CN111471958A - 用于沉积薄膜的掩模框组件 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及掩模框组件，该掩模框组件包括：掩模框；至少一个掩模片，布置在掩模框上；多个第一支承杆，在第一方向上延伸；以及多个第二支承杆，在第二方向上延伸，其中，基于掩模框变形指数＝Σ(第一支承杆的拉力/第一支承杆的拉伸率)‑Σ(第二支承杆的拉力/第二支承杆的拉伸率)，掩模框变形指数在从约‑1000至约+1000的范围内，其中，相应的第一支承杆或第二支承杆的拉力由厚度(T)×宽度(W)×弹性系数(E)×拉伸率(δ/L0)给出，δ是与拉伸对应的变形量(Lf‑L0)，L0是相应的第一支承杆或第二支承杆的初始长度，并且Lf是相应的第一支承杆或第二支承杆的最终长度。

Description

用于沉积薄膜的掩模框组件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0009237号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及用于沉积薄膜的掩模框组件。
背景技术
通常，可以在诸如智能电话、膝上型计算机、数码相机、便携式摄像机、个人数字助理、笔记本计算机和平板个人计算机的移动设备中以及诸如台式计算机、电视机、室外广告牌、用于展览的显示设备、汽车仪表盘和平视显示器(HUD)的电子装置中使用显示设备。
最近，更薄的显示设备已经投放市场。柔性显示设备易于携带且能够应用于各种形状的设备，并且能够在至少一个方向上弯曲。在柔性显示设备中，基于有机发光显示技术的柔性显示设备是柔性显示设备的主导类型。
有机发光显示设备包括各自布置在衬底之上的像素电极、相对电极以及位于像素电极与相对电极之间的有机发射层。可以通过沉积方法形成诸如有机发射层的薄膜。沉积装置需要用于形成薄膜的掩模框组件。
然而，当沉积数量增加时，掩模框组件可能热变形。在掩模框组件热变形的情况下，沉积材料可能沉积在衬底的不期望的区域上。因此，无法在衬底中形成精细的沉积图案。
发明内容
一个或多个实施方式包括用于沉积薄膜的掩模框组件，该掩模框组件可在衬底中形成精细沉积图案。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且根据描述将部分地显而易见，或者可以通过本实施方式的实践而习得。
根据一个或多个实施方式，掩模框组件包括：掩模框，包括开口和围绕开口的多个框；至少一个掩模片，在至少一个掩模片中图案化有多个沉积孔，至少一个掩模片布置在掩模框上；多个第一支承杆，在第一方向上延伸；以及多个第二支承杆，在第二方向上延伸，其中，基于掩模框变形指数＝Σ(第一支承杆的拉力/第一支承杆的拉伸率)-Σ(第二支承杆的拉力/第二支承杆的拉伸率)，掩模框变形指数在从约-1000至约+1000的范围内。在这里，相应的第一支承杆或第二支承杆的拉力由厚度(T)×宽度(W)×弹性系数(E)×拉伸率(δ/L0)给出，δ是与拉伸对应的变形量(Lf-L0)，L0是相应的第一支承杆或第二支承杆的初始长度，并且Lf是相应的第一支承杆或第二支承杆的最终长度。
掩模框的第一方向可与第一支承杆延伸的方向对应，并且掩模框在第一方向上的整体变化量可为5μm或更小。
掩模框的第二方向可与第二支承杆延伸的方向对应，并且掩模框在第二方向上的整体变化量可为5μm或更小。
掩模框的变形率可与第一支承杆的变形率减去第二支承杆的变形率对应。
掩模框的恢复力可与(Σ第二支承杆的拉力/Σ第一支承杆的拉力)成比例，其中，Σ第一支承杆的拉力表示多个第一支承杆的合成拉力，Σ第二支承杆的拉力表示多个第二支承杆的合成拉力。
第一支承杆和第二支承杆可布置在掩模框与掩模片之间。
第一支承杆可在第一方向上延伸跨过掩模片，并且第二支承杆可在第二方向上延伸跨过掩模片。
第一支承杆可遮蔽布置在掩模片中的沉积孔中的至少一些，并且第二支承杆可与布置在掩模片的边缘处的肋部重叠。
第一支承杆和第二支承杆可彼此相交。
第一支承杆可在第二方向上彼此间隔开，并且第二支承杆可在第一方向上彼此间隔开。
附图说明
根据结合附图的实施方式的以下描述，这些和/或其他方面将变得显而易见且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施方式的用于沉积薄膜的掩模框组件的一部分的分解立体图。
图2是图1的掩模片、第一支承杆和第二支承杆的放大平面图。
图3是通过使用图1的掩模框组件执行沉积的沉积装置的构造图。
图4是根据本申请人的实验的掩模框变形指数的图。
图5是通过使用图1的掩模框组件沉积的有机发光显示设备的一个子像素的剖视图。
图6是通过使用图1的掩模框组件沉积在衬底上的沉积图案的放大图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此将在附图中示出示例性实施方式并且在书面描述中对示例性实施方式进行详细描述。当参考参照附图描述的实施方式时，本公开的效果和特性以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的示例性实施方式。
将理解的是，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件上时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在介于中间的层、区域或部件。为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被夸大。换句话说，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施方式不限于此。
在以下示例中，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更宽泛的意义上进行解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示不彼此垂直的不同的方向。
在下文中，参考附图详细描述根据实施方式的用于沉积薄膜的掩模框组件。在参考附图进行描述时，相同的附图标记被赋予相同或相应的元件，并且省略其重复描述。
图1是根据实施方式的用于沉积薄膜的掩模框组件100的一部分的分解立体图，并且图2是图1的掩模片130、第一支承杆140和第二支承杆150的放大平面图。
参照图1和图2，掩模框组件100包括掩模框110和安装在掩模框110上的掩模片120。
开口115可以形成在掩模框110中。开口115可以由多个框111至114围绕。多个框111至114可以彼此连接。
多个框111至114包括在第一方向(X方向)上延伸并且在第二方向(Y方向)上彼此面对的第一框111和第二框112以及在第二方向(Y方向)上延伸并且在第一方向(X方向)上彼此面对的第三框113和第四框114。第一框111、第二框112、第三框113和第四框114可以彼此连接以围绕开口115。掩模框110可以具有四边形框形状。掩模框110可以包括在焊接掩模片120时相对不易变形的材料，例如，具有高刚性的金属。在实施方式中，掩模框110包括不锈钢、因瓦合金等中的至少一种。
掩模片120可以联接在掩模框110上。掩模片120可以包括薄板。掩模片120可以包括不锈钢、因瓦合金、Ni、Co、镍合金、镍钴合金等中的至少一种。
掩模片120包括分离的多个掩模片130。分离的多个掩模片130可以在第一方向(X方向)上分离。分离的多个掩模片130中的每一个可以在第二方向(Y方向)上延伸。在下文中，对掩模片的引用是指分离的掩模片130。
与多个单元显示面板的沉积图案对应的沉积图案单元EP可以布置在掩模片130中。掩模片130可以同时沉积多个单元显示面板的沉积图案。沉积图案单元EP可以在第二方向(Y方向)上延伸，第二方向(Y方向)是掩模片130的长度方向。
在实施方式中，单个沉积图案单元EP可以布置在掩模片130中。单个沉积图案单元EP可以连续形成在掩模片130的第二方向(Y方向)上。在另一实施方式中，掩模片130可以包括分别与单元显示面板的沉积图案对应的多个沉积图案单元EP。多个沉积图案单元EP可以在第二方向(Y方向)上彼此间隔开。
沉积图案单元EP可以包括多个沉积区域E和多个虚设区域D。沉积区域E和虚设区域D可以交替地布置在第二方向(Y方向)上。由虚设区域D隔开的一个沉积区域E可以与单元显示面板的沉积区域对应。虚设区域D可以与划分彼此相邻的多个沉积区域E的非沉积区域对应。
图案孔131可以布置在沉积图案单元EP中。图案孔131包括布置在沉积区域E中的多个第一图案孔132和布置在虚设区域D中的多个第二图案孔133。
多个第一图案孔132可以包括用于形成在单元显示面板的显示区域中图案化的沉积图案所需的孔。多个第二图案孔133可以包括用于防止掩模片130在沉积工艺期间变形所需的图案孔。
布置在沉积区域E中的多个第一图案孔132和布置在虚设区域D中的多个第二图案孔133可以在掩模片130的长度方向(Y方向)上交替地图案化。多个第一图案孔132和多个第二图案孔133可以从掩模片130的一端连续地图案化到另一端。
包括多个第一图案孔132和多个第二图案孔133的图案孔131包括点形状的狭缝图案或条形状的狭缝图案。多个第一图案孔132和多个第二图案孔133具有相同的形状和相同的尺寸，但不限于此。
肋部134可以布置在掩模片130的第一方向(X方向)上的两个边缘处，该第一方向(X方向)是掩模片130的宽度方向。可以不在肋部134中形成图案孔。肋部134可以在第二方向(Y方向)上延伸，第二方向(Y方向)是掩模片130的长度方向。
掩模片130可以在第一方向(X方向)上彼此分离并且连续地布置。掩模片130可以在第二方向(Y方向)上延伸跨过掩模框110的开口115。多个掩模片130可以覆盖相应的开口115。掩模片130的第二方向(Y方向)上的两个相对端部可以通过点焊固定在第一框111和第二框112上。
多个第一支承杆140可以布置在掩模框110与掩模片130之间。第一支承杆140可以防止掩模片130由于其自身的重量而下垂。第一支承杆140可以包括遮蔽薄板，该遮蔽薄板防止沉积材料沉积在衬底的不期望的区域上。第一支承杆140可包括不锈钢、因瓦合金等中的至少一种。
第一支承杆140可以布置在与掩模片130交叉的方向上。第一支承杆140可以延伸跨过在第一方向(X方向)上彼此相邻的多个掩模片130。
多个第一支承杆140可以在第二方向(Y方向)上彼此间隔开。第一支承杆140中的每个可以遮蔽布置在虚设区域D中的每一个中的多个第二图案孔133。第一支承杆140包括在第一方向(X方向)上延伸的第一杆主体141。多个第一突出部142可以从第一杆主体141突出并且可以在第一方向(X方向)上彼此间隔开。多个第一突出部142可以通过连接器143彼此连接。
第一突出部142可以从第一杆主体141的两个相对边缘沿第二方向(Y方向)突出。第一突出部142可以强化第一杆主体141的刚性。只要第一突出部142从第一杆主体141的至少一个边缘突出，第一突出部142就不限于一种形状。在实施方式中，第一支承杆140可以仅包括第一杆主体141，而没有第一突出部142。
第一支承杆140的两个相对端部可以分别点焊在第三框113和第四框114上。具体地，第一支承杆140可以在施加有拉力的情况下固定在第三框113和第四框114上。
第二支承杆150可以布置在掩模框110与第一支承杆140之间。在另一实施方式中，第二支承杆150可以布置在掩模片130与第一支承杆140之间。第一支承杆140和第二支承杆150可以彼此相交。第二支承杆150可以包括不锈钢、因瓦合金等中的至少一种。
第二支承杆150可以沿掩模片130延伸的方向布置。多个第二支承杆150可以在第一方向(X方向)上彼此间隔开。第二支承杆150中的每个可以布置在沿第一方向(X方向)彼此相邻的多个掩模片130之间的边界区域BA中。第二支承杆150可遮蔽彼此相邻的多个掩模片130之间的间隔。第二支承杆150可以与彼此相邻的多个掩模片130的肋部134重叠。在实施方式中，突出部可以从第二支承杆150的一个边缘沿第一方向(X方向)突出。
第二支承杆150的两个相对端部可以分别点焊在第一框111和第二框112上。具体地，第二支承杆150可以在施加有拉力的情况下固定在第一框111和第二框112上。
图3是通过使用图1的用于沉积薄膜的掩模框组件100执行沉积的沉积装置300的构造图。
参照图3，沉积装置300包括真空室310，真空室310配置为沉积诸如有机发光显示设备的有机发射层的薄膜。沉积源320可以位于真空室310内的下部部分中。掩模框组件100的掩模框110可以安装在沉积源320上方。掩模片130可以安装在掩模框110之上。用于沉积的衬底330可以位于掩模片130之上。磁体340可以安装在用于沉积的衬底330之上，磁体340配置为产生磁力，使得掩模片130紧密附接在用于沉积的衬底330上。
第一支承杆140和第二支承杆150可以安装在掩模片130的底表面上以防止掩模片130的下垂。第一支承杆140和第二支承杆150可以布置在彼此相交的方向上。
当从沉积源320朝向掩模片130喷射沉积材料时，行进穿过掩模框110的开口115的沉积材料穿过形成在掩模片130中的多个图案孔131，并且在用于沉积的衬底330的一侧上沉积成具有期望的图案。
在沉积图案形成在用于沉积的衬底330上之后，用于沉积的另一衬底330被插入真空室310中并执行沉积工艺。当重复执行数十次沉积工艺时，掩模框110可能变形。具体地，当沉积数量增加时，第一支承杆140和第二支承杆150可能由于从沉积源320产生的热量而热变形。当发生第一支承杆140和第二支承杆150的热变形时，其上已焊接第一支承杆140和第二支承杆150的掩模框110可能在X方向和Y方向上收缩或扩张。因此，可能无法在衬底330的期望位置上形成沉积图案，且因此，可能发生阴影缺陷。
第一支承杆140和第二支承杆150需要通过考虑可以最小化掩模框110的时序变形的掩模框变形指数来进行设计。具体地，在制造掩模框组件100之后，由于沉积数量增加，第一支承杆140和第二支承杆150的温度升高，且因此，其上焊接有第一支承杆140和第二支承杆150的掩模框110可能变形。因此，应通过考虑第一支承杆140和第二支承杆150的时序变形率来制造掩模框组件100。
例如，掩模框110的变形率Df可以与通过从第一支承杆140的变形率D1减去第二支承杆150的变形率D2而获得的值(Df＝D1-D2)对应，第一支承杆140在与掩模片130相交的方向(X方向)上延伸，并且第二支承杆150在与掩模片130平行的方向(Y方向)上延伸。
具体地，布置在掩模框110上的第一支承杆140和第二支承杆150的材料、数量和尺寸可以彼此不同。此外，施加到第一支承杆140和第二支承杆150的拉力可以彼此不同。因此，发生了第一支承杆140和第二支承杆150的热变形的差异。热变形的差异实质上可为掩模框110的变形。
在实施方式中，掩模框110的恢复力R可以与多个第二支承杆150的合成拉力(Σ第二支承杆的拉力)除以多个第一支承杆140的合成拉力(∑第一支承杆的拉力)成比例。即，R∝(Σ第二支承杆的合成拉力/Σ第一支承杆的合成拉力)。
基于以下等式1，第一支承杆140和第二支承杆150可以设计成使得掩模框变形指数在从约-1000到约+1000的范围内。
等式1
掩模框变形指数＝Σ(第一支承杆的拉力/第一支承杆的拉伸率)-
Σ(第二支承杆的拉力/第二支承杆的拉伸率)
其中，相应的第一支承杆140或第二支承杆150的拉力由相应的第一支承杆140或第二支承杆150的厚度(T)×宽度(W)×弹性系数(E)×拉伸率(δ/L0)给出，δ是与拉伸对应的变形量(Lf-L0)，L0是杆的初始长度，并且Lf是杆的最终长度。
当掩模框变形指数在从约-1000至约+1000的范围内时，掩模框110在X方向(第一方向)和Y方向(第二方向)上的变化量可为5μm或更小。具体地，掩模框110在第一方向(X方向)上的整体变化量可为5μm或更小，并且掩模框110在第二方向(Y方向)上的整体变化量可为5μm或更小。
当掩模框变形指数在从约-1000至约+1000的范围内时，掩模框110在X方向和Y方向上的变化量可以在误差范围内。即，即使当沉积数量增加时，也可以在衬底330的期望位置上形成沉积图案。
因此，当通过调整布置在掩模框110上的第一支承杆140和第二支承杆150的诸如厚度、宽度、长度、材料和拉伸变化量的因素而使得掩模框变形指数可以在从约-1000至约+1000的范围内时，可以减小掩模框110在X方向和Y方向上的变化量。
表1和图4是示出根据本申请人的实验的掩模框变形指数的表和图。
表1
Figure BDA0002262156060000091
参照表1和图4，通过调节许多变量(例如，第一支承杆140和第二支承杆150的宽度、厚度和拉力)来测量掩模框变形指数，第一支承杆140和第二支承杆150在施加有的拉力的情况下焊接在掩模框110上。
这里，第一方向(X方向)上的负值表示掩模框110在X方向上收缩，并且第二方向(Y方向)上的正值表示掩模框110在Y方向上扩张。此外，已经测量了在执行了四十五次沉积工艺之后在X方向和Y方向上的变化量。
参见实施方式A、实施方式B、实施方式C和实施方式D，各个掩模框变形指数为352.9、380.5、539.4和606.5，这表明掩模框变形指数在从约-1000到约+1000的范围内。在这种情况下，揭示出X方向上的变化量Ax、Bx、Cx和Dx分别为-1.2μm、-2μm、0.3μm、0.0μm，并且Y方向上的变化量Ay、By、Cy和Dy分别为2.5μm、1.3μm、3.5μm、3.2μm。在沉积工艺期间可以使用在X方向和Y方向上具有这种变化量的掩模框110。
相反，参考比较例E和比较例F，掩模框变形指数分别为2411.1和3109.5，这表明掩模框变形指数已从约-1000至约+1000的范围偏离。在这种情况下，已知X方向上的变化量(Ex和Fx)分别为-4.9μm和-6.8μm，并且Y方向上的变化量(Ey和Fy)分别为7.5μm和7.2μm。由于具有像这样的X方向和Y方向上的变化量的掩模框110会导致阴影缺陷，因此不可以在沉积工艺期间使用掩模框110。
如上所述，在其中掩模框变形指数在从约-1000至约+1000的范围内的实施方式A、实施方式B、实施方式C和实施方式D中，由于第一支承杆140和第二支承杆150的热变化而引起的掩模框110在X方向和Y方向上的变化量为5μm或更小，这是误差范围。
表2示出了根据本申请人的实验的掩模框变形指数。
表2
Figure BDA0002262156060000101
参照表2，在比较例中，在调整了第一支承杆140和第二支承杆150的厚度、拉力等的情况下，掩模框变形指数为311。在该实施方式中，在调整了第一支承杆140和第二支承杆150的厚度、拉力等的情况下，掩模框变形指数为861。在这种情况下，在温度升高20℃之后测量掩模框组件100。
表3示出了根据表2的掩模框变形指数的、掩模框110在X方向和Y方向上的变化量。
表3
Figure BDA0002262156060000111
参照表3，比较例的掩模框110在X方向和Y方向上的变化量分别为-6.8μm和7.2μm。相比之下，实施方式的掩模框110在X方向和Y方向上的变化量分别为0.3μm和3.7μm。
这揭示了与比较例相比，在其中掩模框变形指数在从约-1000至约+1000的范围内的实施方式中，掩模框110的变形减小。
因此，在沉积工艺期间，即使当掩模框110由于第一支承杆140和第二支承杆150的热变形而变形时，也可以在用于沉积的衬底330的期望区域上执行沉积。
图5是通过使用图1的掩模框组件100沉积的有机发光显示设备500的一个子像素的剖视图。
这里，子像素包括至少一个薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。薄膜晶体管TFT不仅限于图5的结构，并且薄膜晶体管TFT的数量和结构可以被不同地改变。
参考图5，有机发光显示设备500包括衬底511。衬底511包括玻璃衬底、塑料衬底或柔性膜衬底。衬底511可以是透明的、半透明的或不透明的。
阻挡层512可以布置在衬底511上。阻挡层512可以覆盖衬底511的顶表面。阻挡层512可以包括无机层或有机层。阻挡层512可以包括单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以形成在阻挡层512上。尽管根据本实施方式的薄膜晶体管TFT可以是作为示例的顶栅型薄膜晶体管，但是可以提供具有不同结构的薄膜晶体管，诸如底栅型薄膜晶体管。
半导体层513可以布置在阻挡层512上。半导体层513可以包括掺杂有N型或P型杂质离子的源极区域514和漏极区域515。源极区域514与漏极区域515之间的区域可以包括不掺杂杂质的沟道区域516。
半导体层513可以包括有机半导体、无机半导体或非晶硅。在另一实施方式中，半导体层513可以包括氧化物半导体。
栅极绝缘层517可以沉积在半导体层513上。栅极绝缘层517可以包括无机层。栅极绝缘层517可以包括单层或多层。
栅电极518可以布置在栅极绝缘层517上。栅电极518可以包括单层或多层，该单层或多层包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo和Cr中的至少一个或诸如Al：Nd和Mo：W的合金。
层间绝缘层519可以布置在栅电极518上。层间绝缘层519可以包括具有氧化硅或氮化硅的无机层。
源电极520和漏电极521可以布置在层间绝缘层519上。通过去除栅极绝缘层517的一部分和层间绝缘层519的一部分来形成接触孔。源电极520可以通过接触孔电连接到源极区域514，并且漏电极521可以通过接触孔电连接到漏极区域515。
钝化层522可以形成在源电极520和漏电极521上。钝化层522可以包括无机层或有机层。
平坦化层523可以形成在钝化层522上。平坦化层523可以包括有机层，该有机层包括丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯(BCB)。在实施方式中，钝化层522和平坦化层523可各自包括单层或多层。
有机发光二极管OLED可以布置在薄膜晶体管TFT之上。
有机发光二极管OLED包括作为第一电极的像素电极525、作为第二电极的相对电极527和位于像素电极525与相对电极527之间的中间层526。
像素电极525通过接触孔电连接到源电极520和漏电极521中的一个。
像素电极525用作阳极并且可以包括各种导电材料。像素电极525可以包括透明电极或反射电极。
覆盖像素电极525的边缘的像素限定层(PDL)524可布置在平坦化层523上。像素限定层524通过围绕像素电极525的边缘来限定每个子像素的发射区域。
像素限定层524可以包括有机层。
中间层526可以布置在像素电极525的通过蚀刻像素限定层524的一部分而暴露的区域上。可以通过沉积工艺来形成中间层526。
中间层526可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
中间层526可以包括有机发射层(EML)。在另一实施方式中，中间层526可以包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。本实施方式不限于此，并且中间层526可以包括有机发射层，并且还可以包括其他各种功能层。
相对电极527可以布置在中间层526上。相对电极527可以与公共电极对应。与像素电极525类似，相对电极527可以包括透明电极或反射电极。
像素电极525和相对电极527可以通过中间层526彼此绝缘。当电压施加到像素电极525和相对电极527时，中间层526发射可见光，并且产生能够由用户识别的图像。
封装单元540可以布置在有机发光二极管OLED上。
封装单元540可以包括交替堆叠的多个有机层541和542以及多个无机层543、544和545。在实施方式中，封装单元540可以具有其中有机层541和542包括至少一个层并且无机层543、544和545包括至少两个层的结构。封装单元540的作为暴露于外部的最上层的无机层545可以包括无机层，以防止水分传递至有机发光二极管OLED。
图6是通过使用图1的掩模框组件100沉积在衬底上的沉积图案的放大图。
参照图6，已从沉积源320(参见图3)蒸发的沉积材料穿过掩模片130的图案孔131，并且然后沉积在衬底330(参见图3)的显示区域DA上。因此，可以在显示区域DA中形成有机发射层的图案601。当被驱动时，沉积在显示区域DA中的图案601可以发光。
虚设图案602沉积在延伸到显示区域DA的外部的非显示区域NDA中。一些虚设图案602包括由于阴影现象等引起的破碎图案603。虚设图案602基本上不参与发光。
尽管已经参照附图中示出的实施方式描述了本公开，但是这仅作为示例提供，并且本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求书限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在本公开中进行形式和细节及其等同的各种改变。

Claims (10)

1.掩模框组件，包括：
掩模框，包括开口和围绕所述开口的多个框；
至少一个掩模片，在所述至少一个掩模片中图案化有多个沉积孔，所述至少一个掩模片布置在所述掩模框上；
多个第一支承杆，在第一方向上延伸；以及
多个第二支承杆，在第二方向上延伸，
其中，基于以下等式1，掩模框变形指数在从-1000至+1000的范围内：
等式1
掩模框变形指数＝Σ(第一支承杆的拉力/第一支承杆的拉伸率)-Σ(第二支承杆的拉力/第二支承杆的拉伸率)，
其中，相应的第一支承杆或第二支承杆的拉力由相应的第一支承杆或第二支承杆的厚度×宽度×弹性系数×拉伸率给出，所述拉伸率由(δ/L0)给出，δ是与拉伸对应的变形量，所述变形量由(Lf-L0)给出，L0是相应的第一支承杆或第二支承杆的初始长度，并且Lf是相应的第一支承杆或第二支承杆的最终长度。
2.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述掩模框在所述第一方向上的整体变化量为5μm或更小。
3.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述掩模框在所述第二方向上的整体变化量为5μm或更小。
4.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述掩模框的变形率与所述第一支承杆的变形率减去所述第二支承杆的变形率对应。
5.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述掩模框的恢复力与(Σ所述第二支承杆的拉力/Σ所述第一支承杆的拉力)成比例，其中，Σ所述第一支承杆的拉力表示所述多个第一支承杆的合成拉力，Σ所述第二支承杆的拉力表示所述多个第二支承杆的合成拉力。
6.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述第一支承杆和所述第二支承杆布置在所述掩模框与所述掩模片之间。
7.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述第一支承杆在所述第一方向上延伸跨过所述掩模片，并且所述第二支承杆在所述第二方向上延伸跨过所述掩模片。
8.根据权利要求7所述的掩模框组件，其中，所述第一支承杆遮蔽布置在所述掩模片中的所述沉积孔中的至少一些，并且所述第二支承杆与布置在所述掩模片的边缘处的肋部重叠。
9.根据权利要求1所述的掩模框组件，其中，所述第一支承杆和所述第二支承杆彼此相交。
10.根据权利要求9所述的掩模框组件，其中，所述第一支承杆在所述第二方向上彼此间隔开，并且所述第二支承杆在所述第一方向上彼此间隔开。
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