CN106191768A - 掩模框架组件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了掩模框架组件及其制造方法。本发明包括框架和沉积掩模，其中，所述框架具有开口部和围绕所述开口部的支承部，所述沉积掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，所述沉积掩模具有第一掩模和第二掩模，所述第一掩模形成有供沉积物质通过的第一开口，所述第二掩模与所述第一掩模的一面连接并形成有与所述第一开口对应的第二开口。

Description

掩模框架组件及其制造方法

技术领域

本发明的实施方式涉及在薄膜沉积中所使用的掩模框架组件及其制造方法。

背景技术

通常，作为有源发光型显示元件，作为平坦式显示器之一的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度优异的优点，而且还具有能够通过低电压驱动、呈轻量的扁平状并且响应速度快的优点，由此作为下一代显示元件而备受瞩目。

这种发光元件根据形成发光层的物质划分为无机发光元件和有机发光元件，并且相比于无机发光元件，有机发光元件具有亮度、响应速度等特性优秀、能够以彩色显示等的优点，因此对其的开发最近广为进行。

有机发光显示装置通过真空沉积法形成有机膜和/或电极。然而，随着有机发光显示装置逐渐被高分辨率化，沉积工艺中所用的掩模的开放式狭缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布也需要被进一步减小。

此外，为了制造高分辨率有机发光显示装置，需要减少或去除阴影现象(shadow effect)。为此，目前在衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺，并且正在兴起用于改善衬底与掩模的附接度的技术的开发。

上述的背景技术是发明人为得出本发明而拥有的技术信息或者在得出本发明的过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的申请前已公开于一般公众的公知技术。

发明内容

本发明的实施方式提供掩模框架组件及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供掩模框架组件，所述掩模框架组件包括框架和沉积掩模，其中，所述框架具有开口部和围绕所述开口部的支承部，所述沉积掩模包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，其中，所述沉积掩模包括第一掩模和第二掩模，所述第一掩模形成有供沉积物质通过的第一开口，所述第二掩模与所述第一掩模的一面连接并且形成有与所述第一开口对应的第二开口。

此外，所述第一掩模的厚度可形成为厚于所述第二掩模的厚度。

此外，所述第一开口的大小可形成为沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。

此外，所述第二开口的大小可形成为小于所述第一开口的大小。

此外，所述第一开口的表面可以彼此面对的表面弯曲的形式形成，而所述第二开口的表面可以彼此面对的表面平坦的形式形成。

此外，所述第二掩模可通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺形成。

此外，所述第一掩模和所述第二掩模可由不同的物质形成，并且所述第一开口可通过选择性地仅蚀刻所述第一掩模而形成。

根据本发明的另一方面，提供掩模框架组件制造方法，所述掩模框架组件制造方法包括以下步骤：通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺在第一掩模的上面形成具有第二开口的第二掩模；蚀刻所述第一掩模的下面以形成与所述第二开口对应的第一开口；以及将所述第一掩模和所述第二掩模接合到具有开口部和支承部的框架上。

此外，形成所述第二掩模的步骤可包括以下步骤：在所述第一掩模的上面形成第一光刻胶图案；用与所述第一掩模不同的物质填充所述第一光刻胶图案之间的空间；以及去除所述第一光刻胶图案。

此外，所述第一光刻胶图案可通过光刻工艺来形成。

此外，所述第二开口可形成在所述第一光刻胶图案被去除的位置。

此外，蚀刻所述第一掩模的步骤可包括以下步骤：在所述第一掩模的下面形成第二光刻胶图案；使用用于蚀刻所述第一掩模的蚀刻剂(Etchant)形成所述第一开口；以及去除所述第二光刻胶图案。

