JP2002208484A - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機ＥＬ薄膜，陰極薄膜の堆積時に透明基板
１１に対するメタルマスク１９の接触を防止し、発光特
性に優れた有機ＥＬディスプレイを得る。 【構成】 透明基板１１の上に層間絶縁膜１２を介して
ＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層１４を設けた後、層間絶縁膜
１２の上にマスク支持層１８を設け、マスク支持層１８
で支持するように所定パターンのメタルマスク１９を透
明基板１１に重合せる。そして、メタルマスク１９の開
口部を介してＩＴＯ膜１３上に有機ＥＬ薄膜１６及び陰
極薄膜１７を堆積する。
１１に対するメタルマスク１９の接触を防止し、発光特
性に優れた有機ＥＬディスプレイを得る。 【構成】 透明基板１１の上に層間絶縁膜１２を介して
ＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層１４を設けた後、層間絶縁膜
１２の上にマスク支持層１８を設け、マスク支持層１８
で支持するように所定パターンのメタルマスク１９を透
明基板１１に重合せる。そして、メタルマスク１９の開
口部を介してＩＴＯ膜１３上に有機ＥＬ薄膜１６及び陰
極薄膜１７を堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐リーク性が改善され
た有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。
た有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬディスプレイは、発光層に電圧
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。有機ＥＬディスプレイの駆動方式は、単純
マトリックス方式とアクティブマトリックス方式に大別
される。
を印加することにより生じる自発光で画像を表示するこ
とから、バックライトを必要とする液晶ディスプレイに
比較して明るく鮮明な画像が得られ、視野角度の影響も
受けない。この長所から、次世代表示装置として脚光を
浴びている。有機ＥＬディスプレイの駆動方式は、単純
マトリックス方式とアクティブマトリックス方式に大別
される。
【０００３】単純マトリックス方式では、互いに直交す
るようにストライプ状にＩＴＯ（陽極）及び陰極を形成
したＸ−Ｙマトリックス構造が採用され、有機発光層及
び陰極のＹ−Ｙ方向絶縁のため陰極の蒸着に先立って陰
極隔壁を形成する場合がある。しかし、単純マトリック
ス駆動は、ハイデューティ駆動になるほど瞬間的に高輝
度を必要とし、結果として駆動電圧の上昇及び発光効率
の低下を招く。他方、アクティブマトリックス方式で
は、ＴＦＴ回路及びコンデンサを各ＩＴＯ電極に接続
し、コンデンサの保持容量で電圧を維持している。その
ため、１フレームの間、常に同じ電圧を印加でき、１０
０％デューティ駆動が可能になる。しかも、素子の寿命
が長く、消費電力が低く抑えられることも長所である。
るようにストライプ状にＩＴＯ（陽極）及び陰極を形成
したＸ−Ｙマトリックス構造が採用され、有機発光層及
び陰極のＹ−Ｙ方向絶縁のため陰極の蒸着に先立って陰
極隔壁を形成する場合がある。しかし、単純マトリック
ス駆動は、ハイデューティ駆動になるほど瞬間的に高輝
度を必要とし、結果として駆動電圧の上昇及び発光効率
の低下を招く。他方、アクティブマトリックス方式で
は、ＴＦＴ回路及びコンデンサを各ＩＴＯ電極に接続
し、コンデンサの保持容量で電圧を維持している。その
ため、１フレームの間、常に同じ電圧を印加でき、１０
０％デューティ駆動が可能になる。しかも、素子の寿命
が長く、消費電力が低く抑えられることも長所である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】陰極隔壁を採用した単
純マトリックス方式の有機ＥＬ素子は、透明基板１にＩ
ＴＯ(陽極)薄膜２を設けてＸ−Ｘ方向にストライプ状に
パターニングした後、ＩＴＯ薄膜２上に陰極隔壁３を形
成してＹ−Ｙ方向にストライプ状にパターニングし、次
いで有機発光層４及び陰極薄膜５を蒸着法でＩＴＯ薄膜
２に堆積することにより作製される（図１）。
純マトリックス方式の有機ＥＬ素子は、透明基板１にＩ
ＴＯ(陽極)薄膜２を設けてＸ−Ｘ方向にストライプ状に
パターニングした後、ＩＴＯ薄膜２上に陰極隔壁３を形
成してＹ−Ｙ方向にストライプ状にパターニングし、次
いで有機発光層４及び陰極薄膜５を蒸着法でＩＴＯ薄膜
２に堆積することにより作製される（図１）。
【０００５】有機発光層４が薬品に弱いことから、エッ
チングによるパターニングが適用できない。そのため、
有機発光層４及び陰極薄膜５の蒸着に際し、所定パター
ンのメタルマスク６を透明基板１に被せ、マグネット７
の磁力で透明基板１に押し付けると、陰極隔壁３にメタ
ルマスク６が密着し、陰極隔壁３に跨った有機発光層４
や陰極薄膜５の形成が防止される。また、メタルマスク
６と透明基板１との間に陰極隔壁３が位置するため、両
者の直接接触も回避できる（図２）。
チングによるパターニングが適用できない。そのため、
有機発光層４及び陰極薄膜５の蒸着に際し、所定パター
