CN110965019A - 掩模组件和使用掩模组件制造显示装置的装置 - Google Patents
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Abstract
提供掩模组件和使用掩模组件制造显示装置的装置。所述掩模组件包括:掩模框架;在所述掩模框架上并包括多个开口的掩模片;在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片;以及在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片通过遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口限定包括所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少一个沉积区域,并且所述至少一个沉积区域中的每个沉积区域被分成第一沉积区域和第二沉积区域。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0116584的优先权和权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被并入本文。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种装置,更具体地涉及一种掩模组件和一种使用掩模组件制造显示装置的装置。
背景技术
移动电子设备已经被广泛地使用。平板个人计算机(PC)以及诸如移动电话的小型电子设备近来已经被广泛地用作移动电子设备。
移动电子设备包括用于向用户提供诸如图像的视觉信息以支持各种功能的显示装置。近来,随着用于驱动显示装置的其它部件小型化,显示装置在移动电子设备中的百分比已经逐渐增大,并且已经开发出能从平坦状态弯曲预定角度的结构。
显示装置可以包括显示图像的显示区域。显示区域可以被形成为具有各种形状以便制造各种电子设备。也就是说,显示区域可以被形成为具有不规则形状,而不是矩形形状。
用于形成具有不规则形状的显示区域的掩模组件可能热变形或通过张力而扭曲,从而现有的掩模组件由于热变形或施加的张力可能改变成具有不同于设计值的值。
发明内容
根据一个或更多个实施例的方面,掩模组件最小化或减小变形,并且制造显示装置的装置和显示装置被提供。
另外的方面将部分地在以下描述中阐述,并且部分地将通过该描述而明显,或者可以通过实施所提出的实施例而得知。
根据一个或更多个实施例,一种掩模组件包括:掩模框架;在所述掩模框架上并包括多个开口的掩模片;在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片,所述至少两个第一遮挡片彼此间隔开;以及在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第二遮挡片中的每个被形成为相对于所述至少两个第一遮挡片中的每个具有角度(例如,预定角度),所述至少两个第二遮挡片彼此间隔开,其中所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片通过遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口限定包括所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少一个沉积区域,其中所述至少一个沉积区域中的每个沉积区域被穿过由所述至少两个第一遮挡片中的两个相邻的第一遮挡片形成的空间的中心且平行于所述至少两个第一遮挡片中的第一遮挡片的纵向方向的虚拟直线分成第一沉积区域和第二沉积区域,并且所述第一沉积区域的形状和所述第二沉积区域的形状彼此不同。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一遮挡片可以包括多个第一突起,其中所述多个第一突起中的两个第一突起关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对。
关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对的所述两个第一突起可以具有相同的形状。
所述第一遮挡片的位于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称,和/或所述第二遮挡片的位于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称。
所述第一遮挡片和所述第二遮挡片可以彼此垂直。
所述第二遮挡片可以包括:第二遮挡片主体部分;和从所述第二遮挡片主体部分突出的第二突起。
所述第二遮挡片可以包括多个第二突起,其中所述多个第二突起中的两个第二突起关于所述第二遮挡片主体部分彼此相对。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一突起和所述第二突起的至少部分可以彼此重叠。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的形状。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的面积。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的装置包括:沉积源;掩模组件,面对所述沉积源以允许从所述沉积源排出的沉积材料穿过该掩模组件;以及面对所述掩模组件并支撑基板的基板支撑部分,穿过所述掩模组件的所述沉积材料被沉积在所述基板上,其中所述掩模组件包括:掩模框架;在所述掩模框架上并包括多个开口的掩模片;在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片,所述至少两个第一遮挡片彼此间隔开;以及在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第二遮挡片中的每个被形成为相对于所述至少两个第一遮挡片中的每个具有角度(例如,预定角度),所述至少两个第二遮挡片彼此间隔开,其中所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片通过遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口限定包括所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少一个沉积区域,其中所述至少一个沉积区域中的每个沉积区域被穿过由所述至少两个第一遮挡片中的两个相邻的第一遮挡片形成的空间的中心且平行于所述至少两个第一遮挡片中的第一遮挡片的纵向方向的虚拟直线分成第一沉积区域和第二沉积区域,并且所述第一沉积区域的形状和所述第二沉积区域的形状彼此不同。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一遮挡片可以包括多个第一突起,其中所述多个第一突起中的两个第一突起关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对。
关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对的所述两个第一突起可以具有相同的形状。