此外，所述第二光刻胶图案与所述第二开口可被交替地布置。

此外，所述蚀刻剂可仅蚀刻所述第一掩模。

此外，在形成所述第一开口的步骤中，可通过调节所喷射的所述蚀刻剂的喷射速度来调节所述第一开口的形状。

此外，所述第一开口的大小可沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。

此外，所述第二开口的大小可形成为小于所述第一开口的大小。

此外，所述第一开口的表面可以彼此面对的表面弯曲的形式形成，所述第二开口的表面可以彼此面对的表面平坦的形式形成。

此外，所述第一掩模的厚度可形成为厚于所述第二掩模的厚度。

通过下面的附图、权利要求书和发明的详细说明，除了上述以外的其他方面、特征、优点将变得明确。

根据本发明的实施方式，掩模框架组件及其制造方法能够最小化衬底与沉积掩模之间的间隔以精密地将有机发光元件形成在衬底上。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件的立体图。

图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ取得的剖视图。

图3a至图3c是示出图1的沉积掩模的制造方法的剖视图。

图4是示出根据本发明的另一实施方式的沉积掩模的剖视图。

图5是示出具有图1的掩模框架组件的沉积装置的剖视图。

图6是示出使用图5中示出的沉积装置制造的有机发光显示器件的视图。

具体实施方式

本发明可以实施多种变型并且可以具有多种实施方式，并且旨在附图中示出特定实施方式并对其进行详细说明。通过参照结合附图详细说明的实施方式，本发明的效果和特征以及实现其的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下面所公开的实施方式，而是可以多种形态实现。在下面的实施方式中，“第一”、“第二”等的措辞并不具有限定的含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的使用。此外，除非文中另有明确指示，否则单数的表述包括复数的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辞是指说明书中所述记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。

此外，为了说明的便利，附图中构成要素的大小可以被夸大或被缩小。例如，为了说明的便利，附图中所示的各构件的大小和厚度被任意示出，因此本发明并不一定限定于图中所示。此外，当能够以不同的方式实现某些实施方式时，特定的工艺可以按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时执行，也可以按照与所说明的顺序相反的顺序进行。

下面，将参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，将对相同或对应的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复描述。

图1是示出根据本发明的实施方式的掩模框架组件10的立体图，图2是沿图1的Ⅱ-Ⅱ取得的剖视图。

参照图1和图2，掩模框架组件10可包括沉积掩模100和供沉积掩模100安装的框架200。

沉积掩模100可具有沉积区域101和形成于沉积区域101外侧的边缘部102。沉积区域101可具有沉积用图案。沉积区域101布置成与框架200的开口部205相对应，以使得通过开口部205的沉积物质能够通过沉积用图案并沉积到衬底上。

沉积区域101被示出为具有以多个点(DOT)形状形成的掩模图案。然而，本发明并不限于此，并且本领域的技术人员应理解，能够实施各种变形例。即，沉积区域101中可具有维持前面被开放的状态的掩模图案、或者具有狭缝形状的掩模图案。图1中示出的沉积用图案的数量、布置位置或形状仅仅为一种示例，本发明并不限于此。

沉积掩模100可由单张形态的一个大型部件形成并接合到框架200上。此外，可由多个条状分割掩模形成以分散沉积掩模100的自身重量。然而，为了说明的便利，下文中将主要对由条状分割掩模形成的情况进行说明。

沉积掩模100可包括下表面与框架200连接的第一掩模110和与第一掩模110的上表面连接的第二掩模120。

第一掩模110可具有多个第一开口111和形成于第一开口111之间的第一肋112。第一开口111可形成为使其开口的大小沿着第一掩模110高度方向增加。具体地，第一开口111具有供沉积物质流入的流入部和与第二开口121连接的流出部。第一开口111的大小随着从上述流入部移至上述流出部而变小，以能够容易地收集沉积物质(d1>d2)。

第一开口111的表面可形成为以第一开口111为基准对称的、彼此面对的面。此外，可以部分弯曲地形成第一开口111的表面。具体地，可以凹陷地形成第一开口111的第一面111a，并且可以与第一面111a对称地形成面对第一面111a的第二面111b。由此，第一肋112的截面可具有大致梯形形态。

第二掩模120可在与第一开口111对应的位置处具有第二开口121，并且可在与第一肋112对应的位置处具有第二肋122。第二开口121的大小可形成为比第一开口111的大小小。此外，第二开口121与第一开口111的流出部连接，因此其可形成为实质上与上述流出部的大小相同。