ンのメタルマスク６を透明基板１に被せ、マグネット７
の磁力で透明基板１に押し付けると、陰極隔壁３にメタ
ルマスク６が密着し、陰極隔壁３に跨った有機発光層４
や陰極薄膜５の形成が防止される。また、メタルマスク
６と透明基板１との間に陰極隔壁３が位置するため、両
者の直接接触も回避できる（図２）。
【０００６】他方、アクティブマトリックス方式の有機
ＥＬ素子では、陰極隔壁３を必要としない薄膜構造をと
ることから、透明基板１にメタルマスク６が直接接触す
る虞がある。透明基板１にメタルマスク６が接触する
と、発光異常やリークの原因となる発光面の疵付き，ゴ
ミ付着等のトラブルが発生する。透明基板１とメタルマ
スク６との直接接触は、アクティブマトリックス方式の
有機ＥＬ素子に限らず、陰極隔壁３を採用していない単
純マトリックス方式の有機ＥＬ素子でも同様に生じる。
ＥＬ素子では、陰極隔壁３を必要としない薄膜構造をと
ることから、透明基板１にメタルマスク６が直接接触す
る虞がある。透明基板１にメタルマスク６が接触する
と、発光異常やリークの原因となる発光面の疵付き，ゴ
ミ付着等のトラブルが発生する。透明基板１とメタルマ
スク６との直接接触は、アクティブマトリックス方式の
有機ＥＬ素子に限らず、陰極隔壁３を採用していない単
純マトリックス方式の有機ＥＬ素子でも同様に生じる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、透明基板上に絶
縁性のマスク支持層を設けることにより、透明基板とメ
タルマスクとの接触を回避し、発光異常やリークの原因
となる欠陥の発生を防止し、良好な発光特性を呈する有
機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。
題を解消すべく案出されたものであり、透明基板上に絶
縁性のマスク支持層を設けることにより、透明基板とメ
タルマスクとの接触を回避し、発光異常やリークの原因
となる欠陥の発生を防止し、良好な発光特性を呈する有
機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。
【０００８】本発明の有機ＥＬディスプレイは、その目
的を達成するため、透明基板の上に層間絶縁膜を介して
設けられたＩＴＯ膜と、隣り合うＩＴＯ膜の間に設けら
れた絶縁膜と、ＩＴＯ膜に堆積された有機ＥＬ薄膜及び
陰極薄膜を備え、有機ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を形成する
際に使用したメタルマスクと透明基板の画素部との接触
を防止する絶縁性のマスク支持層が前記絶縁膜の一部又
は全部になっていることを特徴とする。
的を達成するため、透明基板の上に層間絶縁膜を介して
設けられたＩＴＯ膜と、隣り合うＩＴＯ膜の間に設けら
れた絶縁膜と、ＩＴＯ膜に堆積された有機ＥＬ薄膜及び
陰極薄膜を備え、有機ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を形成する
際に使用したメタルマスクと透明基板の画素部との接触
を防止する絶縁性のマスク支持層が前記絶縁膜の一部又
は全部になっていることを特徴とする。
【０００９】基板としては、層間絶縁膜を介して設けら
れているＩＴＯ膜及びＴＦＴ層がアクティブマトリック
ス方式で結線されたＴＦＴ基板も使用できる。絶縁膜と
は別個のマスク支持層をマスク支持層は、レジスト，セ
ラミックス，有機樹脂等を塗布又はスパッタリングする
ことにより形成される。絶縁膜上にマスク支持層を設け
る場合、マスク支持層を逆テーパ形状に形成することが
好ましい。また、後続するフォトリソ工程等でパターニ
ングすることも可能である。マスク支持層により、ＩＴ
Ｏ薄膜又はＩＴＯ薄膜上の有機ＥＬ薄膜の表面、すなわ
ち画素部とメタルマスクとの接触が防止される。
れているＩＴＯ膜及びＴＦＴ層がアクティブマトリック
ス方式で結線されたＴＦＴ基板も使用できる。絶縁膜と
は別個のマスク支持層をマスク支持層は、レジスト，セ
ラミックス，有機樹脂等を塗布又はスパッタリングする
ことにより形成される。絶縁膜上にマスク支持層を設け
る場合、マスク支持層を逆テーパ形状に形成することが
好ましい。また、後続するフォトリソ工程等でパターニ
ングすることも可能である。マスク支持層により、ＩＴ
Ｏ薄膜又はＩＴＯ薄膜上の有機ＥＬ薄膜の表面、すなわ
ち画素部とメタルマスクとの接触が防止される。
【００１０】この有機ＥＬディスプレイは、透明基板の
上に層間絶縁膜を介してＩＴＯ膜を設けた後、層間絶縁
膜の上にマスク支持層を設け、マスク支持層で支持する
ように所定パターンのメタルマスクを透明基板に重ね合
わせ、メタルマスクの開口部を介してＩＴＯ膜上に有機
ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を堆積することにより製造され
る。透明基板に代え、層間絶縁膜を介して設けたＩＴＯ
膜及びＴＦＴ層をアクティブマトリックス方式で結線し
たＴＦＴ基板も使用できる。
上に層間絶縁膜を介してＩＴＯ膜を設けた後、層間絶縁
膜の上にマスク支持層を設け、マスク支持層で支持する
ように所定パターンのメタルマスクを透明基板に重ね合
わせ、メタルマスクの開口部を介してＩＴＯ膜上に有機
ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を堆積することにより製造され