所述第一遮挡片的位于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称,和/或所述第二遮挡片的位于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称。
所述第一遮挡片和所述第二遮挡片可以彼此垂直。
所述第二遮挡片可以包括:第二遮挡片主体部分;和从所述第二遮挡片主体部分突出的第二突起。
所述第二遮挡片可以包括多个第二突起,其中所述多个第二突起中的两个第二突起关于所述第二遮挡片主体部分彼此相对。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一突起和所述第二突起的至少部分可以彼此重叠。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的形状。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的面积。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的方法包括:将显示基板和掩模组件布置在室中;将所述显示基板与所述掩模组件对准;以及通过从面对所述掩模组件的沉积源供应沉积材料在所述显示基板上形成沉积材料图案,其中所述掩模组件包括:掩模框架;在所述掩模框架上并包括多个开口的掩模片;在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片,所述至少两个第一遮挡片彼此间隔开;以及在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第二遮挡片中的每个被形成为相对于所述至少两个第一遮挡片中的每个具有角度(例如,预定角度),所述至少两个第二遮挡片彼此间隔开,其中所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片通过遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口限定包括所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少一个沉积区域,其中所述至少一个沉积区域中的每个沉积区域被穿过由所述至少两个第一遮挡片中的两个相邻的第一遮挡片形成的空间的中心且平行于所述至少两个第一遮挡片中的第一遮挡片的纵向方向的虚拟直线分成第一沉积区域和第二沉积区域,并且所述第一沉积区域的形状和所述第二沉积区域的形状彼此不同。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一遮挡片可以包括多个第一突起,其中所述多个第一突起中的两个第一突起关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对。
关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对的所述两个第一突起可以具有相同的形状。
所述第一遮挡片的位于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称,和/或所述第二遮挡片的位于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分可以关于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称。
所述第一遮挡片和所述第二遮挡片可以彼此垂直。
所述第二遮挡片可以包括:第二遮挡片主体部分;和从所述第二遮挡片主体部分突出的第二突起。
所述第二遮挡片可以包括多个第二突起,其中所述多个第二突起中的两个第二突起关于所述第二遮挡片主体部分彼此相对。
所述第一遮挡片可以包括:第一遮挡片主体部分;和第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。
所述第一突起和所述第二突起的至少部分可以彼此重叠。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的形状。
所述第一突起和所述第二突起可以具有不同的面积。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的方法包括:将显示基板和掩模组件布置在室中;将所述显示基板与所述掩模组件对准;以及通过从面对所述掩模组件的沉积源供应沉积材料在所述显示基板上形成沉积材料图案,其中在所述显示基板上形成的所述沉积材料图案被用于形成显示区域,所述显示区域由穿过所述显示区域的中心的虚拟直线分成两个区域,并且所述显示区域的所述两个区域彼此不对称。
所述掩模组件可以限定沉积区域,所述沉积材料穿过所述沉积区域以沉积在所述显示基板上,从而所述沉积区域对应于所述显示区域。
所述掩模组件可以包括:在掩模框架上并包括多个开口的掩模片;在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片,所述至少两个第一遮挡片彼此间隔开;以及在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第二遮挡片相对于所述至少两个第一遮挡片中的每个具有角度(例如,预定角度),所述至少两个第二遮挡片彼此间隔开,其中所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片限定所述沉积区域。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的方法包括:将显示基板和掩模组件布置在室中;将所述显示基板与所述掩模组件对准;以及通过从面对所述掩模组件的沉积源供应沉积材料在所述显示基板上形成沉积材料图案,其中在所述显示基板上形成的所述沉积材料图案被用于形成显示区域,并且所述显示区域包括在所述沉积材料的一部分被所述掩模组件的第一遮挡片的突出到由所述掩模组件限定的沉积区域中的突起遮挡时形成的第一显示区域和在所述沉积材料的一部分被所述掩模组件的第二遮挡片的突出到由所述掩模组件限定的所述沉积区域中的突起遮挡时形成的第二显示区域。
附图说明
这些和/或其它方面从结合附图进行的一些实施例的以下描述将变得明显且更易于理解,在附图中:
图1是根据一实施例的掩模组件的透视图;
图2是示出图1的第一遮挡片的平面图;
图3是示出图1的第二遮挡片的平面图;
图4A是示出常规掩模组件的沉积区域的平面图;
图4B是示出图1的掩模组件的沉积区域的平面图;
图5是使用图1的掩模组件制造显示装置的装置的剖视图;
图6是使用图5的装置制造的显示装置的平面图;
图7是沿着图6的线VII-VII截取的剖视图;
图8是示出根据另一实施例的掩模组件的第二遮挡片的平面图;
图9是使用包括图8的第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图;
图10是示出根据另一实施例的掩模组件的第二遮挡片的平面图;
图11是使用包括图10的第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图;
图12是示出根据另一实施例的掩模组件的第一遮挡片和第二遮挡片的平面图;以及
图13是使用包括图12的第一遮挡片和第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图。
具体实施方式
本公开可以包括各种实施例和变型,并且其一些实施例将在图中示出并将在本文中更详细地描述。本公开及其随附方法的效果和特征从结合附图进行的实施例的以下描述将变得明显。然而,本公开不限于以下描述的实施例,并且可以以各种方式体现。
现在将更详细地参考一些实施例,这些实施例的示例在附图中示出。在图中,相同的元件由相同的附图标记指示,并且将不给出其重复解释。
将理解,虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。
如在本文中使用的,单数形式的“一”和“所述”旨在也包括复数形式,除非在上下文中另有清楚指示。
进一步将理解,在本文中使用的术语“包括”和/或“包含”表示所述特征或部件的存在,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或部件。
将理解,当层、区域或元件被提及为“形成在”另一层、区域或元件“上”时,它可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。也就是说,例如,可以存在一个或更多个中间层、区域或元件。
为了便于解释,元件的尺寸可能被夸大。换句话说,由于图中的元件的尺寸和厚度可能为了便于解释而被任意示出,所以以下实施例不限于此。
当某一实施例可以被不同地实施时,具体的过程顺序可以与所描述的顺序不同。例如,两个连续描述的过程可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解,当层、区域或元件被提及为“连接”时,该层、区域或元件可以直接连接,或者可以在其间具有一个或更多个中间层、区域或元件的情况下间接连接。例如,当层、区域或元件“电连接”时,该层、区域或元件可以直接电连接,或者可以在其间具有一个或更多个中间层、区域或元件的情况下间接电连接。
如在本文中使用的,术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表达方式当在一列元件之后时修饰整列元件,而不修饰该列中的单独的元件。
为易于描述,诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相关术语可在本文中用于描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解,空间相关术语旨在包含设备在使用或操作中的除图中描绘的方位之外的不同方位。例如,如果图中的设备被翻转,则描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为在其它元件或特征“上方”。因而,示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种方位。设备可以以另外的方式定向(旋转90度或处于其它方位),并且本文使用的空间相关描述词被相应地解释。
除非以另外的方式限定,在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。进一步将理解,诸如在常用的词典中限定的术语之类的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并将不以理想化或过于正式的意义解释,除非本文明确如此限定。
图1是根据一实施例的掩模组件150的透视图。
图2是示出图1的第一遮挡片的平面图;图3是示出图1的第二遮挡片的平面图;
图4A是示出常规掩模组件的沉积区域的平面图;并且图4B是示出图1的掩模组件150的沉积区域的平面图。
参见图1至图4B,掩模组件150可以包括掩模框架151、掩模片152、第一遮挡片153和第二遮挡片154。
在一实施例中,掩模框架151可以被形成为使得多个框架中的框架彼此连接以形成内部空间。在一实施例中,掩模框架151可以具有框架形状,该框架形状在其中心具有一个开口。在另一实施例中,掩模框架151可以具有格栅框架形状,诸如具有多个开口的窗框架。为了便于解释,下面将在一个开口被形成在掩模框架151的中心处的假设下更详细地描述。
至少两个掩模片152可以被提供,并且可以被提供在掩模框架151上以彼此间隔开。在这种情况下,掩模片152可以沿第一方向(例如,图1的Y方向或X方向)布置。为了便于解释,下面将在第一方向是图1的X方向的假设下更详细地描述。
每个掩模片152可以包括至少一个开口152-1。特别地,多个开口152-1可以沿纵向方向形成在掩模片152中。在一实施例中,多个开口152-1可以彼此间隔开一间距(例如,预定间距),并且可以被形成在掩模片152的整个表面中。
第一遮挡片153可以被定位在掩模框架151与掩模片152之间。在一实施例中,多个第一遮挡片153可以被提供,并且可以被定位在掩模框架151上以彼此间隔开。例如,多个第一遮挡片153可以在掩模片152的纵向方向上彼此间隔开。此外,第一遮挡片153可以被形成为相对于掩模片152具有角度(例如,预定角度)。例如,第一遮挡片153可以沿垂直于掩模片152的纵向方向的方向(例如,图1的X方向或Y方向)布置。为了便于解释,下面将在第一遮挡片153沿图1的Y方向布置的假设下更详细地描述。
在一实施例中,第一遮挡片153可以关于平行于第一遮挡片153的纵向方向且穿过第一遮挡片153的中心的第一中心线C1对称。第一遮挡片153可以包括提供在掩模框架151上的第一遮挡片主体部分153-1和从第一遮挡片主体部分153-1突出的第一突起153-2。
第一遮挡片主体部分153-1可以具有直板形状。在这种情况下,第一遮挡片主体部分153-1可以沿垂直于掩模片152的纵向方向的方向(或第二方向,图1的Y方向)布置。
第一突起153-2可以沿掩模片152的纵向方向从第一遮挡片主体部分153-1突出。在这种情况下,第一突起153-2可以与第一遮挡片主体部分153-1一起限定沉积区域S的边界。在这种情况下,第一突起153-2可以以各种形状中的任一种限定沉积区域S的边界。特别地,第一突起153-2可以限定沉积区域S的边界中相对于第一遮挡片主体部分153-1具有角度(例如,预定角度)的倾斜部分或弯曲部分。在这种情况下,
第一突起153-2可以遮挡掩模片152的多个开口152-1中的一些开口。例如,第一突起153-2可以遮挡开口152-1中的布置在沉积区域S的边界(或边缘)处的一些开口。在这种情况下,沉积材料可以仅穿过开口152-1中的一些开口。
在一实施例中,第一突起153-2可以从第一遮挡片主体部分153-1的两侧突出以相对于第一遮挡片主体部分153-1的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。在一实施例中,两个第一突起153-2可以关于第一遮挡片主体部分153-1被提供在第一遮挡片主体部分153-1的两侧。在这种情况下,定位在第一遮挡片主体部分153-1的两侧的两个第一突起153-2可以具有相同的形状和相同的尺寸。在一实施例中,可以提供多个第一突起153-2。在这种情况下,多个第一突起153-2可以被分成多个组,每组包括两个第一突起153-2,并且多个组可以在第一遮挡片主体部分153-1的纵向方向上彼此间隔开。在这种情况下,第一遮挡片153的位于第一中心线C1的两侧的两部分可以关于第一中心线C1对称。
第二遮挡片154可以被定位为相对于第一遮挡片153具有角度(例如,预定角度)。在一实施例中,第二遮挡片154可以被布置为垂直于第一遮挡片153。第二遮挡片154可以与第一遮挡片153一起限定沉积区域S。在这种情况下,第二遮挡片154可以被定位在掩模框架151与掩模片152之间。在一实施例中,可以提供多个第二遮挡片154,并且多个第二遮挡片154可以在第一遮挡片153的纵向方向上彼此间隔开。
在一实施例中,第二遮挡片154可以关于平行于第二遮挡片154的纵向方向且穿过第二遮挡片154的中心的第二中心线C2对称。第二遮挡片154可以包括第二遮挡片主体部分154-1和第二突起154-2。
第二遮挡片主体部分154-1可以具有直板形状。在这种情况下,第二遮挡片主体部分154-1可以沿掩模片152的纵向方向定位。
第二突起154-2可以沿第一遮挡片主体部分153-1的纵向方向从第二遮挡片主体部分154-1突出。第二突起154-2可以与第二遮挡片主体部分154-1一起限定沉积区域S的边界(或边缘)。在这种情况下,第二突起154-2可以以各种形状中的任一种限定沉积区域S的边界。例如,第二突起154-2可以限定沉积区域S的边界中相对于第二遮挡片主体部分154-1具有角度(例如,预定角度)的倾斜部分或弯曲部分。在这种情况下,第二突起154-2可以遮挡多个开口152-1中的一些开口,如同第一突起153-2那样。
第二突起154-2可以不同于第一突起153-2。例如,第二突起154-2的形状可以不同于第一突起153-2的形状。在另一实施例中,第一突起153-2和第二突起154-2可以具有相同的形状和不同的面积(或尺寸)。在这种情况下,第一突起153-2和第二突起154-2可以被形成为彼此至少部分重叠。在另一实施例中,多个第一突起153-2中的仅一些第一突起可以与第二突起154-2重叠。
第二突起154-2可以从第二遮挡片主体部分154-1突出以相对于第二遮挡片主体部分154-1的纵向方向具有角度(例如,预定角度)。在一实施例中,可以提供多个第二突起154-2。在这种情况下,多个第二突起154-2可以被分成多个组,每组包括两个第二突起154-2,并且多个组可以在第二遮挡片主体部分154-1的纵向方向上彼此间隔开。此外,每组的两个第二突起154-2可以关于第二遮挡片主体部分154-1彼此相对。在这种情况下,相对的第二突起154-2可以具有相同的形状和相同的尺寸。在这种情况下,第二遮挡片154的位于第二中心线C2的两侧的两部分可以关于第二中心线C2对称。
多个第一遮挡片153和多个第二遮挡片154可以限定至少一个沉积区域S。在这种情况下,一个沉积区域S可以指一区域,在该区域中,沉积材料穿过定位在由两个相邻的第一遮挡片153和两个相邻的第二遮挡片154形成的空间中的多个开口152-1。沉积区域S可以具有除矩形形状或正方形形状之外的不规则形状。例如,沉积区域S可以具有三角形形状、多边形形状、椭圆形形状或圆形形状。在这种情况下,沉积区域S的不规则形状可以指关于以平行于第一遮挡片153且穿过沉积区域S的中心的第三中心线C3定位在第三中心线C3的两侧的第一沉积区域S1和第二沉积区域S2具有不同的形状的情况。
沉积区域S可以关于第三中心线C3被分成第一沉积区域S1和第二沉积区域S2。在这种情况下,第一沉积区域S1和第二沉积区域S2可以具有不同的形状。也就是说,第一沉积区域S1和第二沉积区域S2可以关于第三中心线C3彼此不对称。在一实施例中,第一沉积区域S1的拐角部分可以是倾斜的。相比之下,第二沉积区域S2的拐角部分可以是弧形的。
在一实施例中,第一遮挡片153、第二遮挡片154和掩模片152可以由不同材料形成。例如,第一遮挡片153和第二遮挡片154可以包括奥氏体不锈钢,并且掩模片152可以包括铁镍合金(例如,因瓦合金)。
在根据一实施例制造掩模组件150的方法中,第一遮挡片153和第二遮挡片154可以被定位在掩模框架151上,然后可以被固定到掩模框架151。
更详细地,在第二遮挡片154被定位在掩模框架151上之后,第二遮挡片154可以被拉伸。在这种情况下,由于第二遮挡片154的位于第二中心线C2的两侧的两部分关于第二中心线C2彼此对称,所以即使在施加张力时也可以防止扭曲或部分变形。此外,当沉积材料穿过第二遮挡片154时,由于由高温的沉积材料引起的第二遮挡片154的变形在一定程度上均匀发生在第二遮挡片154上,并且第二遮挡片154的位于第二中心线C2的两侧的两部分由于第二遮挡片154的对称形状可以同样地变形,所以可以防止或基本上防止第二遮挡片154的扭曲或过度的部分变形。
第二遮挡片154的两端可以在插入到掩模框架151中的同时被固定到掩模框架151。
第一遮挡片153可以被定位在掩模框架151上,然后可以被固定到掩模框架151,如同第二遮挡片154那样。在这种情况下,张力也可以被施加到第一遮挡片153。在这种情况下,由于第一遮挡片153的位于第一中心线C1的两侧的两部分关于第一中心线C1彼此对称,所以在第一遮挡片153被拉伸时整个第一遮挡片153可以几乎同样地变形。
一般而言,当仅使用第一遮挡片形成具有不规则形状的沉积区域时,定位在第一遮挡片主体部分的两侧的第一突起的形状必须彼此不同。在这种情况下,当第一遮挡片被拉伸时或当第一遮挡片被高温沉积材料加热时,第一遮挡片的各部分的变化率由于第一遮挡片的不对称形状而彼此不同,从而形成具有不同于设计值的值的沉积区域。相应地,由于具有不同于设计形状的形状的发射区域被形成在显示基板上,所以可能发生缺陷并且可能降低质量。
然而,在本实施例中,由于第一遮挡片153和第二遮挡片154被形成为使得第一遮挡片153和第二遮挡片154中的每个的位于各自的中心线的两侧的两部分关于平行于如上所述纵向方向的中心线对称,所以可以最小化或减小在拉伸或沉积材料沉积期间的变形。此外,由于第二遮挡片154的第二突起154-2与第一遮挡片153的第一突起153-2重叠,所以可以形成具有不规则形状的沉积区域S。
当第一遮挡片153和第二遮挡片154如上所述的那样被定位时,第一突起153-2的至少一部分可以与第二突起154-2的至少一部分重叠。在这种情况下,第二突起154-2的一部分可以突出到第一突起153-2的外侧。相应地,第二突起154-2可以形成第二沉积区域S2的边界,该第二沉积区域S2的边界不同于第一沉积区域S1中的由第一突起153-2形成的第一沉积区域S1的边界。
在一实施例中,第一遮挡片153和第二遮挡片154可以被定位在掩模框架151上,然后掩模片152可以如上所述的那样被定位。在这种情况下,第一遮挡片153和第二遮挡片154可以被顺序堆叠在掩模框架151上,或者第二遮挡片154和第一遮挡片153可以被顺序堆叠在掩模框架151上。为了便于解释,下面将在掩模框架151、第二遮挡片154和第一遮挡片153被顺序堆叠的假设下更详细地描述。
掩模片152可以与第一遮挡片153和第二遮挡片154的一个定位在相同方向上。为了便于解释,下面将掩模片152与第二遮挡片154定位在相同方向上的假设下更详细地描述。
拉伸的掩模片152可以被定位在掩模框架151上,并且可以被固定到掩模框架151。
相应地,由于在制造掩模组件150时第一遮挡片153的变形被最小化或减小,所以可以形成与预先设计的沉积区域相同或类似的沉积区域S。
图5是使用图1的掩模组件150制造显示装置的装置的剖视图。
参见图5,根据一实施例,制造显示装置的装置100可以包括室110、第一支撑部分120、第二支撑部分130、掩模组件150、源单元(例如,沉积源)140、磁性单元160、视觉单元170和压力调节单元180。
在室110中可以形成内部空间,并且室110可以具有开口部分。在这种情况下,闸阀110-1可以被提供在室110的开口部分处。在这种情况下,室110的开口部分可以根据闸阀110-1的操作被打开或关闭。
第一支撑部分120可以允许显示基板D被安装在其上,并且可以支撑显示基板D。在一实施例中,第一支撑部分120可以具有固定到室110的内部的板形状。在另一实施例中,第一支撑部分120可以允许显示基板D被安装在其上,并且可以在室110中线性地穿梭。在另一实施例中,第一支撑部分120可以包括固定到室110或能升降的静电卡盘或粘合卡盘。为了便于解释,下面将在第一支撑部分120具有固定到室110的内部的板形状的假设下更详细地描述。
掩模组件150可以被安装在第二支撑部分130上。在这种情况下,第二支撑部分130可以被定位在室110中。第二支撑部分130可以精细地调节掩模组件150的位置。在这种情况下,第二支撑部分130可以包括另外的驱动器或对准单元以使掩模组件150沿不同方向移动。
源单元140可以面对掩模组件150。在这种情况下,沉积材料可以被容纳在源单元140中,并且可以通过将热量施加到沉积材料而使沉积材料蒸发或升华。源单元140可以被固定到室110的内部,或者可以被定位在室110中以沿一方向线性移动。为了便于解释,下面将在源单元140被固定到室110的内部的假设下更详细地描述。
磁性单元160可以被定位在室110中以面对显示基板D。在这种情况下,磁性单元160可以将磁力施加到掩模片152,以使掩模组件150被迫使朝向显示基板D。特别地,磁性单元160可以防止或基本上防止掩模片152的翘曲,并且可以使掩模片152邻近显示基板D。此外,磁性单元160可以在掩模片152的纵向方向上均匀地维持掩模片152与显示基板D之间的间距。
视觉单元170可以被定位在室110中,并且可以获得显示基板D和掩模组件150的位置的图像。在一实施例中,视觉单元170可以包括用于获得显示基板D和掩模组件150的图像的照相机。显示基板D和掩模组件150的位置可以基于由视觉单元170获得的图像确定,并且第二支撑部分130可以基于图像精细地调节掩模组件150的位置。
压力调节单元180可以连接到室110,并且可以调节室110的内部压力。例如,压力调节单元180可以将室110的内部压力调节为等于或类似于大气压力。此外,压力调节单元180可以将室110的内部压力调节为等于或类似于真空。
压力调节单元180可以包括连接到室110的连接管181和提供在连接管181上的泵182。在这种情况下,根据泵182的操作,外部空气可以通过连接管181引入,或者室110中的气体可以通过连接管181被引导到外部。
装置100可以被用于制造下述显示装置。更详细地,当压力调节单元180将室110的内部压力调节为等于或类似于大气压力时,闸阀110-1可以操作以打开室110的开口部分。
接下来,显示基板D可以从室110的外部被引入室110中。在这种情况下,显示基板D可以以各种方式中的任一种被引入室110中。例如,显示基板D可以通过定位在室110的外部的机械臂从室110的外部引入室110中。在另一实施例中,当第一支撑部分120被形成为能穿梭时,第一支撑部分120可以从室110取出,显示基板D可以通过定位在室110的外部的另外的机械臂被安装在第一支撑部分120上,并且第一支撑部分120可以从室110的外部被引入室110中。为了便于解释,下面将在显示基板D通过定位在室110的外部的机械臂从室110的外部引入室110中的假设下更详细地描述。
掩模组件150可以被定位在室110中。在另一实施例中,掩模组件150可以从室110的外部被引入室110中,如同显示基板D那样。然而,为了便于解释,下面将在仅显示基板D在掩模组件150被定位在室110中的状态下从室110的外部被引入室110中的假设下更详细地描述。
一旦显示基板D被引入室110中,则显示基板D可以被安装在第一支撑部分120上。在这种情况下,视觉单元170可以获得显示基板D和掩模组件150的位置的图像。在一实施例中,视觉单元170可以获得显示基板D的第一对准标记和掩模组件150的第二对准标记的图像。
显示基板D和掩模组件150的位置可以基于第一对准标记和第二对准标记确定。在这种情况下,装置100可以包括另外的控制器(未示出),并且可以确定显示基板D和掩模组件150的位置。
当确定显示基板D和掩模组件150的位置完成时,第二支撑部分130可以精细地调节掩模组件150的位置。
接下来,源单元140可以操作以将沉积材料供应到掩模组件150,并且穿过多个开口152-1的沉积材料可以被沉积在显示基板D上。在这种情况下,泵182可以吸收室110的内部的气体,并且可以将气体排放到外部,从而将室110的内部压力维持在等于或类似于真空的水平。
在这种情况下,沉积材料可以穿过沉积区域(未示出)中的开口152-1,并且可以被沉积在显示基板D上。在这种情况下,如上所述,掩模组件150可以提供与设计的沉积区域相同或类似的沉积区域。
相应地,装置100可以将沉积材料沉积在显示基板D上的与设计的区域相同或类似的区域上。此外,装置100可以制造包括具有不规则形状的发射区域的精确显示装置。
图6是示出由图5的装置100制造的显示装置的平面图;并且图7是沿着图6的线VII-VII截取的剖视图。
参见图6和图7,显示装置20可以包括在基板21上限定的显示区域DA和定位在显示区域DA的外部的非显示区域NDA。在一实施例中,有机发光器件(OLED)28可以被定位在显示区域DA中,并且电源线(未示出)可以被定位在非显示区域NDA中。此外,焊盘部分C可以被定位在非显示区域NDA中。
由穿过沉积区域(未示出)的沉积材料形成的多个沉积材料图案可以被定位在显示区域DA中。在这种情况下,显示区域DA可以具有不规则形状。在一实施例中,显示区域DA可以被形成使得显示区域DA的位于穿过显示区域DA的中心的第四中心线C4的两侧的两部分关于第四中心线C4彼此不对称。在这种情况下,显示区域DA的中心可以是连接显示区域DA的边界上两个随机点的线段中的最长线段和最短线段彼此相交的点。此外,第四中心线C4可以平行于第一遮挡片(未示出)的第一中心线(未示出)。
显示区域DA可以关于第四中心线C4被分成第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的形状和尺寸(或面积)可以彼此不同。
显示装置20可以包括显示基板D、定位在显示基板D上的中间层28-2以及定位在中间层28-2上的对电极28-3。此外,显示装置20可以包括形成在对电极28-3上的薄膜封装层E。
显示基板D可以包括基板21、薄膜晶体管TFT、钝化膜27和像素电极28-1。
基板21可以由塑料材料形成,或可以由诸如不锈钢(SUS)和钛(Ti)的金属材料形成。此外,基板21可以由聚酰亚胺(PI)形成。为了便于解释,下面将在基板21由PI形成的假设下更详细地描述。
TFT可以被形成在基板21上,钝化膜27可以被形成为覆盖TFT,并且OLED 28可以被形成在钝化膜27上。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层22可以通过使用SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)被进一步形成在基板21的顶表面上。
在一实施例中,在具有预定图案的有源层23被形成在缓冲层22上之后,有源层23由栅绝缘层24覆盖。有源层23包括源区23-1和漏区23-3,并且进一步包括定位在源区23-1与漏区23-3之间的沟道区23-2。
有源层23可以包括各种材料中的任一种。例如,有源层23可以包括无机半导体材料,诸如非晶硅或晶体硅。可替代地,有源层23可以包括氧化物半导体。可替代地,有源层23可以包括有机半导体材料。然而,为了便于解释,下面将在有源层23由非晶硅形成的假设下更详细地描述。
在一实施例中,有源层23可以通过将非晶硅膜形成在缓冲层22上、将非晶硅膜晶化为多晶硅膜并将多晶硅膜图案化而形成。根据TFT的类型,诸如驱动TFT(未示出)或开关TFT(未示出),有源层23的源区23-1和漏区23-3用杂质掺杂。
对应于有源层23的栅电极25以及覆盖栅电极25的层间绝缘层26被形成在栅绝缘层24的顶表面上。
在接触孔H1被形成在层间绝缘层26和栅绝缘层24中之后,源电极27-1和漏电极27-2被形成在层间绝缘层26上,以分别接触源区23-1和漏区23-3。
钝化膜27被形成在TFT上,并且OLED 28的像素电极28-1被形成在钝化膜27上。像素电极28-1通过形成在钝化膜27中的导通孔H2接触TFT的漏电极27-2。钝化膜27可以由无机材料和/或有机材料形成,并且可以具有单层结构或多层结构。钝化膜27可以被形成为平面化膜以便不管下膜的弯曲如何均具有平坦的顶表面,或者可以被形成为沿着下模的弯曲而弯曲。在一示例性实施例中,钝化膜27由透明绝缘材料形成以实现共振效果。
在像素电极28-1被形成在钝化膜27上之后,由有机材料和/或无机材料制成的像素限定膜29被形成为覆盖像素电极28-1和钝化膜27,并且像素限定膜29具有开口,像素电极28-1通过该开口暴露。
中间层28-2和对电极28-3至少被形成在像素电极28-1上。在另一实施例中,对电极28-3可以被形成在显示基板D的整个表面上。在这种情况下,对电极28-3可以被形成在中间层28-2和像素限定膜29上。为了便于解释,下面将在对电极28-3被形成在中间层28-2和像素限定膜29上的假设下更详细地描述。
在一实施例中,像素电极28-1用作阳极,并且对电极28-3用作阴极。然而,像素电极28-1和电极28-3的极性可以互换。
像素电极28-1和对电极28-3通过中间层28-2彼此绝缘,并且通过将不同极性的电压施加到像素电极28-1和对电极28-3来使有机发射层发射光。
中间层28-2可以包括有机发射层。可选地,中间层28-2可以包括有机发射层,并且可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。然而,本实施例不限于此,并且中间层28-2可以包括有机发射层,并且可以进一步包括其它各种功能层(未示出)中的任一种。
在这种情况下,中间层28-2可以通过制造显示装置20的装置100形成。
可以提供多个中间层28-2,并且该多个中间层28-2可以形成显示区域DA。特别地,该多个中间层28-2可以形成具有不同于矩形形状和正方形形状的形状的显示区域DA。在这种情况下,该多个中间层28-2可以在显示区域DA中彼此间隔开。
多个中间层28-2中的一些中间层的面积可以与多个中间层28-2中的其它中间层的面积不同。例如,多个中间层28-2中的一些中间层的面积可以小于多个中间层28-2中的其它中间层的面积。多个中间层28-2中的面积小于其它中间层28-2的面积的中间层28-2可以被形成在遮挡部分(未示出)的边界处。
一个单元像素可以包括多个子像素,并且该多个子像素可以发射各种颜色的光。例如,该多个子像素可以包括发射红光、绿光和蓝光的子像素,或者可以包括发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未示出)。
子像素可以包括一个中间层28-2。在这种情况下,当形成一个子像素时,中间层28-2可以通过装置100形成。
薄膜封装层E可以包括多个无机层或者无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可以由聚合物形成,并且在一示例性实施例中,可以具有由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一种形成的单层结构或多层结构。在一示例性实施例中,薄膜封装层E的有机层可以由聚丙烯酸酯形成。更详细地,有机层可以包括聚合的单体组合物,该聚合的单体组合物包括二丙烯酸酯基单体和三丙烯酸酯基单体。单丙烯酸酯基单体可以进一步被包括在单体组合物中。此外,已知的光敏引发剂(诸如TPO)可以进一步被包括在单体组合物中,但是本实施例不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以具有包括金属氧化物或金属氮化物的单层结构或多层结构。在一实施例中,薄膜封装层E的无机层可以包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任何一种。
在一实施例中,薄膜封装层E中的暴露到外部的最上层可以是无机层,以防止或基本上防止水分渗入OLED 28。
薄膜封装层E可以包括至少一个夹层结构,其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间。可替代地,薄膜封装层E可以包括至少一个夹层结构,其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间。可替代地,薄膜封装层E可以包括至少一个有机层插入至少两个无机层之间的夹层结构和至少一个无机层插入至少两个有机层之间的夹层结构。
在一实施例中,薄膜封装层E可以包括顺序地形成在OLED 28上的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
可替代地,薄膜封装层E可以包括顺序地形成在OLED 28上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
可替代地,薄膜封装层E可以包括顺序地形成在OLED 28上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在一实施例中,包括LiF的卤化金属层可以被进一步地包括在OLED 28与第一无机层之间。当使用溅射形成第一无机层时,卤化金属层可以防止或基本上防止损坏OLED 28。
第一有机层可以被形成为具有比第二无机层的面积小的面积。第二有机层可以被形成为具有比第三无机层的面积小的面积。
相应地,显示装置20可以具有形状不同于矩形形状和正方形形状的显示区域DA。此外,显示装置20可以具有与设计的显示区域相同或类似的显示区域DA。
图8是示出根据另一实施例的掩模组件的第二遮挡片的平面图;图9是示出使用包括图8的第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图
参见图8和图9,掩模组件(未示出)可以包括掩模框架(未示出)、第一遮挡片(未示出)、第二遮挡片154A和掩模片(未示出)。在这种情况下,掩模框架、第一遮挡片和掩模片可以与关于图1至图4描述的那些相同或类似,并且因此将不给出其重复解释。
第二遮挡片154A可以包括第二遮挡片主体部分154A-1和第二突起154A-2。在这种情况下,第二遮挡片主体部分154A-1和第二突起154A-2可以类似于图1至图4的第二遮挡片主体部分和第二突起,并且第二突起154A-2的形状可以不同于图1至图4的第二突起的形状。在这种情况下,第二突起154A-2可以具有类似于圆形形状的一部分的形状。在这种情况下,第二突起154A-2可以被形成为面对第一突起(未示出),并且可以遮挡第一突起的一部分。
在这种情况下,第一遮挡片的位于第一中心线(未示出)的两侧的两部分可以关于第一中心线(未示出)对称,并且第二遮挡片154A的位于第二中心线C2的两侧的两部分可以关于第二中心线C2对称。如上所述,当第一遮挡片和第二遮挡片154A被拉伸并被固定到掩模框架时,第一遮挡片和第二遮挡片154A中的至少一个可以不扭曲。
相应地,掩模组件可以使沉积材料穿过该掩模组件到达设计的沉积区域。
当使用掩模组件将沉积材料沉积在显示基板(未示出)上时,图9的显示区域DA可以被提供。在这种情况下,显示装置20可以以与图7相同的方式形成。在这种情况下,非显示区域NDA可以被定位为围绕显示区域DA,并且焊盘部分C可以被定位在非显示区域NDA中。
显示区域DA可以关于第四中心线C4被分成第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,如图9中所示,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以具有不同的形状和不同的尺寸。在这种情况下,第一显示区域DA1的拐角可以向内弯曲成弧形。相比之下,第二显示区域DA2的拐角可以向外弯曲成弧形。在这种情况下,第一显示区域DA1的拐角和第二显示区域DA2的拐角中的至少一个可以具有至少一个曲率半径。在一实施例中,当第一显示区域DA1的拐角具有一个曲率半径并且第二显示区域DA2的拐角具有一个曲率半径时,第一显示区域DA1的拐角的曲率半径和第二显示区域DA2的拐角的曲率半径可以彼此不同。在另一实施例中,当第一显示区域DA1的拐角具有多个曲率半径并且第二显示区域DA2的拐角具有多个曲率半径时,第一显示区域DA1的拐角的曲率半径中的至少一个和第二显示区域DA2的拐角的曲率半径中的至少一个可以彼此不同。
相应地,显示装置20可以具有含有与设计的形状相同或类似的精细不规则形状的显示区域DA。
图10是示出根据另一实施例的掩模组件的第二遮挡片的平面图;图11是示出使用包括图10的第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图。
参见图10和图11,掩模组件(未示出)可以包括掩模框架(未示出)、第一遮挡片(未示出)、第二遮挡片154B和掩模片(未示出)。在这种情况下,掩模框架、第一遮挡片和掩模片可以与关于图1至图4描述的那些相同或类似,并且因此将不给出其重复解释。
第二遮挡片154B可以包括第二遮挡片主体部分154B-1和第二突起154B-2。在这种情况下,第二遮挡片主体部分154B-1可以类似于图1至图4的第二遮挡片主体部分,并且第二突起154B-2的形状可以不同于图1至图4的第二突起的形状。在这种情况下,第二突起154B-2可以具有四边形形状。在这种情况下,第二突起154B-2可以遮挡第一突起的一部分。
在这种情况下,第一遮挡片的位于第一中心线(未示出)的两侧的两部分可以关于第一中心线(未示出)对称,并且第二遮挡片154B的位于第二中心线C2的两侧的两部分可以关于第二中心线C2对称。在这种情况下,当第一遮挡片和第二遮挡片154B如上所述的被拉伸并被固定到掩模框架(未示出)时,第一遮挡片和第二遮挡片154B中的至少一个可以不扭曲。
相应地,掩模组件可以使沉积材料穿过该掩模组件到达设计的沉积区域。
当使用掩模组件将沉积材料沉积在显示基板(未示出)上时,图11的显示区域DA可以被提供。在这种情况下,显示装置20可以以与图7相同的方式形成。在这种情况下,非显示区域NDA可以被定位为围绕显示区域DA,并且焊盘部分C可以被定位在非显示区域NDA中。
显示区域DA可以包括关于第四中心线C4分成的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,如图11中所示,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以具有不同的形状和不同的尺寸。例如,第一显示区域DA1的拐角部分可以为台阶状的,并且第二显示区域DA2的拐角部分可以是弧形的。
相应地,显示装置20可以具有含有与设计的形状相同或类似的精细不规则形状的显示区域DA。
图12是示出根据另一实施例的掩模组件的第一遮挡片和第二遮挡片的平面图;并且图13是示出使用包括图12的第一遮挡片和第二遮挡片的掩模组件制造的显示装置的平面图。
参见图12和图13,掩模组件(未示出)可以包括掩模框架(未示出)、第一遮挡片153C、第二遮挡片154C和掩模片(未示出)。在这种情况下,掩模框架和掩模片可以与关于图1至图4描述的那些相同或类似,并且因此将不给出其重复解释。
第一遮挡片153C可以包括第一遮挡片主体部分153C-1和第一突起153C-2。在这种情况下,第一遮挡片主体部分153C-1和第一突起153C-2可以与图1至图4的那些相同或类似,并且因此将不给出其详细解释。
第二遮挡片154C可以包括第二遮挡片主体部分154C-1和第二突起154C-2。在这种情况下,第二遮挡片主体部分154C-1和第二突起154C-2可以类似于图1至图4的那些。在这种情况下,由于第二突起154C-2被形成为面对第一突起153C-2,所以第二突起154C-2可以遮挡第一突起153C-2的一部分。在这种情况下,第一突起153C-2的弧形部分的形状和第二突起154C-2的弧形部分的形状可以彼此不同。例如,第一突起153C-2的弧形部分的曲率半径R1和第二突起154C-2的弧形部分的曲率半径R2可以彼此不同。
在这种情况下,第一遮挡片153C的位于第一中心线C1的两侧的两部分可以关于第一中心线C1对称,并且第二遮挡片154C的位于第二中心线C2的两侧的两部分可以关于第二中心线C2对称。在这种情况下,如上所述,当第一遮挡片153C和第二遮挡片154C被拉伸并被固定到掩模框架时,第一遮挡片153C和第二遮挡片154C中的至少一个可以不扭曲。
相应地,掩模组件可以使沉积材料穿过该掩模组件到达设计的沉积区域。
当使用掩模组件将沉积材料沉积在显示基板(未示出)上时,图13的显示区域DA可以被提供。在这种情况下,显示装置20可以以与图7相同的方式形成。在这种情况下,非显示区域NDA可以被定位为围绕显示区域DA,并且焊盘部分C可以被定位在非显示区域NDA中。
显示区域DA可以关于第四中心线C4被分成第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在这种情况下,如图13中所示,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以具有不同的形状和不同的尺寸。在这种情况下,第一显示区域DA1的拐角和第二显示区域DA2的拐角可以向显示区域DA的外部突出。在这种情况下,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的至少一个可以具有至少一个曲率半径。在一实施例中,当第一显示区域DA1具有一个曲率半径R1'并且第二显示区域DA2具有一个曲率半径R2'时,第一显示区域DA1的曲率半径R1'和第二显示区域DA2的曲率半径R2'可以彼此不同。在另一实施例中,当第一显示区域DA1具有多个曲率半径R1'并且第二显示区域DA2具有多个曲率半径R2'时,第一显示区域DA1的曲率半径R1'中的至少一个和第二显示区域DA2的曲率半径R2'中的至少一个可以彼此不同。特别地,当沉积材料被第一突起153C-2遮挡时,可以形成第二显示区域DA2。此外,当沉积材料被第二突起154C-2遮挡时,可以形成第一显示区域DA1。也就是说,第一突起153C-2可以影响第二显示区域DA2的形成,并且第二突起154C-2可以影响第一显示区域DA1的形成。
相应地,显示装置20的显示区域DA可以具有与设计的形状相同或类似的精细不规则形状。
根据本公开的一个或多个实施例的掩模组件可以维持与初始设计的形状相同或类似的形状。
根据本公开的一个或多个实施例的制造显示装置的装置和方法可以制造具有显示区域的显示装置,该显示区域具有与设计的形状相同或类似的不规则形状。
根据本公开的一个或多个实施例的制造显示装置的装置和方法可以制造显示装置,在该显示装置中,显示区域的最外部分不扭曲。
虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求书阐述的精神和范围的情况下,可对其做出形式和细节上的各种改变。
Claims (13)
1.一种掩模组件,包括:
掩模框架;
在所述掩模框架上并包括多个开口的掩模片;
在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第一遮挡片,所述至少两个第一遮挡片彼此间隔开;以及
在所述掩模框架上并遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少两个第二遮挡片,所述至少两个第二遮挡片中的每个相对于所述至少两个第一遮挡片中的每个具有角度,所述至少两个第二遮挡片彼此间隔开,
其中所述至少两个第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片通过遮挡所述掩模片的所述多个开口中的一些开口限定包括所述掩模片的所述多个开口中的一些开口的至少一个沉积区域,
其中所述至少一个沉积区域中的每个沉积区域被穿过由所述至少两个第一遮挡片中的两个相邻的第一遮挡片形成的空间的中心且平行于所述至少两个第一遮挡片中的第一遮挡片的纵向方向的虚拟直线分成第一沉积区域和第二沉积区域,并且所述第一沉积区域的形状和所述第二沉积区域的形状彼此不同。
2.根据权利要求1所述的掩模组件,其中所述第一遮挡片包括:
第一遮挡片主体部分;和
第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度。
3.根据权利要求2所述的掩模组件,其中所述第一遮挡片包括多个第一突起,
其中所述多个第一突起中的两个第一突起关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对。
4.根据权利要求3所述的掩模组件,其中关于所述第一遮挡片主体部分彼此相对的所述两个第一突起具有相同的形状。
5.根据权利要求1所述的掩模组件,其中所述第一遮挡片的位于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分关于平行于所述第一遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称,和/或所述第二遮挡片的位于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线的两侧的部分关于平行于所述第二遮挡片的纵向方向的虚拟中心线对称。
6.根据权利要求1所述的掩模组件,其中所述第一遮挡片和所述至少两个第二遮挡片中的第二遮挡片彼此垂直。
7.根据权利要求1所述的掩模组件,其中所述至少两个第二遮挡片中的第二遮挡片包括:
第二遮挡片主体部分;和
从所述第二遮挡片主体部分突出的第二突起。
8.根据权利要求7所述的掩模组件,其中所述第二遮挡片包括多个第二突起,
其中所述多个第二突起中的两个第二突起关于所述第二遮挡片主体部分彼此相对。
9.根据权利要求7所述的掩模组件,其中所述第一遮挡片包括:
第一遮挡片主体部分;和
第一突起,从所述第一遮挡片主体部分突出以相对于所述第一遮挡片主体部分的纵向方向具有角度。
10.根据权利要求9所述的掩模组件,其中所述第一突起和所述第二突起的至少部分彼此重叠。
11.根据权利要求9所述的掩模组件,其中所述第一突起和所述第二突起具有不同的形状。
12.根据权利要求9所述的掩模组件,其中所述第一突起和所述第二突起具有不同的面积。
13.一种制造显示装置的装置,所述装置包括:
沉积源;
掩模组件,面对所述沉积源以允许从所述沉积源排出的沉积材料穿过该掩模组件;以及
面对所述掩模组件并支撑基板的基板支撑部分,穿过所述掩模组件的所述沉积材料被沉积在所述基板上,
其中所述掩模组件为根据权利要求1-12中任一项所述的掩模组件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180116584A KR102631256B1 (ko) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
KR10-2018-0116584 | 2018-09-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110965019A true CN110965019A (zh) | 2020-04-07 |
Family
ID=69945725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910916668.3A Pending CN110965019A (zh) | 2018-09-28 | 2019-09-26 | 掩模组件和使用掩模组件制造显示装置的装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11421314B2 (zh) |
JP (1) | JP2020056096A (zh) |
KR (1) | KR102631256B1 (zh) |
CN (1) | CN110965019A (zh) |
TW (1) | TW202026449A (zh) |
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2018
- 2018-09-28 KR KR1020180116584A patent/KR102631256B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-29 JP JP2019067907A patent/JP2020056096A/ja active Pending
- 2019-07-15 US US16/512,047 patent/US11421314B2/en active Active
- 2019-09-26 CN CN201910916668.3A patent/CN110965019A/zh active Pending
- 2019-09-27 TW TW108135230A patent/TW202026449A/zh unknown
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |