ素子１２が僅かに発光し、微輝度として表示に現れてしまうという問題があった。このリーク電流は本発明者の検討によれば、ゲート１３ｇとドレイン１３ｄの間、あるいはゲート１３ｇとソース１３ｓとの間で生じるものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、複数の画素を備え、各画素は、ゲート信号に応じて各画素を選択するための画素選択用トランジスタと、エレクトロルミネッセンス素子と、前記画素選択用トランジスタを通して供給される表示信号に応じて前記エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動用トランジスタとを有し、前記駆動用トランジスタをＬＤＤ構造で形成したことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、この有機ＥＬ表示装置の一画素のパターンレイアウト例を示す図（平面図）である。また、図２及び図３は図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。この有機ＥＬ装置の等価回路は図４と同様である。
【００１７】
ゲート信号Ｇｎを供給するゲート信号線１０が行方向に延在し、表示信号Ｄｍを供給するドレイン信号線１１が行方向に延在し、これらの信号線が互いに立体的に交差している。ゲート信号線１０は、クロム層若しくはモリブデン層等から成り、ドレイン信号線１１はその上層のアルミニウム層等から成る。
【００１８】
画素選択用ＴＦＴ１４はＮチャネル型のポリシリコンＴＦＴである。この画素選択用ＴＦＴ１４は、ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層２０上に、ゲート絶縁層が形成され、そのゲート絶縁層上に、ゲート信号線１０から延びた２つのゲート２１，２２が形成され、ダブルゲート構造を成している。
【００１９】
また、この画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｄは、ドレイン信号線１１とコタクト２２を介して接続されている。画素選択用ＴＦＴ１４のドレイン１４ｓを構成しているポリシリコン層は、保持容量領域に延在され、その上層の保持容量線２３は容量絶縁膜を介してオーバーラップしており、このオーバーラップ部分で保持容量Ｃｓが形成されている。
【００２０】
そして、画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓから延びたポリシリコン層は、駆動用ＴＦＴ１３のゲート１３ｇにアルミニウム配線２４を介して接続されている。
【００２１】
駆動用ＴＦＴ１３はＰチャネル型のポリシリコンＴＦＴであり、ＬＤＤ構造を有している。この駆動用ＴＦＴ１３の構造について図２及び図３を参照しながら詳しく説明する。まず、図２に示す駆動用ＴＦＴ１３の構造について説明する。
【００２２】
ガラス基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成されたポリシリコン層から成る能動層１０１上に、ゲート絶縁層１０２が形成されている。ゲート絶縁層１０２は、能動層１０１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とシリコン窒化膜（ＳｉＮＸ）がこの順番で積層して形成されている。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の膜厚は８０ｎｍ、シリコン窒化膜（ＳｉＮＸ）の膜厚は４０ｎｍである。
【００２３】
そのゲート絶縁層１０２上に、クロム層若しくはモリブデン層等から成るゲート１３ｇが延在している。このゲート１３ｇ上には、層間絶縁膜１０３が形成されている。更にこの層間絶縁膜１０３上には平坦化絶縁膜１０４が形成されている。
【００２４】
ここで、能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース及びドレインが形成されている。すなわち、ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層は例えばボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層であり、このＰ＋層はその上に形成されたコンタクト孔２５を通して正電源電圧ＰＶｄｄが供給された電源ライン１５に接続されている。このようにＰ＋層はコンタクト領域に形成されている。
【００２５】
一方、Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。Ｐ−層はゲート１３ｇのエッジに対して、ゲート１３ｇのエッジから離れた位置（図中のオフセット長ＯＦだけ離す）に形成されている。このオフセット領域は不純物のノンドープ領域である。これにより、ゲート１３ｇとソース１３ｓの間のリーク電流を更に低減することができる。
【００２６】
また、ドレイン１３ｄも互いに隣接して接触されたＰ−層とＰ＋層から構成されている。Ｐ＋層は例えばボロンの不純物濃度が１×１０２０／ｃｃ程度の高濃度層であり、このＰ＋層はその上に形成されたコンタクト孔２６を通して、有機ＥＬ素子１２のアノード３０（陽極）に接続されている。このようにＰ＋層はコンタクト領域に形成されている。
【００２７】
一方、Ｐ−層はＰ＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０１８／ｃｃ程度の低濃度層である。Ｐ−層はソース１３ｓと同様にゲート１３ｇのエッジから離れた位置（図中のオフセット長ＯＦだけ離す）に形成されている。このオフセット領域は同様に不純物のノンドープ領域である。これにより、ゲート１３ｇとドレインｄの間のリーク電流を更に低減することができる。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子１３のアノード３０の上に、ホール輸送層３１、発光層３２、電子輸送層３３が積層され、さらにこの上にカソード３４が形成されている。
【００２９】
上記のように、図２の駆動用ＴＦＴ構造１３は、オフセット領域を有したＬＤＤ構造である。これに対して、図３に示す駆動用ＴＦＴ構造１３は、オフセット領域を有していない。係る駆動用ＴＦＴ１３の構造では、Ｐ−層はイオン注入によりゲート１３ｇのエッジに対して自己整合的に形成される。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の有機ＥＬ装置によれば、各画素内に設けられた有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタをＬＤＤ構造で形成したので、当該駆動用トランジスタがオフ状態のときのリーク電流が低減され、有機ＥＬ素子が僅かに発光し、微輝度として表示に現れてしまうという問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置のパターンレイアウト図である。
【図２】駆動用ＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図３】駆動用ＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図４】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装置の等価回路図である。
【符号の説明】
１０ ゲート信号線 １１ ドレイン信号線 １２ 有機ＥＬ素子
１３ 駆動用ＴＦＴ １３ｇ ゲート １３ｓ ソース １３ｄ ドレイン １４ 画素選択用ＴＦＴ １５ 電源ライン
２０ 能動層 ２１，２２ ゲート ２２ コンタクト
２３ 保持容量線 ２４ アルミニウム配線 ２５，２６ コンタクト孔３０ アノード ３１ ホール輸送層 ３２ 発光層
３３ 電子輸送層 ３４ カソード
１００ 絶縁性基板 １０１ 能動層 １０２ ゲート絶縁層 １０３ 層間絶縁層 １０４ 平坦化絶縁膜
Claims (3)
- 複数の画素を備え、各画素は、ゲート信号に応じて各画素を選択するための画素選択用トランジスタと、エレクトロルミネッセンス素子と、前記画素選択用トランジスタを通して供給される表示信号に応じて前記エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動用トランジスタとを有し、前記駆動用トランジスタがＰチャネル型であると共に、ＬＤＤ構造で形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記駆動用トランジスタの能動層にオフセット領域を設けたことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記駆動用トランジスタは、１×１０２０／ｃｃ以上のＰ型不純物を含み、電極が形成される高濃度領域と、１×１０１８／ｃｃ以下のＰ型不純物を含み、前記高濃度領域及びチャネル領域の間に配置される低濃度領域と、を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003055336A JP2004264634A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TW093101937A TWI233579B (en) | 2003-03-03 | 2004-01-29 | Electroluminescence display device |
| CNB2004100061478A CN1270204C (zh) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | 电致发光显示装置 |
| US10/790,248 US20040217355A1 (en) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | Electroluminescent display device |
| KR1020040013944A KR20040078560A (ko) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003055336A JP2004264634A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004264634A true JP2004264634A (ja) | 2004-09-24 |
| JP2004264634A5 JP2004264634A5 (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=33119376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003055336A Pending JP2004264634A (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040217355A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004264634A (ja) |
| KR (1) | KR20040078560A (ja) |
| CN (1) | CN1270204C (ja) |
| TW (1) | TWI233579B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100739065B1 (ko) | 2005-11-29 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100739574B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US7576354B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| JP2010272845A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-12-02 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP2011209612A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電気器具 |
| JP2002151276A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| JP2002151269A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2002261007A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000214800A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6677613B1 (en) * | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6512504B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| US8853696B1 (en) * | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| TW540251B (en) * | 1999-09-24 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for driving the same |
| US6876145B1 (en) * | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| JP3899886B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-03-28 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
| KR100940342B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
| JP4275336B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2009-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN1209662C (zh) * | 2001-12-17 | 2005-07-06 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及电子机器 |
| JP2004095671A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ、スイッチング回路、アクティブ素子基板、電気光学装置、電子機器、サーマルヘッド、液滴吐出ヘッド、印刷装置、薄膜トランジスタ駆動発光表示装置 |
| TWI248682B (en) * | 2003-09-18 | 2006-02-01 | Au Optronics Corp | Control TFT for OLDE display |
| TWI252602B (en) * | 2003-10-09 | 2006-04-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure of active organic light emitting diode |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055336A patent/JP2004264634A/ja active Pending
-
2004
- 2004-01-29 TW TW093101937A patent/TWI233579B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-02 US US10/790,248 patent/US20040217355A1/en not_active Abandoned
- 2004-03-02 CN CNB2004100061478A patent/CN1270204C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-02 KR KR1020040013944A patent/KR20040078560A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置及び電気器具 |
| JP2002151276A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| JP2002151269A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2002261007A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100739065B1 (ko) | 2005-11-29 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100739574B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US7576354B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| JP2010272845A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-12-02 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP2011209612A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI233579B (en) | 2005-06-01 |
| CN1527105A (zh) | 2004-09-08 |
| CN1270204C (zh) | 2006-08-16 |
| US20040217355A1 (en) | 2004-11-04 |
| TW200417949A (en) | 2004-09-16 |
| KR20040078560A (ko) | 2004-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW508974B (en) | Electroluminescent display device | |
| JP4334045B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| US6724149B2 (en) | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance | |
| US7456431B2 (en) | Organic light emitting display | |
| KR101100885B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 | |
| US20130056784A1 (en) | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same | |
| US20060244696A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| TW201503330A (zh) | 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 | |
| JP2000231346A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| KR102465559B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치 | |
| JP2000221903A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2000242196A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| KR20170061778A (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| US9590022B2 (en) | Dual emitting device for active matrix organic electroluminescence | |
| US9293516B2 (en) | Display device | |
| US7129524B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| JP2001282137A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001100655A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR100495701B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법 | |
| US20080197354A1 (en) | Thin film transistor, an organic light emitting device including the same, and a manufacturing method thereof | |
| KR20050087283A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2000172199A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2006330719A (ja) | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 | |
| US8710508B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| JP2004264633A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060303 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090325 |