CN100389358C - 用于防止漏光的像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明为可防止漏光的像素结构，其包括：多条扫描线、排列于该些条扫描线外侧的多个挡块，以及交叉于多条扫描线以及多个挡块的多条数据线。其中于每一该些数据线与对应挡块交叉处，一延展部以平行于该些扫描线方向从该数据线延展而出，但不触及相邻数据线。

Description

用于防止漏光的像素结构
技术领域
本发明涉及一种像素结构，特别是涉及一种防止漏光的像素结构。
背景技术
传统的阴极射线管或称影像管(Cathode Ray Tube；CRT)类型的显示器，由于体积过于庞大，在现今标榜轻、薄、短、小的时代，已渐不能满足需求。因此，近年来有许多平面显示器(Flat Panel Display)技术相继被开发出来，其中液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)已渐渐成为未来显示器的主流。
图1所示为一传统液晶显示器像素结构100的平面图。其中开关晶体管106的栅极106a与扫描线102相接，而开关晶体管106的漏极106b与像素电极108相接，另一源极106c连接数据线104，同时使用公共电极线110，作为像素电极108的公共电极。对一条所选定的数据线104而言，位于该数据线104上的所有开关晶体管106其源极或漏极电极，皆会经由该数据线104接收数据信号。例如，当扫描线102被扫描信号选定时，与此扫描线102耦接的开关晶体管106会被打开，此时对应数据线104上所传送的影像信号会经由开关晶体管106，传送至像素电极108以形成画面于矩阵显示器上。
传统上为了避免像素最后一级，即图1中所示像素区域114中，因最外侧未布建有扫描线而产生的漏光现象，因此会额外使用一不耦接任何开关晶体管的预留扫描线(dummy scan line)112来防止漏光。然而，此额外布建的预留扫描线，于工艺上易发生对准差异，而不能有效防止漏光。因此急需一种可改正上述缺点的像素架构。
发明内容
因此，本发明的主要目的是在提供一种避免漏光的像素。
本发明的另一目的是提供一种不需额外布建预留扫描线的像素。
本发明的再一目的是提供一种通过数据线来避免漏光的像素。
鉴于上述目的，本发明提出一种可防止漏光的像素，包括：以平行排列的多条扫描线、排列于该多条扫描线外侧的多个挡块、第一绝缘层位于该多条扫描线与该多个档块上以及以互相平行且交叉于多条扫描线方向排列的多条数据线。其中该多条数据线与该多条扫描线和该多个档块互相交叉，于每一该多条数据线与对应档块交叉处，延展部以平行于该些扫描线方向从该数据线延展而出，但不触及相邻数据线。
根据本发明结构还包括第二绝缘层位于该多条数据线上。
根据本发明结构还包括多个像素电极，位于该第二绝缘层上。
由于本发明的像素结构，其通过展延像素最后一级处的数据线，不需额外形成预留扫描线，在布局上较为简便。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，配合附图，加以说明如下：
图1所示为一传统像素结构的上视图。
图2所示为本发明像素结构的上视图。
图3所示为本发明像素结构的剖视图。
简单符号说明
100  像素结构
102和202  扫描线
104和204和209  数据线
106和206  开关晶体管
106a和206a  栅极
106b和206b  漏极
106c和206c  源极
108和208  像素电极
110和210  公共电极线
112  预留扫描线
114和116  像素区域
205  延展部
207  挡光金属块
300  玻璃底材
301和302  绝缘层
具体实施方式
参阅图2所示为根据本发明优选实施例的像素结构平面图，其中开关晶体管206的栅极206a与扫描线202相接，而开关晶体管206的漏极206b与像素电极208相接，另一源极206c连接数据线204。于本实施例中使用公共电极线210，作为像素电极208的公共电极。开关晶体管206例如为沉积于透明基板(例如玻璃)上的薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)，而像素电极用氧化铟锡(ITO)或IZO薄膜所形成。
