JP2003007463A - 有機電界発光表示素子の製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示素子の製造方法

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JP2003007463A JP2002116811A JP2002116811A JP2003007463A JP 2003007463 A JP2003007463 A JP 2003007463A JP 2002116811 A JP2002116811 A JP 2002116811A JP 2002116811 A JP2002116811 A JP 2002116811A JP 2003007463 A JP2003007463 A JP 2003007463A
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manufacturing
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承 駿 李
Do-Hyun Choi
道 鉉 崔
Kyung-Hee Choi
京 姫 崔
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 蒸着または印刷設備のチャンバの大きさによ
る基板の大きさの制限を克服できて、生産効率を向上さ
せて製造コストを低減することができる有機電界発光表
示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 陽極層200 を形成した大型基板を切断し
て複数の小型基板101を得、小型基板101 の陽極層200
上に有機電界発光層（正孔注入層310 、正孔輸送層320
、電界発光層400 、電子輸送層330 及び電子注入層340
）を真空蒸着法または印刷法によって形成し、有機電
界発光層上に陰極層500 を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光表示
素子に関し、特に、大型基板上に複数の有機電界発光表
示素子の前工程を行った後、大型基板を切断して各有機
電界発光素子の後工程を行って生産効率の向上を図る有
機電界発光表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報通信技術の発達に伴い、多様化した
情報化社会の要求に応じて、電子ディスプレイの需要が
増加しており、ディスプレイに対する要求も多様化して
いる。このように多様化した情報化社会の要求を満足さ
せるために、電子ディスプレイ素子は、高精細化、大型
化、低コスト化、高性能化、薄型化、小型化などの特性
を有することが要求されており、このために、既存の陰
極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）以外に新しい平板
ディスプレイ（Flat Panel Display：ＦＰＤ）素子が開
発されている。
【０００３】現在、開発または生産中の平板ディスプレ
イには、液晶表示素子（Liquid Crystal Display：ＬＣ
Ｄ）、電界発光表示素子（Electroluminescence Displa
y ：ＥＬＤ) 、プラズマ表示素子（Plasma Display Pan
el：ＰＤＰ）、電界放出表示素子（Field Emission Dis
play：ＦＥＤ）、真空蛍光ディスプレイ（Vacuum Fluor
escence Display ：ＶＦＤ）及び発光ダイオード（Ligh
t Emitting Display：ＬＥＤ）などがある。
【０００４】電界発光表示素子は、液晶表示素子のよう
な受光形態の素子に比べて応答速度が速く、自発発光形
態であるので視野角が広く、構造が簡単であるので製造
が容易であり、軽量薄型の長所を持っているため、次世
代平板ディスプレイ素子として注目されている。電界発
光表示素子は、液晶表示素子のバックライト、携帯用端
末器、カーナビゲーションシステム、ノートブックコン
ピュータ及び壁掛け用テレビジョンまでその用途が多様
である。
【０００５】電界発光表示素子は、電界発光層に使用す
る物質の種類に応じて、有機電界発光表示素子（Organi
c Electroluminescent Display：ＯＥＬＤ）と無機電界
発光表示素子（Inorganic Electroluminescent Displa
y：ＩＥＬＤ）とに分けられる。無機電界発光表示素子
