JP2002069619A - メタルマスク構造体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メタルマスクをフレームに溶接するに際
し、溶接部が被蒸着基板内に当接する場合、溶接バリ１
３によるマスクと基板とのギャップを極力少なくし、蒸
着パターンのにじみを防止し得るマスク構造体を提供す
る。 【解決手段】 薄層の蒸着用のメタルマスク１２が支
持フレーム１１に溶接されており、少なくとも被蒸着基
板内に該溶接部が位置するメタルマスク構造体であっ
て、前記メタルマスクのフレーム当接面の反対の面に、
該メタルマスクに凹部１２ａが形成されており、該凹部
内でメタルマスクと支持フレームとが溶接されているこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に密着保持
して、蒸着物を析出させるためのメタルマスクの構造及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示素子、フラットパネルディスプレイ
等に用いられる有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）で
は、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔
とを、両極に挟まれた有機蛍光色素内で再結合させ、色
素を励起することで発光を得るものである。そのため、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して、視野角が広
く、高輝度時の高コントラストが容易に実現でき、又、
色素の自発光を利用するため、バックライトが不要な
上、２ｍｍ以下の極めて薄いパネルとすることができる
ことから、軽薄化が図れる、更に、応答時間が液晶より
遙かに速く、動画再生などの用途に適している、等の優
れた特性を有することから注目を集めている。

【０００３】この様な有機ＥＬ素子のカラー化も検討が
進められており、ＲＧＢ三色の画素をそれぞれ異なる色
素を含有する発光層で形成するパラレル型独立方式、一
種類の青色発光層で発生した光を蛍光性の色変換膜によ
りＲＧＢ三色に変化する色変換方式、白色発光層からの
光をカラーフィルタを介してＲＧＢ三色を得るカラーフ
ィルタ方式などが知られている。

【０００４】色変換方式やカラーフィルタ方式では、発
光層は１色でよくパターニングが必要なく、又、パター
ニングの必要な色変換膜やカラーフィルタは通常のリソ
グラフィー法により実現できるが、色変換膜やカラーフ
ィルタを通すことにより発光効率が低下するという問題
がある。

【０００５】一方、パラレル型独立方式は、色変換膜や
カラーフィルタが不要であることから発光効率に優れる
という特長があり、他の方式に比べ有利である。しかし
ながら、微細な発光層の塗り分けが必要となり、又、三
色の発光層ともに高性能な材料を用いる必要がある。特
に発光層に用いられる有機色素は水分や有機溶剤に対す
る耐性に乏しいため、フォトリソグラフ法に代表される
ウェットプロセスによるパターニングが困難である。
又、有機発光層上に形成される電極に関しても、ウェッ
トプロセスによるパターン加工を行うことで、有機色素
へダメージを与えてしまうことから、共に、蒸着等のド
ライプロセスを用い、パターン化はマスクを用いて実現
されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、微細なパタ
ーンを形成する場合、マスクを薄くしなければ、マスク
開口の周辺部の蒸着物の膜厚が薄くなってしまい、均一
な膜厚の蒸着膜が得られない。又、精度良く蒸着を行う
ためにはマスクを基板に密着させて蒸着を行わなければ
ならないが、マスクを薄くするにしたがって、マスクが
たわみやすくなり、マスクと基板との間に隙間ができ、
特にマスクの中心部ほど隙間が大きくなり、蒸着パター
ンがにじみやすくなる。また、マスクが蒸着中に温度上
昇による膨張を起こし、薄膜化したことで機械的な剛性
も不足することから、僅かな振動、応力でマスクの線位
置がずれ、特に多色の発光層を蒸着する場合にメタルマ
スクとの位置合わせが困難となり、精度確保が問題とな
っていた。

【０００７】また、実際の製造では、一つの基板上に複
数個のＥＬ素子パターンを一括して蒸着し、その後、個
々のＥＬ素子に分割する方法が採られる。つまり、大面
積のガラス基板上に複数のＥＬ素子パターンを一括して
蒸着するため、マスクも大面積化され、マスクのたわみ
がより助長される。従って、従来は、各ＥＬ素子パター
ン間にフレームを梁状に差し渡し、該フレームにメタル
マスクを溶接固着してマスクのたわみを解消していた。
また、特開平１０−４１０６９号公報に開示されている
ようにマスクにテンションを掛けながらフレームに固定
して、マスクの平面性を理想状態に近づけるようにする
ことは有効な方法である。

【０００８】フレームにマスクを溶接するには、レーザ
ー溶接やスポット溶接などの種々の方法が採られるが、
その際、マスクの基板当接面に高さ数μｍから数百μｍ
の溶接バリが発生する。図４（ａ）に示すように、一般
的な蒸着方法では、蒸発源４８を基板中心位置から少し
ずらして基板を回転させて行うが、この溶接バリをその
ままにして蒸着を行う場合、図４（ｂ）に示すように、
フレーム４１とマスク４２の溶接部分に溶接バリ４３が
突出した状態となり、そのため基板４５とマスク４２と
の間にギャップ４４が発生し、例えば１つの蒸発源４８
から発光層４７の蒸着を行うと、同図に示すように、蒸
着領域端部では蒸発源４６から最も遠いときと最も近い
時とで蒸着入射角が異なり、最も遠いときに蒸着入射角
が最小となり基板中心から遠い側では所定の領域（ＩＴ
Ｏと同等の幅）より広く蒸着されてしまう。又、ＩＴＯ
電極に対して発光層の均一部分が対応している必要があ
るが、基板の中心方向側ではスリットの陰となって蒸発
源から最も近い位置（蒸着入射角最大）の時に形成され
る発光層の均一部分の中心とＩＴＯ電極との中心がず
れ、均一部分がＩＴＯ電極に対応しなくなる場合もあ
る。更に、フルカラー化のために発光層を塗り分けて形
成する場合、同じマスクをＩＴＯのピッチ分ずらして成
膜していくが、蒸着領域端部では基板中心方向から遠い
側で隣の画素部分（隣のＩＴＯ電極４６）上にまで膜が
ついてしまう。特にこの傾向は、狭ピッチ狭スペース化
が進むにつれて顕著となる。

【０００９】溶接バリを研磨等により除去する方法も考
えられるが、その場合、研磨時の摺擦により溶接剥がれ
が生じ、蒸着時の輻射熱によりマスクがたわんで、精細
なパターンを形成できなくなる恐れがある。また、マス
クにテンションを掛けてフレームに固定した場合、溶接
剥がれによりパターン自体がゆがんでしまうことがあっ
た。従って、通常は溶接バリをそのままにして蒸着を行
うため、上記の問題を解消することは困難であった。

【００１０】従って、本発明の目的は、メタルマスクを
フレームに溶接するに際し、溶接部が被蒸着基板内に当
接する場合、溶接バリによるマスクと基板とのギャップ
を極力少なくし、蒸着パターンのにじみを防止し得るマ
スク構造体を提供することにある。

【００１１】

【発明を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するべく鋭意検討した結果、メタルマスクのフレ
ームとの溶接部分に凹部を形成し、該凹部内で溶接固着
することで、発生する溶接バリの高さが低くなるととも
に、マスクの基板との当接面からほとんど突出しなくな
り、基板をマスクに密着させることができるため、蒸着
パターンのにじみがほとんどなくなることを見出し、本
発明を完成するに至った。すなわち本発明は、薄層の蒸
着用のメタルマスクが支持フレームに溶接されており、
少なくとも被蒸着基板内に該溶接部が位置するメタルマ
スク構造体であって、前記メタルマスクのフレーム当接
面の反対の面に、該メタルマスクに凹部が形成されてお
り、該凹部内でメタルマスクと支持フレームとが溶接さ
れていることを特徴とするメタルマスク構造体に関する
ものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明では、溶接バリによりメタ
ルマスクを基板に密着させることができずに、精度良く
蒸着できないと言う課題に対して、溶接箇所のメタルマ
スクに凹部を形成し、該凹部内で溶接するようにしたこ
とにより、溶接バリがその凹部とした分だけ突出が少な
くなる、あるいはその凹部内に隠れ表面に突出しなくな
るようにしたことを特徴としている。また、通常の厚み
のマスクをそのまま溶接する場合に比較してより少ない
パワーでの溶接が可能となり、バリの発生量自体が少な
く抑えられることで、より一層溶接バリの突出が抑制さ
れる。更に凹部内の薄くされた部分で溶接を行うため、
溶接ミスも少なくなる。

【００１３】凹部を形成するには、機械的に切削を行っ
て座繰り（ザグリ）を形成してもよく、その場合は、マ
スクに蒸着パターンとなる開口（スリット）を形成する
前に切削を行うことが好ましい。また、切削後、切りく
ずを除去するとともに、切削時に発生したバリ等の突起
を除去する。更に凹部を形成する方法として、エッチン
グによって行うこともでき、ウェットエッチング、ドラ
イエッチングのいずれの方法でも良い。特にマスクに蒸
着パターンとなる開口を形成する時に行うエッチングの
際に同時にハーフエッチを行うこともでき、この様なエ
ッチングは通常、マスクの両面から２回に分けて行うの
が精度良く開口を形成できることから多用されている
が、そのうち、フレーム当接面の反対の面（被蒸着基板
の当接面）をエッチングする際に同時に行えば良い。

【００１４】凹部の深さはメタルマスクの厚みや、溶接
方法により一概に規定できないが、凹部形成後に残る厚
さとして１０μｍ以上とすることにより、テンションを
掛けて溶接した場合にも破損等の強度的な問題を解消で
きる。凹部深さの下限は、溶接バリの突出が４０μｍ以
下となる深さとなるように形成すればよい。好ましく
は、溶接バリが突出しない（すなわち０となる）深さに
するのが望ましい。

【００１５】一般的に、蒸着を行うには、蒸発源をメタ
ルマスクと基板間に許容されるギャップとしては、最も
精度良く蒸着パターンを形成できる条件、すなわち、パ
ターンボケし難い蒸着角度を、現在、開発が進められて
いるＱＶＧＡ（３２０×２４０ピクセル）カラー有機Ｅ
Ｌディスプレーの製造を例に取ると、陽極としてパター
ンピッチ１２０μｍ、パターン幅８０μｍでＩＴＯ（イ
ンジウム−錫酸化膜）電極を形成した基板のＩＴＯ形成
面にマスクを設置し、１ｍｍ径の蒸発源を基板中心から
４０ｍｍ離し、基板高さを蒸発源から５００ｍｍに設定
して基板を回転させながら蒸着を行う場合、蒸着領域端
部は基板中心から６０ｍｍ程度であり、蒸着領域端部に
形成される蒸着パターン形状が蒸発源に対して蒸着領域
端部が最も遠くなる時と最も近くなるときの均一部分と
ＩＴＯ電極との対応状況をメタルマスクと基板とのギャ
ップによりどのように変化するか、検討した。ＩＴＯ電
極と発光層の均一部分が対応しているかどうかは、ＩＴ
Ｏパターンの半値幅より発光層の均一部分の半値幅から
パターンずれを差し引いた値が大きくなっていれば、対
応していることになる。ギャップ４０μｍにおいて均一
部分の長さは約９２．１μｍ程度であり、この時ＩＴＯ
電極とのパターンずれが６μｍ程度となり、対応してい
るが、これよりギャップが大きくなるとパターンずれが
拡大し、対応しきれなくなる。よって、本発明では溶接
バリの突出高さを４０μｍまでに規定している。もちろ
ん、この値は、蒸発源の位置、基板の蒸発源からの高
さ、蒸着面積により変化する値であるが、基板高さを低
くする、蒸発源位置を更に遠くすればパターンずれが大
きくなるし、逆に基板高さを高く、あるいは蒸発源位置
を基板中心にすると、均一な膜形成が困難となる。よっ
て、現状ではこの４０μｍという値がＱＶＧＡパネルに
おいて、アスペクト比１：１で開口率＝６０％を実現す
るための最大許容値となる。

【００１６】また凹部の幅は、溶接に要する領域より広
めに設定しておけば良いが、あまり広すぎても機械的強
度が低下する恐れがあるため、若干広めとなる程度とす
ればよい。また、溶接箇所は凹部内であれば複数箇所に
行っても良く、その場合はその分幅を広めにしても差し
支えない。例えば、０．５ｍｍφのスポット径を有する
レーザー溶接の場合、０．６〜１．０ｍｍ程度の幅とす
ればよい。また、長さは、どのように溶接するかにより
異なるが、連続したシーム溶接を行う場合には連続した
溝となるように形成すればよいし、スポットで溶接する
場合は、連続した溝であっても、スポット部分をカバー
できる程度に断続した溝（平面形状として円形や矩形等
のいずれでも良い）としても良い。又、凹部の断面形状
も図１に示したような矩形形状に限定されるものではな
く、多角形状、半円状などいずれでも良い。

【００１７】本発明におけるメタルマスクとしては、通
常この分野において使用されているステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ合金）や、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）、イン
バー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）などが使用できるが、これらに
限定されるものではない。

【００１８】また、メタルマスクを固定するフレームと
しては、メタルマスクと溶接可能であり、十分な剛性を
有する物であればいずれの材料の使用できる。また、本
発明では、メタルマスクを固定する際にテンションを掛
けて固定することが好ましい。尚、テンションを掛ける
際は、メタルマスクに形成される開口（スリット）の長
辺方向により多くのテンションが掛かるようにすること
で、開口形状をより強固に維持することができる。ま
た、蒸着中にメタルマスクとフレームとの熱膨張係数の
違いからゆるみが生じることを防ぐため、フレーム材と
してメタルマスクの材料と同等かより熱膨張係数の大き
なものを使用するのが好ましい。更にフレーム材として
は、一つの材料で形成しても良いが、フレーム外枠部分
と桟部分とをあるいは縦枠と横枠とを別材料で形成し、
蒸着時の輻射熱による熱膨張の違いからマスクに所定方
向のテンションが掛かるように構成することも可能であ
る。

【００１９】フレームの厚みは、メタルマスクをたわむ
ことなく保持できる厚みであれば特に限定されるもので
はなく、使用する材料により一概に規定できないが、あ
まり厚すぎるとマスク構造体の重量が大きくなるばかり
ではなく、窓あけなどの加工負荷も大きくなり、更に蒸
着の際にフレームが蒸着の遮蔽物ともなりかねないた
め、適切な厚みとするのが肝要である。通常、この用途
に用いられる材料であれば、数ｍｍ〜十数ｍｍあれば十
分である。

【００２０】フレームは１枚の板に切削加工や打ち抜き
加工によりメタルマスクの蒸着パターン部が開口した窓
を設けても良いし、棒材を組み合わせて窓部を形成して
も良い。また、メタルマスクの平滑性を高めるため、表
面を鏡面研磨しておくことが望ましい。

【００２１】メタルマスクのフレームへの取り付けは、
溶接により行うが、溶接方法としては、電気抵抗溶接
（スポット溶接を含む）、電子ビーム溶接、レーザー溶
接などいずれの方法も可能であるが、レーザー溶接によ
る方法が微細な加工が容易であり、また、溶接バリの高
さも低いことから好適である。

【００２２】蒸着に際しては、ガラス基板などの被蒸着
基板とフレーム固定されたメタルマスクとをメタルマス
クのフレーム取り付け面と反対の面で位置合わせして密
着させるが、基板が薄層化されていくと蒸着中の輻射熱
や蒸着物により基板に応力が掛かり基板の周辺部が反り
返りギャップが生じることがあるため、その場合は、メ
タルマスクとして強磁性材料を選択し、基板のメタルマ
スク当接面の反対の面に磁石を設置し、磁力によりメタ
ルマスクを基板に密着させるようにすることで、磁石と
メタルマスクとの吸引力により基板の反り返りを防止す
ることができる。

【００２３】本発明では、有機ＥＬ素子形成用の蒸着マ
スクとして説明しているが、本発明はこの用途に限定さ
れるものではなく、微細な蒸着パターンを形成するいか
なる用途にも適用できることは言うまでもない。

【００２４】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。

【００２５】実施例１ 本実施例では、有機ＥＬ発光層分離用マスクについて説
明する。まず、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、メタ
ルマスクフレーム１１として外形サイズ：４００×４０
０ｍｍ、ｔ＝５ｍｍのＳＵＳ３０４製の板にマスクパタ
ーン用の窓１１ａとして１００×１２０ｍｍの大きさで
９カ所切削加工した後、鏡面仕上げを施した。

【００２６】一方、図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、
メタルマスク１２として、外形サイズ：４００×４００
ｍｍ、ｔ＝１００μｍのＳＵＳ３０４の板に、上記フレ
ームの窓部に対応して３６０μｍｍピッチで３２０本の
スリット１２ｂをスリット幅８０μｍとなるようにウェ
ットエッチングによりパターニングした。また、溶接個
所の凹部１２ａはガラス基板と接する面側を削り加工に
より深さ５０μｍ、幅１ｍｍとなるように溝を形成し
た。

【００２７】溶接に際しては、図２に示すように、メタ
ルマスク１２のたるみを防ぐために、テンションをかけ
た状態でメタルマスクフレーム１１と位置合わせを行
い、レーザービーム２１をメタルマスク１２の凹部１２
ａ内にビームが収束するようしてに溶接する。溶接条件
としては、ＹＡＧレーザスポット溶接でスポット径＝φ
０．５ｍｍ、出力＝数十ｍＪ、溶接間隔＝１ｍｍとして
実施した。図２（ｂ）に示すように、凹部１２ａ内には
高さ２０μｍ程度までの溶接バリ１３がみられたが、溝
深さが５０μｍであることから、マスク表面には溶接バ
リの突出はみられなかった。

【００２８】実施例２ 本実施例では陰極分離用メタルマスクを製造する例につ
いて説明する。まず、メタルマスクフレームとして、外
形サイズ：４００×４００ｍｍ、ｔ＝５ｍｍのアンバー
材（Ｆｅ₆₅Ｎｉ₃₅）の板にマスクパターン用の窓として
１２０×１００ｍｍの大きさで９カ所切削加工した後、
鏡面仕上げを施した。

【００２９】一方、メタルマスクとして、外形サイズ：
４００×４００ｍｍ、ｔ＝１００μｍのＳＵＳ３０４の
板に、上記フレームの窓部に対応して３６０μｍｍピッ
チで２４０本のスリットをスリット幅２６０μｍとなる
ようにウェットエッチングによりパターニングした。ま
た、溶接個所の凹部はガラス基板と接する面側をスリッ
ト形成時にハーフエッチングし、深さ３０μｍ、幅０．
８ｍｍとなるように溝を形成した。

【００３０】溶接に際しては、実施例１と同様にメタル
マスクのたるみを防ぐために、テンションをかけた状態
でメタルマスクフレームに溶接する。溶接方法として
は、ＹＡＧレーザスポット溶接（シーム溶接、スポット
径＝φ０．５ｍｍ、出力＝数十ｍＪ）により実施した。
溝内部には２０μｍ程度までの溶接バリがみられたが、
溝深さが３０μｍであることから、マスク表面には溶接
バリの突出はみられなかった。

【００３１】デバイス作製例 ガラス基板３１として厚さ１．１ｍｍのコーニング社製
１７３７ガラスを用い、その上に陽極３２としてインジ
ウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を１００ｎｍ堆積して、Ｉ
ＴＯ電極膜付きのガラス基板を得た。

【００３２】ガラス基板３１に堆積されたＩＴＯ透明電
極膜をフォトリソグラフィとウエットエッチングを用い
て線幅が０．０８ｍｍ、ピッチが０．１２ｍｍのストラ
イプを９６０本形成し陽極３２とした。パターン形成
後、ＩＴＯ基板を有機溶剤により洗浄した後、ＵＶ／オ
ゾン洗浄を行った。次に、ＩＴＯ電極上に有機膜の成膜
を行った。正孔輸送層３３として、真空蒸着機内のるつ
ぼに入れられた有機材料Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）を真空
ポンプで真空蒸着装置内を１．３３ｍＰａ（１×１０^-5
Ｔｏｒｒ）以下に排気した後、ＩＴＯ電極３２上に一様
に５０ｎｍ蒸着した。

【００３３】正孔輸送層３３を成膜した後、ＩＴＯ電極
３２のストライプパターンの３倍のピッチ（０．３６ｍ
ｍ）で幅０．０８ｍｍのスリットの入った有機発光層分
離用メタルマスク（実施例１で作製したマスク）を用
い、ガラス基板３１をメタルマスクに密着させるように
配置し、シャドーマスク法により赤色発光層３４Ｒ、緑
色発光層３４Ｇ、青色発光層３４Ｂをストライプ状に形
成されたＩＴＯ電極３２上に平行に形成した。まず、赤
色発光層３４Ｒとしてトリス（８−キノリライト）アル
ミニウム錯体（以下、Ａｌｑ₃という）にドーパントと
して４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドー
ピング濃度５ｗｔ％）を５０ｎｍ共蒸着し、次にマスク
をＩＴＯ電極と同じピッチだけずらした後、緑色発光層
３４ＧとしてＡｌｑ₃にドーパントとしてキナクリドン
（ドーピング濃度５ｗｔ％）を５０ｎｍ共蒸着し、更
に、マスクをＩＴＯ電極と同じピッチだけスライドさせ
た後、青色発光層３４Ｂとしてペリレンを５０ｎｍ蒸着
した。このようにして発光層を形成する。次に電子輸送
層３５としてＡｌｑ₃を一様に５０ｎｍ蒸着した。これ
らの工程は全て真空一貫で行った。最後にＩＴＯ電極３
２及び発光層のストライプに直交するストライプ状の陰
極３６を電子輸送層３５上に形成する。電極形成は、上
記の陰極分離用メタルマスク（実施例２で作製したマス
ク）を用いて、ガラス基板をメタルマスクに密着させる
ようにし、シャドーマスク法により形成される。このと
き用いる陰極材料は、ＡｌとＬｉの合金であり、Ａｌ：
Ｌｉの比率が１０：１になるように２元蒸着される。以
上のようにして、図３の概念図に示すＥＬ素子が完成す
る。

【００３４】本発明のメタルマスクを用いて蒸着された
各発光層はパターンにじみもなく、ＩＴＯ電極３２パタ
ーンと良く対応していた。また、同様に本発明のメタル
マスクを用いた蒸着された陰極も隣り合う電極間で短絡
はみられなかった。

【００３５】比較例１ 溶接部に凹部を設けていない以外は実施例１，２と同様
にしてメタルマスクをフレームに溶接した。このマスク
を用いて上記の製造例と同様にしてＥＬ素子を形成した
が、発光層で隣り合う発光層が混色している部分がみら
れたほか、陰極も一部短絡している部分があった。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、メタルマスクのフレー
ムへの溶接をメタルマスクに設けた凹部内で行うこと
で、溶接バリを許容範囲内の高さあるいはマスクの被蒸
着基板との当接面より上に突出することがなくなり、被
蒸着基板をマスクに密着させるに際して溶接バリによる
ギャップが少なく、あるいはギャップなく密着させるこ
とが可能となり、蒸着物のにじみを防止することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で使用するメタルマスクとフレームとの
一例を説明する図であり、（ａ）はフレームの平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、（ｃ）はメタ
ルマスクの平面図、（ｄ）は（ｃ）のＢ−Ｂ’線での円
で囲んだ部分の部分断面図を示す。

【図２】本発明のメタルマスクとフレームとの溶接を説
明する図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線での円で
囲んだ部分の部分断面図（溶接後）を示す。

【図３】本発明のデバイス製造例で説明した有機ＥＬ素
子の概念図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は一部
破断斜視図である。

【図４】従来の蒸着時の課題を説明する図であり、
（ａ）は蒸着時の概念図、（ｂ）は模式的断面図であ
る。

【符号の説明】

１１ マスクフレーム １１ａ 窓 １２ メタルマスク １２ａ 凹部 １２ｂ スリット １３ 溶接バリ ２１ レーザービーム ３１ 基板 ３２ 陽極（ＩＴＯ） ３３ 正孔輸送層 ３４ 発光層 ３４Ｒ 赤 ３４Ｇ 緑 ３４Ｂ 青 ３５ 電子輸送層 ３６ 陰極

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 薄層の蒸着用のメタルマスクが支持フレ
   ームに溶接されており、少なくとも被蒸着基板内に該溶
   接部が位置するメタルマスク構造体であって、前記メタ
   ルマスクのフレーム当接面の反対の面に、該メタルマス
   クに凹部が形成されており、該凹部内でメタルマスクと
   支持フレームとが溶接されていることを特徴とするメタ
   ルマスク構造体。
2. 【請求項２】 メタルマスクに形成する凹部の深さが、
   溶接後にメタルマスクの被蒸着基板当接面上に溶接バリ
   の突出が０〜４０μｍの範囲となる深さであることを特
   徴とする請求項１に記載のメタルマスク構造体。
3. 【請求項３】 メタルマスクを支持フレームに固定する
   際に、メタルマスクにテンションを掛けて固定すること
   を特徴とする請求項１または２に記載のメタルマスク構
   造体。
4. 【請求項４】 前記凹部が連続した溝であることを特徴
   とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメタルマス
   ク構造体。
5. 【請求項５】 前記凹部が円形又は矩形であることを特
   徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメタルマ
   スク構造体。
6. 【請求項６】 薄層の蒸着用のメタルマスクが支持フレ
   ームに溶接されており、少なくとも被蒸着基板内に該溶
   接部が位置するメタルマスク構造体の製造方法であっ
   て、前記メタルマスクのフレーム当接面の反対の面に、
   凹部を形成し、該凹部内でメタルマスクと支持フレーム
   とを溶接することを特徴とするメタルマスク構造体の製
   造方法。
7. 【請求項７】 前記凹部を切削により形成することを特
   徴とする請求項６に記載のメタルマスク構造体の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記凹部をエッチングにより形成するこ
   とを特徴とする請求項６に記載のメタルマスク構造体の
   製造方法。
9. 【請求項９】 メタルマスクに形成する蒸着開口パター
   ンをウェットエッチングによりマスクの両面から２回に
   分けて行い、フレーム当接面の反対面をエッチングする
   際に、前記凹部を同時に形成することを特徴とする請求
   項６に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
10. 【請求項１０】 メタルマスクに形成する凹部の深さ
    が、溶接後にメタルマスクの被蒸着基板当接面上に溶接
    バリの突出が０〜４０μｍの範囲となる深さであること
    を特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載のメタ
    ルマスク構造体の製造方法。
11. 【請求項１１】 メタルマスクを支持フレームに固定す
    る際に、メタルマスクにテンションを掛けて固定するこ
    とを特徴とする請求項６乃至１０の何れか１項に記載の
    メタルマスク構造体の製造方法。
12. 【請求項１２】 メタルマスクとフレームとの溶接をレ
    ーザー溶接により行うことを特徴とする請求項６乃至１
    １の何れか１項に記載のメタルマスク構造体の製造方
    法。