本发明为了避免像素最后一级，亦即位于最外侧的像素区域，如图2中所示像素区域116，因最外侧未布建有扫描线而产生漏光现象，因此一延展部205会从数据线204的底部延伸且凸出于像素区域116中，其中此延展部205的延展方向平行于扫描线202。亦言之，扫描线202、延展部205以及相邻的两数据线204和209共同围出此像素区域116。此外，由于相邻的两数据线204和209不能耦接一起，因此延展部205与数据线209间会有一缺口存在，为了避免光线由此缺口露出，浮动的挡光金属块207会形成于延展部205与数据线209间，藉以填补此缺口。
图3所示为从AA线看入的剖面图。其中，在玻璃底材300上，依序形成有浮动的挡光金属块207、数据线204和209以及延展部205。其中挡光金属块207和扫描线202位于同一层上，且挡光金属块207和数据线204和209以及延展部205间以绝缘层301互相隔离。而另一绝缘层302则形成于数据线204和209以及延展部205之上，藉以与形成于玻璃底材300表面上的像素电极208相互隔离。其中此像素电极208以透明的导电材料所形成，如氧化铟锡(ITO)薄膜或IZO所形成。此外，于像素电极208的上表面上具有配向膜(图中未展示出)。
综合上述所言，由于本发明的像素结构，其通过将位于像素最后一级处的数据线，以平行扫描线的方向，延展于像素区域中，因此，本结构并不需额外形成预留扫描线，在布局上较为简便。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用于限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种防止漏光的像素结构，形成于基板上，至少包含：
多条扫描线，形成于该基板上，并以互相平行方式排列在横列方向上；
多个挡块，以等距离间隔的方式排列于该多条扫描线外侧；
第一绝缘层位于该多条扫描线与该多个档块上；
多条数据线，位在该第一绝缘层上，并以互相平行方式排列于直行方向，该多条数据线与该多条扫描线和该多个档块互相交叉，其中于每一该多条数据线与对应档块交叉处，延展部以平行于该多条扫描线方向从该数据线延展而出，但不触及相邻数据线；
第二绝缘层位于该多条数据线上；以及
多个像素电极，位于该第二绝缘层上。
2.如权利要求1所述的防止漏光的像素结构，其中上述的像素电极用氧化铟锡或氧化铟锌薄膜所形成。
3.如权利要求1所述的防止漏光的像素结构，其中每一该多条数据线的延展部与交叉于相邻数据线的该档块部分重叠。
4.如权利要求1所述的防止漏光的像素结构，其中每一该多个档块与最外侧的扫描线间具有相等距离。
5.如权利要求1所述的防止漏光的像素结构，还包括多条公共电极线，以互相平行方式排列在横列方向上，并与该多条扫描线交错排列于该基板上。
6.如权利要求1所述的防止漏光的像素结构，还包括多个开关晶体管，分别位于该多条数据线和该多条扫描线的交叉横跨点，其中该多个开关晶体管栅极连接该多条扫描线，而该多条数据线通过该多个开关晶体管与该多个像素电极相接。
7.一种防止漏光的像素结构，形成于基板上，至少包含：
多条扫描线，形成于该基板上，并以互相平行方式排列在横列方向上；
多个挡块，以等距离间隔的方式排列于该多条扫描线外侧；
第一绝缘层位于该多条扫描线与该多个档块上；
多条数据线，位在该第一绝缘层上，并以互相平行方式排列于直行方向，该多条数据线与该多条扫描线和该多个档块互相交叉，其中于每一该多条数据线与对应档块交叉处，延展部以平行于该多条扫描线方向从该数据线延展而出，但不触及相邻数据线，其中每一该多条数据线的延展部与交叉于相邻数据线的该档块部分重叠；
第二绝缘层位于该多条数据线上；
多个像素电极，位于该第二绝缘层上；以及
多个开关晶体管，分别位于该多条数据线和该多条扫描线的交叉横跨点，其中该多个开关晶体管栅极连接该多条扫描线，而该多条数据线通过该多个开关晶体管与该多个像素电极相接。
8.如权利要求7所述的防止漏光的像素结构，其中上述的像素电极用氧化铟锡或氧化铟锌薄膜所形成。
9.如权利要求7所述的防止漏光的像素结构，其中每一该多个档块与最外侧的扫描线间具有相等距离。
10.如权利要求7所述的防止漏光的像素结构，还包括多条公共电极线，以互相平行方式排列在横列方向上，并与该多条扫描线交错排列于该基板上。
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