る。透明基板に代え、層間絶縁膜を介して設けたＩＴＯ
膜及びＴＦＴ層をアクティブマトリックス方式で結線し
たＴＦＴ基板も使用できる。
【００１１】
【実施の形態】本発明に従ったアクティブマトリックス
方式の有機ＥＬ素子１０は、断面構造を図３に示すよう
に、透明基板１１に層間絶縁膜１２を介してＩＴＯ（陽
極）膜１３，ＴＦＴ層１４，有機ＥＬ薄膜１６が形成さ
れ、ＩＴＯ薄膜１３／ＩＴＯ薄膜１３，ＩＴＯ薄膜１３
／ＴＦＴ層１４，ＴＦＴ層１４／陰極薄膜１７及びＩＴ
Ｏ薄膜１３／陰極薄膜１７間の短絡を防止する絶縁膜１
５が堆積されている。ＩＴＯ膜１３及び絶縁膜１５の上
に更にホール輸送層，有機発光層，電子輸送層等の有機
ＥＬ薄膜１６を形成した後、Ａｌ蒸着等により陰極薄膜
１７を設けている。Ｘ−Ｘ方向に沿ってストライプ状に
延びるＩＴＯ膜１３と直交するＹ−Ｙ方向に延びる陰極
薄膜１７との間に駆動電流を供給すると、特定画素に当
たる有機ＥＬ薄膜１６で陽極側からのホールと陰極側か
らの電子が再結合し、有機発光体分子の励起によって面
状発光する。
方式の有機ＥＬ素子１０は、断面構造を図３に示すよう
に、透明基板１１に層間絶縁膜１２を介してＩＴＯ（陽
極）膜１３，ＴＦＴ層１４，有機ＥＬ薄膜１６が形成さ
れ、ＩＴＯ薄膜１３／ＩＴＯ薄膜１３，ＩＴＯ薄膜１３
／ＴＦＴ層１４，ＴＦＴ層１４／陰極薄膜１７及びＩＴ
Ｏ薄膜１３／陰極薄膜１７間の短絡を防止する絶縁膜１
５が堆積されている。ＩＴＯ膜１３及び絶縁膜１５の上
に更にホール輸送層，有機発光層，電子輸送層等の有機
ＥＬ薄膜１６を形成した後、Ａｌ蒸着等により陰極薄膜
１７を設けている。Ｘ−Ｘ方向に沿ってストライプ状に
延びるＩＴＯ膜１３と直交するＹ−Ｙ方向に延びる陰極
薄膜１７との間に駆動電流を供給すると、特定画素に当
たる有機ＥＬ薄膜１６で陽極側からのホールと陰極側か
らの電子が再結合し、有機発光体分子の励起によって面
状発光する。
【００１２】有機ＥＬ薄膜１６及び陰極薄膜１７の形成
に際しては、透明基板１１にＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層
１４及び絶縁膜１５を設けた基板（以下、ＴＦＴ基板１
１ａという）に絶縁性のマスク支持層１８を形成する
（図４）。マスク支持層１８は、透明基板１１に対する
メタルマスク１９の直接接触を避けるものであり、陰極
をセパレートする従来の陰極隔壁３（図１）と異なり、
透明基板１１とメタルマスク１９との間に所定の間隙が
維持される限り逆テーパ状にする必要はなく、ＴＦＴ基
板１１ａ上でストライプ状又は島状で任意の個所に任意
の個数設けることもできる。
に際しては、透明基板１１にＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層
１４及び絶縁膜１５を設けた基板（以下、ＴＦＴ基板１
１ａという）に絶縁性のマスク支持層１８を形成する
（図４）。マスク支持層１８は、透明基板１１に対する
メタルマスク１９の直接接触を避けるものであり、陰極
をセパレートする従来の陰極隔壁３（図１）と異なり、
透明基板１１とメタルマスク１９との間に所定の間隙が
維持される限り逆テーパ状にする必要はなく、ＴＦＴ基
板１１ａ上でストライプ状又は島状で任意の個所に任意
の個数設けることもできる。
【００１３】マスク支持層１８は、各種レジスト、シリ
カ，アルミナ等のセラミックスやポリイミド，アクリル
系等の有機樹脂を所定パターンで塗布又はスパッタリン
グすることによって形成される。また、後続するフォト
リソ工程等でパターニングすることもできる。マスク支
持層１８の高さは塗り分け等のボケの許容量で決まる
が、ＴＦＴ基板１１ａに対するメタルマスク１９の接触
を阻止する上で２μｍ以上の厚みで形成することが好ま
しい。
カ，アルミナ等のセラミックスやポリイミド，アクリル
系等の有機樹脂を所定パターンで塗布又はスパッタリン
グすることによって形成される。また、後続するフォト
リソ工程等でパターニングすることもできる。マスク支
持層１８の高さは塗り分け等のボケの許容量で決まる
が、ＴＦＴ基板１１ａに対するメタルマスク１９の接触
を阻止する上で２μｍ以上の厚みで形成することが好ま
しい。
【００１４】マスク支持層１８は、断面形状に制約を受
けるものではなく逆テーパ型，隆起型等、何れの断面形
状でもよい。また、ＩＴＯ膜１３とＴＦＴ層１４との短
絡を防止するため、ＴＦＴ層１４を覆うようにマスク支
持層１８を形成することもできる。更には、絶縁膜１５
の形成に先立ってマスク支持層１８を設けてもよい。
けるものではなく逆テーパ型，隆起型等、何れの断面形
状でもよい。また、ＩＴＯ膜１３とＴＦＴ層１４との短
絡を防止するため、ＴＦＴ層１４を覆うようにマスク支
持層１８を形成することもできる。更には、絶縁膜１５
の形成に先立ってマスク支持層１８を設けてもよい。
【００１５】具体的には、層間絶縁膜１２で覆われた透
明基板１１上にＩＴＯ薄膜１３，ＴＦＴ層１４及びメタ
ル配線２０を所定配列で形成したＴＦＴ基板１１ａを用
意し、ＩＴＯ薄膜１３の主面が露出するように絶縁膜１
５を設けた後、絶縁膜１５の上にマスク支持層１８を積
層する（図５ａ）。マスク支持層１８頂面の高さは、メ
タルマスク１９をマスク支持層１８で接触支持したと
き、第１層のＥＬ膜の積層に際してはＩＴＯ薄膜１３と
メタルマスク１９と間に、第ｎ層のＥＬ膜の積層に際し
ては第（ｎ−１）層のＥＬ膜とメタルマスク１９との間
に数μｍのギャップＧが形成されるように設定される。
明基板１１上にＩＴＯ薄膜１３，ＴＦＴ層１４及びメタ
ル配線２０を所定配列で形成したＴＦＴ基板１１ａを用
意し、ＩＴＯ薄膜１３の主面が露出するように絶縁膜１
５を設けた後、絶縁膜１５の上にマスク支持層１８を積
層する（図５ａ）。マスク支持層１８頂面の高さは、メ
タルマスク１９をマスク支持層１８で接触支持したと
き、第１層のＥＬ膜の積層に際してはＩＴＯ薄膜１３と
メタルマスク１９と間に、第ｎ層のＥＬ膜の積層に際し
ては第（ｎ−１）層のＥＬ膜とメタルマスク１９との間
に数μｍのギャップＧが形成されるように設定される。
【００１６】マスク支持層１８を絶縁膜１５の隆起部に
設ける場合、マスク支持層１８を逆テーパ形状（図５
ｂ）にすることが好ましい。逆テーパ形状のマスク支持
層１８は、基部近傍に有機ＥＬ薄膜１６や陰極薄膜１７
が積層されないため、有機ＥＬ薄膜１６や陰極薄膜１７
形成時の熱で各種絶縁剤等から発生したガスｇの放散を
促進する作用を呈する。しかも、陰極薄膜１７が分断さ
れた個所でガスｇの放散が生じるため、有機ＥＬ薄膜１
６の劣化が抑制される。
設ける場合、マスク支持層１８を逆テーパ形状（図５
ｂ）にすることが好ましい。逆テーパ形状のマスク支持
層１８は、基部近傍に有機ＥＬ薄膜１６や陰極薄膜１７
が積層されないため、有機ＥＬ薄膜１６や陰極薄膜１７
形成時の熱で各種絶縁剤等から発生したガスｇの放散を
促進する作用を呈する。しかも、陰極薄膜１７が分断さ
れた個所でガスｇの放散が生じるため、有機ＥＬ薄膜１
６の劣化が抑制される。
【００１７】ＴＦＴ基板１１ａに設けた層間絶縁膜１２
の上にマスク支持層１８を直接形成した後、マスク支持
層１８を覆うように絶縁膜１５を積層することもできる
（図５ｃ）。或いは、絶縁膜１５の一部を局部的に厚く
することによりマスク支持層１８とすることも可能であ
る（図５ｄ）。何れの場合も、マスク支持層１８上に積
層した絶縁膜１５の頂面（図５ｃ），最も厚い部分にお
ける絶縁膜１５（図５ｄ）の頂面の高さは、ＩＴＯ薄膜
１３又は第（ｎ−１）層のＥＬ膜とメタルマスク１９と
の間に所定のギャップＧが維持されるように設定する。
の上にマスク支持層１８を直接形成した後、マスク支持
層１８を覆うように絶縁膜１５を積層することもできる
（図５ｃ）。或いは、絶縁膜１５の一部を局部的に厚く
することによりマスク支持層１８とすることも可能であ
る（図５ｄ）。何れの場合も、マスク支持層１８上に積
層した絶縁膜１５の頂面（図５ｃ），最も厚い部分にお
ける絶縁膜１５（図５ｄ）の頂面の高さは、ＩＴＯ薄膜
１３又は第（ｎ−１）層のＥＬ膜とメタルマスク１９と
の間に所定のギャップＧが維持されるように設定する。
【００１８】マスク支持層１８を形成することにより、
ＴＦＴ基板１１ａにメタルマスク１９を重ね合わせたと
きメタルマスク１９とＴＦＴ基板１１ａとの接触が防止
される。この状態で、マスク支持層１８の間に有機ＥＬ
薄膜１６及び陰極薄膜１７が設けられるため、発光異常
やリークの原因となる欠陥のない有機ＥＬ素子１０が得
られる。また、マスク支持層１８は、ＩＴＯ膜１３及び
ＴＦＴ層１４の間を絶縁する絶縁膜１５の一部になる。
ＴＦＴ基板１１ａにメタルマスク１９を重ね合わせたと
きメタルマスク１９とＴＦＴ基板１１ａとの接触が防止
される。この状態で、マスク支持層１８の間に有機ＥＬ
薄膜１６及び陰極薄膜１７が設けられるため、発光異常
やリークの原因となる欠陥のない有機ＥＬ素子１０が得
られる。また、マスク支持層１８は、ＩＴＯ膜１３及び
ＴＦＴ層１４の間を絶縁する絶縁膜１５の一部になる。
【００１９】マスク支持層１８は、陰極隔壁３（図１）
をもたない単純マトリックス方式の有機ＥＬ素子の作成
においても、透明基板１に対するメタルマスク６の接触
を防止する作用を呈する。この場合、マスク支持層１８
は、同様に任意の断面形状で任意の個数且つ任意の位置
で透明基板１上に形成される。ただし、この場合のマス
ク支持層１８は、陰極薄膜１７を分断しない位置及び形
状で設けられることは勿論である。
をもたない単純マトリックス方式の有機ＥＬ素子の作成
においても、透明基板１に対するメタルマスク６の接触
を防止する作用を呈する。この場合、マスク支持層１８
は、同様に任意の断面形状で任意の個数且つ任意の位置
で透明基板１上に形成される。ただし、この場合のマス
ク支持層１８は、陰極薄膜１７を分断しない位置及び形
状で設けられることは勿論である。
【００２０】
【実施例】光学ガラスを透明基板１１に使用し、透明基
板１１の表面にポリイミド系樹脂をスピンコートして膜
厚１μｍの層間絶縁膜１２を形成した。層間絶縁膜１２
の上に常法に従ってＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層１４を形
成し、ドレインライン及び電源ラインを結線してアクテ
ィブマトリックスを構成した。なお、単純マトリックス
方式の有機ＥＬ素子では、ＴＦＴ層１４を省略できる。
板１１の表面にポリイミド系樹脂をスピンコートして膜
厚１μｍの層間絶縁膜１２を形成した。層間絶縁膜１２
の上に常法に従ってＩＴＯ膜１３及びＴＦＴ層１４を形
成し、ドレインライン及び電源ラインを結線してアクテ
ィブマトリックスを構成した。なお、単純マトリックス
方式の有機ＥＬ素子では、ＴＦＴ層１４を省略できる。
【００２１】次いで、ＩＴＯ膜１３の表面部を残してＴ
ＦＴ基板１１ａを覆うようにポリイミド系樹脂をスピン
コートし、膜厚２μｍのマスク支持層１８を設けた。所
定パターンのメタルマスク１９をＴＦＴ基板１１ａに重
ね合わせたとき、マスク支持層１８によってＴＦＴ基板
１１ａ／メタルマスク１９の間隙が２μｍに維持され、
ＴＦＴ基板１１ａにメタルマスク１９が接触することが
なかった。
ＦＴ基板１１ａを覆うようにポリイミド系樹脂をスピン
コートし、膜厚２μｍのマスク支持層１８を設けた。所
定パターンのメタルマスク１９をＴＦＴ基板１１ａに重
ね合わせたとき、マスク支持層１８によってＴＦＴ基板
１１ａ／メタルマスク１９の間隙が２μｍに維持され、
ＴＦＴ基板１１ａにメタルマスク１９が接触することが
なかった。
【００２２】メタルマスク１９を介し、ＩＴＯ膜１３の
上に有機ＥＬ薄膜１６及び陰極薄膜１７を堆積した。有
機ＥＬ薄膜１６としては、常法に従った蒸着法でホール
輸送層，発光層，電子輸送層を順次堆積したが、単層型
又は二層型の有機ＥＬ薄膜も形成可能なことは勿論であ
る。メタルマスク１９を取り除いて有機ＥＬ薄膜１６の
上にＡｌを蒸着し、膜厚１００ｎｍの陰極薄膜１７を設
けた有機ＥＬ素子１０とした。
上に有機ＥＬ薄膜１６及び陰極薄膜１７を堆積した。有
機ＥＬ薄膜１６としては、常法に従った蒸着法でホール
輸送層，発光層，電子輸送層を順次堆積したが、単層型
又は二層型の有機ＥＬ薄膜も形成可能なことは勿論であ
る。メタルマスク１９を取り除いて有機ＥＬ薄膜１６の
上にＡｌを蒸着し、膜厚１００ｎｍの陰極薄膜１７を設
けた有機ＥＬ素子１０とした。
【００２３】有機ＥＬ素子１０で構成されたドット数１
００×１００のパネルを不活性ガス（Ｎ2）雰囲気中で
封止した後、輝度１００ｃｄ／ｍ2で全点灯させながら
−４０〜８５℃のヒートサイクル試験に供した。その結
果、マスク支持層１８が存在するパネルでは、マスク支
持層１８のないパネルに比較して試験後に発生した発光
異常やリークの頻度が数十分の１程度に激減した。この
試験結果は、マスク支持層１８を設けることにより品質
安定性に優れた高品質の有機ＥＬ素子１０が作製される
ことを示す。
００×１００のパネルを不活性ガス（Ｎ2）雰囲気中で
封止した後、輝度１００ｃｄ／ｍ2で全点灯させながら
−４０〜８５℃のヒートサイクル試験に供した。その結
果、マスク支持層１８が存在するパネルでは、マスク支
持層１８のないパネルに比較して試験後に発生した発光
異常やリークの頻度が数十分の１程度に激減した。この
試験結果は、マスク支持層１８を設けることにより品質
安定性に優れた高品質の有機ＥＬ素子１０が作製される
ことを示す。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の有機Ｅ
Ｌディスプレイは、透明基板にメタルマスクが接触する
ことなく有機ＥＬ薄膜，陰極薄膜が堆積されているの
で、メタルマスクの接触に起因した疵付きやゴミ付着等
がなく、優れた発光特性を呈する。しかも、透明基板か
らメタルマスクを離間配置するマスク支持層を従来の陰
極隔壁のように高精度に設ける必要がないため、製造プ
ロセスも容易になる。その結果、高性能の有機ＥＬディ
スプレイが安価に且つ容易に製造できる。
Ｌディスプレイは、透明基板にメタルマスクが接触する
ことなく有機ＥＬ薄膜，陰極薄膜が堆積されているの
で、メタルマスクの接触に起因した疵付きやゴミ付着等
がなく、優れた発光特性を呈する。しかも、透明基板か
らメタルマスクを離間配置するマスク支持層を従来の陰
極隔壁のように高精度に設ける必要がないため、製造プ
ロセスも容易になる。その結果、高性能の有機ＥＬディ
スプレイが安価に且つ容易に製造できる。
【図１】 単純マトリックス方式の有機ＥＬ素子を作製
する工程の概略図
する工程の概略図
【図２】 透明基板にメタルマスクを重ね合わせた状態
を示す図
を示す図
【図３】 本発明に従った有機ＥＬ素子の断面構造を示
す図
す図
【図４】 マスク支持層を介しＴＦＴ基板にメタルマス
クを重ね合わせた断面図
クを重ね合わせた断面図
【図５】 マスク支持層のある積層構造の数例
１０：有機ＥＬ素子 １１：透明基板 １１ａ：Ｔ
ＦＴ基板 １２：層間絶縁膜 １３：ＩＴＯ膜（陽
極） １４：ＴＦＴ層 １５：絶縁膜 １６：有
機ＥＬ薄膜 １７：陰極薄膜 １８：マスク支持層
１９：メタルマスク ２０：メタル配線
ＦＴ基板 １２：層間絶縁膜 １３：ＩＴＯ膜（陽
極） １４：ＴＦＴ層 １５：絶縁膜 １６：有
機ＥＬ薄膜 １７：陰極薄膜 １８：マスク支持層
１９：メタルマスク ２０：メタル配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 BA62 BC07 BD00 HA02 HA03 4K030 BA61 DA05 LA18 5G435 AA01 AA14 AA17 BB05 CC09 HH14 HH18 KK05
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に層間絶縁膜を介して設けら
れたＩＴＯ膜と、隣り合うＩＴＯ膜の間に設けられた絶
縁膜と、ＩＴＯ膜に堆積された有機ＥＬ薄膜及び陰極薄
膜を備え、有機ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を形成する際に使
用したメタルマスクと透明基板の画素部との接触を防止
する絶縁性のマスク支持層が前記絶縁膜の一部又は全部
になっていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項２】 層間絶縁膜を介して設けられているＩＴ
Ｏ膜及びＴＦＴ層がアクティブマトリックス方式で結線
されたＴＦＴ基板を使用する請求項１記載の有機ＥＬデ
ィスプレイ。 - 【請求項３】 レジスト，セラミックス又は有機樹脂で
マスク支持層が形成されている請求項１又は２記載の有
機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項４】 絶縁膜１５の上に逆テーパ形状のマスク
支持層１８が設けられている請求項１〜３何れかに記載
の有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項５】 透明基板の上に層間絶縁膜を介してＩＴ
Ｏ膜を設けた後、層間絶縁膜の上にマスク支持層を設
け、マスク支持層で支持するように所定パターンのメタ
ルマスクを透明基板に重合せ，メタルマスクの開口部を
介してＩＴＯ膜上に有機ＥＬ薄膜及び陰極薄膜を堆積す
ることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 【請求項６】 透明基板の上に層間絶縁膜を介しＩＴＯ
膜及びＴＦＴ層を設け、ＩＴＯ膜及びＴＦＴ層をアクテ
ィブマトリックス方式で結線した後、マスク支持層を形
成する請求項５記載の有機ＥＬディスプレイの製造方
法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2001004640A JP2002208484A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| US10/041,668 US20020093286A1 (en) | 2001-01-12 | 2002-01-10 | Organic EL display and method for producing the same |
| KR1020020001677A KR100819216B1 (ko) | 2001-01-12 | 2002-01-11 | 유기 ｅｌ 디스플레이 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004640A JP2002208484A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208484A true JP2002208484A (ja) | 2002-07-26 |
| JP2002208484A5 JP2002208484A5 (ja) | 2007-12-20 |
Family
ID=18872797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004640A Pending JP2002208484A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100819216B1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322564A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2005340198A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-08 | Lg Electron Inc | 有機電界発光表示素子およびその製造方法 |
| JP2005340208A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| KR100674012B1 (ko) | 2004-11-25 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| JP2008166258A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2009054603A (ja) * | 2008-12-09 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネルの製造方法 |
| JP2012033497A (ja) * | 2004-09-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2012146606A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 照明用有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2013179097A (ja) * | 2005-10-17 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| WO2019123655A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法、および表示デバイスの製造装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4865165B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2004071554A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| WO2005050597A1 (en) | 2003-11-14 | 2005-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| KR100669211B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-01-16 | 엘지전자 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는방법 |
| US9092807B1 (en) | 2006-05-05 | 2015-07-28 | Appnexus Yieldex Llc | Network-based systems and methods for defining and managing multi-dimensional, advertising impression inventory |
| JP6302186B2 (ja) | 2012-08-01 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6104649B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US10943271B2 (en) | 2018-07-17 | 2021-03-09 | Xandr Inc. | Method and apparatus for managing allocations of media content in electronic segments |
| CN110610972B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| US5773931A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device and method of making same |
| JP2815004B2 (ja) * | 1996-10-30 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| US6380672B1 (en) * | 1997-08-21 | 2002-04-30 | Seiko Epson Corporation | Active matrix display device |
| JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP4269195B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2009-05-27 | ソニー株式会社 | 発光又は調光素子、及びその製造方法 |
| KR100595170B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 풀-컬러 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| KR100606439B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전기발광소자 제조방법 |
| EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
| US6596443B2 (en) * | 2001-03-12 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Mask for patterning devices |
-
2001
- 2001-01-12 JP JP2001004640A patent/JP2002208484A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-10 US US10/041,668 patent/US20020093286A1/en not_active Abandoned
- 2002-01-11 KR KR1020020001677A patent/KR100819216B1/ko active IP Right Grant
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322564A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP2005340198A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-08 | Lg Electron Inc | 有機電界発光表示素子およびその製造方法 |
| US7504656B2 (en) | 2004-05-25 | 2009-03-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| JP2005340208A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US10403697B2 (en) | 2004-09-29 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US9893130B2 (en) | 2004-09-29 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US11778870B2 (en) | 2004-09-29 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| JP2012033497A (ja) * | 2004-09-29 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US11552145B2 (en) | 2004-09-29 | 2023-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US11233105B2 (en) | 2004-09-29 | 2022-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US9147713B2 (en) | 2004-09-29 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US10937847B2 (en) | 2004-09-29 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US9530829B2 (en) | 2004-09-29 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| US10038040B2 (en) | 2004-09-29 | 2018-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device |
| KR100674012B1 (ko) | 2004-11-25 | 2007-01-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| US9893325B2 (en) | 2005-10-17 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a structure that prevents defects due to precision, bending and the like of a mask without increasing manufacturing steps |
| JP2019207881A (ja) * | 2005-10-17 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US11770965B2 (en) | 2005-10-17 | 2023-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9536932B2 (en) | 2005-10-17 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making a semiconductor lighting emitting device that prevents defect of the mask without increasing steps |
| US10199612B2 (en) | 2005-10-17 | 2019-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having reduced upper surface shape of a partition in order to improve definition and manufacturing method thereof |
| JP2022017346A (ja) * | 2005-10-17 | 2022-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2016012566A (ja) * | 2005-10-17 | 2016-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2017004971A (ja) * | 2005-10-17 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2020031064A (ja) * | 2005-10-17 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9224792B2 (en) | 2005-10-17 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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