CN103094306B - 柔性显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- -1 Merlon Polymers 0.000 claims description 9
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims description 8
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 abstract 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N AlO Inorganic materials [Al]=O AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000004651 carbonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 244000144992 flock Species 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
公开了一种柔性显示装置。该柔性显示装置包括：基底，在基底上设置有显示图像的显示单元、形成在显示单元外部的非显示区域以及将电信号输入到显示单元的至少一个焊盘；以及电路板，包括电连接到所述至少一个焊盘的电路端子。加强件形成在基底上，加强件包括被图案化的多条加强线以减小或防止基底的热变形。
Description
本申请要求于2011年11月3日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0114125号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明实施例的多个方面涉及一种显示装置，更具体地讲，涉及一种柔性显示装置。
背景技术
平板显示装置总体上可以分为发光型平板显示装置和光接收型平板显示装置。发光型平板显示装置包括有机发光显示装置、等离子体显示面板(PDP)、阴极射线管(CRT)、真空荧光显示器(VFD)、发光二极管(LED)等。光接收型平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置等。
在发光型平板显示装置中，有机发光显示装置具有优异的特性，诸如宽视角、优异对比度和短响应时间。因此，由于有机发光显示装置可以应用到诸如数码相机、摄像机、便携式摄像机、便携式信息终端、智能电话、超薄笔记本电脑、平板个人电脑(PC)、用于移动设备的显示装置(诸如柔性显示装置)或超薄TV的电子/电气产品，所以有机发光显示装置已备受关注。
作为下一代显示装置，最近已研究和开发可以容易地形成并可以应用到各种形状的设备的柔性显示装置。在它们之中，基于有机发光显示技术的柔性显示装置最重要。
然而，由于柔性显示装置必须包括柔性基底，所以柔性显示装置的基底的硬度比普通玻璃基底的硬度低，并且厚度比普通玻璃基底的厚度薄。此外，在制造柔性显示装置时，基底会受热膨胀或收缩。此外，不容易预测柔性显示装置的基底膨胀或收缩的位置。因此，加热基底的后续工艺(例如，键合工艺)的可加工性和良率会快速地降低。这样的工艺可导致基底的热变形(诸如膨胀或收缩)。
发明内容
本发明实施例的多个方面涉及一种显示装置，更具体地讲，涉及一种柔性显示装置，在该柔性显示装置中，电路板的电路端子可以容易地连接到柔性基底的焊盘。更具体地讲，本发明的一个或多个方面提供了一种柔性显示装置，在该柔性显示装置中，通过减小或最小化柔性基底的膨胀或收缩的改变，电路板的电路端子可以容易地连接到柔性基底的焊盘。通过减少或最小化柔性基底的膨胀或收缩的改变，实施例的多个方面可以减小或防止柔性显示装置的基底的热变形。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种柔性显示装置。该柔性显示装置包括：基底，在基底上设置有显示图像的显示单元、形成在显示单元外部的非显示区域以及将电信号输入到显示单元的至少一个焊盘；以及电路板，包括电连接到所述至少一个焊盘的电路端子。加强件形成在基底上，加强件包括被图案化的多条加强线以减小或防止基底的热变形。
加强线可以沿基底的一个方向通过第一距离彼此分隔开地布置，并且可以沿基底的另一方向布置，以构成具有规则图案的集合体。
加强线的图案可以彼此分开。空间可以形成在相邻的加强线之间。
加强线可以包括从由多个蜿蜒形图案、多个锯齿形图案、多个网格形图案、多个蜂窝形图案、多个直线形图案、多个曲线形图案、多个圆形形状和多个多边形形状组成的组中选择的一种。
所述至少一个焊盘可以覆盖加强线的至少一部分。
加强线可以布置在所述至少一个焊盘和基底之间。
在加强件和所述至少一个焊盘之间还可以沉积有绝缘材料。
所述至少一个焊盘可以沿基底的第一方向布置。每条加强线可以沿第一方向布置。加强线的集合体的周长可以被布置成沿基底的与第一方向交叉的第二方向包含所述至少一个焊盘的周长。
每条加强线的热膨胀系数可以小于基底的热膨胀系数。
基底可以由聚合物形成。每条加强线可以由金属形成。
基底可以包括柔性基底。
基底可以由从由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯(PAR)和纤维玻璃增强塑料(FRP)组成的组中选择的一种形成。
所述至少一个焊盘可以布置在基底的非显示区域上。加强件可以被图案化在基底和所述至少一个焊盘之间。
在所述至少一个焊盘和加强件之间还可以沉积有绝缘材料。
显示单元可以包括有机发光显示装置，有机发光显示装置包括：半导体有源层，具有源/漏区和沟道区；栅绝缘层，形成在半导体有源层上；栅电极，形成在栅绝缘层上；层间绝缘层，形成在栅电极上并具有形成在层间绝缘层中的接触孔；源/漏电极，电连接到源/漏区；保护层，包括形成在层间绝缘层上的钝化层和/或平坦化层；以及显示器件。所述至少一个焊盘可以电连接到栅电极或源/漏电极。
所述至少一个焊盘可以由与形成栅电极的材料相同的材料图案化。加强件可以由与形成源/漏电极的材料相同的材料图案化。
所述柔性显示装置还可以包括安装在电路板上的集成电路(IC)。电路板可以包括柔性膜。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其他特征和方面将变得更明显，在附图中：
图1是根据本发明实施例的柔性显示装置的平面图；
图2是根据本发明实施例的图1中示出的显示单元的子像素的放大剖视图；
图3是通过图案化图1中示出的加强件形成的部分的平面图；以及
图4是沿图3中的线IV-IV截取的剖视图。
具体实施方式
由于本发明允许各种改变和数目众多的实施例，所以将在附图中示出具体实施例并在书面描述中详细地描述具体实施例。然而，这不意图将本发明限制为实践的具体模式，将理解的是，不脱离本发明的精神和技术范围的全部改变、等同物和代替包括在本发明中。在详细描述中，当对现有技术的特定的详细解释会不必要地模糊描述的实施例的本质时，可以省略对现有技术的特定的详细解释。
虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等术语描述各种组件，但这样的组件不受上述术语限制。上述术语仅用来将一个组件与另一个组件区分开来。
在本说明书中使用的术语仅用来描述具体实施例，而不意图限制本发明。以单数使用的表达包括复数的表达，除非在其在上下文中具有明显不同的意思。在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在在本说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合，但是不意图排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的可能性。
下面将参照附图更详细地描述根据本发明特定实施例的柔性显示装置。不管图号而赋予相同或相应的那些组件相同的标号，并可以省略冗余的解释。
图1示出了根据本发明实施例的柔性显示装置100的结构。
参照图1，柔性显示装置100包括显示单元131，显示单元131在第一柔性基底101上显示图像。多个像素区域形成在显示单元131中，当电压(例如，预设电压)施加到显示单元131时，从多个像素区域发射光。非显示区域132形成在显示单元131外部。密封剂140设置在(例如，位于)显示单元131周围。多个焊盘150形成在设置在密封剂140外部的非显示区域132上。
此外，当柔性显示装置100为有机发光显示装置时，多条布线(例如，驱动电压源线和电源线，驱动电压源线将驱动电压Vdd提供至像素区域的驱动线，电源线将功率提供至像素区域的有机发光器件的一个电极)或各种电路单元(诸如控制施加到像素区域的信号的垂直驱动电路单元和水平驱动电路单元)设置在显示单元131外部。
电路板170设置在焊盘150上。电路板170可以是柔性印刷电缆(FPC)并包括柔性膜171。与多个焊盘150对应的电路端子172被图案化在柔性膜171的一侧上，即，被图案化在柔性膜171的面对每个焊盘150的一侧上。集成电路(IC)173安装在柔性膜171的另一侧上。此外，加强柔性显示装置100的强度和刚性的加强件160被图案化在第一柔性基底101的边缘处。
图2示出了根据本发明实施例的图1中示出的显示单元131的一个子像素1100。
参照图2，第一柔性基底101包括在柔性显示装置100中。第一柔性基底101可以由比重比玻璃基底的比重小的材料形成。第一柔性基底101应该重量轻、有耐久性(例如，不脆)且具有柔性，例如，诸如塑料膜的聚合物。
随着第一柔性基底101的厚度减小，第一柔性基底101变得质量更轻，并且可以变得更适合于薄型显示器。然而，在制造柔性显示装置100时，将要形成在第一柔性基底101上的元件和薄层需要具有能够被第一柔性基底101支撑的厚度和质量。
为此，第一柔性基底101是具有大约10微米至100微米的厚度的薄基底。当第一柔性基底101的厚度小于10微米时，将要形成在第一柔性基底101上的元件和薄层的形状在制造第一柔性基底101时不能被稳定地维持。当第一柔性基底101的厚度大于100微米时，不容易维持第一柔性基底101的柔性特性。第一柔性基底101可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯(PAR)或纤维玻璃增强塑料(FRP)的聚合物形成。
第一阻挡层102形成在第一柔性基底101上。第一阻挡层102可以由无机材料(诸如SiOx、SiNx、SiON、AlO或AlON)或有机材料(诸如压克力或PI)形成，或者可以通过交替地堆叠有机材料和无机材料形成。例如，第一阻挡层102用于阻挡氧和湿气，用于防止由第一柔性基底101产生的杂质或湿气的扩散，或者用于调节在晶化工艺过程中的热传递速度使得可以平稳地执行半导体的晶化。
薄膜晶体管(TFT)形成在第一阻挡层102上。根据图2的实施例的薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管，但在其他实施例中可以是具有另一结构的薄膜晶体管，诸如底栅型薄膜晶体管。当薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管时，半导体有源层105、栅绝缘层103、栅电极109、层间绝缘层104、源电极110、漏电极111和保护层(钝化层和/或平坦化层)113形成在第一阻挡层102上。源电极110和漏电极111也可以各称作源/漏电极。
当半导体有源层105由多晶硅形成时，形成非晶硅并将非晶硅晶化成多晶硅。可以使用诸如快速热退火(RTA)、固相晶化(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导晶化(MIC)、金属诱导横向晶化(MILC)和连续横向凝固(SLS)的各种方法作为晶化非晶硅的方法。
可以使用不涉及高温加热工艺的方法来在第一柔性基底101上形成半导体有源层105。例如，当使用低温多晶硅(LTPS)工艺执行晶化时，通过在半导体有源层105上短时间照射激光来执行半导体有源层105的激活，使得可以在低于300℃的温度执行与第一柔性基底101相关的整个工艺。因此，薄膜晶体管可以形成在由聚合物形成的第一柔性基底101上。
半导体有源层105包括通过用N型杂质离子或P型杂质离子掺杂半导体有源层105形成的源区106和漏区107。半导体有源层105还包括设置在源区106和漏区107之间并且未用杂质掺杂的沟道区108。源区106和漏区107也可以各称作源/漏区。
栅绝缘层103可以气相沉积在半导体有源层105上。例如，栅绝缘层103可以形成为由SiO2形成的单层或者由SiO2和SiNx形成的双层。栅电极109形成在栅绝缘层103的一定区域(例如，预定区域)上。栅电极109连接到用于施加薄膜晶体管导通/截止信号的栅极线。栅电极109可以由单一金属或多种金属形成，并可以形成为诸如Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W或Au的单层或者形成为由它们的混合物形成的多层。
层间绝缘层104形成在栅电极109上。此外，源电极110和漏电极111通过层间绝缘层104中对应的第一接触孔112分别电连接到源区106和漏区107。层间绝缘层104可以由诸如SiO2或SiNx的绝缘无机材料或者绝缘有机材料形成。可以通过从薄膜晶体管选择性地除去栅绝缘层103和层间绝缘层104的部分来形成第一接触孔112。
保护层113形成在源电极110和漏电极111上。例如，保护层113用于保护薄膜晶体管或平坦化薄膜晶体管。例如，保护层113可以以各种形状构造，可以由有机材料(诸如苯并环丁烯或压克力)或无机材料(诸如SiNx)形成，可以以各种方式变型，并且可以形成为单层、双层或多层。
诸如有机发光二极管(OLED)的显示器件形成在薄膜晶体管上。虽然图2的实施例示出了有机发光器件作为显示器件，但本发明的多个方面不限于此，在其他实施例中，其他显示器件可以形成在薄膜晶体管上。
在薄膜晶体管上方，第一电极115通过穿过保护层113的第二接触孔114电连接到源电极110或漏电极111，以形成有机发光器件。例如，第一电极115用作设置在有机发光器件上的电极中的阳极，并可以由各种导电材料形成。第一电极115可以形成为透明电极或反射电极。
当第一电极115形成为透明电极时，第一电极115可以包括ITO、IZO、ZnO、In2O3或它们的组合。当第一电极115形成为反射电极时，可以通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合形成反射层，然后通过在反射层上形成ITO、IZO、ZnO、In2O3或它们的组合来形成第一电极115。通过使用覆盖有机发光器件的第一电极115的一部分的有机材料在保护层113上形成像素限定层(PDL)116。
在第一电极115上方，有机层117形成在第一电极115的通过蚀刻PDL116的一部分而被暴露的部分上。有机发光器件的第二电极118形成在有机层117上。第一电极115和第二电极118可以通过有机层117彼此绝缘，通过将具有不同极性的电压施加到有机层117而从有机层117发射光。
在图2的实施例中，有机层117被图案化成与每个子像素1100对应，即，为了便于解释，有机层117被图案化成与每个子像素1100的每个被图案化的第一电极115对应。本发明的多个方面不限于此，在其他实施例中，有机层117可以与相邻的子像素1100的有机层117形成为一体。在另外的实施例中，有机层117的一部分可以形成在每个子像素1100中，有机层117的另一部分可以与相邻的子像素1100的有机层117形成为一体。在其他的实施例中，可以使用有机层117的各种变型。
有机层117可以由低分子量有机材料或聚合物有机材料形成。当有机层117由低分子量有机材料形成时，有机层117可以以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的单一结构形成，或者可以以它们的复合结构形成。当有机层117由低分子量有机材料形成时，可使用的有机材料可以是铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘基-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。可以利用使用掩模的真空沉积等来形成这些低分子量有机材料。
当有机层117由聚合物有机材料形成时，有机层117可以具有包括HTL和EML的结构。关于该点，可以将PEDOT用作HTL，并且可以将聚对苯撑乙烯(PPV)类聚合物有机材料或聚芴类聚合物有机材料用作EML。可以使用丝网印刷、喷墨印刷等形成这些聚合物有机材料。应该注意的是，具有上述构造的有机层117不限于此，可以将各种实施例应用到有机层117。
类似于第一电极115，第二电极118可以形成为透明电极或反射电极。当第二电极118是透明电极时，在有机层117上气相沉积功函数小的金属(例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合)之后，可以使用由透明电极材料(诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或它们的组合)形成的辅助电极或汇流电极线(bus electrode line)来形成透明电极。当第二电极118是反射电极时，可以通过在有机层117的整个表面上气相沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合来形成反射电极。
无论第一电极115形成为透明电极还是反射电极，第一电极115均可以形成为具有与每个子像素1100的开口对应的形状。例如，可以通过在显示区域的整个表面上气相沉积透明电极或反射电极来形成第二电极118。然而，第二电极118无需局限于通过在显示区域的整个表面上气相沉积透明电极或反射电极而形成。此外，第二电极118可以以各种图案形成。此外，第一电极115的位置和第二电极118的位置可以与图示的位置相反。
第二柔性基底120与有机发光器件的上部结合。第二柔性基底120可以由与形成第一柔性基底101的材料基本相同的聚合物(诸如塑料膜)形成。第二柔性基底120是可以容易弯曲的薄基底。在其他实施例中，在制造有机发光器件之后，可以通过在有机发光器件上堆叠无机层来密封有机发光器件。
第二阻挡层119可以形成在第二柔性基底120的面对有机发光器件的一侧上。第二阻挡层119可以由无机材料(诸如SiOx、SiNx、SiON、AlO和AlON)或有机材料(诸如压克力或PI)形成。在其他实施例中，可以通过交替地堆叠有机材料和无机材料来形成第二阻挡层119。例如，第二阻挡层119用于阻挡氧和湿气，用于防止由第二柔性基底120产生的杂质或湿气的扩散，或者用于调节在晶化工艺过程中的热传递速度使得可以平稳地执行半导体的晶化。
具有上述结构的柔性显示装置100还包括用于加强柔性显示装置100的强度和刚性的加强件160。加强件160以一定图案(例如，预定图案)形成，从而在电路板170的电路端子172例如通过使用热熔连接到焊盘150时减小或最小化第一柔性基底101或第二柔性基底120的膨胀或收缩。
图3是通过图案化图1中示出的加强件160形成的部分的平面图。图4是沿图3中的线IV-IV截取的剖视图。
参照图3和图4，加强件160形成在第一柔性基底101上。加强件160沿第一柔性基底101的一个边缘布置。加强件160可以包括与焊盘150重叠的多条加强线161。因此，多条加强线161可以沿第一柔性基底101的X方向布置成彼此分隔开一定距离(例如，预定距离)，或者可以沿第一柔性基底101的X方向以规则间隔布置。此外，每条加强线161可以沿第一柔性基底101的Y方向以特定图案(例如，具有与相邻加强线161的延伸形成互补图案的沿X方向的延伸的拉链)形成。
加强件160可以包括加强线161，加强线161具有与焊盘150重叠的沿Y方向的实心部分以及以互补图案从实心部分向相邻的加强线延伸的沿X方向的延伸部分。因此，加强线160可以具有以下结构：多条加强线161以规则间隔在第一柔性基底101上彼此相邻布置，以及/或者按使在相邻的加强线161之间形成有空间162的特定图案彼此分隔开一定距离(例如，预定距离)。
在图3的实施例中，每条加强线161沿第一柔性基底101的Y方向以拉链形状图案化，没有形成加强线161的空间162形成在相邻的加强线161之间。均具有拉链形状图案的加强线161构成具有规则图案的一个集合体，从而加强线161沿第一柔性基底101的X方向重复地布置。
本发明的多个方面不限于此，在其他实施例中，每条加强线161可以具有加强件160不是按一个图案形成的形状。例如，加强件160可以以彼此分开的诸如多个蜿蜒形图案、多个锯齿形图案、多个网格形图案、多个蜂窝形图案、多个直线形图案、多个曲线形图案、多个圆形形状或多个多边形形状的特定图案形成。
多条加强线161直接形成在第一柔性基底101的表面上。多条加强线161由金属形成。虽然每条加强线161可以单独地形成第一柔性基底101上，但在制造工艺的其他实施例中，每条加强线161可以由与形成图2中的栅电极109的材料相同的材料形成，并可以与形成在显示单元(见图1中的131)内的栅电极109同时形成。然而，多条加强线161不直接连接到形成在显示单元131内的电极，因此，无需局限于此。
绝缘层180可以形成在每条加强线161的顶表面上。绝缘层180由绝缘材料形成。绝缘层180具有沿第一柔性基底101的X方向覆盖多条加强线161的尺寸。
多个焊盘150图案化在绝缘层180上。多个焊盘150沿第一柔性基底101的X方向以规则间隔布置，或者沿第一柔性基底101的X方向彼此分隔开一定距离(例如，预定距离)。例如，焊盘可以以与加强线161的X方向间距(距离或间隔)相同的X方向间距(距离或间隔)重复，如图3所示。多个焊盘150由金属形成。
虽然可以通过执行附加工艺在第一柔性基底101上形成多个焊盘150，但当在显示单元131内形成源电极110或漏电极111时，可以在同一工艺中由与形成源电极110或漏电极111的材料相同的材料形成多个焊盘150。关于该点，多个焊盘150可以电连接到形成在显示单元131内的栅电极109、源电极110或漏电极111。此外，多个焊盘150通过使用热熔电连接到电路板170的电路端子172。
多个焊盘150可以沿垂直方向覆盖多条加强线161，并且通过绝缘层180与多条加强线161彼此电绝缘，如图3和图4所示。然而，本发明的多个方面不限于此，在其他实施例中，在不形成绝缘层180的情况下，通过以例如鱼骨图案的特定图案形成每条加强线161，每条加强线161和与每条加强线161对应的焊盘150可以沿垂直方向彼此接触。
每条加强线161的热膨胀系数可以小于第一柔性基底101的热膨胀系数。为此，第一柔性基底101由聚合物形成，每条加强线161由金属形成。此外，多个焊盘150沿第一柔性基底101的X方向布置。因此，当从上面观看时，构成集合体(具有规则图案)的多条加强线161可以像焊盘150一样沿第一柔性基底101的X方向布置。此外，多条加强线161的集合体可以具有涵盖(例如，包含)焊盘150的尺寸的尺寸(例如，周边)，即，多条加强线161的集合体可具有覆盖焊盘150的尺寸。
在柔性显示装置100中，多条加强线161以彼此分开的特定图案布置在非显示区域132上，焊盘150布置在多条加强线161上，从而焊盘150的至少一部分沿垂直方向覆盖加强线161。因此，当使用热熔将电路板170的电路端子172连接到焊盘150时，通过多条加强线161可以减小或最小化第一柔性基底101的膨胀或收缩。因此，电路板170的电路端子172可以在它们的规则位置处容易地连接到焊盘150。
如上所述，在根据本发明实施例的柔性显示装置中，具有沿柔性基底的一个边缘彼此分开的多条加强线的加强件以一定形状(例如，预定形状)图案化，从而可以维持柔性显示装置的柔性特性，并可以加强电路板的电路端子与柔性基底的焊盘的连接性。
虽然已参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。
Claims (17)
1.一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括：
基底，在基底上设置有显示图像的显示单元、形成在显示单元外部的非显示区域以及将电信号输入到显示单元的至少一个焊盘；以及
电路板，包括电连接到所述至少一个焊盘的电路端子，
其中，加强件形成在基底上，加强件包括被图案化的多条加强线以减小或防止基底的热变形，
所述至少一个焊盘通过绝缘层与所述多条加强线电绝缘。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，加强线沿基底的一个方向通过第一距离彼此分隔开地布置并且沿基底的另一方向布置，以构成具有规则图案的集合体。
3.根据权利要求2所述的柔性显示装置，其中，
加强线的图案彼此分开，以及
空间形成在相邻的加强线之间。
4.根据权利要求3所述的柔性显示装置，其中，加强线包括从由多个蜿蜒形图案、多个锯齿形图案、多个网格形图案、多个蜂窝形图案、多个直线形图案、多个曲线形图案、多个圆形形状和多个多边形形状组成的组中选择的一种。
5.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，所述至少一个焊盘覆盖加强线的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的柔性显示装置，其中，加强线布置在所述至少一个焊盘和基底之间。
7.根据权利要求5所述的柔性显示装置，其中，在加强件和所述至少一个焊盘之间还沉积有绝缘材料。
8.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，
所述至少一个焊盘沿基底的第一方向布置，
每条加强线沿第一方向布置，以及
加强线的集合体的周边被布置成覆盖所述至少一个焊盘的周边。
9.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，每条加强线的热膨胀系数小于基底的热膨胀系数。
10.根据权利要求9所述的柔性显示装置，其中，
基底由聚合物形成，以及
每条加强线由金属形成。
11.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，基底包括柔性基底。
12.根据权利要求11所述的柔性显示装置，其中，基底由从由聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯和纤维玻璃增强塑料组成的组中选择的一种形成。
13.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，
所述至少一个焊盘布置在基底的非显示区域上，以及
加强件被图案化在基底和所述至少一个焊盘之间。
14.根据权利要求13所述的柔性显示装置，其中，在所述至少一个焊盘和加强件之间还沉积有绝缘材料。
15.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中，显示单元包括有机发光显示装置，有机发光显示装置包括：
半导体有源层，具有源/漏区和沟道区；
栅绝缘层，形成在半导体有源层上；
栅电极，形成在栅绝缘层上；
层间绝缘层，形成在栅电极上，并且在层间绝缘层中形成有接触孔；
源/漏电极，电连接到源/漏区；
保护层，包括形成在层间绝缘层上的钝化层和/或平坦化层；以及
显示器件，
其中，所述至少一个焊盘电连接到栅电极、源电极或漏电极。
16.根据权利要求15所述的柔性显示装置，其中，
所述至少一个焊盘由与形成栅电极的材料相同的材料图案化，以及
加强件由与形成源/漏电极的材料相同的材料图案化。
17.根据权利要求1所述的柔性显示装置，所述柔性显示装置还包括安装在电路板上的集成电路，其中，电路板包括柔性膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0114125 | 2011-11-03 | ||
| KR1020110114125A KR101829313B1 (ko) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103094306A CN103094306A (zh) | 2013-05-08 |
| CN103094306B true CN103094306B (zh) | 2017-05-17 |
Family
ID=48206685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210405977.2A Active CN103094306B (zh) | 2011-11-03 | 2012-10-23 | 柔性显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8766271B2 (zh) |
| KR (1) | KR101829313B1 (zh) |
| CN (1) | CN103094306B (zh) |
| TW (1) | TWI592072B (zh) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9419065B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Flexible displays |
| US9504124B2 (en) | 2013-01-03 | 2016-11-22 | Apple Inc. | Narrow border displays for electronic devices |
| US9516743B2 (en) * | 2013-02-27 | 2016-12-06 | Apple Inc. | Electronic device with reduced-stress flexible display |
| KR102134845B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| CN103400850B (zh) * | 2013-08-14 | 2016-01-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用于微显示与照明的柔性led阵列器件及制作方法 |
| CN106410027B (zh) * | 2013-09-24 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| KR102159747B1 (ko) | 2013-12-04 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN104765481B (zh) * | 2014-01-06 | 2019-05-28 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板及其制作方法 |
| KR102161644B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2020-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US9614168B2 (en) | 2015-01-12 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Flexible display panel with bent substrate |
| KR102501463B1 (ko) * | 2015-05-21 | 2023-02-20 | 삼성전자주식회사 | 이차원 물질을 사용한 플렉서블 인터커넥트 레이어를 포함하는 유연소자 |
| KR102477299B1 (ko) | 2015-06-12 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102396065B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2022-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 가요성 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20170067203A (ko) * | 2015-12-07 | 2017-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도광 유닛 및 표시 장치 |
| CN107134496B (zh) * | 2016-02-29 | 2019-05-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置 |
| KR102550693B1 (ko) * | 2016-08-04 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
| KR102655712B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2024-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR102636736B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2024-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102649632B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20180038618A (ko) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180062508A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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| JP2018124437A (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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| CN109671753B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-06-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| WO2020124415A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性面板及柔性面板制作方法 |
| WO2020124434A1 (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种柔性模组的制作方法及柔性模组 |
| KR102651854B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2024-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 |
| KR102195384B1 (ko) * | 2019-08-12 | 2020-12-24 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | 패시베이션 유기발광소자 및 이를 구비한 폴더블 디스플레이 |
| CN110707100B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-12-31 | 友达光电（昆山）有限公司 | 显示面板 |
| CN111863915B (zh) * | 2020-07-29 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、显示面板 |
| CN115274555A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-11-01 | 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 | 制作阵列基板方法、阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060095142A (ko) | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 백라이트 어셈블리 장치와 가요성인쇄회로기판 |
| KR20070011752A (ko) | 2005-07-21 | 2007-01-25 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR100796145B1 (ko) | 2006-05-30 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| KR20080073942A (ko) | 2007-02-07 | 2008-08-12 | 엘지전자 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5547901B2 (ja) | 2009-03-25 | 2014-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20110254758A1 (en) | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Flex Design and Attach Method for Reducing Display Panel Periphery |
-
2011
- 2011-11-03 KR KR1020110114125A patent/KR101829313B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-06-04 US US13/488,404 patent/US8766271B2/en active Active
- 2012-07-06 TW TW101124353A patent/TWI592072B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-23 CN CN201210405977.2A patent/CN103094306B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130112984A1 (en) | 2013-05-09 |
| US8766271B2 (en) | 2014-07-01 |
| KR20130049079A (ko) | 2013-05-13 |
| KR101829313B1 (ko) | 2018-02-20 |
| TWI592072B (zh) | 2017-07-11 |
| CN103094306A (zh) | 2013-05-08 |
| TW201320840A (zh) | 2013-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |