CN109309175B - 掩模框架组件及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式公开了掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法及显示装置的制造方法，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grain size)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。

Description

掩模框架组件及显示装置的制造方法
技术领域
本发明实施方式涉及掩模框架组件及显示装置的制造方法。
背景技术
通常，作为平板显示器中的一种的有机发光显示装置为有源发光型显示器件，其不仅具有视角宽和对比度优异的优点，而且还具有能够以低电压驱动、呈轻量的薄型且响应速度快的优点，因此作为新一代显示器件而备受瞩目。
这种发光器件根据形成发光层的物质而区分为无机发光器件和有机发光器件，其中，相比于无机发光器件，有机发光器件具有亮度、响应速度等特性优异且能够实现彩色显示的优点，因此近年来对此的开发正积极进行中。
有机发光显示装置中所包括的有机膜和/或电极通常通过真空沉积法形成。在真空沉积法中使用掩模框架组件，这种掩模框架组件中形成有具有预定图案的图案孔，并且沉积物质通过图案孔沉积到显示装置的衬底上。近年来，随着有机发光显示装置逐渐实现高分辨率化，要求掩模框架组件的厚度变薄。
前述的背景技术作为发明人为获得本发明实施方式而掌握的技术信息或者在获得本发明实施方式的过程中习得的技术信息，其并不一定属于在递交本发明实施方式之前已对普通公众公开的公知技术。
发明内容
解决的技术问题
本发明实施方式的目的之一在于提供实现高分辨率显示器的掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法及显示装置的制造方法。
本发明的另一目的在于提供能够在确保掩模框架组件的机械强度的同时加工出具有精密图案的图案孔的掩模框架组件以及显示装置的制造方法。
解决方法
本发明一实施方式公开了掩模框架组件，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grainsize)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。
在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。
在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，第一厚度为10μm至50μm，并且第二厚度与第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。
在本实施方式中，本体部和第一子图案部可包括通过轧制(rolling)制造的因瓦合金(invar alloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。
在本实施方式中，第二子图案部可包括通过电铸(electroforming)制造的因瓦合金(invar alloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。
在本实施方式中，掩模框架组件的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。
本发明另一实施方式公开了掩模框架组件的制造方法，其中，掩模框架组件的制造方法包括以下步骤：准备通过轧制(rolling)加工制造的掩模基材；在掩模基材的一面侧对掩模基材的部分区域进行半蚀刻(half-etching)以形成第一子图案部；将绝缘薄膜(insulating film)附接到除了第一子图案部以外的、剩余的掩模基材的一面侧的本体部，并且将导体(conductor)附接到掩模基材的与一面相反的另一面；实施电铸(electroforming)以将第二子图案部镀到第一子图案部上；将绝缘薄膜和导体从掩模基材分离；以及朝向第二子图案部照射激光束，以形成贯穿第一子图案部和第二子图案部的多个图案孔。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，半蚀刻是通过湿法蚀刻(wet-etching)来执行的。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。
在本实施方式中，掩模基材和第二子图案部可包括因瓦合金(invaralloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，掩模基材的晶粒度(grain size)大于第二子图案部的晶粒度。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，还包括以下步骤：将本体部结合到具有开口部的框架，其中，多个图案孔与开口部连通。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，沿着从第二子图案部朝向第一子图案部的方向将激光束照射到第二子图案部的表面上。
在本实施方式中，掩模框架组件的制造方法的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。
本发明又一实施方式公开了显示装置的制造方法，其中，显示装置的制造方法包括以下步骤：将显示衬底和掩模框架组件装载到腔室的内部；以及使由沉积源喷射的沉积物质通过掩模框架组件，以使沉积物质在显示衬底上形成膜，其中，掩模框架组件包括框架、本体部和图案部，其中，框架具有开口部，本体部与框架结合，并且图案部与本体部连接且被本体部围绕，并且图案部包括第一子图案部和第二子图案部，其中，第一子图案部具有第一晶粒度(grain size)，且第二子图案部布置在第一子图案部上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度，其中，图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，并且图案孔贯穿第一子图案部和第二子图案部。
在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，本体部具有第一厚度，第一子图案部具有第二厚度，并且第二子图案部具有第三厚度，其中，第一厚度大于第二厚度与第三厚度相加的厚度。
在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，第一厚度为10μm至50μm，并且第二厚度与第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。
在本实施方式中，本体部和第一子图案部可包括通过轧制(rolling)制造的因瓦合金(invar alloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。
在本实施方式中，第二子图案部可包括通过电铸(electroforming)制造的因瓦合金(invar alloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。
在本实施方式中，显示装置的制造方法的特征可在于，图案孔的截面呈从第一子图案部朝向第二子图案部逐渐变宽的锥形(taper)。
除了上述内容以外的其它方面、特征和优点将通过下面的附图、权利要求书和发明的详细说明而变得明确。
有益效果
通过根据本发明实施方式的掩模框架组件、掩模框架组件的制造方法以及显示装置的制造方法，能够制造出与框架的焊接特性优异且对于图案孔的激光加工性优异的掩模框架组件。
此外，能够在实现高分辨率显示器的同时显著地降低显示器的坏件率。
明显的是，本发明的范围并不由这种效果来限定。
附图说明
图1是分解并概略地示出根据本发明一实施方式的掩模框架组件的立体图。
图2是概略地示出根据本发明一实施方式的掩模框架组件的掩模的立体图和平面图。
图3是示出沿X轴方向切割图1中所示的掩模框架组件的形态的剖视图。
图4至图9是依次示出根据本发明另一实施方式的掩模框架组件的制造方法的概念图。
图10是概略地示出显示装置的制造装置的概念图，其中，该显示装置的制造装置使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件将沉积物质沉积到显示衬底上。
图11是示出通过图10中所示的显示装置的制造装置制造的显示装置的平面图。
图12是沿图11中所示的A-A线取得的剖视图。
具体实施方式
本发明可实施各种变换并且可具有各种实施方式，其中，在附图中例示了特定实施方式并在具体实施方式中对其进行了详细说明。本发明的效果、特征以及实现它们的方法将参照下文中结合附图详细描述的实施方式而变得明确。然而，本发明并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为各种形态。
在以下实施方式中，第一、第二等措辞并非用于限定性含义，而是出于将一个构成要素与其他构成要素区别开的目的而使用。此外，除非上下文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等措辞意味着存在说明书中所记载的特征或元件，而不是提前排除附加有一个以上的其他特征或构成要素的可能性。
在以下实施方式中，当表述为膜、区域、构成要素等的一部分位于其他部分上或上方时，其不仅包括该部分直接位于其他部分上的情况，而且还包括它们中间插置有其他膜、区域、构成要素等的情况。
此外，当表述为某些构成要素被连接时，其不仅包括这些构成要素直接连接的情况，而且还包括在构成要素的中间插置有其他构成要素从而间接连接的情况。例如，当在本说明书中表述为某些构成要素被电连接时，其不仅包括这些构成要素直接电连接的情况，而且还包括它们的中间插置有其他构成要素从而间接电连接的情况。
此外，在附图中，出于说明的便利，构成要素的尺寸可被夸大或缩小。例如，出于说明的便利，附图中示出的各结构的尺寸被任意地示出，因此本发明并不一定限制于图中所示的情况。
此外，当某一实施方式实现为不同形式时，特定的工艺顺序也可以与所说明的顺序不同的顺序来执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，并且也可以与所说明的顺序相反的顺序进行。
在下文中，将参照附图对本发明实施方式进行详细说明，并且在参照附图说明时，对相同或相对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其重复的说明。
图1是分解并概略地示出根据本发明一实施方式的掩模框架组件的立体图，图2是概略地示出根据本发明一实施方式的掩模框架组件的掩模的立体图和平面图，并且图3是示出沿X轴方向切割图1中所示的掩模框架组件的形态的剖视图。
首先参照图1，根据本发明一实施方式的掩模框架组件100可包括框形态的框架110和与框架110结合的掩模M。具体地，掩模M可包括与框架110结合的本体部120和被本体部120围绕的图案部130。
框架110可具有开口部111，并且框架110的本体可由围绕开口部111的刚性件(rigid body)构成。此处，虽然图1和图2中所示的框架110为在中央处具有呈四边形形状的开口部111的形态，但是将在下文中进行说明的本发明实施方式并不限于此，且例如开口部111可形成为圆形、椭圆形和多边形等各种形态。然而，出于说明的便利，在下文中将以开口部111配置成四边形形状且框架110的本体配置成围绕开口部111的四个面的形态的情况为主进行说明。
具体地，框架110可包括在X轴方向上延伸并在Y轴方向上彼此相对的两个短边(未标示)、和在Y轴方向上延伸并在X轴方向上彼此相对的两个长边(未标示)。
此处，两个短边可形成为具有比两个长边短的长度，并且上述两个短边和两个长边可以如图中所示彼此连接以构成矩形框形状的框架110。不仅如此，两个短边和两个长边也可分别以能够彼此分离的方式形成，且配置为彼此间可拆卸(detachable)，但是出于说明的便利，在下文中将以两个短边和两个长边如图中所示彼此连接的情况为主进行说明。
具体地，框架110可由在与掩模M焊接时产生较少变形的材料构成，例如可由刚性大的金属构成。虽然未在图中示出，但是框架110上形成有供框架110和掩模M焊接结合的焊接部(未示出)，并且由于这种焊接部在焊接工艺中在高温状态下形成，框架110优选地由对于这种高温的热产生较少热变形的物质构成。
掩模M可由多个分割的条形掩模构成，并且掩模M的两端部可在被拉伸的状态下设置到框架110上。掩模M在被拉伸的状态下设置到框架110上的原因在于，当掩模M实现大型化时，由于掩模M的自身重量，可能导致在靠近开口部111的中央处出现掩模M下垂的现象。当掩模M下垂时，通过掩模M沉积到显示衬底S(见图10)上的沉积物质的沉积精度会下降，并且由于产生阴影现象而存在各子像素之间发生混色的风险。
具体地，掩模M可包括本体部120和图案部130，其中，本体部120与框架110结合，并且图案部130布置成被本体部120围绕并在沉积工艺时使沉积物质通过。
首先对本体部120进行说明，本体部120作为构成除了图案部130以外的区域(即，掩模M的本体)的元件，其在沉积工艺时起到阻断沉积物质的作用。此外，本体部120形成为比图案部130厚，特别是本体部120的位于掩模M的两端部(即，以X轴方向为基准位于掩模M的两端处)的部分可焊接到框架110上。如上所述，由于本体部120的上述部分焊接结合到框架110上，其可包括热变形小的材料，此外，优选地包括具有足够刚性(rigidity)的材料以用于焊接。对于本体部120的具体的材料，将在下文中对图案部130进行说明时一并讨论。
接着，参照图3，图案部130可与本体部120连接且被本体部120围绕，并且图案部130可包括第一子图案部131和第二子图案部132，其中，第一子图案部131具有第一晶粒度(grain size)，且第二子图案部132布置在第一子图案部131上并且具有小于第一晶粒度的第二晶粒度。此外，图案部130可包括供沉积物质通过的多个图案孔130h，此时，图案孔130h可形成为贯穿第一子图案部131和第二子图案部132。具体地，图案孔130h的特征可在于，其截面呈从第一子图案部131朝向第二子图案部132逐渐变宽的锥形(taper)。
具体地，随着通过图案孔130h的沉积物质沉积到显示衬底(参照图10中的S)的有效区域(参照图11中的DA)上，可形成有机发光器件的中间层(参照图12中的28B)。
具体地，本体部120和第一子图案部131可包括通过轧制(rolling)制造的因瓦合金(invar alloy)和超级因瓦合金(super invar alloy)中的一种以上。另外，第二子图案部132可包括通过电铸(electroforming)制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上。此处，因瓦合金是指以特定比例混合铁(Fe)和镍(Ni)的合金，并且超级因瓦合金是指在因瓦合金中添加钴(Co)的合金。
图案孔130h可通过向图案部130照射激光束LB来制造，将在下文中参照图9对此进行详细说明。此时，可向第二子图案部132的表面照射激光束LB。即，可通过使用激光束LB依次对第二子图案部132和第一子图案部131进行蚀刻来加工图案孔130h。此时，在向第二子图案部132照射激光束LB的过程中，在待形成图案孔130h的区域周围可形成突起。另外，不同于根据本发明实施方式的掩模框架组件100，如果向第一子图案部131照射激光束LB，则相比于向第二子图案部132照射激光束LB而形成的突起，形成在第一子图案部131的表面上的突起不仅在数量上更多，而且其高度也更高。
具体地，由于第一子图案部131通过轧制制造，第一晶粒度可形成得相对大，相反地，由于第二子图案部132通过电铸制造，第二晶粒度可形成得相对小。即，根据本发明实施方式的掩模框架组件100可包括具有第一子图案部131和第二子图案部132的图案部130，其中，第一子图案部131通过轧制制造并具有相对大的晶粒度，而第二子图案部132通过电铸制造并具有相对小的晶粒度。
通常，通过电铸形成的因瓦合金或超级因瓦合金具有优异的激光加工特性，相反地，通过轧制形成的因瓦合金或超级因瓦合金的激光加工特性低于前者。此处，“优异的激光加工特性”是指通过激光束LB的照射而形成的突起的数量少且高度(尺寸)小。
在使用激光加工图案孔130h的过程中所形成的这种突起会增加图案部130的表面粗糙度(roughness of surface)，并且在严重的情况下，还可能形成在图案孔130h的内侧空间中进而妨碍沉积物质通过(这会导致显示器坏件)。因此，在向通过电铸制造的第二子图案部132照射激光束LB以加工图案孔130h的情况下，能够通过显著地降低在图案孔130h的周围形成突起的可能性来降低显示器的坏件率。
然而，在施加热的情况下，通过电铸制造的因瓦合金或超级因瓦合金的熔化量大于通过轧制制造的因瓦合金或超级因瓦合金的熔化量。因此，在本体部120使用通过电铸制造的因瓦合金或超级因瓦合金材料的情况下，在焊接框架110与本体部120的过程中，会增加焊接失败的可能性。因此，如根据本发明实施方式的掩模框架组件100那样，在本体部120由通过轧制制造的因瓦合金或超级因瓦合金构成的情况下，其焊接加工性优于由通过电铸制造的因瓦合金或超级因瓦合金构成的情况。
此外，由于通过轧制制造的因瓦合金或超级因瓦合金的热膨胀系数(coefficientof thermal expansion，CTE)低于通过电铸制造的因瓦合金或超级因瓦合金的热膨胀系数，在比例上占掩模M的多数区域的本体部120和第一子图案部131使用通过轧制制造的因瓦合金或超级因瓦合金的情况下，因掩模框架组件100的优异的热特性而能够不需要附加的热处理工艺。
另外，参照图3，本体部120可具有第一厚度t1，第一子图案部131可具有第二厚度t2，并且第二子图案部132可具有第三厚度t3，其中，第一厚度可大于第二厚度与第三厚度相加的厚度(t1>t2+t3)。
此处，本体部120形成得比图案部130厚是因为本体部120如上所述与框架110焊接，因此通过确保本体部120的充分的刚性，在焊接框架110与本体部120时最大限度地减少坏件。
具体地，第一厚度可以是10μm至50μm，且第二厚度与第三厚度相加的厚度可以是5μm至20μm。
在下文中将参照图4至图9对制造图1至图3中所示的根据本发明一实施方式的掩模框架组件100的方法进行更加具体的说明。
图4至图9是依次示出根据本发明另一实施方式的掩模框架组件的制造方法的概念图。
首先，参照图4，准备通过轧制加工制造的掩模基材BM。
接着，参照图5，在掩模基材BM的一面侧对掩模基材BM的部分区域HEA进行半蚀刻(half-etching)以形成第一子图案部131。此时，半蚀刻的特征可在于，其是通过湿法蚀刻(wet-etching)来执行的。
接着，参照图6，将绝缘薄膜IF(insulating film)附接到除了第一子图案部131以外的、剩余的掩模基材BM的一面侧的本体部120上，并且将导体C(conductor)附接到掩模基材BM的与一面相反的另一面。
接着，参照图7，在本体部120上附接有绝缘薄膜IF且掩模基材BM的另一面上附接有导体C的状态下实施电铸，以将第二子图案部132镀到第一子图案部131上。
此外，如图8中所示，将绝缘薄膜IF和导体C从掩模基材BM分离。
最后，如图9中所示，朝向第二子图案部132照射激光束LB以形成贯穿第一子图案部131和第二子图案部132的多个图案孔130h。具体地，通过沿着从第二子图案部132朝向第一子图案部131的方向向第二子图案部132的表面照射激光束LB，能够由具有如上所述优异的激光加工性的第二子图案部132加工出图案孔130h，由此降低显示器的坏件率。
此外，虽然未在图中另外示出，但是可以如图3中所示那样，通过将由图9中所示的本体部120和图案部130构成的掩模M结合到框架110上来制造掩模框架组件100，其中图案部130包括第一子图案部131和第二子图案部132。
因此，根据图4至图9中所示的本发明另一实施方式的掩模框架组件100的制造方法，能够制造出具有如下优点的掩模框架组件100，即其不仅具有与框架110的优异的焊接特性，而且能够实现通过激光束LB的图案孔130h的优异的可加工性。
图10是概略地示出显示装置的制造装置的概念图，其中，该显示装置的制造装置使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件将沉积物质沉积到显示衬底上。
参照图10，显示装置的制造装置200可包括腔室210、第一支承部220、第二支承部230、视觉部240、掩模框架组件100、沉积源250和调压部260。
腔室210的内部可形成有空间，并且腔室210可形成为其一部分被打开。腔室210的被打开的部分处可设置有闸阀210A，以用于选择性地打开和关闭腔室210的被打开的部分。
第一支承部220可支承显示衬底S。此时，第一支承部220可通过各种方式支承显示衬底S。例如，第一支承部220可包括静电卡盘或粘性卡盘。作为其它实施方式，第一支承部220可包括支承显示衬底S的一部分的支架、夹持件等。第一支承部220并不限于以上所述，而是可包括能够支承显示衬底S的所有装置。然而，出于说明的便利，在下文中将以第一支承部220包括静电卡盘或粘性卡盘的情况为主进行详细说明。
第二支承部230上可安置掩模框架组件100，并且第二支承部230可对掩模框架组件100进行支承。此时，第二支承部230可在彼此不同的至少两个以上的方向上对掩模框架组件100进行微调。
视觉部240可拍摄显示衬底S和掩模框架组件100的位置。此时，可基于由视觉部240拍摄的图像移动显示衬底S和掩模框架组件100中的至少一个，从而使显示衬底S和掩模框架组件100对齐。
沉积源250的内部可填入沉积物质，并使沉积物质蒸发。此时，沉积源250可设置有加热器251，且沉积物质可通过由加热器251施加的热被蒸发。
沉积源250可形成为各种形态。例如，沉积源250可以是排放沉积物质的入口部形成为圆形的点沉积源形态。此外，沉积源250可以是形成为长条形且入口部形成为多个或者形成为长孔形态的线沉积源形态。出于说明的便利，在下文中将以沉积源250布置成与掩模框架组件100的某一位置相对且呈点沉积源形态的情况为主进行详细说明。
调压部260可与腔室210连接，以将腔室210内部的压力调节成与大气压或真空相似。此时，调压部260可包括连接管道261和调压泵262，其中，连接管道261与腔室210连接，并且调压泵262布置在连接管道261上。
另外，通过由如上所述的显示装置的制造装置200制造显示装置(未示出)的方法可知，可制造并准备显示衬底S。
调压部260可使腔室210的内部维持大气压状态，并且显示衬底S和掩模框架组件100可在打开闸阀210A之后插入到腔室210的内部。此时，腔室210的内部或外部可设置有额外的机械臂、穿梭件(shuttle)等，以用于输送显示衬底S和掩模框架组件100。
当完成如上所述的过程时，调压部260可使腔室210的内部维持为几乎类似于真空。此外，视觉部240对显示衬底S和掩模框架组件100进行拍摄，以通过精细驱动第一支承部220和第二支承部230来对显示衬底S和掩模框架组件100中的至少一个进行微调，从而使显示衬底S和掩模框架组件100对齐。
可通过运行加热器251将沉积物质从沉积源250供给到掩模框架组件100。通过掩模框架组件100的沉积物质可以以预定图案沉积到显示衬底S上。
在进行如上所述的过程期间，沉积源250和显示衬底S中的至少一个可进行线性运动。作为其它实施方式，沉积源250和显示衬底S也能够在两者均处于静止的状态下执行沉积。出于说明的便利，在下文中将以沉积源250和显示衬底S在均处于静止的状态下执行沉积的情况为主进行详细说明。
图11是示出通过图10中所示的显示装置的制造装置制造的显示装置的平面图。
参照图11，显示装置20可在衬底21上包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围的非显示区域NDA。显示区域DA中可布置有发光部(未标示)，且非显示区域NDA中可布置有电力布线(未示出)等。此外，非显示区域NDA中可布置有焊盘部P。
图12是沿图11中所示的A-A线取得的剖视图。
参照图12，显示装置20可包括显示衬底S、中间层28B、相对电极28C和封装层(未示出)。此时，显示衬底S可包括衬底21、缓冲层22、薄膜晶体管TFT、钝化膜27、像素电极28A和像素限定膜29。此外，上述封装层可包括与衬底21相同或相似的封装衬底(未示出)或薄膜封装层E。
此时，在上述封装层包括上述封装衬底的情况下，衬底21与上述封装衬底之间可布置有额外的密封部件(未示出)。然而，出于说明的便利，在下文中将以上述封装层包括薄膜封装层E的情况为主进行详细说明。
衬底21可使用塑料材料，并且也可使用如SUS、Ti的金属材料。此外，衬底21可使用聚酰亚胺(Polyimide，PI)。出于说明的便利，在下文中将以衬底21由聚酰亚胺形成的情况为主进行详细说明。
衬底21上可形成有发光部(未标示)。此时，上述发光部可设置有薄膜晶体管TFT，钝化膜27可形成为覆盖发光部和薄膜晶体管TFT，并且该钝化膜27上可形成有有机发光器件28。
衬底21的上表面上还可形成有由有机化合物和/或无机化合物构成的缓冲层22，而该缓冲层22可由SiOx(x≥1)、SiNx(x≥1)形成。
在该缓冲层22上形成以预定图案排列的有源层23之后，有源层23被栅极绝缘层24覆盖。有源层23具有源区23C和漏区23A，并且在源区23C与漏区23A之间还包括沟道区23B。
这种有源层23可形成为包含多种物质。例如，有源层23可包含如非晶硅或结晶硅的无机半导体物质。作为另一示例，有源层23可包含氧化物半导体。作为又一示例，有源层23可包含有机半导体物质。然而，出于说明的便利，在下文中将以有源层23由非晶硅形成的情况为主进行详细说明。
这种有源层23可通过如下方式形成，即，在缓冲层22上形成非晶硅膜之后，通过对非晶硅膜进行结晶化来形成多晶硅膜，并对该多晶硅膜进行图案化，从而形成有源层23。根据驱动薄膜晶体管(未示出)、开关薄膜晶体管(未示出)等薄膜晶体管TFT的种类，对上述有源层23的源区23C和漏区23A掺杂杂质。
栅极绝缘层24的上表面上形成有栅电极25和层间绝缘层26，其中，栅电极25与有源层23相对应，且层间绝缘层26覆盖栅电极25。
此外，在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔H1之后，在层间绝缘层26上形成源电极27B和漏电极27A，使得源电极27B和漏电极27A分别与源区23C和漏区23A接触。
如此形成的上述薄膜晶体管TFT的上部形成有钝化膜27，并且该钝化膜27的上部形成有有机发光器件(OLED)28的像素电极28A。该像素电极28A通过形成在钝化膜27中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏电极27A接触。上述钝化膜27可由无机物和/或有机物形成，并且可形成为单层或双层或多于双层，其中，钝化膜27可形成为平坦化膜，使得其上表面与下部膜的弯曲无关地呈平坦状，或者与此相反地，钝化膜27也可形成为根据位于下部的膜的弯曲而呈弯曲状。此外，优选的是，该钝化膜27由透明绝缘体形成以能够实现谐振效果。
在钝化膜27上形成像素电极28A之后，由有机物和/或无机物形成像素限定膜29以覆盖该像素电极28A和钝化膜27，并且像素限定膜29被打开以暴露像素电极28A。
此外，至少在上述像素电极28A上形成有中间层28B和相对电极28C。
像素电极28A起到阳极的作用，并且相对电极28C起到阴极的作用，然而，明显的是，这些像素电极28A和相对电极28C的极性也可以彼此调换。
像素电极28A和相对电极28C通过上述中间层28B彼此绝缘，并且通过向中间层28B施加具有彼此不同的极性的电压，实现有机发光层的发光。
中间层28B中可设置有有机发光层。作为可选的另一示例，中间层28B中设置有有机发光层(organic emission layer)，且除此之外，还可设置有空穴注入层(HIL：holeinjection layer)、空穴传输层(holetransport layer)、电子传输层(electrontransport layer)和电子注入层(electron injection layer)中的至少一个。本实施方式并不限于此，且中间层28B中可设置有有机发光层，并且还可设置有其它各种功能层(未示出)。
此时，如上所述的中间层28B可通过在上文中说明的显示装置的制造装置(未示出)来形成。
另外，一个单位像素由多个子像素构成，其中，多个子像素可发射各种颜色的光。例如，多个子像素可设置有分别发射红色光、绿色光和蓝色光的子像素，或者可设置有发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光的子像素(未示出)。
另外，如上所述的薄膜封装层E可包括多个无机层，或者可包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的上述有机层由聚合物形成，并且优选地可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一种形成的单层膜或叠层膜。更优选的是，上述有机层可由聚丙烯酸酯形成，并且具体地，其可包括将包含二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的单体组合物聚合而成的产物。上述单体组合物中还可包括单丙烯酸酯类单体。此外，尽管上述单体组合物中还可包括如TPO的公知的光引发剂，但是并不限于此。
薄膜封装层E的上述无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层膜或叠层膜。具体地，上述无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2、TiO2中的任一种。
薄膜封装层E中暴露至外部的最上层可由无机层形成，以防止湿气渗透到有机发光器件28中。
薄膜封装层E可包括在至少两个无机层之间插置有至少一个有机层的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层E可包括在至少两个有机层之间插置有至少一个无机层的至少一个夹层结构。作为又一示例，薄膜封装层E也可包括在至少两个无机层之间插置有至少一个有机层的夹层结构以及在至少两个有机层之间插置有至少一个无机层的夹层结构。
薄膜封装层E可从有机发光器件28的上部开始依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
作为另一示例，薄膜封装层E可从有机发光器件28的上部开始依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
作为又一示例，薄膜封装层E可从上述有机发光器件28的上部开始依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
有机发光器件28与第一无机层之间还可附加地包括含有LiF的卤化金属层。上述卤化金属层可在通过溅射方法形成第一无机层时防止上述有机发光器件28受损。
第一有机层的面积可小于第二无机层的面积，并且上述第二有机层的面积也可小于第三无机层的面积。
因此，由于显示装置20具有形成精密图案的中间层28B，并且中间层28B沉积并形成在准确的位置处，从而能够实现精密图像的显示。此外，即使反复地沉积中间层28B，显示装置20也能够通过形成预定图案而随着持续的生产表现出均匀的品质。
虽然本发明如上所述参照图中所示的一实施方式进行了说明，但是应理解，这仅仅是示例性的，并且本领域普通技术人员能够由此进行各种变型和实施方式的改变。因此，本发明真正的技术保护范围应由随附的权利要求书的技术思想来限定。
附图标记说明
100：掩模框架组件 130：图案部
110：框架 131：第一子图案部
111：开口部 132：第二子图案部
120：本体部

Claims (8)

1.掩模框架组件，包括：
框架，所述框架具有开口部；
本体部，所述本体部与所述框架结合；以及
图案部，所述图案部与所述本体部连接且被所述本体部围绕，并且所述图案部包括：
第一子图案部，所述第一子图案部具有第一晶粒度；以及
第二子图案部，所述第二子图案部布置在所述第一子图案部上，并且具有小于所述第一晶粒度的第二晶粒度，
其中，所述图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，
其中，所述图案孔贯穿所述第一子图案部和所述第二子图案部，
其中，所述本体部和所述第一子图案部包括通过轧制制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上，所述第二子图案部包括通过电铸制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上，以及
其中，所述图案孔通过激光加工形成。
2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，
所述本体部具有第一厚度，所述第一子图案部具有第二厚度，并且所述第二子图案部具有第三厚度，以及
所述第一厚度大于所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度。
3.如权利要求2所述的掩模框架组件，其中，
所述第一厚度为10μm至50μm，以及
所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。
4.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述图案孔的截面呈从所述第一子图案部朝向所述第二子图案部逐渐变宽的锥形。
5.显示装置的制造方法，包括以下步骤：
将显示衬底和掩模框架组件装载到腔室的内部；以及
使由沉积源喷射的沉积物质通过所述掩模框架组件，以使所述沉积物质在所述显示衬底上形成膜，
其中，所述掩模框架组件包括：
框架，所述框架具有开口部；
本体部，所述本体部与所述框架结合；以及
图案部，所述图案部与所述本体部连接且被所述本体部围绕，并且所述图案部包括：
第一子图案部，所述第一子图案部具有第一晶粒度；以及
第二子图案部，所述第二子图案部布置在所述第一子图案部上，并且具有小于所述第一晶粒度的第二晶粒度，
其中，所述图案部包括供沉积物质通过的多个图案孔，
其中，所述图案孔贯穿所述第一子图案部和所述第二子图案部，其中，所述本体部和所述第一子图案部包括通过轧制制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上，所述第二子图案部包括通过电铸制造的因瓦合金和超级因瓦合金中的一种以上，以及
其中，所述图案孔通过激光加工形成。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
所述本体部具有第一厚度，所述第一子图案部具有第二厚度，并且所述第二子图案部具有第三厚度，以及
其中，所述第一厚度大于所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一厚度为10μm至50μm，以及
所述第二厚度与所述第三厚度相加的厚度为5μm至20μm。
8.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
所述图案孔的截面呈从所述第一子图案部朝向所述第二子图案部逐渐变宽的锥形。
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