第二开口121的表面可形成为以第二开口121为基准对称的、彼此面对的面。此外，可以呈直线地形成第二开口121的表面。具体地，可以平坦地且与第二掩模120的长度方向基本垂直地形成第二开口121的彼此面对的表面。通过平坦地形成第二开口121的表面明确地划分了衬底中待被沉积的部分，从而能够提高沉积的精度。根据第二开口121的形状，第二肋122的截面可具有大致矩形的形态。

第一掩模110的厚度T1可形成为比第二掩模120的厚度T2厚。通过将第二掩模120形成为薄的厚度以使得第二肋122所形成的坎变矮，从而能够提高沉积的精度。第一掩模110可支承第二掩模120并由具有磁性或感应磁性的材料形成。沉积掩模100通过静电吸盘、磁铁等的磁力而被固定到衬底上，因此，为了通过增加由沉积掩模100形成的磁力来增加沉积掩模100与衬底的紧贴性，第一掩模110应具有一定程度以上的厚度。

第一掩模110可具有6μm至10μm的厚度。当第一掩模110的厚度小于6μm时，由于通过静电吸盘形成的磁力小而导致沉积掩模100不均匀地附着至衬底上。

第二掩模120可具有0.1μm至1.0μm的厚度。当第二掩模120的厚度大于1.0μm时，由于第二肋122所形成的端差阻挡了沉积物质的移动路径而可能导致沉积的精度降低。

第一开口111可通过使用蚀刻剂(Etchant)的蚀刻工艺形成，第二开口121可通过光刻工艺以及非电解镀层工艺或电解镀层工艺形成。

第一掩模110可由不锈钢、因瓦(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍-钴合金中的任一种材料形成。第二掩模120可由与第一掩模110的材料不同的材料形成。例如，可由钨(W)、硅(Si)、不锈钢、因瓦(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金、镍-钴合金中未被选择为第一掩模110的材料的其他材料形成。此外，第二掩模120并不限于此，而是可由具有与形成为第一掩模110的材料的热膨胀系数、拉伸系数或刚性相同或几乎相似的物理属性的材料形成。

第一掩模110和第二掩模120由不同的材料形成，因此在形成第一开口111时可选择性地仅蚀刻第一掩模110。即，通过使用仅能够蚀刻第一掩模110的蚀刻剂，可以仅在第一掩模110中形成第一开口111、而不蚀刻第二掩模120。例如，在第一掩模110由因瓦(invar)形成的情况下，可使用三氯化铁(FeCl₃)作为蚀刻剂以仅蚀刻第一掩模110。

沉积掩模100可被支承在框架200上。框架200可包括供沉积物质通过的开口部205和形成在开口部205外侧的支承部。框架200可由金属或合成树脂等制成，并且形成为具有呈四边形形状的一个以上的开口部205，但是实施的思想并不限于此，而是也可形成为圆形或六边形等的多种形态。然而，为了说明的便利，下文中将主要对具有四边形形状的开口部205并具有多个支承部的框架200进行说明。

多个支承部包括布置成沿着X方向彼此面对并沿着Y方向平行的第一支承部201和第二支承部202、以及布置成沿着Y方向彼此面对并沿着X方向平行的第三支承部203和第四支承部204。第一支承部201、第二支承部202、第三支承部203和第四支承部204是彼此连接的四边形框。

框架200可由刚性大的金属构成。沉积掩模100可通过焊接工艺固定到框架200。因为在焊接工艺时焊接部103的周边会发生高热量，因此框架200可由热变形小的物质形成。

图3a至图3c是示出图1的沉积掩模100的制造方法的剖视图。

参照图3a至图3c，沉积掩模100的制造方法和掩模框架组件的制造方法分析如下。

沉积掩模100的制造方法可包括在第一掩模110上形成具有第二开口121的第二掩模120的步骤和蚀刻第一掩模110的下面以形成第一开口111的步骤。

第一掩模110可由不锈钢、因瓦(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍-钴合金中的任一种材料形成。第一光刻胶图案PR1形成在第一掩模110的上面。第一光刻胶图案PR1可布置在形成第二开口121的位置处。第一光刻胶图案PR1可通过光刻工艺形成。第一光刻胶图案PR1的侧面可沿Z方向形成以实质上垂直于第一掩模110的长度方向。

通过填充第一光刻胶图案PR1之间的空间来形成第二掩模120。形成为第二掩模120的物质不同于第一掩模110的物质。可利用非电解镀层工艺或电解镀层工艺填充第一光刻胶图案PR1之间的空间来形成第二掩模120的第二肋122。与第一光刻胶图案PR1的侧面相对应地形成第二肋122的侧面，第二肋122的侧面可沿着Z方向形成以实质上垂直于第一掩模110的长度方向。

当去除第一光刻胶图案PR1时，之前形成有第一光刻胶图案PR1的位置成为第二开口121。第二肋122的侧面形成第二开口121的表面。因此，第二开口121的表面可平坦地形成，并且可沿着Z方向形成以实质上垂直于第一掩模110的长度方向。

第二光刻胶图案PR2可形成在第一掩模110的下面。第二光刻胶图案PR2可确定在第一开口111形成时开始蚀刻的位置。此外，第一开口111的大小可通过调节第二光刻胶图案PR2之间的距离来调节。第一肋112的下部的长度可通过调节第二光刻胶图案PR2的大小来调节。

第二光刻胶图案PR2可形成在第一光刻胶图案PR1与相邻的第一光刻胶图案PR1之间。第二光刻胶图案PR2可与第一光刻胶图案PR1交替地布置。第二光刻胶图案PR2可通过与上述第一光刻胶图案PR1的方法相同的方法形成。

第一开口111可通过蚀刻第一掩模110来形成。蚀刻工艺中所使用的蚀刻剂(Etchant)可使用仅与第一掩模110反应的溶液或气体。因为第一掩模110的材料与第二掩模120的材料不同，因此蚀刻剂可仅蚀刻第一掩模110而在第一掩模110中形成第一开口111。随后，可去除第二光刻胶图案PR2。

沉积掩模100可安装在框架200上。可通过对沉积掩模100与框架200接触的部分使用焊接等的工艺而将沉积掩模100固定到框架200上。

制造高分辨率的显示装置的重点在于，提升通过沉积掩模沉积的沉积物质的精度或者细化沉积到衬底上的图案。在通过蚀刻工艺形成沉积掩模100时，因蚀刻部位与待被沉积的衬底之间的间隔而导致了沉积精度降低。因为蚀刻工艺是以放射形状来蚀刻材料，因此衬底与沉积掩模之间将形成缝隙。沉积物质的一部分流入上述缝隙之间并沉积到衬底上，因此被不均匀地沉积到衬底上。

为了细化沉积掩模的图案，可延长蚀刻工艺的时间。然而，当蚀刻工艺的时间变长时，沉积掩模的肋厚度可能变薄。当沉积掩模的肋厚度不够厚时，则不能在沉积掩模与静电吸盘之间形成充分的磁力，并由此导致沉积掩模从衬底翘起。即，可能因衬底与沉积掩模之间的附着性降低而导致沉积物质的精度降低。

在掩模框架组件10的制造方法中，可选择性地蚀刻第一掩模110以将第一掩模110的厚度形成为充分接合衬底与沉积掩模100的厚度。

在掩模框架组件10的制造方法中，可利用非电解镀层或电解镀层最小化第二掩模120的厚度以精密地形成沉积图案。

图4是示出根据本发明的另一实施方式的沉积掩模300的剖视图。

分析图4，沉积掩模300可包括第一掩模310和第二掩模320。

第一掩模310可包括第一开口311和形成在第一开口311之间的第一肋312。可几乎线性地形成第一开口311的表面。可利用与第一掩模310反应的蚀刻剂形成第一开口311。

第一开口311可通过调节喷射蚀刻剂的速度以线性地形成第一开口311的表面。当降低周围温度并增加蚀刻剂的喷射速度时，第一开口311的蚀刻速度增加，从而使得第一开口311的表面形状接近于几乎线性。此外，当增加蚀刻速度时，可相对地缩短具有较厚的第一肋312的第一掩模310的生产时间。

第二掩模320可包括第二开口321和形成在第二开口321之间的第二肋322。第二掩模320与根据本发明的实施方式的沉积掩模100的第二掩模120相同，因此将省略其详细说明。

第一开口311可形成为其大小沿着Z方向逐渐变小。第一开口311的流入部的大小为d3，第一开口311的流出部的大小为d4，并且大小随着从流入部移至流出部而变小。第二开口321的大小为d5，即，形成为比第一开口311的大小小。

为了增加沉积物质的通过量，第一开口311可形成为随着从流入部移至流出部而使其大小变小。为了提高沉积的精度，第二开口321的大小形成为比第一开口311的大小小。具体地，第一开口311与第二开口321之间形成因大小差异导致的端差，第二开口321由此可明确地划分供沉积物质沉积的区域。

图5是示出包括图1的掩模框架组件10的沉积装置的剖视图。

在实施方式中，作为显示装置，虽然例举说明了有机发光显示装置(Organic light emitting display device，OLED)，但是并不限于通过施加一定电源来实现图像的显示装置中的任一种装置，例如，液晶显示装置(Liquid crystal display device，LCD)、场发射显示装置(Field emissiondisplay device，FED)、电子纸显示装置(Electronic paper display device、EPD)等。

参照图5，掩模框架组件10可设置在用于沉积如有机发光显示装置的有机发光层的薄膜的真空腔室500内部。

沉积源570可位于真空腔室500内部的下部。掩模框架组件10可设置在沉积源570上。沉积掩模100可设置在框架200上。沉积掩模100可包括形成有第一开口111的第一掩模110和形成有第二开口121的第二掩模120。沉积用衬底540可位于沉积掩模100上。沉积用衬底540上还可设置有磁铁550，磁铁550产生磁力以使得沉积掩模100能够附着于沉积用衬底540。

当从沉积源570朝着沉积掩模100喷射沉积物质时，沉积物质通过形成于沉积掩模100的第一开口111和第二开口121以期望的图案沉积到沉积用衬底540的一面上。

第一掩模110形成为能够通过磁铁550形成充分磁力的厚度，从而能够改善沉积用衬底540与掩模框架组件10的附着性。

第二掩模120可通过最小化厚度来形成精细图案并通过平坦地形成第二开口121的表面来改善沉积的精度。

图6是示出使用图5中所示沉积装置制造的有机发光显示装置600的视图。

此处，子像素可具有至少一个薄膜晶体管TFT和有机发光元件OLED。所述薄膜晶体管TFT并不是必需用图6的结构来实施，而是能够对其数量和结构进行多种修改。

参照图6，有机发光显示装置600中设置有衬底611。衬底611包括具有柔性的绝缘材料。例如，所述衬底611可以是玻璃衬底。此外，衬底611可由聚酰亚胺(Polyimide；PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate；PC)、聚醚砜(Polyethersulphone；PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate；PEN)、聚芳酯(Polyarylate；PAR)或玻璃纤维增强塑料(Fiber glass reinforcedplastic；FRP)等的高分子材料构成。衬底611可以是透明的、半透明的或不透明的。

阻挡膜612可形成在衬底611上。阻挡膜612可形成为整体地覆盖衬底611的上部面。阻挡膜612可包括无机膜或有机膜。阻挡膜612可形成为单层膜、或者层叠为多层膜。

例如，所述阻挡膜612可以由选自诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(AlO)、铝氮氧化物(AlON)等的无机物以及诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺、聚酯等的有机物中的至少一种构成。

阻挡膜612执行阻挡氧气和水分的功能，防止水分或杂质通过衬底611扩散，并且为衬底611的上部提供平坦的表面。

薄膜晶体管(Thin film transistor；TFT)可形成在阻挡膜612上。虽然根据本发明的实施方式的薄膜晶体管示出为顶栅(top gate)型薄膜晶体管，但是应明确，也可以包括底栅(Bottom gate)型等的其他结构的薄膜晶体管。

半导体有源层613可形成在阻挡膜612上。根据掺杂N型杂质离子或P型杂质离子，半导体有源层613上可形成源区域614和漏区域615。源区域614与漏区域615之间的区域为不掺杂杂质的沟道区域616。

在半导体有源层613由多晶硅形成的情况下，可形成非晶硅并通过使其结晶化来转变为多晶硅。此外，半导体有源层613可由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可包括如下物质的氧化物，其中所述物质选自诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)的4、12、13、14族金属元素及其组合。

栅极绝缘膜617可被沉积在半导体有源层613上。栅极绝缘膜617包括诸如硅氧化物、硅氮化物或金属氧化物的无机膜。栅极绝缘膜617可以是单层或多层结构。

栅电极618可以被形成在栅极绝缘膜617上的一定区域中。栅电极618可包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的单层膜或多层膜，或者可包括如Al:Nd、Mo:W的合金。

层间绝缘膜619可形成在栅电极618上。层间绝缘膜619可由硅氧化物或硅氮化物等的绝缘材料形成。此外，所述层间绝缘膜619可由绝缘有机膜形成。

源电极620和漏电极621可形成在层间绝缘膜619上。具体地，接触孔可通过去除栅极绝缘膜617和层间绝缘膜619的一部分而形成在栅极绝缘膜617和层间绝缘膜619中，并且源电极620可通过接触孔电连接到源区域614，漏电极621可通过接触孔电连接到漏区域615。

钝化膜622可形成在源电极620和漏电极621上。钝化膜622可由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机膜形成或者由有机膜形成。

平坦化膜623可形成在钝化膜622上。平坦化膜623可以包括丙烯酸树脂(acryl)、聚酰亚胺(polyimide)、苯并环丁烯(Benzocyclobutene；BCB)等的有机膜。

有机发光元件OLED可形成在薄膜晶体管TFT上。有机发光元件OLED包括第一电极625、第二电极627和介于第一电极625与第二电极627之间的中间层626。

第一电极625通过接触孔与源电极620和漏电极621中的任一个电极连接。第一电极625对应于像素电极。

第一电极625充当阳极，其可由多种导电材料形成。第一电极625可形成为透明电极或反射电极。

例如，当第一电极625以透明电极使用时，第一电极625包括ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。当第一电极625以反射电极使用时，第一电极625可在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成反射膜后在所述反射膜上形成ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。

像素限定膜(Pixel define layer；PDL)624可形成在平坦化膜623上以覆盖有机发光元件OLED的第一电极625的边缘位置。像素限定膜624通过围绕第一电极625的边缘位置来限定各个子像素的发光区域。

像素限定膜624由有机物或无机物形成。例如，所述像素限定膜624可由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、丙烯酸树脂、酚醛树脂等的有机物形成、或者由如SiNx的无机物形成。像素限定膜624可形成为单层膜或者多层膜。

中间层626可形成在第一电极625上通过蚀刻像素限定膜624的一部分而暴露的区域中。中间层626可通过沉积工艺形成。

中间层626可以由低分子有机物或高分子有机物构成。中间层626可包括有机发光层(Emissive layer；EML)。作为可选的另一个示例，除了包括有机发光层以外，中间层626还可包括空穴注入层(Hole injectionlayer；HIL)、空穴传输层(Hole transport layer；HTL)、电子传输层(Electrontransport layer；ETL)、电子注入层(Electron injection layer；EIL)中的至少任一个。本发明的实施方式并不限于此，中间层626包括有机发光层，并且还可包括其他多种功能层。

第二电极627可形成在中间层626上。第二电极627对应于公共电极。与第一电极625相似，第二电极627可形成为透明电极或反射电极。

当第一电极625形成为透明电极或反射电极时，其可形成为与各个子像素的开口对应的形态。相反，第二电极627可将透明电极或反射电极整面地沉积在显示部上。可选地，第二电极627也可由特定图案形成以替代整面沉积。应明确，第一电极625和第二电极627也可以位置倒置并层叠。

另外，第一电极625与第二电极627通过中间层626彼此绝缘。当向第一电极625和第二电极627施加电压时，中间层626中发出可见光来实现用户可识别的图像。

封装部(Encapsulation)640可形成在有机发光元件OLED上。上述封装部640是为了保护中间层626和其他薄膜免受外部水分或氧气等的影响而形成的。

所述封装部640可以是至少各层叠有一个有机膜和无机膜的结构。例如，封装部640可以是层叠有诸如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯，聚乙烯，聚丙烯酸酯等的至少一个有机膜641、642和诸如硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiNx)、铝氧化物(Al₂O₃)、钛氧化物(TiO₂)、锆氧化物(ZrOx)、锌氧化物(ZnO)等的至少一个无机膜643、644、645的结构。

封装部640可以是具有至少一层有机膜641、642和至少两层无机膜643、644、645的结构。封装部640中暴露到外部的最上层645可由无机膜形成以防止水分渗进有机发光元件OLED。

如上所述，虽然参照附图中所示的实施方式对本发明进行了说明，但这仅仅是示例性的，本领域的普通技术人员应理解，能够由此进行多种变型和实施方式的变型。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附权利要求书中的技术思想来定义。

符号说明

10：掩模框架组件

100、300：沉积掩模

110、310：掩模

111、311：第一开口

112、312：第一肋

120、320：第二掩模

121、321：第二开口

122、322：第二肋

200：框架

Claims (19)

1.一种掩模框架组件，包括：

框架，具有开口部和围绕所述开口部的支承部；以及

沉积掩模，包括位于与所述开口部对应的位置处的沉积区域，

其中，所述沉积掩模包括：

第一掩模，形成有供沉积物质通过的第一开口；以及

第二掩模，与所述第一掩模的一面连接，并且形成有与所述第一开口对应的第二开口。

2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一掩模的厚度形成为厚于所述第二掩模的厚度。

3.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一开口的大小沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。

4.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第二开口的大小小于所述第一开口的大小。

5.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，

所述第一开口的表面以彼此面对的表面弯曲的形式形成，所述第二开口的表面以彼此面对的表面平坦的形式形成。

6.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第二掩模通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺形成。

7.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述第一掩模和所述第二掩模由不同的物质形成，所述第一开口通过选择性地仅蚀刻所述第一掩模而形成。

8.一种掩模框架组件制造方法，包括以下步骤：

通过非电解镀层工艺或电解镀层工艺在第一掩模的上面形成具有第二开口的第二掩模；

蚀刻所述第一掩模的下面以形成与所述第二开口对应的第一开口；以及

将所述第一掩模和所述第二掩模接合到具有开口部和支承部的框架上。

9.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，形成所述第二掩模的步骤包括以下步骤：

在所述第一掩模的上面形成第一光刻胶图案；

用与所述第一掩模不同的物质填充所述第一光刻胶图案之间的空间；以及

去除所述第一光刻胶图案。

10.如权利要求9所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述第一光刻胶图案通过光刻工艺来形成。

11.如权利要求9所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述第二开口形成在所述第一光刻胶图案被去除的位置处。

12.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，蚀刻所述第一掩模的步骤包括以下步骤：

在所述第一掩模的下面形成第二光刻胶图案；

使用用于蚀刻所述第一掩模的蚀刻剂形成所述第一开口；以及

去除所述第二光刻胶图案。

13.如权利要求12所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述第二光刻胶图案与所述第二开口交替地布置。

14.如权利要求12所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述蚀刻剂仅蚀刻所述第一掩模。

15.如权利要求12所述的掩模框架组件制造方法，其中，在形成所述第一开口的步骤中，通过调节所喷射的所述蚀刻剂的喷射速度来调节所述第一开口的形状。

16.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述第一开口的大小沿着从沉积源朝着沉积物质通过的方向变小。

17.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，所述第二开口的大小形成为小于所述第一开口的大小。

18.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，

所述第一开口的表面以彼此面对的表面弯曲的形式形成，

所述第二开口的表面以彼此面对的表面平坦的形式形成。

19.如权利要求8所述的掩模框架组件制造方法，其中，

所述第一掩模的厚度形成为厚于所述第二掩模的厚度。