は、高い電界によって加速された電子の衝突を利用して
発光する素子であって、薄膜の厚さと駆動方式とに応じ
て、交流薄膜電界発光表示素子、交流厚膜電界発光表示
素子及び直流厚膜電界発光表示素子等に分類される。一
方、有機電界発光表示素子は、電流の流れにより発光す
る素子であって、発光層の有機物質に応じて、低分子有
機電界発光表示素子と高分子有機電界発光表示素子とに
分類される。
【０００６】図７は、従来の有機電界発光表示素子の概
略図である。図７を参照すれば、有機電界発光表示素子
は、透明基板11上に透明陽極層12、正孔注入層13、正孔
輸送層14、電界発光層15、電子輸送層17及び金属からな
る陰極層18が順に積層された構造を有し、電流の流れに
より電界発光層15が発光する。正孔注入層13、正孔輸送
層14及び電子輸送層17は、有機電界発光表示素子の発光
効率を増加させる補助的な機能をする。
【０００７】有機電界発光表示素子の正孔注入層13、正
孔輸送層14、電界発光層15及び電子輸送層17は、低分子
物質の場合、シャドウマスクを用いて真空蒸着工程によ
り形成するか、高分子物質の場合、インクジェットまた
は印刷工程により形成するが、蒸着設備または印刷設備
の限界によって基板の大きさが制限される。現在、蒸着
工程または印刷工程を行うことができる基板の大きさ
は、最大３７０ｍｍ×４７０ｍｍまたは４００ｍｍ×４
００ｍｍである。
【０００８】有機電界発光表示素子の場合、発光物質の
種類に応じて、電界発光層15を米国特許4,769,292 号と
5,294,870 号とに開示されているアルミニウムトリス
（8-ヒドロキシキノリン）（Aluminum tris(8-hydroxyq
uinoline) ：Ａｌｑ３）、ペリレン（Perylene）等の蛍
光発光物質を用いた蛍光表示素子と、米国特許6,097,14
7 号に開示されている2,3,7,8,12,12,17,18-オクタエチ
ル-21H,23H- ポルフィン白金（Platinum 2,3,7,8,12,1
2,17,18-octaethyl-21H,23H-porphine ：ＰｔＯＥ
Ｐ）、イリジウム着体（Iridium complex, ex)Ir(PPy)
3）のような燐光発光物質及び電界発光層15と電子輸送
層17との間にバソクプロイン(Bathocuproine、BCP)、カ
ルバゾールビフェニル（Carbazole biphenyl：ＣＢ
Ｐ）、N,N'- ジフェニル-N,N'-ビス- アルファ（α)-ナ
フチルベンジジン（N,N'-diphenyl-N,N'-bis-alpha-nap
thylbenzilidine ：ＮＰＤ）のようなブロッキング層を
用いた燐光ＯＥＬＤ素子がある。特に、高分子ＯＥＬＤ
の場合には、透明陽極層12と陰極層18との間に正孔輸送
層14及び電界発光層15の２層型構造を有し、その素子に
用いられる物質は、米国特許5,399,502 号及び5,807,62
7 号において用いた共役ポリマ（Conjugated polymer）
の一種であるポリフェニレンビニレン（Poly(p-phenyle
nevinylene) ：ＰＰＶ）、ポリチオフェン（Poly(thiop
hene))、ポリエチルヘキシルビニレン（Poly(2,5-dialk
oxyphenylenevinylene) ：ＰＤＭｅＯＰＶ）等の導電性
高分子を用いる。これらの有機発光物質の中で代表的な
有機電界発光物質の電界発光波長（放出光の波長）は下
記表１の通りである。
【０００９】
【表１】
【００１０】このような有機電界発光表示素子は、駆動
方式に応じて能動型（Active Type)と受動型（Passive
Type）とに区分される。受動型有機電界発光表示素子
は、電流駆動方式であるので、パネルのサイズが増加す
ることにより、消費電力効率が低くなって、素子の信頼
性が低下するという問題点がある。このような問題を解
決するために、パネルの対角線が１０インチ以上になる
場合には、多結晶シリコン薄膜トランジスタ（Poly-Si
Thin Film Transistor：Poly-Si ＴＦＴ）を駆動素子に
利用する能動型有機電界発光表示素子が用いられてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の有機
電界発光素子には、以下のような問題がある。有機電界
発光表示素子の有機電界発光層は、シャドウマスクを用
いて蒸着または印刷工程により形成される。従って、蒸
着または印刷設備の限界によって基板の大きさが制限さ
れる。現在、蒸着または印刷工程を行うことが可能な基
板の大きさは、最大３７０ｍｍ×４７０ｍｍまたは４０
０ｍｍ×４００ｍｍである。このように、基板の大きさ
の制限によって、有機電界発光表示素子の生産性が制限
される。よって、生産量を増加させるためには、蒸着ま
たは印刷工程は勿論、他の工程に必要な設備も重複配置
しなければならず、製造コストが上昇するという問題が
ある。
【００１２】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、大型基板上に複数の有機電界発光表示素子の前
工程を行った後、大型基板を切断して各有機電界発光素
子の後工程を行うことにより、生産効率を増加させるこ
とができる有機電界発光表示素子の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【発明を解決するための手段】第１発明に係る有機電界
発光表示素子の製造方法は、第１基板（大型基板）上に
第１電極層を形成する工程と、前記第１基板（大型基
板）を切断して複数の第２基板（小型基板）を得る工程
と、前記第２基板（小型基板）の前記第１電極層上に有
機電界発光層を形成する工程と、前記有機電界発光層上
に第２電極層を形成する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１４】第１発明の製造方法において、第１電極層
を形成する工程は、ストライプ状のＩＴＯ層を第１基板
（大型基板）上に形成する工程と、ＩＴＯ層を露出させ
る複数の開口を有する絶縁層を第１基板（大型基板）上
に形成する工程と、ＩＴＯ層と交差する複数の隔壁を絶
縁層上に形成する工程とを含むことが好ましい。
【００１５】第１発明の製造方法において、第１電極層
の上または第１電極層の下に補助電極層を形成すること
ことが好ましい。
【００１６】第２発明に係る有機電界発光表示素子の製
造方法は、第１基板（大型基板）上に、複数のトランジ
スタと１または複数のキャパシタと第１電極層とを有す
る駆動部を形成する工程と、前記第１基板（大型基板）
を切断して複数の第２基板（小型基板）を得る工程と、
前記第２基板（小型基板）の前記駆動部の前記第１電極
層上に有機電界発光層を形成する工程と、前記有機電界
発光層上に第２電極層を形成する工程とを有することを
特徴とする。
【００１７】第２発明の製造方法において、駆動部は、
トランジスタとして、駆動トランジスタとスイッチング
トランジスタとを有することが好ましい。
【００１８】第２発明の製造方法において、駆動部を形
成する工程は、第１基板（大型基板）上に第１絶縁膜を
形成する工程と、第１絶縁膜上に活性層をパターニング
形成する工程と、第１絶縁膜及び活性層上にゲート絶縁
膜を形成する工程と、活性層に対応するゲート絶縁膜上
にゲート電極を形成する工程と、活性層にソース領域及
びドレイン領域を形成する工程と、ゲート絶縁膜及びゲ
ート電極を含む第１基板（大型基板）上に第２絶縁膜を
形成する工程と、ソース領域及びドレイン領域に対応す
る第２絶縁膜とゲート絶縁膜とを選択的にエッチングし
てコンタクト孔を形成する工程と、駆動トランジスタの
ソース領域に対応するコンタクト孔にバス電極を形成す
る工程と、駆動トランジスタのドレイン領域に対応する
コンタクト孔に第１電極層を形成する工程とを含むこと
が好ましい。
【００１９】第１または第２発明の製造方法において、
第１基板（大型基板）の大きさが７４０ｍｍ×９４０ｍ
ｍであり、第１基板（大型基板）を切断した第２基板
（小型基板）の大きさが３７０ｍｍ×４７０ｍｍである
ことが好ましい。
【００２０】第１または第２発明の製造方法において、
レーザ、超音波またはダイヤモンドの何れかにより第１
基板（大型基板）を切断することが好ましい。
【００２１】第１または第２発明の製造方法において、
第２電極層上に封止層または保護層を形成することが好
ましい。
【００２２】第１または第２発明の製造方法において、
第１基板（大型基板）を切断した後、洗浄工程を実施す
ることが好ましい。
【００２３】第１または第２発明の製造方法において、
第１電極層を陽極層に使用して、第２電極層は陰極層に
使用するか、または、第１電極層を陰極層に使用して、
第２電極層は陽極層に使用することが好ましい。
【００２４】第１または第２発明の製造方法において、
有機電界発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、電界発光
層、電子輸送層及び電子注入層を含むことことが好まし
い。
【００２５】第１または第２発明の製造方法において、
第１基板（大型基板）を切断するための切断領域を確保
し、その切断領域は５０μｍ〜１ｍｍの幅を有すること
が好ましい。
【００２６】本発明の有機電界発光表示素子の製造方法
にあっては、大きな第１基板（大型基板）を準備して第
１電極層の形成工程（前工程）を行い、その後、その大
きな第１基板（大型基板）を複数の小さな第２基板（小
型基板）に切断し、切断した第２基板（小型基板）に、
蒸着または印刷処理が必要な有機電界発光層の形成工程
及び第２電極層の形成工程（後工程）を行う。よって、
蒸着または印刷設備の限界によって基板の大きさが制限
されることはなく、生産効率は向上する。
【００２７】
【発明の実施の形態】（第１実施の形態）まず、本発明
の第１実施の形態に係る受動型有機電界発光表示素子の
製造方法について説明する。図１及び図２は、第１実施
の形態に係る製造方法における工程斜視図及び工程断面
図である。
【００２８】図１を参照すれば、７４０ｍｍ×９４０ｍ
ｍの大きさの透明プラスチックまたはガラスからなる大
型基板100 上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層（図示せ
ず）を積層する。ＩＴＯ層上に感光膜を塗布し現像した
後、ＩＴＯ層をエッチングしてストライプ状の陽極層20
0 を形成する。そして陽極層200 上に絶縁層710 を形成
した後、絶縁層710 をパターンニングするための感光膜
（図示せず）を塗布し、感光膜を露光及び現像して感光
膜パターン（図示せず）を形成する。感光膜パターンを
利用して絶縁層710 を現像すると、陽極層200 の所定領
域が露出される複数の開口210 が形成される。絶縁層71
0 上の複数の開口210 は、互いに絶縁層710 を介在して
一定間隔離隔される。
【００２９】次いで、絶縁層710 上に隔壁用感光剤を塗
布する。そして隔壁用感光剤を露光及び現像し高温の塑
性工程を行って陽極層200 と直交的に交差する複数の隔
壁720 を絶縁層710 上に形成する。ここで陽極層200 、
絶縁層710 及び複数の隔壁720 を形成する際に、大型基
板100 を切断するための切断領域（図示せず）を確保す
る。切断領域の幅は、５０μｍ〜１ｍｍである。
【００３０】７４０ｍｍ×９４０ｍｍの１枚の大型基板
100 を蒸着工程に適合した大きさである３７０ｍｍ×４
７０ｍｍに切断して４枚の小型基板101 を得る。大型基
板100 の切断は、レーザ、超音波、またはダイヤモンド
などを利用する。大型基板100 を切断する過程で発生す
る微粒子などを除去するために、ウェット洗浄法、プラ
ズマ若しくはＵＶなどを利用したドライ洗浄法を単独ま
たは複合的に使用して洗浄を実施する。
【００３１】図２を参照すれば、３７０ｍｍ×４７０ｍ
ｍの小型基板101 上に複数の開口210 を介して露出され
た陽極層200 上にシャドウマスク（Shadow Mask)を使用
してＣｕＰｃ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ等で正孔注入層310 を
形成し、正孔注入層310 上にシャドウマスクを使用して
ＮＰＢで正孔輸送層320 を形成する。次いで、正孔輸送
層320 上にシャドウマスクを使用してＡｌｑ３＋ＤＣＪ
ＴＢなどを用いて赤色画素、Ａｌｑ３＋Ｑｄ２などを用
いて緑色画素、そしてＢｌｑ＋ペリレンなどを用いて青
色画素の電界発光層400 を形成する。電界発光層400 上
にシャドウマスクを用いてＡｌｑ３などのような物質で
電子輸送層330 を形成する。
【００３２】次いで、電子輸送層330 上に電子注入層34
0 を形成し、更にその上にＡｌのような金属を真空蒸着
して陰極層500 を形成する。これらの正孔注入層310 、
正孔輸送層320 、電界発光層400 、電子輸送層330 及び
電子注入層340 にて、有機電界発光層が構成される。こ
こで、電子注入層340 は、発光効率を増加させるために
注入した正孔が陰極に流れることを防止し、陰極層500
からの電子注入効率を改善させる。陰極層500 上に有機
物または無機物で保護層を形成するか、または吸湿剤を
付着した金属若しくはガラスキャップからなる封止層を
設置することができる。
【００３３】また、高分子物質を用いた有機電界発光表
示素子の場合に、有機電界発光層及び補助層をインクジ
ェット、印刷法、スピンコート法等により薄膜を形成す
るが、その物質の実例は上記で述べた有機電界発光層及
び補助層用物質を使用し、低分子物質等の場合も従来の
使用物質が含まれる。
【００３４】なお、第１実施の形態において陽極層200
の代わりに陰極層500 を先に形成し、後に陽極層200 を
形成することもできる。
【００３５】（第２実施の形態）以下、本発明の第２実
施の形態に係る補助電極層が設けられた受動型有機電界
発光表示素子の製造方法について説明する。図３及び図
４は、第２実施の形態に係る製造方法における工程斜視
図及び工程断面図である。ここで、図３は、基板を切断
する前の工程斜視図であって、図４は、図３のＡ−Ａ′
で切断した有機電界発光表示素子の断面図である。な
お、図４では隔壁を図示していない。
【００３６】図３を参照すれば、７４０ｍｍ×９４０ｍ
ｍの大きさの透明なプラスチックまたはガラスからなる
大型基板100 を洗浄し、大型基板100 上にスパッタリン
グ（Sputtering）法でクロム（Ｃｒ）、タングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン
（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金
などのような金属層を蒸着する。そして金属層上に感光
剤を塗布し露光及び現像して感光膜パターンを形成し、
感光膜パターンをマスクに使用して金属層をエッチング
してストライプ状の補助電極層600 を形成する。補助電
極層600 は、後に述べる陽極層200 の抵抗を低減するた
めに設けられる。
【００３７】次いで、補助電極層600 を含む大型基板10
0 上にＩＴＯ層を形成し、ＩＴＯ層上に感光膜を塗布し
露光及び現像して感光膜パターンを形成する。感光膜パ
ターンを利用してＩＴＯ層をエッチングして補助電極層
600 上に陽極層200 を形成する。陽極層200 は、補助電
極層600 と同じ方向のストライプ状に形成する。そして
第１実施の形態と同様の方法で陽極層200 を含む大型基
板100 上に絶縁層710と隔壁720 とを順に形成し、大型
基板100 を切断するための切断領域（図示せず）を確保
する。切断領域の幅は、５０μｍ〜１ｍｍである。
【００３８】７４０ｍｍ×９４０ｍｍの１枚の大型基板
100 を蒸着工程に適合した大きさである３７０ｍｍ×４
７０ｍｍに切断して４枚の小型基板101 を得る。大型基
板100 の切断は、レーザ、超音波、またはダイヤモンド
などを利用する。大型基板100 を切断する過程で発生す
る微粒子などを除去するために、ウェット洗浄法、プラ
ズマ若しくはＵＶなどを利用したドライ洗浄法を単独ま
たは複合的に使用して洗浄を実施する。
【００３９】次いで、第１実施の形態と同様に、３７０
ｍｍ×４７０ｍｍの小型基板101 上に有機電界発光層
（正孔注入層310 、正孔輸送層320 、電界発光層400 、
電子輸送層330 及び電子注入層340 ）を、低分子の場合
は真空蒸着法により、高分子の場合はインクジェット、
印刷またはスピンコート法により形成し、電子注入層34
0 上に陰極層500 を真空蒸着法により形成し、保護層ま
たは封止層を形成する。
【００４０】なお、第２実施の形態において、大型基板
100 上に陽極層200 を先に形成して陽極層200 上に補助
電極層600 を形成することもできる。
【００４１】第１及び第２実施の形態による受動型有機
電界発光表示素子の動作は、陽極層200 と陰極層500 と
の間に電圧が印加された場合、両電極層間に存在する正
孔輸送層320 を介して注入された正孔と電子輸送層330
を介して注入された電子とが電界発光層400 で再結合
し、励起された電子が底状態に落ちながら光を放出す
る。
【００４２】第１及び第２実施の形態では、７４０ｍｍ
×９４０ｍｍの大きさの大型基板100 から切断された３
７０ｍｍ×４７０ｍｍの大きさの小型基板101 上に、そ
の大きさに応じて１つまたは複数個の受動型有機電界発
光表示素子を作製する。
【００４３】なお、第１及び第２実施の形態で使用する
大型基板の大きさは、７４０ｍｍ×９４０ｍｍより小さ
いか大きいこともあり得るし、大型基板から切断された
小型基板の大きさも蒸着または印刷設備を考慮して、３
７０ｍｍ×４７０ｍｍより小さいか大きいこともあり得
る。また大型基板から切断する小型基板の個数は、必ず
しも４枚に限らず、４枚以下またはそれ以上もあり得
る。また基板は透明基板以外にウェハ等も使用可能であ
る。
【００４４】（第３実施の形態）以下、本発明の第３実
施の形態に係る能動型有機電界発光表示素子の製造方法
について説明する。能動型有機電界発光表示素子は、そ
の構成に応じてトランジスタとキャパシタとの数及び配
列が変わる。駆動トランジスタ、スイッチングトランジ
スタ及びキャパシタから構成される能動型有機電界発光
表示素子の製造方法について説明する。図５及び図６
は、第３実施の形態に係る製造方法における工程断面図
である。
【００４５】大型基板100 上に酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）の絶縁膜（図示せず）を形成し、該絶縁膜上に多
結晶シリコン層からなる活性層810 を形成する。ここで
絶縁膜は、スパッタリングまたは化学気相蒸着（Chemic
al Vapor Deposition ：ＣＶＤ）法により形成する。そ
して活性層810 は、シリコン層をスパッタリングまたは
化学気相蒸着法により形成し、レーザ熱処理方法を利用
して多結晶シリコン層に形成する。
【００４６】活性層810 をフォトリソグラフィ技術を利
用して島状にパターンニングする。そして活性層810 及
び絶縁膜上にスパッタリングまたは化学気相蒸着法を利
用してゲート絶縁膜820 を形成する。ゲート絶縁膜820
上にスパッタリングまたは化学気相蒸着法を利用して金
属層を形成し、金属層をパターンニングしてゲート電極
830 を形成する。ゲート電極830 は、活性層810 と対応
するゲート絶縁膜820上のみに積層される。活性層810
にソース領域及びドレイン領域（図示せず）を定義する
ために、イオンドーピングした後、熱処理により活性化
させる。第２絶縁膜840 をゲート絶縁膜820 及びゲート
電極830 を含む大型基板100 上に形成し、ソース領域及
びドレイン領域に対応する第２絶縁膜840 とゲート絶縁
膜820 とを選択的にエッチングしてコンタクト孔を形成
する。
【００４７】次いで、駆動薄膜トランジスタのソース領
域に対応するコンタクト孔にバス電極900 を設け、ドレ
イン領域に対応するコンタクト孔にＩＴＯ電極を設け
る。スイッチング薄膜トランジスタのソース領域のバス
電極900 上に信号ラインを設置し、駆動素子のゲート電
極及びスイッチング素子のドレイン領域には、キャパシ
タと接続される貯蔵電極を設ける。このＩＴＯ電極を有
機電界発光のための陽極層200 に使用する。製造された
駆動部上に表示部を形成する方法を説明する。駆動部が
形成された中間物上面に絶縁層710 を形成し、陽極層20
0 の所定領域が露出されるように、絶縁層710 の所定領
域をエッチングする。
【００４８】ここで大型基板100 上に活性層810 、ゲー
ト絶縁膜820 及びゲート電極830 などを形成する際に、
大型基板100 を切断するための切断領域（図示せず）を
確保する。切断領域の幅は、５０μｍ〜１ｍｍである。
【００４９】７４０ｍｍ×９４０ｍｍの１枚の大型基板
100 を蒸着または印刷工程に適合した大きさである３７
０ｍｍ×４７０ｍｍに切断して４枚の小型基板101 を得
る。この場合、大型基板100 の切断は、レーザ、超音
波、またはダイヤモンドなどを利用する。大型基板100
を切断する過程で発生する微粒子などを除去するため
に、ウェット洗浄法、プラズマ若しくはＵＶなどを利用
したドライ洗浄法を単独または複合的に使用して洗浄を
実施する。
【００５０】次いで第１及び第２実施の形態のように、
３７０ｍｍ×４７０ｍｍである小型基板101 上の陽極層
200 上に、有機電界発光層（正孔注入層310 、正孔輸送
層320 、電界発光層400 、電子輸送層330 及び電子注入
層340 ）を、低分子物質の場合は真空蒸着法により順に
形成し、高分子の場合はインクジェット、印刷法、また
はスピンコート法により形成した後、電子注入層340 上
に陰極層500 を真空蒸着法により形成し、保護層または
封止層を更に形成することによって、図６のように、駆
動部が各々形成された能動型有機電界発光表示素子を製
造する。
【００５１】第３実施の形態では、７４０ｍｍ×９４０
ｍｍの大きさの大型基板から切断された３７０ｍｍ×４
７０ｍｍの小型基板上に、その大きさに応じて１つまた
は複数個の能動型有機電界発光表示素子を作製する。
【００５２】第３実施の形態で使用する大型基板の大き
さは、７４０ｍｍ×９４０ｍｍより小さいか大きことも
あり得るし、大型基板から切断された小型基板の大きさ
も蒸着または印刷設備を考慮して、３７０ｍｍ×４７０
ｍｍより小さいか大いこともあり得る。また大型基板か
ら切断する小型基板の個数は、必ずしも４枚に限らず、
４枚以下またはそれ以上もあり得る。また陽極層200(Ｉ
ＴＯ電極）の代わりに陰極層500 を先に形成し、後に陽
極層200(ＩＴＯ電極）を形成することもできる。更に基
板は、透明基板以外にシリコンウェハなどを使用するこ
とができる。
【００５３】第３実施の形態に係る能動型有機電界発光
表示素子は、薄膜トランジスタを利用して選択的な位置
の１画素（ピクセル）の陽極層200(ＩＴＯ電極）と陰極
層500 との間に電圧が印加された場合、両電極層間に存
在する正孔輸送層320 を介して注入された正孔と電子輸
送層330 を介して注入された電子とが電界発光層400で
再結合されつつ電子が励起された後に底状態に落ちなが
ら光を放出する。
【００５４】なお、本発明の技術思想は、上記好ましい
実施の形態によって具体的に記述されたが、上記した実
施の形態はその説明のためのものであって、その制限の
ためのものでないことに留意されるべきである。また、
本発明の技術分野の通常の専門家であるならば、本発明
の技術思想の範囲内で種々の実施の形態が可能であるこ
とを理解されるべきである。
【００５５】
【発明の効果】上述したような本発明の有機電界発光表
示素子の製造方法では、以下のような効果を奏する。有
機電界発光表示素子の製造方法における工程を、有機電
界発光層及びその補助層を形成するために必要な蒸着ま
たは印刷設備が不要な前工程と、有機電界発光層及びそ
の補助層を形成するために必要な蒸着または印刷設備が
必要な後工程とに区分する。そして大型基板を準備して
前工程を行った後、蒸着または印刷設備が必要な有機電
界発光層及びその補助層を形成するために、蒸着または
印刷工程を行える大きさに大型基板を切断して小型基板
を得る。次いで、小型基板上に蒸着または印刷工程によ
り有機電界発光層及びその補助層を形成する。本発明に
よる有機電界発光表示素子の製造方法では、蒸着または
印刷設備のチャンバの大きさによる基板の大きさの制限
を克服して大型基板で前工程を行うことができるので、
生産性を向上させて製造コストを低減することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程斜視図である。
【図２】本発明の第１実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程斜視図である。
【図４】本発明の第２実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程断面図である。
【図５】本発明の第３実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程断面図である。
【図６】本発明の第３実施の形態に係る受動型有機電界
発光表示素子の製造方法における工程断面図である。
【図７】従来の有機電界発光表示素子の概略図である。
【符号の説明】
100 大型基板（第１基板） 101 小型基板（第２基板） 200 陽極層（第１電極層） 310 正孔注入層 320 正孔輸送層 330 電子輸送層 340 電子注入層 400 電界発光層 500 陰極層（第２電極層） 600 補助電極層 710 絶縁層 720 隔壁 810 活性層 820 ゲート絶縁膜 830 ゲート電極 840 第２絶縁膜 900 バス電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/12 33/22 Ｚ 33/14 33/26 Ｚ 33/22 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ 33/26 (72)発明者 崔 京 姫 大韓民国ソウル特別市中區南倉洞206−１ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 CC00 CC04 DB03 FA02 5C094 AA43 AA44 BA03 BA27 CA19 DA09 DA13 EB02 FB01 FB16 HA08 JA08 5F110 AA28 BB02 CC02 DD13 EE44 EE45 FF28 FF29 GG02 GG13 GG43 GG44 HJ12 HJ23 HL07 NN71 PP03 5G435 AA17 BB05 CC09 KK05 LL04 LL07 LL08

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板上に第１電極層を形成する工程
    と、 前記第１基板を切断して複数の第２基板を得る工程と、 前記第２基板の前記第１電極層上に有機電界発光層を形
    成する工程と、 前記有機電界発光層上に第２電極層を形成する工程とを
    有することを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 前記第１電極層を形成する工程は、 ストライプ状のＩＴＯ層を前記第１基板上に形成する工
    程と、 前記ＩＴＯ層を露出させる複数の開口を有する絶縁層を
    前記第１基板上に形成する工程と、 前記ＩＴＯ層と交差する複数の隔壁を前記絶縁層上に形
    成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の
    有機電界発光表示素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第１基板の大きさは７４０ｍｍ×９
    ４０ｍｍであり、前記第２基板の大きさは３７０ｍｍ×
    ４７０ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に
    記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１基板を、レーザ、超音波または
    ダイヤモンドの何れかを用いて切断することを特徴とす
    る請求項１〜３の何れかに記載の有機電界発光表示素子
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第１電極層の上または下の何れかに
    補助電極層を形成することを特徴とする請求項１〜４の
    何れかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第２電極層上に封止層または保護層
    を形成することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記
    載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 第１基板上に、複数のトランジスタと１
    または複数のキャパシタと第１電極層とを有する駆動部
    を形成する工程と、 前記第１基板を切断して複数の第２基板を得る工程と、 前記第２基板の前記駆動部の前記第１電極層上に有機電
    界発光層を形成する工程と、 前記有機電界発光層上に第２電極層を形成する工程とを
    有することを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記駆動部は、前記トランジスタとし
    て、駆動トランジスタとスイッチングトランジスタとを
    有することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光
    表示素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記駆動部を形成する工程は、 前記第１基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、 前記第１絶縁膜上に活性層をパターニング形成する工程
    と、 前記第１絶縁膜及び前記活性層上にゲート絶縁膜を形成
    する工程と、 前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極
    を形成する工程と、 前記活性層にソース領域及びドレイン領域を形成する工
    程と、 前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を含む前記第１基
    板上に第２絶縁膜を形成する工程と、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対応する前記第
    ２絶縁膜と前記ゲート絶縁膜とを選択的にエッチングし
    てコンタクト孔を形成する工程と、 前記駆動トランジスタのソース領域に対応する前記コン
    タクト孔にバス電極を形成する工程と、 前記駆動トランジスタのドレイン領域に対応する前記コ
    ンタクト孔に前記第１電極層を形成する工程と、 前記スイッチングトランジスタのソース領域のバス電極
    上に信号ラインを形成する工程と、 前記駆動トランジスタの前記ゲート電極及び前記スイッ
    チングトランジスタのドレイン領域に前記キャパシタと
    接続する貯蔵電極を形成する工程とを含むことを特徴と
    する請求項８に記載の有機電界発光表示素子の製造方
    法。
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