CN100587574C - 静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法。第一ESD有机TFT、第二ESD有机TFT、第三ESD有机TFT分别具有栅极、源极和漏极,其中第一和第二ESD有机TFT的源极和漏极以及第三ESD有机TFT的栅极电连接。第一ESD有机TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,第二ESD有机TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线。第三ESD有机TFT的源极电连接到数据线或选通线,并且第三ESD有机TFT的漏极电连接到公共电压线。

Description

静电放电保护元件、具有该静电放电保护 元件的液晶显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液 晶显示装置及其制造方法。

背景技术

使用多个薄膜晶体管(TFT)来实现显示装置。TFT包括非晶硅半导 体或多晶硅半导体、硅氧化物绝缘层以及金属电极。

随着各种导电有机材料的最新发展,在全世界已对使用有机半导体 的有机TFT进行了广泛的研究。

新的有机半导体被广泛地应用于各种类型的显示装置,因为它们使 用各种聚合物合成方法来制备、容易形成为纤维或薄膜形状、是柔性的, 并且制造成本低。

同时,液晶显示(LCD)装置包括以矩阵形式设置的多个像素。这些 像素通过TFT来实现。LCD通过TFT的开关来控制各个像素,从而显示图 像。

由于LCD装置容易受到静电放电(ESD)的影响,所述LCD装置包括 ESD保护元件。该ESD保护元件可以通过TFT来实现。 已对将有机TFT应用于LCD进行了研究。

但是,由于有机TFT的制造方面的困难,没有获得满意的结果。

此外,没有将有机TFT应用于ESD保护元件的研究。

因此,有机TFT仅被应用于LCD的像素的TFT,而ESD保护元件通过

通常的TFT来实现。因此,LCD的制造工艺复杂,并且LCD的制造成本增加。

6发明内容

在一个实施方式中, 一种静电放电保护元件包括:第一薄膜晶体管 (TFT)、第二TFT、第三TFT,这些TFT分别具有栅极、源极和漏极。第 一 TFT的漏极和第三TFT的栅极电连接,第二 TFT的源极和第三TFT的 栅极电连接。第一 TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,第二 TFT的 栅极和漏极被电连接到第二阵列线。第三TFT的源极电连接到第一阵列 线,第三TFT的漏极电连接到第二阵列线。每个TFT都包括设置在源极 和漏极之间的有机半导体层。每一个TFT都包括将所述有机半导体层与 栅极隔开的有机绝缘层以及位于所述有机绝缘层和栅极之间的辅助电 极。

在另一实施方式中, 一种液晶显示装置包括:设置在基板上的多条 选通线和多条数据线;以及由选通线和数据线的交叉点限定的单位像素。 单位像素位于显示区中。每个单位像素都包括像素有机薄膜晶体管 (TFT)。像素电极连接到像素有机TFT。在基板的非显示区中设置公共电 压线。在非显示区中设置多个静电放电(ESD)保护元件。每个ESD保护 元件电耦合到数据线或选通线以及公共电压线,并且每个ESD保护元件 都包括三个ESD有机TFT。每个ESD保护元件都包括第一 ESD有机TFT、 第二 ESD有机TFT以及第三ESD有机TFT,每个ESD有机TFT都具有栅极、 源极和漏极。第一 ESD有机TFT和第二 ESD有机TFT并联连接,第三ESD 有机TFT连接在第一 ESD有机TFT和第二 ESD有机TFT之间。每一个ESD 有机TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层。其中每一个ESD 有机TFT都包括将所述有机半导体层与栅极隔开的有机绝缘层以及位于 所述有机绝缘层和栅极之间的辅助电极。

在另一实施方式中,公开了一种用于制造具有有机静电放电保护器 件的LCD装置的方法。在该公开的方法中,在基板上形成光阻挡图案。 该光阻挡图案形成在基板的显示区中和基板的非显示区中。淀积第一金 属材料,以覆盖该光阻挡层,由此形成像素薄膜晶体管(TFT)的源极和 漏极以及多个静电放电(ESD) TFT。形成像素电极,以使得其连接到有 机像素TFT的漏极。依次形成覆盖源区和漏区的有机半导体层、有机绝 缘层以及辅助电极层,并对它们进行构图,以形成栅叠层。形成钝化层 以覆盖栅叠层,并且形成暴露出部分栅叠层的接触孔。形成栅极和选通 线以覆盖钝化层,并通过接触孔接触辅助电极。

应当理解,本发明的上述概述及随后的详细描述是示例性和说明性 的,旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。附图说明 .

包括附图以提供对本发明的迸一步理解,并入附图以构成本申请的 一部分,附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释发明的 原理。在附图中:

图1是根据一实施方式的有机TFT的剖面图;

图2A至2E是说明根据实施方式的有机TFT的制造方法的剖面图;

图3是具有根据本发明实施方式的有机TFT的LCD的电路图;

图4是图3所示的LCD的单位像素的平面图;

图5是图3所示的LCD的ESD保护元件的平面图;

图6是图5所示的ESD保护元件的等效电路图;

图7A至7F是说明根据一实施方式的LCD的制造方法的剖面图;

具体实施方式

现在详细介绍本发明的优选实施方式,在附图中图示了其实施例。 在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。只要可能,再所有附图 中使用相同的标号表示相同的或相似的部分。

图1是根据一实施方式的有机TFT的剖面图。

根据本实施方式的有机TFT是栅极8设置在最上层的顶栅型TFT。

参照图1,在基板1的预定部分中设置光阻挡层2。基板1的预定部 分表示将形成有机TFT的区域。光阻挡层2用来防止沟道性能受有机半 导体层的变形的影响,有机半导体层的变形是由光导致的。有机半导体 层(稍后将更详细地描述)由有机半导体材料形成。通常,光阻挡层2 由光阻挡材料或光吸收材料形成。例如,光阻挡层2可以由具有3. 5或 更高的光密度的铬氧化物(CiU)、诸如铬的金属或碳基材料形成。

在光阻挡层2和基板1上设置缓冲层3。缓冲层3可以由诸如硅氧化 物(Si02)的氧化物材料形成。缓冲层3便于后续层的形成。如果光阻挡 层不是由金属制成,则缓冲层3的形成不是必需的。

在缓冲层3上彼此间隔开设置源极4a和漏极4b。在源极4a和漏极4b上设置有机半导体层5。有机半导体层5由有机 半导体材料形成。有机半导体层5设置在源极4a和漏极4b以及源极4a 和漏极4b之间的缓冲层3的一部分上。有机半导体材料的实施例可以包 括但不局限于并五苯、铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚: 亚苯基亚乙烯基(polyphenylene vinylene)或它们的衍生物。

在有机半导体层5上设置有机栅绝缘层6。有机栅绝缘层6由有机绝 缘材料形成。有机绝缘材料的实施例可以包括但是不局限于聚酰亚胺。

在有机栅绝缘层6上设置辅助电极7。辅助电极7电连接到稍后将形 成的栅极。辅助电极7可以用作蚀刻停止层,稍后将描述该蚀刻停止层。

有机半导体层5、有机栅绝缘层6以及辅助电极7可以具有相同的宽度。

在辅助电极7和基板1上形成钝化层9。钝化层9具有暴露出辅助电 极7的接触孔35 (参见图2D)。钝化层9保护源极4a、漏极4b以及有机 半导体层5。

栅极5设置在钝化层9上,并通过接触孔35电连接到辅助电极7。 为了防止光照射在有机半导体层5上,光阻挡层2可以具有大于有

机半导体层5的宽度。因此,通过基板1的后表面透射的光不会照射在

有机半导体层5上,因为光阻挡层2具有大于有机半导体层5的宽度。 因此,该有机TFT可以构造为顶栅型。即,有机半导体层5和有机

栅绝缘层6设置在源/漏极4a和4b上,并且栅极8设置在有机栅绝缘层6上。

图2A至2E是说明根据一实施方式的有机TFT的制造方法的剖面图。

参照图2A,在基板l上淀积光阻挡材料并进行构图,以在预定区域 中形成光阻挡层2。光阻挡材料的实施例可以包括但不局限于具有3. 5或 更高光密度的铬氧化物(CrCU、诸如铬的金属或碳基材料。

在光阻挡层2和基板1上淀积诸如硅氧化物的氧化物材料,以形成 缓冲层3。缓冲层3的形成并不总是必需的。

参照图2B,在缓冲层3上淀积第一金属材料并进行构图,以形成彼 此间隔开的源极4a和漏极4b。第一金属材料的实施例可以包括伹是不局限于金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(M)、铬(Cr)以及钼(Mo)。 参照图2C,在源极/漏极4a和4b以及基板1上淀积有机半导体材料、

有机绝缘材料以及第二金属材料并进行构图,以形成有机半导体层5、有

机栅绝缘层6以及辅助电极7。有机半导体层5、有机栅绝缘层6以及辅

助电极7形成在源极4a和漏极4b以及源极4a和4b之间的缓冲层3的

一部分上。源极/漏极4a和4b的一部分可以通过构图工艺而暴露出。在

该LCD中,这些暴露部分可以电连接到像素电极。

有机半导体层5可以具有小于光阻挡层2的宽度。在这种情况下,

可以防止通过基板1的后表面透射的光照射在有机半导体层5上。

有机半导体材料的实施例可以包括但不局限于并五苯、铜酞菁、聚

噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基或它们的衍生物。 有机绝缘材料的实施例可以包括但是不局限于聚酰亚胺。 第二金属材料的实施例可以包括但是不局限于金(Au)、银(Ag)、

铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及钼(Mo)。

参照图2D,在辅助电极7和基板1上淀积有机绝缘材料或无机绝缘

材料并进行构图,以暴露出辅助电极7,由此形成具有接触孔35的钝化层9。

在这种情况下,辅助电极7用作蚀刻停止层。具体地说,在辅助电 极7下面形成有机栅绝缘层6。如果在没有辅助电极7的情况下对有机绝 缘材料或无机绝缘材料进行构图,则有机栅绝缘层6也可能被构图。因 此,辅助电极7可以用作蚀刻停止层,因为它在蚀刻有机绝缘材料或无 机绝缘材料的工艺过程中,可以防止有机栅绝缘层6被构图。

参照图2E,在钝化层9上淀积第三金属材料并进行构图,以形成栅 极8。栅极8通过接触孔35电连接到辅助电极7。

第三金属材料的实施例可以包括但是不局限于金(Au)、银(Ag)、 铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及钼(Mo)。

图3是具有根据本发明实施方式的有机TFT的LCD的电路图,图4 是图3所示的LCD的单位像素的平面图,图5是图3所示的LCD中的ESD 保护元件的平面图,图6是图5所示的ESD保护元件的等效电路图。

10参照图3和4,多条选通线15和多个数据线17彼此交叉地设置。由 选通线15和数据线17的交叉点限定单位像素11。

因此,单位像素11以矩阵形式设置。以矩阵形式设置像素11的区 域被定义为显示区,其他区域被定义为非显示区。

有机TFT 19连接到选通线15和数据线17。有机TFT 19具有与图1 所示的有机TFT相同的结构。像素电极21连接到有机TFT 19。该有机 TFT具有与选通线15形成为一体的栅极67、与数据线17形成为一体的 源极57a以及与源极57a间隔开并电连接到像素电极21的漏极57b。

由于接触孔65,而使得栅极67形成在钝化层(未示出)下面的有机 栅绝缘层(未示出)上。

像素电极21被设置为部分覆盖选通线15。因此,通过像素电极21 和选通线15形成存储电容器23。存储电容器23用于在一帧期间保持数 据电压。

此外,在非显示区中设置公共电压线25,同时该公共电压线25围绕 显示区。即,沿LCD的边缘设置公共电压线25并提供公共电压。在扭曲 向列(TN)模式的情况下,公共电压线25可以电连接到设置在面对底基 板的顶基板中的公共电极,该底基板上设置了有机TFT 19。在面内切换 (IPS)模式的情况下,公共电压线25可以电连接到设置在底基板的像 素ll中的公共电极。

公共电压线25可以设置在与数据线17相同的层上或设置在与选通 线15相同的层上。在下面描述中,假定公共电压线25设置在与数据线 17相同的层上。

此外,在非显示区中设置有多个ESD保护元件13a至13d,以保护 LCD不受ESD的影响。具体地说,在选通线15和公共电压线25之间设置 第一 ESD保护元件13a,在数据线17和公共电压线25之间设置第二 ESD 保护元件13b,在选通线15和公共电压线25之间设置第三ESD保护元件 13c,并且在数据线17和公共电压线25之间设置第四ESD保护元件13d。

如图5和6所示,每个ESD保护元件13a至13d可以包括第一至第 三有机TFT 31、 33和35。为方便起见,下面将描述第二 ESD保护元件。第一至第三有机TFT 31、 33和35具有与图1所示的有机TFT相同 的结构。但是,由于第一至第三有机TFT 31、 33和35必须通过高电压 (例如ESD)导通,所以它们的尺寸可能相对大于像素11的TFT 19。

第一有机TFT 31具有彼此共同连接的第一栅极71和第一源极73a。

第二有机TFT 33具有彼此共同连接的第二栅极75和第二漏极77b, 以及连接到第一有机TFT 31的第一漏极73b的第二源极77a。

第三有机TFT 35具有连接到第一有机TFT 31的第一漏极73b和第 二有机TFT 33的第二源极77a的第三栅极81、连接到第一有机TFT 31 的第一源极73a的第三源极83a以及连接到第二有机TFT 33的第二漏极 77b的第三漏极83b。

因此,第一有机TFT 31和第二有机TFT 33可以并联连接,第三有 机TFT 35可以连接在第一有机TFT 31和第二有机TFT 33之间。

更具体地说,第一有机TFT 31的第一源极73a和第三有机TFT 35 的第三源极83a可以形成为一体。

在第一有机TFT 31中,第一栅极71通过第一接触孔72电连接到第 一源极73a。

第二有机TFT 33的第二漏极77b和第三有机TFT 35的第三漏极83b 可以形成为一体。

在第二有机TFT 33中,第二栅极75通过第二接触孔74电连接到第 二漏极77b。

第一有机TFT 31的第一漏极73b和第二有机TFT 33的第二源极77a 可以形成为一体。 -

在第三有机TFT 35中,第三栅极81通过第三接触孔76电连接到第 一有机TFT 31的第一漏极73b和第二有机TFT 33的第二源极77a。

同时,可以在第一有机TFT 31的第一源极73a和第一漏极73b之间 形成第四接触孔85,可以在第二有机TFT33的第二源极77a和第二漏极 77b之间形成第五接触孔86,并且在第三有机TFT 35的第三源极83a和 第三漏极83b之间形成第六接触孔87。在钝化层(未示出)上形成第四 至第六接触孔85、 86和87。由于第四至第六接触孔85、 86和87,而使

12得第一至第三栅极71、 75和81形成在钝化层下面的有机栅绝缘层(未 示出)中。

在与数据线17相同的层上设置公共电压线25。因此,在第二 ESD 保护元件13b中,第一有机TFT 31的第一源极73a和第三有机TFT 35 的第三源极83a可以电连接到数据线17,并且第二有机TFT33的第二漏 极77b和第三有机TFT 35的第三漏极83b可以电连接到公共电压线25。

第一和第二有机TFT 31和33是允许正向电流流动但是阻挡反向电 流流动的二极管连接的晶体管。

当通过流过数据线17的高电压(例如,ESD)导通第一有机TFT 31 时,该高电压通过第一有机TFT 31,并导通第三有机TFT 35。由此,数 据线17和公共电压线25之间的第三有机TFT 35被导通,并且因此静电 通过第三有机TFT35,并流过公共电压线25。因此,连接到显示区中的 数据线17的TFT 19或像素电极21不会损坏。

图7A至7F是说明根据一实施方式的LCD的制造方法的剖面图。具 体地说,图7A至7F是沿图4的线A-A'和图5的线B-B'的剖面图。

下面将参照图3至5和7A至7F描述根据一实施方式的LCD的制造 方法。

参照图7A,在基板51上淀积光阻挡材料并进行构图,以在预定区域 中形成光阻挡层53。该预定区域表示将形成有机TFT的区域,并且可以 是形成显示区的像素11的有机TFT的区域和形成ESD保护元件13a至13d 的第一至第三有机TFT的区域。

光阻挡材料的实施例可以包括但不局限于具有3.5或更高光密度的 铬氧化物(Cr0》、诸如铬的金属或碳基材料。

光阻挡层53防止外部的光照射在有机TFT上。

在光阻挡层53和基板51上淀积诸如氧化硅的氧化物材料,以形成 缓冲层55。缓冲层55便于后续层的形成。优选地,缓冲层55被形成为 尽可能的薄。在某些情况下,不必形成缓冲层55。

参照图7B,在缓冲层55上淀积第一金属材料并进^^构图,以形成源 极57a、 73a、 7了a和83a、漏极57b、 73b、 77b和83b、数据线17以及源极57a与数据线17形成为一体。漏极57b可以形成为与源极83a 间隔开预定距离。第一源极73a和第三源极83a形成为一体,第二漏极77b和第三漏 极83b形成为一体,而第一漏极73b和第二源极77a形成为一体。第一金属材料的实施例可以包括但是不局限于金(Au)、银(Ag)、 铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及钼(Mo)。参照图7C,在数据线17和基板51上淀积透明导电材料并进行构图, 以形成像素电极21。在像素11中而不是在ESD保护元件13a至13d中形 成像素电极21。导电材料的实施例可以包括但是不局限于铟锡氧化物 (IT0)和铟锌氧化物(IZ0)。像素电极21可以形成为部分地覆盖漏极57b。因此,漏极57b和像 素电极21彼此电连接。参照图7D,在像素电极21和基板51上依次淀积有机半导体材料、 有机绝缘材料以及第二金属材料,并进行构图,以形成有机半导体层59、 有机栅绝缘层61以及辅助电极63。有机半导体层59、有机栅绝缘层61 以及辅助电极63形成在源极57a和漏极57b以及源极57a和漏极57b之 间的缓冲层55的一部分上。缓沖层55的形成并不总是必需的。有机半导体材料的实施例可以包括但不局限于并五苯、铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基或它们的衍生物。 有机绝缘材料的实施例可以包括但不局限于聚酰亚胺。 第二金属材料的实施例可以包括但是不局限于金(Au)、银(Ag)、 铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及钼(Mo)。参照图7E,在辅助电极63和基板51上淀积有机绝缘材料或无机绝 缘材料并进行构图,以暴露出ESD保护元件13a至13d的第一和第二源 极73a和77a以及第一和第二漏极73b和77b以及辅助电极63,由此形 成具有接触孔65、 72、 74、 76、 85、 86和87的钝化层66。在这种情况下,辅助电极63用作蚀刻停止层。具体地说,在辅助电极63下面形成 有机栅绝缘层61。如果在没有辅助电极63的情况下对有机绝缘材料或无 机绝缘材料进行构图,则有机栅绝缘层61也可能被构图。因此,辅助电 极63可以用作蚀刻停止层,因为它在蚀刻有机绝缘材料或无机绝缘材料 的工艺过程中,可以防止有机栅绝缘层61被构图。参照图7F,在钝化层66上淀积第三金属材料并进行构图,以形成栅 极67和选通线15。可以在与选通线15相同的层上形成公共电压线25。像素11的栅极67可以通过接触孔65电连接到辅助电极63。为了连接ESD保护元件13a至13d中的第一至第三有机TFT 31、 33 和35,第一栅极71通过第一接触孔72电连接到第一源极73a,第二栅 极75通过第二接触孔74电连接到第二漏极77b,以及第三栅极81通过 第三接触孔76电连接到第一漏极73b或第二源极77a。此外,第一栅极71通过第四接触孔85电连接到辅助电极63,第二 栅极75通过第五接触孔86电连接到辅助电极63,以及第三栅极81通过 第六接触孔87电连接到辅助电极63。第三金属材料的实施例可以包括但是不局限于金(Au)、银(Ag)、 铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及钼(Mo)。通过这些过程,可以制造包括ESD保护元件13a至13d和以矩阵形 式设置的像素11的LCD。如上所述,本发明便于有机TFT的形成并且可以提高有机TFT对于 像素或LCD的ESD保护元件的可应用性。此外,本发明可以改进有机TFT的结构并简化有机TFT的制造工艺, 由此扩大对于其他领域的可应用性。此外,可以通过相同的制造工艺来制造用于显示区的像素和ESD保 护元件的有机TFT,由此简化LCD的制造工艺并显著地降低LCD的制造成 本。所属领域的技术人员应当明白在本发明中可以进行各种改进和变 化。因此,本发明旨在涵盖落入附加权利要求及其等同物范围内的本发 明的这些改进和变化。15本申请要求2006年12月11日提交的韩国专利申请No. 0125351/2006的优先权,在此通过引入将其并入。

Claims (19)

1、一种静电放电保护元件,该静电放电保护元件包括: 第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第三TFT,每一个薄膜晶体管都具有栅极、源极和漏极; 其中第一TFT的漏极和第三TFT的栅极电连接,并且第二TFT的源极和第三TFT的栅极电连接; 其中第一TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,并且第二TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线; 其中第三TFT的源极电连接到所述第一阵列线,并且第三TFT的漏极电连接到所述第二阵列线; 其中每一个TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层,并且 其中每一个TFT都包括将所述有机半导体层与栅极隔开的有机绝缘层以及位于所述有机绝缘层和栅极之间的辅助电极。
2、 根据权利要求1的静电放电保护元件,其中,所述有机半导体材 料包括并五苯、铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚亚苯基 亚乙烯基或它们的衍生物。
3、 根据权利要求1的静电放电保护元件,其中,所述第一阵列线包 括数据线或选通线,并且所述第二阵列线包括公共电压线。
4、 根据权利要求1的静电放电保护元件,其中,每一个TFT还包括 在所述有机半导体层下面并通过缓冲层与其隔开的光阻挡层。
5、 根据权利要求4的静电放电保护元件,其中,源极和漏极、栅极 以及辅助电极包括金(An)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)或 钼(Mo)中的一种。
6、 根据权利要求4的静电放电保护元件,其中,所述光阻挡层包括 具有3. 5或更高光密度的铬氧化物(Cr(X)、铬(Cr)或碳基材料中的一 种。
7、 一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括:设置在基板上的多条选通线和多条数据线,以及由所述选通线和所述数据线的交叉点限定的单位像素,这些单位像素位于显示区中; 其中,每一个单位像素都包括像素有机薄膜晶体管(TFT); 连接到所述像素有机TFT的像素电极; 基板的非显示区中的公共电压线;所述非显示区中的多个静电放电(ESD)保护元件,每一个ESD保护 元件都电耦合到所述数据线或所述选通线以及所述公共电压线,其中, 每一个ESD保护元件包括:第一 ESD有机TFT、第二 ESD有机TFT以及第 三ESD有机TFT,每一个ESD有机TFT都具有栅极、源极和漏极;并且其中,所述第一 ESD有机TFT和所述第二 ESD有机TFT并联连接, 并且所述第三ESD有机TFT连接在所述第一 ESD有机TFT和所述第二 ESD 有机TFT之间,其中每一个ESD有机TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导 体层,其中每一个ESD有机TFT都包括将所述有机半导体层与栅极隔开的 有机绝缘层以及位于所述有机绝缘层和栅极之间的辅助电极。
8、 根据权利要求7的液晶显示装置,其中:所述第一 ESD有机TFT的漏极和第三ESD有机TFT的栅极电连接, 并且所述第二 ESD有机TFT的源极和所述第三ESD有机TFT的栅极电连 接;所述第一 ESD有机TFT的栅极和源极电连接到所述选通线或所述数 据线之一,并且所述第二 ESD有机TFT的栅极和漏极电连接到所述公共 电压线;所述第三ESD有机TFT的源极电连接到所述选通线或所述数据线, 并且所述第三ESD有机TFT的漏极电连接到所述公共电压线。
9、 根据权利要求7的液晶显示装置,其中,所述公共电压线围绕所 述显示区的周边设置在所述基板上。
10、 根据权利要求7的液晶显示装置,其中,连接到所述选通线的 每一个ESD保护元件电连接在该选通线和所述公共电压线之间,并且连接到所述数据线的每一个ESD保护元件电连接在该数据线和所述公共电 压线之间。
11、 根据权利要求7的液晶显示装置,其中,所述数据线或所述选 通线之一设置在所述液晶显示装置的与所述公共电压线相同的层中。
12、 一种制造具有有机静电放电保护器件的LCD装置的方法,该方 法包括.*在基板上形成光阻挡图案;其中,在所述基板的显示区中和所述基板的非显示区中形成所述光 阻挡图案;形成像素有机薄膜晶体管(TFT)的源极和漏极以及覆盖所述光阻挡 层的多个静电放电(ESD)有机TFT;形成连接到像素有机TFT的漏极的像素电极;依次形成覆盖源极和漏极的有机半导体层、有机绝缘层以及辅助电 极层;形成钝化层,该钝化层具有暴露出所述辅助电极的一部分的多个接 触孔;形成通过所述接触孔接触所述辅助电极的栅极,以形成所述像素有 机TFT和所述ESD有机TFT。
13、 根据权利要求12的方法,其中,通过ESD有机TFT来形成ESD 保护元件。
14、 根据权利要求12的方法,该方法还包括在所述光阻挡层上形成 缓冲层。 .
15、 根据权利要求12的方法,其中,所述像素有机TFT形成在所述 显示区中,而所述ESD保护元件形成在所述非显示区中。
16、 根据权利要求12的方法,其中;该方法还包括:形成第一TFT 的源极与选通线或数据线之一之间的电连接,以及从第二 TFT的漏极到 公共电压线的电连接。
17、 根据权利要求12的方法,其中;所述有机半导体材料包括并五 苯、铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔;聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基或它们的衍生物。
18、 根据权利要求12的方法,其中',源极和漏极、栅极以及辅助电 极包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍;:(Ni)、铬(Cr)或钼(Mo)中 的一种。
19、 根据权利要求12的方法,其中:,所述光阻挡层包括具有3. 5或 更高光密度的铬氧化物(Cr0》、铬(Cr)或碳基材料中的一种。
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