CN111384311B - 用于显示器的掩模 - Google Patents
用于显示器的掩模 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111384311B CN111384311B CN201911325104.9A CN201911325104A CN111384311B CN 111384311 B CN111384311 B CN 111384311B CN 201911325104 A CN201911325104 A CN 201911325104A CN 111384311 B CN111384311 B CN 111384311B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aperture
- rib
- mask
- sub
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 110
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 8
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 101100353517 Caenorhabditis elegans pas-2 gene Proteins 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开涉及一种用于制造显示器的掩模。根据本公开的实施方式的用于显示器的掩模包括:孔径,所述孔径与显示区域对应;虚设孔径,所述虚设孔径在所述孔径附近;肋,所述肋包围所述孔径和所述虚设孔径的周边;以及副肋,所述副肋在所述孔径与所述虚设孔径之间。
Description
技术领域
本公开涉及用于制造显示器的掩模。具体地,本公开涉及一种用于制造周边形状不是矩形的非对称形状的显示器的掩模。
背景技术
作为自发光装置的电致发光显示器具有以下特性:具有优异的视角和对比度,由于没有背光单元而重量轻且厚度薄,以及低功耗。在各种类型的电致发光显示器当中,有机发光显示器能够用直流和低电压进行驱动,具有快速的响应时间,并且能够比其它显示器相对更低的成本进行制造。
电致发光显示器包括多个发光二极管。发光二极管包括阳极、形成在阳极上的发光层以及位于发光层上的阴极。当将高电平电压施加到阳极并且将低电平电压施加到阴极时,来自阳极的空穴和来自阴极的电子移动到发光层。通过电子和空穴的复合产生激子,然后发光层通过在激子从激发态衰落到基态时形成的能量而发射光。通过控制在发光二极管的发光层中的每个发光层处产生的光的量,电致发光显示器呈现图像数据或视频数据。
为了提供全色视频图像,电致发光显示器包括具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的各种发光元件。这些发光元件可以通过使用用于沉积薄膜的阴影掩模的沉积工艺形成。
用于薄膜沉积的掩模可以是由诸如因瓦(invar)之类的金属材料制成的精细金属掩模。这里,因瓦可以是铁和镍的合金材料,具有低的热膨胀系数。存在两种制造因瓦合金(36%Ni-64%Fe)或超因瓦合金(32%Ni-63%Fe-5%Co)的方法,这两种方法中的一种是冷轧方法,另一种是电铸方法。由于冷轧方法不适用于大面积显示器,所以通过电铸方法制造精细金属掩模。在使用电铸方法制造精细金属掩模的方法中,阳极和阴极在涂覆(或镀覆)槽的内部彼此面对地平行设置,然后在阳极和阴极之间设置涂覆板。通过用电解液填充槽然后将电流从阳极施加到阴极,在涂覆板的一侧上形成因瓦合金层。之后,通过将因瓦合金层与涂覆板分离并进行后处理,最终形成精细金属掩模。
通常,显示器具有矩形有效区域,并且精细金属掩模也具有与矩形有效区域对应的矩形孔径区域。然而,在一些设计中,自由形式显示器可以具有其形状是诸如圆形、卵形、云形、梯形等的非矩形的有效区域。因此,为了制造自由形式显示器,精细金属掩模必须具有与自由形式显示器的有效区域相对应的自由形式孔径区域。为了沉积有机材料,确保精细金属掩模的平坦度是非常重要的。当精细金属掩模在沉积设备中不能保持平坦状态时,沉积在显示器基板上的有机涂覆层会变形或者不具有均匀的厚度,使得有机发光元件无法确保最佳属性。因此,为了制造自由形式电致发光显示器,开发适于制造自由形式电致发光显示器的精细金属掩模是非常重要的。
发明内容
因此,本公开的申请人已经开发出用于制造自由形式电致发光显示器的精细金属掩模。用于自由形式显示器的精细金属掩模可具有与自由形式显示器的有效区域对应的孔径(aperture)。当将精细金属掩模附接到安装在沉积设备中的框架时,拉伸应力可集中在两个不同形状结合的边界部分处。在下文中,我们将该边界部分称为“形状改变部”或“自由形状部”。自由形状部上的应力集中会导致精细金属掩模的变形,诸如部分弯曲或呈弓形以及部分竖立的部分。精细金属掩模的变形可导致精确沉积特性的失败和显示质量的劣化。本公开的目的是提供一种适于制造自由形式电致发光显示器的精细金属掩模。本公开的另一目的是提供一种用于显示器的精细金属掩模,在制造自由形式电致发光显示器时该精细金属掩模使发光层以均匀厚度沉积并且具有与所设计的显示器的形状对应的形状。
根据本公开的一个实施方式的用于显示器的掩模包括:孔径,所述孔径与显示区域对应;虚设孔径,所述虚设孔径在所述孔径附近;肋(rib),所述肋包围所述孔径和所述虚设孔径的周边;以及副肋(sub rib),副肋在所述孔径与所述虚设孔径之间。
根据本公开的另一实施方式的用于显示器的掩模包括:第一孔径,所述第一孔径与第一基板的显示区域对应;第二孔径,所述第二孔径在所述第一基板内邻近所述第一孔径;第一肋,所述第一肋被设置到所述第一孔径的至少两侧和所述第二孔径的至少两侧;以及第二肋,所述第二肋被设置在所述第一孔径和所述第二孔径之间。
各种实施方式的详细说明被包括在本公开的实施方式和附图中。
通过在与显示区域的形状对应的孔径之间的区域处包括虚设孔径,设置在孔径之间的肋可以被施加恒定的拉力。因此,孔径之间的肋可以按照与基板的表面具有恒定间隙并具有恒定拉力的方式设置在基板的表面上。此外,当设置在表面上时,肋的所有部分可以被同时安置。结果,掩模的肋不具有部分鼓胀部(soaring portion)或部分下垂部(saggedportion)。在这种情况下,在下面的工艺步骤中沉积的发光层可以按照设计以连续均匀的厚度和精确的形状沉积。此外,根据本公开,电致发光显示器不具有使得发光层未沉积在所需区域上或沉积在不需要的区域上的沉积故障。利用根据本公开的用于显示器的掩模,当发光层在最佳条件下沉积时,自由形式显示器可以具有优异的视频质量。
除了上述本公开的效果之外,将在下面描述本公开的其它特征和优点,或者对于本领域技术人员而言,本公开的其它特征和优点根据描述和说明书而变得显而易见。
权利要求的范围不受本公开的内容中所描述的内容的限制,这是因为在上述主题中描述的本公开的内容、问题解决手段和要解决的效果未指定权利要求的实质特征。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且被并入本申请中并构成本申请的一部分,附图例示了本公开的实施方式并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是例示根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器的平面图;
图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图,例示了根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器的结构;
图3是例示根据本公开的实施方式的具有多个自由形式显示器的母基板的平面图;
图4是例示根据本公开的实施方式的用于自由形式显示器的掩模的结构的平面图;
图5是例示根据本公开的另一实施方式的用于自由形式显示器的掩模的结构的平面图;
图6是例示根据本公开的另一实施方式的用于自由形式显示器的掩模的结构的平面图;
图7是例示根据本公开的实施方式的具有用于自由形式显示器的掩模的制造设备的图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方式,在附图中例示了本公开的示例性实施方式的示例。尽可能地,在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。在说明书中,应该注意的是,已经在其它附图中用于表示相同元件的相同附图标记尽可能地用于相同元件。在以下描述中,当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的实质配置无关时,将省略它们的详细描述。说明书中所描述的术语应理解如下。本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明。然而,本公开可按照不同的形式来实施并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式,使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求的范围来限定。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和数目仅是示例,因此,本公开不限于所示的细节。相同的附图标记始终表示相同的元件。在下面的描述中,当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊本公开的重点时,将省略其详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下,除非使用“仅”,否则可添加另一部件。单数形式的术语可包括复数形式,除非指代相反情况。
在解释元件时,尽管没有明确的描述,但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置顺序被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下”、“与…相邻”和“挨着…”时,除非使用“仅”或“直接”,否则可以包括其间没有接触的情况。如果提到第一元件位于第二元件“上”,则并不意味着第一元件本质上位于图中的第二元件上方。相关物体的上部和下部可以根据物体的取向而改变。因此,第一元件位于第二元件“上”的情况包括在图中或实际配置中第一元件位于第二元件“下方”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序被描述为“在…之后”、“随后…”、“接着…”和“在…之前”时,除非使用“仅”或“直接”,否则可包括不连续的情况。
将理解的是,尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开的范围内,第一元件可被称为第二元件,并且类似地,第二元件可被称为第一元件。
术语“第一水平(或X)轴方向”、“第二水平(或Y)轴方向”和“垂直(或Z)轴方向”不应该仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释,而是可表示在本公开的组件能够在功能上操作的范围内具有更宽的指向性的方向。
应该理解的是,术语“至少一个”为包括与任意一项相关的所有组合。例如,“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可包括从第一元件、第二元件和第三元件中选择的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件或第三元件。
如本领域技术人员可充分理解的,本公开的各种实施方式的特征可部分或全部地彼此联接或组合,并且可彼此进行各种不同的相互操作并在技术上进行驱动。本公开的实施方式可彼此独立地执行,或者可按照相互依赖关系一起执行。
在下文中,参照附图,我们将解释根据本公开的自由形式电致发光显示器的一些实施方式。在整个附图中,对于附图的组成元件的附图标记,相同的组成元件可以具有相同的附图标记,即使它们显示在不同的附图上。自由形状可以具有矩形形状和非矩形形状。因此,多个自由形状的布置可以在两个相邻的自由形状之间具有不均匀的距离。
图1是例示根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器的平面图。参照图1,将解释自由形式电致发光显示器。参照图1,根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器可以具有任何自由形状。在一个或更多个实施方式中,各种自由形状将不包括矩形形状。然而,在一些实施方式中,本公开的自由形式电致发光显示器也可应用于矩形形状。根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器包括基板SUB、像素P、公共电源线CPL、坝DM、焊盘部PP以及驱动器200和300。
作为基底基板或基底层的基板SUB可包含塑料材料或玻璃材料。例如,在柔性显示器的情况下,基板SUB可以由具有优异柔性的塑料材料制成。即使使用玻璃材料,也可以通过高度减薄玻璃基板来获得柔性显示器。
例如,基板SUB可以具有诸如三角形、五边形、圆形或卵形之类的非矩形形状。卵形可以包括椭圆形、蛋形、具有圆角的矩形、或宽度与其高度不同的其它非圆形弯曲形状。如图1所示,根据实施方式的基板SUB可以具有其中一个角部(例如,图1中的左上角)从矩形形状中被去除的非对称的五边形形状。
基板SUB可以包括显示区域AA和非显示区域IA。显示区域AA可以被定义为用于显示视频数据、图像数据的区域,其在基板SUB的最中部区域中。在该实施方式中,如从平面图中所见,显示区域AA可以具有非对称五边形形状。
在基板SUB的周边区域处包围显示区域AA的非显示区域IA可以被定义为不显示视频数据、图像数据或者设置有外围元件的区域。非显示区域IA可以包括位于基板SUB的第一侧的第一非显示区域IA1、位于基板SUB的第二侧的与第一非显示区域IA1平行且相对的第二非显示区域IA2、位于基板SUB的第三侧的第三非显示区域IA3、位于基板SUB的第四侧的与第三非显示区域IA3平行且相对的第四非显示区域IA4以及位于基板SUB的将第二(或上)侧和第三(或左)侧连接的对角线侧的第五非显示区域IA5。例如,第一非显示区域IA1可以设置在上(或下)周边区域,第二非显示区域IA2可以设置在下(或上)周边区域,第三非显示区域IA3可以设置在左(或右)周边区域,第四非显示区域IA4可以设置在右(或左)周边区域,第五非显示区域IA5可以设置在对角线周边区域。
像素P可以设置在基板SUB上的显示区域AA内。例如,多个像素P可以以矩阵方式设置,并且它们排列在显示区域AA内。像素P可以被限定为被扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL包围。
扫描线SL可以沿着第一方向延伸,并且多条扫描线SL可以沿着与第一方向交叉的第二方向彼此相距预定距离地排列。显示区域AA可以具有与第一方向平行并且沿着第二方向彼此分开的多条扫描线SL。这里,第一方向可以被定义为基板SUB的水平方向,第二方向可以被定义为基板SUB的垂直方向,但是不限于此。
数据线DL可以沿着第二方向延伸,并且多条数据线DL可以沿着第一方向彼此相距预定距离的方式排列。基板SUB的显示区域AA可以具有与第二方向平行并且沿着第一方向彼此分开的多条数据线DL。
像素驱动电源线PL可以被设置为与数据线DL平行。基板SUB的显示区域AA可以具有与数据线DL平行的多条像素驱动电源线PL。在另一种情况下,像素驱动电源线PL可以被设置为与扫描线SL平行。
像素P可以在显示区域AA内以条带结构排列。在这种情况下,一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在另一种情况下,一个单位像素还可以包括白色子像素。
对于其它情况,像素P可以在显示区域AA内以拼贴(tile)图案结构排列。在这种情况下,一个单位像素可以包括以多边形布局(例如,以八边形布局)设置的红色子像素、至少两个绿色子像素和蓝色子像素。在这种情况下,蓝色子像素可以具有最大孔径尺寸(或发光尺寸),而绿色子像素可以具有最小孔径尺寸。例如,也可以使用PenTile结构。
像素P可以包括电连接到扫描线SL、数据线DL和像素驱动电源线PL的像素电路PC以及电连接到像素电路PC的发光元件ED。
像素电路PC可以基于响应于从扫描线SL提供的扫描信号而从数据线DL提供的数据电压来控制从像素驱动电源线PL提供给发光元件ED的电流Ied。
像素电路PC可以具有至少两个薄膜晶体管和一个电容器。在示例中,像素电路PC可以具有:驱动薄膜晶体管,其基于数据电压将数据电流Ied提供给发光元件ED;开关薄膜晶体管,其将数据电压从数据线DL提供给驱动薄膜晶体管;以及电容器,其存储与驱动薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压差相对应的电容。
对于另一种情况,像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和一个电容器。例如,像素驱动电路PC可以根据这三个薄膜晶体管的操作(或功能)而包括电流供应电路、数据供应电路和补偿电路。这里,电流供应电路可以包括将基于数据电压的数据电流Ied提供给发光元件ED的驱动薄膜晶体管。数据供应电路可以包括响应于扫描信号而将数据线DL的数据电压提供给电流供应电路的至少一个开关薄膜晶体管。补偿电路可以包括响应于扫描信号而补偿驱动薄膜晶体管的特性(阈值电压、电子迁移率、和/或二者)的变化的至少一个补偿薄膜晶体管。
发光元件ED可以发射具有与从像素电路PC提供的数据电流Ied对应的亮度的光。数据电流Ied可以依次经由驱动薄膜晶体管和发光元件ED从像素驱动电源线PL流到公共电源线CPL。
发光元件ED可包括电连接到像素电路PC的像素驱动电极(或第一电极或阳极)、形成在像素驱动电极上的发光层以及电连接到发光层的公共电极(或第二电极或阴极)CE。
公共电源线CPL可以设置在基板SUB的非显示区域IA处,并且电连接到设置在显示区域AA中的公共电极CE。例如,公共电源线CPL可以具有宽度并且通过随着包围除了第一非显示区域IA1的中部之外的显示区域AA而穿过第二非显示区域IA2、第三非显示区域IA3、第四非显示区域IA4和第五非显示区域IA5而从第一非显示区域IA1的一侧设置到第一非显示区域IA1的另一侧。因此,公共电源线CPL可以具有其中与第一非显示区域IA1对应的一侧敞开的“n”形状。
封装层(未示出)可以按照完全覆盖公共电源线CPL和显示区域AA的上表面和侧表面的方式设置在基板SUB上。在一个实施方式中,封装层可以不覆盖公共电源线CPL在第一非显示区域IA1处的一端和另一端。封装层用于防止氧气或湿气或者其它外部异物渗透到在显示区域AA内排列的发光元件ED中。例如,封装层可包括至少一个无机层。作为另一示例,封装层可包括多个无机层和位于无机层之间的有机层。封装层的其它构造也是可以的,并且本公开不限于此。
根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器可以包括焊盘部PP、选通驱动器200和驱动集成电路300。
设置在第一非显示区域IA1中的焊盘部PP可包括设置在非显示区域IA中的多个焊盘。例如,焊盘部PP包括设置在第一非显示区域IA1中的多个公共电源焊盘、多个数据输入焊盘、多个电源焊盘和多个控制信号输入焊盘。
选通驱动器200设置在基板SUB的第四非显示区域IA4处并且连接到设置在显示区域AA中的扫描线SL。当在显示区域AA中形成薄膜晶体管时,可以在第四非显示区域IA4中同时形成选通驱动器200。选通驱动器200可以通过基于从驱动集成电路300提供的选通控制信号产生并输出扫描信号来依次驱动各条扫描线SL。例如,选通驱动器200可以包括移位寄存器。
坝DM可由于设置在第一非显示区域IA1、第二非显示区域IA2、第三非显示区域IA3、第四非显示区域IA4和第五非显示区域IA5中而具有包围显示区域AA的闭合曲线。例如,当坝DM设置在公共电源线CPL的外部时,坝DM可以位于基板SUB上的最外侧区域。焊盘部PP和驱动集成电路可以设置在坝DM之外。
图1示出了坝DM设置在基板SUB的最外侧区域的情况,但不限于此。作为另一示例,坝DM可以设置在公共电源线CPL和选通驱动器200之间。作为另一示例,坝DM可以设置在显示区域AA和选通驱动器200之间。
驱动集成电路300利用芯片安装(或接合)工艺设置在基板SUB的第一非显示区域IA1处限定的芯片安装区域上。驱动集成电路300的输入端子可以电连接到焊盘部PP,并且驱动集成电路300的输出端子可以电连接到数据线DL和像素驱动电源线PL。驱动集成电路300经由焊盘部PP接收从显示驱动器(或主机电路)提供的电源信号、定时同步信号和数字视频或图像数据。驱动集成电路300根据定时同步信号产生选通控制信号以操作选通驱动器200,然后将数字视频或图像数据转换为模拟像素数据电压并将它们提供给数据线DL。
图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图,例示了根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器的结构。进一步参照图2,将解释本公开的各种实施方式。
自由形式电致发光显示器可以包括基板SUB、像素阵列层120、间隔物SP和封装层130。
作为基底层的基板SUB可以由塑料材料或玻璃材料制成。基板SUB可包含不透明或彩色聚酰亚胺材料。例如,聚酰亚胺的基板SUB可以是在设置在比聚酰亚胺基板SUB相对更厚的载体玻璃基板的前表面上的释放层上以预定厚度涂覆的硬化的聚酰亚胺树脂层。在这种情况下,载体玻璃基板和聚酰亚胺材料的基板SUB可以通过使用激光的释放过程彼此分离。在这种情况下,基板SUB还可以包括在厚度方向上附接在基板SUB的后表面上的背板。背板用于将基板SUB维持在平面状态。例如,背板可包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯材料之类的塑料材料。背板可以层压在从载体玻璃基板释放的基板SUB的后表面上。
在基板SUB是玻璃基板的实施方式中,玻璃基板SUB可以具有小于约100微米的厚度的薄玻璃基板。在基板SUB是载体玻璃基板的另一实施方式中,载体玻璃基板可以具有被蚀刻为小于约100微米的厚度。
在基板SUB的上表面上,可以设置缓冲层(未示出)。为了防止湿气或其它外部异物通过基板SUB渗透到像素阵列层120中,可以在基板SUB的上表面上沉积缓冲层。缓冲层可包括多个无机层。例如,缓冲层可以包括交替层叠的多个层,诸如硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层和硅氮氧化物(SiON)层。在某些情况下,可以省略缓冲层。
像素阵列层120可以包括薄膜晶体管层、平整层PLN、堤BN、裂纹阻挡结构SPI(未示出在图2中)和发光元件。
薄膜晶体管层可以形成在其中设置有像素P的显示区域AA处以及位于基板SUB的第四非显示区域IA4处的选通驱动器200处。
例如,薄膜晶体管层可以包括薄膜晶体管T、栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD。这里,图2中所示的薄膜晶体管T可以是与发光元件ED电连接的驱动薄膜晶体管。
薄膜晶体管T可以包括设置在基板SUB或缓冲层上的半导体层A、栅极G、源极S和漏极D。在图3中,薄膜晶体管T具有其中栅极G设置在半导体层A上的顶栅结构,但是不限于此。作为另一示例,薄膜晶体管T可以具有其中栅极G设置在半导体层A下方的底栅结构。另选地,薄膜晶体管T可以具有其中上栅极和底栅极G分别设置在半导体层A的上侧和下侧的双栅结构。
半导体层A可以形成在基板SUB或缓冲层上。半导体层A可以包含硅型半导体材料、氧化物半导体材料或有机半导体材料,并且可以具有单层结构或多层结构。在缓冲层和半导体层A之间,还可以包括遮光层以阻挡外部光进入半导体A。
栅极绝缘层GI可以沉积在基板上以覆盖半导体A。栅极绝缘层GI可以包括诸如硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层和其多层之类的无机层。
栅极G可以按照与半导体层A交叠的方式形成在栅极绝缘层GI上。栅极G可以利用扫描线SL形成。例如,栅极G可以被形成为包含钼(MO)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或者其合金之类的单层或多层。
层间绝缘层ILD可以沉积在基板SUB上以覆盖栅极G和栅极绝缘层GI。层间绝缘层ILD可以在具有栅极G和栅极绝缘层GI的基板上提供平坦表面。
源极S和漏极D按照分别连接到半导体层的一侧和另一侧的方式形成在层间绝缘层ILD上。源极S和漏极D可以与数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL一起形成。例如,在涂覆源-漏材料薄层之后,通过图案化工艺同时形成源极S、漏极D、数据线DL、像素驱动电源线PL和公共电源线CPL。
源极S和漏极D分别通过贯穿层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的接触孔连接到半导体层A。源极S和漏极D可以被形成为包含钼(MO)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)或者其合金之类的单层或多层。这里,图2中所示的薄膜晶体管T的源极S可以电连接到像素驱动电源线PL。
设置在基板SUB的像素P处的薄膜晶体管T可以被包括在像素电路PC中。设置在基板SUB的第四非显示区域IA4处的选通驱动器200可以包括与设置在像素P中的薄膜晶体管T基本相同或相似的薄膜晶体管。
平整层PLN可以沉积在基板SUB的整个表面上以覆盖薄膜晶体管层。平整层PLN提供薄膜晶体管层上方的平坦表面状态。例如,平整层PLN可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂之类的有机层制成。
作为另一示例,平整层PLN可以包括用于使设置在像素P中的薄膜晶体管T的漏极D中的一部分暴露的像素接触孔PH。
设置在平整层PLN上的堤BN可以限定显示区域AA的像素P内的开口区域(或发光区域)。堤BN可以被称为像素限定层。
发光元件ED可以包括像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。像素驱动电极AE可以形成在平整层PLN上,并且通过形成在平整层PLN处的像素接触孔PH电连接到驱动薄膜晶体管的漏极D。在这种情况下,堤BN可以覆盖像素驱动电极AE的除了像素驱动电极AE的与像素P的开口区域交叠的中间部之外的周边部。堤BN可以通过覆盖像素驱动电极AE的周边部来限定开口区域。
像素驱动电极AE可以包含具有相对高反射率的金属材料。例如,像素驱动电极AE可以具有多层结构,诸如铝(Al)和钛(Ti)的层叠结构(Ti/Al/Ti)、铝(Al)和ITO(铟锡氧化物)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC(Ag/Pd/Cu)合金以及APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)),或者至少包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中选择的一种的单层结构。可以利用其它结构,并且本公开不限于上面提到的结构。
发光层EL可以沉积在基板SUB的显示区域AA上以覆盖像素驱动电极AE和堤BN。发光层EL可以包括垂直层叠的至少两个发光部,以发射白光。例如,发光层EL可以包括第一发光部和第二发光部,以通过将来自第一发光部的第一光和来自第二发光部的第二光组合来发射白色光。这里,用于发射第一光的第一发光部可以包括蓝色发光部、绿色发光部、红色发光部、黄色发光部和黄绿色发光部中的一个。第二发光部可以包括蓝色发光部、绿色发光部、红色发光部、黄色发光部和黄绿色发光部中选择的任何一个,以用于发射能够对第一光进行光学补偿的第二光。
对于另一实施方式,发光层EL可包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任何一个,以便发射与像素P的指定颜色光对应的彩色光。例如。发光层EL可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层、有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的层叠层、或者其任意组合结构中的任何一种。
此外,发光元件ED还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和寿命的功能层。
公共电极CE可以电连接到发光层EL。公共电极CE可以按照共同连接到设置在像素P处的发光层EL的方式形成在基板SUB的显示区域AA上。
例如,公共电极CE可以具有透明导电材料或半透明导电材料。在公共电极CE具有半透明导电材料的情况下,可以应用微腔结构以增强发光元件ED的发光效率。在一个示例中,半透明导电材料可以是选自镁(Mg)、银(Ag)以及镁(Mg)和银(Ag)的合金中的一种。在公共电极CE上,可以进一步形成封盖层,以通过控制从发光元件ED发射的光的折射率来增强发光效率。
间隔物SP可以设置在基板SUB内的任何位置处。然而,在一些实施方式中,间隔物SP可以不位于显示区域AA中的具有发光元件ED的开口区域。如图2所示,间隔物SP可以设置在其中在堤BN上没有设置裂纹阻挡结构SPI的区域处。间隔物SP可以是用于防止在发光层EL的沉积工序期间丝网掩模与基板直接接触的元件。由于间隔物SP设置在堤BN上并具有锥形形状,所以发光层EL和公共电极CE可以按照跟随并覆盖设置在显示区域AA内的间隔物SP的整个表面的方式沉积。
在一些情况下,发光层EL或公共电极CE可以不沉积在间隔物SP上。例如,如图2所示,发光层EL或公共电极CE不沿着间隔物SP的形状沉积。然而,如前所述,间隔物SP可以设置在显示区域AA内的堤BN的某一区域上。即使公共电极CE没有沉积在间隔物SP上或上方并且看起来在一些部分断连,但公共电极CE沿着显示区域AA的整个表面电连接。
封装层130可以被形成在像素阵列层120的上表面和侧表面上。在一些示例中,封装层130可以覆盖像素阵列层120的上表面和侧表面。封装层130具有用于防止氧气或湿气渗透到发光元件ED中的功能。
对于一个实施方式,封装层130可以包括第一无机层PAS1、第一无机层上的有机层PCL以及有机层PCL上的第二无机层PAS2。第一无机层PAS1和第二无机层PAS2可以起到防止湿气或氧气渗入到其中的作用。例如,第一无机层PAS1和第二无机层PAS2可以包含诸如硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物之类的无机材料。第一无机层PAS1和第二无机层PAS2可以通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
有机层PCL可以被第一无机层PAS1和第二无机层PAS2包围。为了粘附和/或阻挡在制造过程中可能产生的颗粒,有机层PCL可以具有比第一无机层PAS1和第二无机层PAS2的厚度相对更厚的厚度。有机层PCL可以具有诸如硅碳氧化物(SiOCz)丙烯酸或环氧族树脂之类的有机材料。有机层PCL可以通过诸如喷墨涂覆工艺或狭缝涂覆工艺之类的涂覆工艺形成。
根据本公开的实施方式的自由形式电致发光显示器还可以包括坝DM。坝DM可以设置在非显示区域IA处,以用于防止有机层PCL溢出到显示器的外部。
坝DM可以设置在包围显示区域AA的公共电源线CPL以及在显示区域AA的外部的选通驱动器200的外部。在一些情况下,坝DM可以设置为与公共电源线CPL的外部交叠。在这些情况下,可以减小具有选通驱动器200和公共电源线CPL的非显示区域IA(即,边框区域)的宽度。
根据本公开的一个实施方式的坝DM可以在垂直方向上具有三层结构。例如,坝DM可以包括由平整层PLN制成的第一层、由堤BN制成的第二层和由间隔物SP制成的第三层。
第一层可以在图案化平整层PLN时的梯形截面形状。第二层可以具有连续层叠在第一层上的梯形截面形状。第三层也可以具有梯形截面形状。在由于有机层PCL的厚度薄而易于控制其扩张的情况下,坝DM应该不高。在这种情况下,可以省略第三层。在其它实施方式中,第三层(间隔物SP)可以具有三角形截面形状。
坝DM可以被第一无机层PAS1和/或第二无机层PAS2覆盖。有机层PCL可以与坝DM的内侧表面中的一部分接触。例如,有机层PCL在最外侧区域处的直到上表面的高度可以高于第一层但低于第二层。再例如,有机层PCL在最外侧区域处的直到上表面的高度可以高于第二层但低于第三层。
有机层PCL在最外侧区域处的直到上表面的高度优选地低于坝DM的整个高度。因此,在坝DM的上表面和外侧表面处,第一无机层PAS1和第二无机层PAS2的表面可以彼此接触。
当制造上述自由形式电致发光显示器时,一个基板SUB可以用于一个显示器。然而,为了确保制造产量的效率,可以在一个大的母基板上形成多个自由形式电致发光显示器,然后可以通过切割各个显示器基板来将它们彼此分开。例如,如图3所示,在一个母基板MB上分配多个单元基板SUB,在每个单元基板SUB上形成显示元件,将单元基板SUB各自分离,然后进行其它后处理,可形成多个自由形式电致发光显示器。图3是例示根据本公开的实施方式的具有多个自由形式显示器的母基板的平面图。
为了使元件形成在如图3所示的母基板MB上所排列的各个单元基板SUB处所分配的显示区域AA处,可需要如图4所示的具有与各个单元基板SUB的显示区域AA对应的多个孔径OP的掩模ADM。图4是例示根据本公开的实施方式的用于自由形式显示器的掩模(例如,有效区域限定掩模)的结构的平面图。
掩模可用于在高温条件下而不是室温下沉积有机层。例如,掩模可以由因瓦材料形成。当使用电镀仪器将因瓦材料涂覆到金属框架上时,电镀溶液可以是复合溶液,该复合溶液包括诸如硫酸镍(NiSO4)酐或氯化镍(NiCl2)之类的镍离子源、诸如硫酸亚铁(FeSO4)酐之类的铁离子源、诸如硼酸之类的pH调节剂、抛光剂、应力松弛剂、稳定剂。但是其不限于此。在本公开中,镀覆层可以是因瓦材料,但其不限于此。
参照图4,根据本公开的实施方式的用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM可包括孔径OP、肋RB、虚设孔径OPD和副肋SR。掩模ADM可以具有与母基板MB相对应的基本相同形状和尺寸。孔径OP的形状和尺寸对应于单位基板SUB的显示区域AA。也就是说,孔径OP可以具有与显示区域AA相同的形状和尺寸。因此,与显示区域AA类似,孔径OP可以具有矩形部和非矩形部。肋RB包围孔径OP的矩形部。如图4所示,在一个实施方式中,肋RB具有网状。肋RB包括在第一方向上的多个第一肋构件410和在第二方向上的多个第二肋构件420。第一方向和第二方向彼此交叉。例如,第一方向可以是沿着y轴的方向,并且第二方向可以是沿着x轴的方向。然而,第一方向和第二方向不一定必须彼此垂直,并且可以采用其他角度(例如,锐角、钝角)来实现掩模ADM。孔径OP是作为由多个第一肋构件410和多个第二肋构件420制成的空间的结果而形成的。虚设孔径OPD可以与孔径OP的非矩形部分相邻设置。副肋SR设置在孔径OP和虚设孔径OPD之间。在一个实施方式中,副肋SR连接至第一肋构件410和第二肋构件420,从而将孔径OP和虚设孔径OPD在空间上分开。由于母基板MB具有相距预定距离的多个单元基板SUB,因此掩模ADM可以具有相距预定距离的多个孔径OP。在两个相邻孔径OP的两个矩形部之间,设置一个肋RB。在孔径OP的一个非矩形部处,设置虚设孔径OPD,使得孔径OP和虚设孔径OPD的总和可以形成矩形形状。在形成一个矩形形状的孔径OP和虚设孔径OPD之间,设置副肋SR。在未形成一个矩形形状的虚设孔径OPD和其它孔径OP之间,设置肋RB。副肋SR可以具有与肋RB的宽度相同或相似的宽度。然而,针对副肋SR和肋RB可以使用其它形状和尺寸。
在没有虚设孔径OPD的情况下,两个相邻孔径OP之间的肋RB不具有相同或相似的宽度。例如,在两个相邻的矩形部之间形成窄的宽度,但是在非矩形部处形成宽的宽度。当没有虚设孔径OPD的掩模ADM被安装在母基板MB上时,具有宽的宽度的非矩形部可能会下垂。这会导致沉积的用于形成发光层的有机材料的厚度不均匀或者形状扭曲。
该问题的主要原因是由于孔径OP的非矩形形状而导致的肋RB的宽度较宽的部分。通过在宽度较宽的部分处形成虚设孔径OPD,在虚设孔径OPD和孔径OP之间形成副肋SR。例如,副肋SR可以具有与肋RB的宽度基本相同的宽度。针对另一示例,副肋SR的宽度可以比肋RB的宽度微窄。
对于图4中所示的情况,副肋SR可以在两个肋RB之间沿对角线方向延伸。当向掩模ADM施加拉力以维持其在母基板MB的表面附近的平坦表面时,副肋SR可以被施加以比肋RB的拉力小的拉力。当具有较小拉力的副肋SR可以具有与具有更大拉力的肋RB相同的宽度时,副肋SR会被过度拉伸,使得副肋SR可能会变形或鼓胀。这会导致使用掩模ADM在母基板MB上所沉积的有机层的形状或厚度发生任何变形。为了防止这个问题,优选地,副肋SR的宽度比肋RB的宽度窄。副肋SR的宽度可以指副肋SR在与副肋的行进方向垂直的方向上的长度。
在一些情况下,副肋SR的宽度可以比肋RB的宽度更宽。副肋SR的宽度条件可以取决于虚设孔径OPD的形状或尺寸。另外,副肋SR的宽度与肋RB的宽度之间的关系可以不固定,而是可以考虑掩模ADM的尺寸和厚度以及用于安装掩模ADM的仪器的拉力来确定。
在下文中,参照图5,将解释根据本公开的另一实施方式的自由形式电致发光显示器。图5是例示根据本公开的另一实施方式的用于自由形式显示器的掩模的结构的平面图。
孔径OP是与单位基板SUB的显示区域AA对应的开口区域。肋RB是掩模ADM的设置在两个相邻孔径OP之间的部分。虚设孔径OPD是通过去除由于孔径OP的非矩形部引起的肋RB的较宽部分的一些区域来形成具有与肋RB的宽度相似的宽度的副肋SR的附加开口区域。
在本公开的另一实施方式中,掩模ADM还可以包括虚设孔径OPD处的网状结构ME。网状结构ME可以是形成在虚设孔径OPD处的网格或栅格图案。例如,网状结构ME可以是链接肋RB和副肋SR的多个细肋。
参照图4中所示的自由形式电致发光显示器,掩模ADM具有沿对角线方向延伸的副肋SR,从而可以去除肋RB的较宽部分以使拉力在掩模ADM的整个区域上保持均匀。此外,在控制副肋SR的宽度时,可以将施加到副肋SR的拉力调节为与施加到肋RB的拉力相似或相同。
肋RB沿着水平方向和垂直方向设置,而副肋SR沿着对角线方向设置。因此,当在掩模ADM的平面上沿向量分解方向施加拉力时,掩模ADM的变形、鼓胀或下垂仍会保留。例如,当将磁场施加到掩模ADM时,用于将副肋SR安置(或粘附)在母基板MB上的时间与用于将肋RB安置到母基板MB的时间之间会存在时间差。在这种情况下,可在肋RB,或副肋SR,或肋RB和副肋SR二者处发生鼓胀或下垂。这会导致有机层的沉积结果的变形。
为了防止这些问题,可以在虚设孔径OPD内进一步设置网状结构ME。网状结构ME可以具有用于将包围虚设孔径OP的肋RB和副肋SR链接的多个细肋。当通过磁场施加拉力时,在将肋RB安置在母基板MB上的时间与将副肋SR安置在母基板MB上的时间之间没有差异或延迟。
图6是例示根据本公开的又一实施方式的用于自由形式显示器的掩模的结构的平面图。参照图6,我们将解释本公开的又一实施方式。
