JP2009301789A - 有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板101に近接させて蒸着マスク21を設置する。回路基板101の上側には、マグネット103、磁界強度を調整するための中間板102が配置されている。蒸着マスク21はマスクシート23とマスクフレーム22から構成されている。回路基板101の熱膨張係数をα(S)とし、マスクフレーム22の熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10-6℃-1) ≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1)の関係とし、かつ、マスクフレーム22の熱膨張係数を前記マスクシート23の熱膨張係数よりも大きくすることによって高精度のマスク蒸着を可能とする。
【選択図】図1
Description
α(F)≧α(M) ×(ΔT(M) / ΔT(F) ) (式1)
(α(S) -5×10-6℃-1)≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1) …(式2)
(式1)の意味は、マスクフレーム22の温度がマスクシート23の温度よりも低い場合であっても、マスクフレーム22の熱膨張量がマスクシート23の熱膨張量よりも大きくするということである。また、(式2)は、マスクフレーム22と回路基板101の位置ずれが、回路基板101の中心から200mm離れた場所において、10μm以下とするための条件である。回路基板101、マスクフレーム22、マスクシート23の温度を比較すると、マスクシート>回路基板>マスクフレームとなっており、回路基板101の温度がマスクフレーム23の温度よりも高い。
(1)マスク蒸着工程における蒸着マスクの弛みによる変形が抑制でき,デバイス基板の熱膨張に対応して蒸着マスクも膨張して寸法を合わせることができるため,(1)蒸着パターンの位置ずれ低減,(2)プロセス変動(熱輻射変動)への良好な追従性,の効果が得られる。これにより,マスク蒸着工程の製造歩留まりを高くすることができる。
(2)蒸着マスクのマスクシート変形が抑制できるとともに熱輻射の影響を低くできるため,蒸着パターンの微細化に寄与できる。
(3)低テンションマスクとできるため,蒸着マスクの長寿命化が期待できる。
本実施例の場合にも第1の実施例と同じ効果を得ることができる。またこの場合には,下記効果も得ることができる。すなわち、(1)微細開口部25を設けているマスクシート23が小さいため,熱伸びによる変形量を第1の実施例に比べて小さくできること、(2)熱容量の大きなマスクフレーム22が蒸着マスク21全体に存在するため,マスク温度の変化を抑制できることである。また,マスクフレーム22が回路基板101の熱遮蔽となるため,回路基板101の温度上昇を抑制でき,温度変化も低減できる。
Claims (13)
- 回路基板上に下部電極、有機EL層、上部電極を形成した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記有機EL層または前記上部電極は蒸着マスクを用いた蒸着によって形成し、
前記蒸着マスクは開口部を形成したマスクシートと前記マスクシートを支持するマスクフレームによって形成され、
前記回路基板の熱膨張係数をα(S)とし、前記マスクフレームの熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10-6℃-1)≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1)の関係が存在し、かつ、
前記マスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記マスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数の1.2倍以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記有機EL層または前記上部電極を蒸着によって形成しているときの前記マスクフレームの温度上昇をΔT(F)、前記マスクシートの温度上昇をΔT(M)、前記マスクシートの熱膨張係数をα(M)とした場合、α(F)≧α(M) ×(ΔT(M) / ΔT(F) )を満足することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記マスクシートまたは前記マスクフレームをFeとNiのいずれかを含む材料によって構成することを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 回路基板上に下部電極、有機EL層、上部電極、および、上部電極の電圧降下を緩和する補助電極を前記上部電極上の形成した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記補助電極は蒸着マスクを用いた蒸着によって形成し、
前記蒸着マスクは開口部を形成したマスクシートと前記マスクシートを支持するマスクフレームよって形成され、
前記回路基板の熱膨張係数をα(S)とし、前記マスクフレームの熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10-6℃-1)≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1)の関係が存在し、かつ、
前記マスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記マスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数の1.2倍以上であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記有機EL層または前記上部電極を蒸着によって形成しているときの前記マスクフレームの温度上昇をΔT(F)、前記マスクシートの温度上昇をΔT(M)、前記マスクシートの熱膨張係数をα(M)とした場合、α(F)≧α(M) ×(ΔT(M) / ΔT(F) )を満足することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記マスクシートまたは前記マスクフレームをFeとNiのいずれかを含む材料によって構成することを特徴とする請求項5乃至請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 回路基板上に下部電極、有機EL層、上部電極を形成した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記有機EL層または前記上部電極は蒸着マスクを用いた蒸着によって形成し、
前記蒸着マスクは開口部を形成したマスクシートと前記マスクシートを支持する第1のマスクフレームと、前記第1のマスクフレームを支持する第2のマスクフレームによって形成され、
前記回路基板の熱膨張係数をα(S)とし、前記第2のマスクフレームの熱膨張係数をα(F2)とした場合、(α(S) -5×10-6℃-1)≦ α(F2) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1)の関係が存在し、かつ、
前記第2のマスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数および前記第1のマスクフレームの熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記マスクシートまたは前記マスクフレームをFeとNiのいずれかを含む材料によって構成することを特徴とする請求項9に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 回路基板上に下部電極、有機EL層、上部電極、および、上部電極の電圧降下を緩和する補助電極を前記上部電極上の形成した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記補助電極は蒸着マスクを用いた蒸着によって形成し、
前記蒸着マスクは開口部を形成したマスクシートと前記マスクシートを支持する第1のマスクフレームと、前記第1のマスクフレームを支持する第2のマスクフレームによって形成され、
前記回路基板の熱膨張係数をα(S)とし、前記第2のマスクフレームの熱膨張係数をα(F2)とした場合、(α(S) -5×10-6℃-1)≦ α(F2) ≦ (α(S) +10×10-6℃-1)の関係が存在し、かつ、
前記第2のマスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数および前記第1のマスクフレームの熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記マスクシートまたは前記マスクフレームをFeとNiのいずれかを含む材料によって構成することを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記マスクシートはNiめっきによって形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項12に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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