参照图6,用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM可具有与图5中所示的掩模非常相似的形状。要注意的是,尽管孔径OP的自由形式形状在图4至图6中的每个中示出为由矩形形状和非矩形形状形成的非对称五边形,但这是处于例示性目的而示出的,并且本公开不限于此。例如,当显示器的显示区域AA具有三角形、圆形或卵形时,孔径OP可以类似地形成为三角形、圆形或卵形,以对应于显示区域AA的形状。根据图6中所示的实施方式的掩模ADM还可包括孔径OP内的像素图案PM。针对不同颜色的发光层分别设置在各个子像素处的情况,像素图案可以是掩模图案。例如,第一掩模可以包括仅与红色子像素对应的多个孔径OP。第二掩模可以包括仅与蓝色子像素对应的多个孔径OP。第三掩模可以包括仅与绿色子像素对应的多个孔径OP。
使用三个不同的掩模,将不同颜色发光层分别沉积在红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素上。在这种情况下,像素图案PM可以具有比网状结构ME更多的细肋和更小的开口。根据情况,可以制备具有像素图案PM的附加掩模,然后可以将其与用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM套叠。将利用下面的图7解释这种情况。
图7是例示根据本公开的实施方式的具有用于自由形式显示器的掩模的制造设备的图。
参照图7,用于沉积用于电致发光显示器的发光层的设备或仪器可包括轭(yoke)板YP、轭驱动器YD、磁体MG、安装板PLT和掩模框架FR。轭板YP可以通过轭驱动器YB上下移动。磁体MG可以设置在轭板YP下方。安装板PLT是用于将母基板MB安装在其下面的板。例如,通过在安装板PLT的下表面上施加静电力,母基板MB可以附接在安装板PLT的下表面上。在这种情况下,设备还可以包括用于向安装板PLT供应静电和去除静电的装置。掩模框架FR可以是用于安装用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM的框架。
首先,将用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM安装在掩模框架FR上。当母基板MB非常大时,掩模ADM可能会下垂,因此优选地,可以通过焊接将掩模ADM固定在掩模框架FR上以保持其平坦度。在一些情况下,还可以将像素掩模MK安装在用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM上。像素掩模MK是用于将不同颜色发光层沉积在显示区域AA中所排列的各个子像素处的掩模。例如,图6中所示的像素图案将通过使用可以是具有期望的像素图案PM的特定掩模的像素掩模MK来获得。因此,当沉积红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层时,可需要三个像素掩模MK。
接下来,将母基板MB配备到安装板PLT。将具有母基板MB的安装板PLT安装到轭板YP。降低轭板YP,使掩模ADM以其间具有预定距离的方式安装在母基板MB下面。这里,当母基板MB具有非常大的面积时,掩模ADM的中间部分可能下垂,从而无法保持掩模ADM的平坦度。为了补偿下垂,可以通过驱动磁体MG来使用于自由形式电致发光显示器的掩模ADM紧贴着具有平坦度的母基板MB设置。因此,优选地,自由形式电致发光显示器包括主动响应磁体MG的磁性材料。
当在没有虚设孔径OPD的情况下将磁体MG的拉力施加到肋RB时,拉力可过度集中在将形成虚设孔径OPD的区域上。结果,与虚设孔径OPD对应的宽肋可能会向母基板MB过度地鼓胀,因此可能不能维持掩模ADM的平坦度。由于这种鼓胀问题,导致所沉积的发光层在厚度或形状方面会变形。然而,如关于图4所解释和示出的那样,通过形成虚设孔径OPD,能够解决掩模ADM的鼓胀问题。
然而,虚设孔径OPD可能无法完美地解决下垂问题。例如,当虚设孔径OPD的尺寸非常大并且副肋SR的长度太长时,由磁体MG施加到副肋SR和肋RB的拉力可能不均匀。
例如,当通过施加磁体MG的磁力将掩模ADM安置在母基板MB上时,在用于安置副肋SR的时间和用于安置肋RB的时间之间可能发生时间差或时间延迟。结果,随着同时出现鼓胀部和下垂部,可以在副肋SR处形成波。
然而,像根据图5中所示的本公开的另一实施方式的掩模ADM一样,通过在虚设孔径OPD内进一步包括网状结构ME,不会形成鼓胀部或下垂部。例如,通过包括链接副肋SR和肋RB的网状结构ME,磁体MG的拉力能够被均匀地施加到肋RB和副肋SR。这将减小或最小化上述提到的鼓胀问题。
在另一实施方式中,多个磁体MG可以在轭板YP的一个表面上彼此间隔开。在一个实施方式中,每个相邻磁体MG之间的距离D可以具有相等的距离(或间距)。例如,如图7所示,相邻磁体MG之间的距离以均匀距离间隔开。然而,在其它实施方式中,相邻磁体MG之间的距离不必均匀地间隔开。由于基板SUB的尺寸可以大、长和宽,所以鼓胀或下垂的问题可能会集中在基板的中央部分CP上。在这种情况下,为了减轻在基板的中央或中间部分的下垂问题,可以向基板的中间部分放置更多的磁体MG。例如,与远离基板的中间部分的那些相邻的磁体相比,位于中间附近的相邻的磁体之间的距离可以具有彼此之间更小的距离。也就是说,相邻磁体之间的距离可以从基板的中间部分到基板的边缘或外围部分逐渐增加。
使用根据本公开的用于自由形式显示器的掩模的自由形式电致发光显示器可以应用于诸如电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器、导航系统、超移动PC(个人计算机)、智能电话、移动通信终端、移动电话、平板PC、智能手表、手表电话或可穿戴装置之类的各种个人装置。此外,它还可以应用于诸如电视机、笔记本电脑、监视器、微波炉、电动清洗机和相机之类的家用电器。
根据本公开的用于显示器的掩模可以说明如下。
根据本公开的一个实施方式的用于显示器的掩模包括:孔径,其与显示区域对应;虚设孔径,其在孔径附近;肋,其包围孔径和虚设孔径的周边;以及副肋,副肋在孔径与虚设孔径之间。
根据本公开的示例,肋具有沿着水平方向设置的水平部和沿着垂直方向设置的垂直部。副肋沿着对角线方向设置。
根据本公开的示例,肋具有第一宽度。副肋具有与第一宽度不同的第二宽度。
根据本公开的示例,第二宽度比第一宽度窄。
根据本公开的示例,用于显示器的掩模还包括:像素图案,其被设置在孔径内。
根据本公开的示例,用于显示器的掩模还包括:网状结构,其位于虚设孔径内。
根据本公开的示例,网状结构包括将包围虚设孔径的肋和副肋链接的细肋。
根据本公开的示例,细肋具有比肋和副肋窄的宽度。
根据本公开的另一实施方式的用于显示器的掩模包括:第一孔径,其与第一基板的显示区域对应;第二孔径,其在第一基板内邻近第一孔径;第一肋,第一肋被设置到第一孔径的至少两侧和第二孔径的至少两侧;以及第二肋,第二肋被设置在第一孔径和第二孔径之间。
根据本公开的示例,第一孔径具有自由形式形状。
根据本公开的示例,第一肋具有第一方向部和与第一方向部垂直的第二方向部。第二肋具有与第一方向部和第二方向部不同的第三方向部。
根据本公开的示例,第一肋具有第一宽度,并且第二肋具有与第一宽度不同的第二宽度。
根据本公开的示例,用于显示器的掩模还包括:多个第三肋,其位于第二孔径内。
根据本公开的示例,第三肋具有网状类型.
根据本公开的示例,第二孔径具有自由形式形状。
根据本公开的示例,第一孔径包括像素图案。
根据本公开的示例,第一孔径具有比第二孔径更大的面积。
对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种修改和变型。因此,本公开旨在覆盖本公开的落入所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。根据以上详细描述,可以对实施方式进行这些改变和其它改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中所公开的特定实施方式,而是应该被解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所应有的等同物的全部范围。因此,权利要求不受本公开的限制。
Claims (20)
1.一种用于显示器的掩模,该掩模包括:
孔径,所述孔径与显示区域对应;
虚设孔径,所述虚设孔径与所述孔径相邻;
肋,所述肋包围所述孔径和所述虚设孔径的周边;以及
副肋,所述副肋被设置在所述孔径与所述虚设孔径之间,
其中,所述肋具有沿着水平方向设置的水平部和沿着垂直方向设置的垂直部,
其中,所述副肋连接到一个水平部和一个垂直部,
其中,所述副肋在所述副肋的两端连接到所述肋,从而将所述孔径和所述虚设孔径在空间上分开,
其中,所述肋与所述孔径的两个或更多个侧边接触并且所述副肋与所述孔径的其它侧边接触,使得所述孔径被所述肋和所述副肋的组合包围,
其中,所述孔径具有非对称形状,并且
其中,所述孔径和所述虚设孔径的和形成对称形状。
2.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述孔径和所述虚设孔径的总和形成矩形形状。
3. 根据权利要求1所述的掩模,其中,所述副肋沿着对角线方向设置。
4.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述肋具有第一宽度,并且
其中,所述副肋具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
5.根据权利要求4所述的掩模,其中,所述第二宽度比所述第一宽度窄。
6.根据权利要求1所述的掩模,该掩模还包括:
像素图案,所述像素图案被设置在所述孔径内。
7.根据权利要求1所述的掩模,该掩模还包括:
在所述虚设孔径内的网状结构。
8.根据权利要求7所述的掩模,其中,所述网状结构包括将包围所述虚设孔径的所述肋和所述副肋链接的细肋。
9.根据权利要求8所述的掩模,其中,所述细肋具有比所述肋和所述副肋窄的宽度。
10.一种用于显示器的掩模,该掩模包括:
第一孔径,所述第一孔径与所述显示器的显示区域对应;
第二孔径,所述第二孔径邻近所述第一孔径并且与所述显示器的非显示区域的一部分对应;
第一肋,所述第一肋包围所述第一孔径和所述第二孔径;以及
第二肋,所述第二肋被设置在所述第一孔径和所述第二孔径之间,
其中,所述第一肋具有第一方向部和与所述第一方向部垂直的第二方向部,
其中,所述第二肋连接到一个第一方向部和一个第二方向部,
其中,所述第二肋在所述第二肋的两端连接到所述第一肋,从而将所述第一孔径和所述第二孔径在空间上分开,
其中,所述第一肋与所述第一孔径的两个或更多个侧边接触并且所述第二肋与所述第一孔径的其它侧边接触,使得所述第一孔径被所述第一肋和所述第二肋的组合包围,
其中,所述第一孔径具有非对称形状,并且
其中,所述第一孔径和所述第二孔径的和形成对称形状。
11.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一孔径和所述第二孔径的总和形成矩形形状。
12.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一肋被设置到所述第二孔径的至少两侧。
13.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一孔径的形状包括三角形形状或五边形形状。
14.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一孔径的形状由矩形形状和非矩形形状形成。
15.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一肋具有第一宽度,并且所述第二肋具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
16.根据权利要求10所述的掩模,该掩模还包括:
在所述第二孔径内的多个第三肋。
17.根据权利要求16所述的掩模,其中,所述第三肋形成网状类型结构。
18.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第二孔径具有自由形式形状。
19.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一孔径包括像素图案。
20.根据权利要求10所述的掩模,其中,所述第一孔径具有比所述第二孔径更大的面积。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0172069 | 2018-12-28 | ||
KR1020180172069A KR20200081990A (ko) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 표시장치용 마스크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111384311A CN111384311A (zh) | 2020-07-07 |
CN111384311B true CN111384311B (zh) | 2023-09-08 |
Family
ID=71123971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911325104.9A Active CN111384311B (zh) | 2018-12-28 | 2019-12-20 | 用于显示器的掩模 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11193203B2 (zh) |
KR (1) | KR20200081990A (zh) |
CN (1) | CN111384311B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200121958A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
US20220372615A1 (en) * | 2019-11-12 | 2022-11-24 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask |
KR102193043B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2020-12-18 | 풍원정밀(주) | 금속 마스크 및 이의 제조 방법 |
KR20220023927A (ko) * | 2020-08-21 | 2022-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그것의 제조설비 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1510971A (zh) * | 2002-11-29 | 2004-07-07 | �����ձ������ƶ���ʾ��ʽ���� | 蒸发掩模和采用此掩模来制造有机场致发光器件的方法 |
CN1625312A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 索尼株式会社 | 淀积掩模及其制造方法 |
CN102157700A (zh) * | 2010-02-03 | 2011-08-17 | 乐金显示有限公司 | 掩模组件 |
CN203834003U (zh) * | 2014-03-13 | 2014-09-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种配套掩模板 |
KR20160069075A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법 |
CN106191768A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-12-07 | 三星显示有限公司 | 掩模框架组件及其制造方法 |
KR20170053779A (ko) * | 2015-11-06 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN108461379A (zh) * | 2017-02-21 | 2018-08-28 | 上海和辉光电有限公司 | 掩模装置及显示面板的制作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000067353A (ko) | 1999-04-27 | 2000-11-15 | 윤종용 | 뱅크 형성을 위한 마스크 레이아웃 |
US6729927B2 (en) * | 2002-08-01 | 2004-05-04 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for making a shadow mask array |
JP4222035B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器 |
JP4378373B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US20070137568A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Schreiber Brian E | Reciprocating aperture mask system and method |
TWI480399B (zh) * | 2013-07-09 | 2015-04-11 | 金屬遮罩 | |
KR102219210B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 마스크 및 마스크 조립체 |
-
2018
- 2018-12-28 KR KR1020180172069A patent/KR20200081990A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-12-20 CN CN201911325104.9A patent/CN111384311B/zh active Active
- 2019-12-26 US US16/727,722 patent/US11193203B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1510971A (zh) * | 2002-11-29 | 2004-07-07 | �����ձ������ƶ���ʾ��ʽ���� | 蒸发掩模和采用此掩模来制造有机场致发光器件的方法 |
CN1625312A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 索尼株式会社 | 淀积掩模及其制造方法 |
CN102157700A (zh) * | 2010-02-03 | 2011-08-17 | 乐金显示有限公司 | 掩模组件 |
CN203834003U (zh) * | 2014-03-13 | 2014-09-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种配套掩模板 |
CN106191768A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-12-07 | 三星显示有限公司 | 掩模框架组件及其制造方法 |
KR20160069075A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법 |
KR20170053779A (ko) * | 2015-11-06 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN108461379A (zh) * | 2017-02-21 | 2018-08-28 | 上海和辉光电有限公司 | 掩模装置及显示面板的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111384311A (zh) | 2020-07-07 |
US20200208259A1 (en) | 2020-07-02 |
US11193203B2 (en) | 2021-12-07 |
KR20200081990A (ko) | 2020-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111384311B (zh) | 用于显示器的掩模 | |
KR102663324B1 (ko) | 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치 | |
KR102652572B1 (ko) | 플렉서블 전계 발광 표시장치 | |
US20190393275A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
CN111129080B (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN110010655B (zh) | 显示装置 | |
US10403696B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
CN104885251A (zh) | 透明的有机发光显示装置及其制造方法 | |
US10727439B2 (en) | Display panel for maintaining parallel substrates with constant space and display device including the same | |
KR20190047235A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US20190035872A1 (en) | Display device | |
CN108122950B (zh) | 有机发光显示装置 | |
JP2022539621A (ja) | ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置 | |
CN113517327B (zh) | 显示面板、显示装置及显示方法 | |
US20230422561A1 (en) | Flexible Display Device and Method of Manufacturing the Same | |
US20240074257A1 (en) | Display panel and electronic device | |
CN110993658A (zh) | 双面oled显示面板及制备方法 | |
CN218158982U (zh) | 触控结构、触控显示面板以及显示装置 | |
CN114520300B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR102633505B1 (ko) | 협-베젤 전계 발광 표시장치 | |
KR102660306B1 (ko) | 폴더블 전계 발광 표시장치 | |
KR102640017B1 (ko) | 협-베젤 전계 발광 표시장치 | |
CN114141853A (zh) | 一种显示面板、制作方法以及显示装置 | |
CN114664886A (zh) | 电致发光显示装置 | |
KR102511047B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |