TWI592072B - 可撓性顯示設備 - Google Patents

Description

可撓性顯示設備 交互參照

本申請案主張於西元2011年11月3日在韓國智慧財產局申請之韓國專利案10-2011-0114125之優先權及效益，其揭露在此完整併入作為參考。

本發明實施例之態樣係關於一種顯示設備，且更具體地，係關於一種可撓性顯示設備。

平板顯示設備一般可分類為發光型平板顯示設備及收光型平板顯示設備。發光型平板顯示設備包含有機發光顯示設備(light-emitting display apparatuses)、電漿顯示平板(plasma display panels,PDPs)、陰極射線管(cathode ray tubes,CRTs)、真空螢光顯示器(vacuum fluorescent displays,VFDs)、發光二極體(light emitting diodes,LEDs)及其類似物。收光型平板顯示設備包含液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)及其類似物。

在發光型平板顯示設備中，有機發光顯示設備具有絕佳的性質，例如廣視角、傑出的對比以及短反應時間。因此，有機發光顯示設備已廣受注目，因為其可應用於電子/電氣產品，例如數位相機、攝影 相機、攝像錄像機、可攜式資訊終端、智慧型手機、超薄筆記型電腦、平板個人電腦、例如可撓式顯示設備之用於移動裝置的顯示設備或是超薄電視。

可被輕易組成且可被應用至各種形狀之裝置的可撓式顯示設備，近來已被研究及發展作為下一代的顯示設備。其中，基於有機發光顯示器技術的可撓式顯示設備係最為重要。

然而，因為可撓式顯示設備必須包含可撓式基板，故可撓式顯示設備的基板較一般玻璃基板具有較低的硬度及較小的厚度。進一步，當可撓式顯示設備製造時，基板可能會因熱而膨脹或收縮。此外，可撓式顯示設備的基板膨脹或收縮的位置係無法輕易預測。因此，在加熱基板之後續製程，例如打線(bonding)製程，的可加工性及良率可快速地降低。這樣的製程可導致基板的熱變形，例如膨脹或收縮。

本發明實施例之態樣係關於一種顯示設備，並且更具體地，係關於一種可撓性顯示設備，其中之電路板的電路終端可輕易地連接至可撓性基板的焊墊。更詳細地，本發明之一或多個態樣提供了藉由減少或最小化可撓性基板膨脹或收縮的改變，以使可撓性顯示設備中之電路板的電路終端可輕易地連接至可撓性基板的焊墊。藉由減少或最小化可撓性基板膨脹或收縮的改變，實施例之態樣可減少或避免可撓式顯示設備之基板的熱變形。

根據本發明之一例示性實施例，提供一種可撓性顯示設備。可撓性顯示設備包含：基板，顯示單元、非顯示區及至少一焊墊位於 其上，顯示單元係用以顯示影像，非顯示區形成於顯示單元之外側，以及至少一焊墊用以輸入電子訊號至顯示單元；以及電路板，其包含複數個電路終端，以電性連接至至少一焊墊。包括複數個強化線之加強件形成於基板上，強化線被圖樣化以減少或避免基板之熱變形。

強化線可配置為於基板之一方向彼此相隔第一距離，並且可配置於基板之另一方向，以構成具規則圖樣之聚集體。

強化線之圖樣可為彼此分離。空間可形成於相鄰之強化線之間。

強化線之圖樣可包含選自於由複數個蛇紋形圖樣、複數個鋸齒形圖樣、複數個網形圖樣、複數個蜂巢形圖樣、複數個直形圖樣、複數個曲形圖樣、複數個圓形圖樣以及複數個多角形圖樣所組成之群組之圖樣。

至少一焊墊可重疊於強化線之至少一部分。

強化線可配置於至少一焊墊及基板之間。

絕緣材料可更沉積於加強件及至少一焊墊之間。

至少一焊墊可配置於基板之第一方向。各強化線可配置於第一方向。可配置強化線之聚集體之周長，以容納位於與第一方向交叉之基板的第二方向之至少一焊墊的周長。

各強化線之熱脹係數可為小於基板之熱脹係數。

基板可由聚合物所形成。各強化線可由金屬所形成。

基板可包括可撓性基板。

基板可由選自於由聚亞醯胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚芳香酯(PAR)以及玻璃纖維強化塑膠(FRP)所組成之群組中之材料所形成。

至少一焊墊可配置於基板之非顯示區上。加強件可於基板及至少一焊墊之間被圖樣化。

絕緣材料可更沉積於至少一焊墊及加強件之間。

顯示單元可包含有機發光顯示設備，其包含：半導體主動層，其具有源極區及汲極區與通道區；閘極絕緣層，其形成於半導體主動層上；閘極電極，其形成於閘極絕緣層上；層間絕緣層，其形成於閘極電極上，並且具有形成於層間絕緣層中之接觸孔；源極電極及汲極電極，其分別電性連接於源極區及汲極區；保護層，其包括形成於層間絕緣層上之鈍化層、平坦化層或其組合；以及顯示裝置。至少一焊墊可電性連接至閘極電極或源極電極及汲極電極。

至少一焊墊可以與形成閘極電極之材料的相同材料而圖樣化。加強件可以與形成源極電極及汲極電極之材料的相同材料而圖樣化。

可撓式顯示設備可更包括安裝於電路板上之一積體電路(IC)。電路板可包括可撓式薄膜。

100‧‧‧可撓式顯示設備

101‧‧‧第一可撓式基板

102‧‧‧第一障壁層

103‧‧‧閘極絕緣層

104‧‧‧層間絕緣層

105‧‧‧半導體主動層

106‧‧‧源極區

107‧‧‧汲極區

108‧‧‧通道區

109‧‧‧閘極電極

110‧‧‧源極電極

1100‧‧‧子像素

111‧‧‧汲極電極

112‧‧‧第一接觸孔

113‧‧‧保護層

114‧‧‧第二接觸孔

115‧‧‧第一電極

116‧‧‧像素定義層

117‧‧‧有機層

118‧‧‧第二電極

119‧‧‧第二障壁層

120‧‧‧第二可撓式基板

131‧‧‧顯示單元

132‧‧‧非顯示區

140‧‧‧密封劑

150‧‧‧焊墊

160‧‧‧加強件

161‧‧‧強化線

162‧‧‧空間

170‧‧‧電路板

171‧‧‧可撓式薄膜

172‧‧‧電路終端

173‧‧‧積體電路

180‧‧‧絕緣層

TFT‧‧‧薄膜電晶體

OLED‧‧‧有機發光二極體

上述及其他技術特徵以及本發明的態樣，將藉由參照附圖詳述其例示性實施例而變得更明瞭，其中： 第1圖係為根據本發明之一實施例之可撓式顯示設備之平面圖。

第2圖係為根據本發明之一實施例之第1圖中繪示之顯示單元之子像素的放大橫剖面圖。

第3圖係為藉由圖樣化第1圖中繪示之加強件而形成之部分之平面圖。

第4圖係為沿第3圖之線IV-IV之橫剖面圖。

如同發明允許各種改變及多種的實施例，特定之實施例將被繪示於圖式中，並且以書面說明詳細地描述。然而，此並非意圖限制本發明至特定之實施方式，且其可被理解未脫離本發明之精神及技術範疇的所有改變、相等物及代替品皆包含於本發明中。在實施方式中，當其非必要地掩蓋了所述實施例的本質時，則這些相關先前技術的詳細解釋可被忽略。

當利用例如「第一」、「第二」等名稱描述各種元件時，這些元件並不限於上述名稱。上述名稱僅用以將元件與其他元件區隔。

本說明書中所用之名稱僅用以敘述特定的實施例，並非意圖限制本發明。利用單數的表示法包含了複數的表示法，除非其在上下文中具有清楚地不同的意義。在本說明書中，其將被理解的是，例如「包含」或「具有」等用誥係為意圖指出揭露於本說明書中之特徵、數量、步驟、動作、元件、部件或其組合的存在，且並非意圖排除可存在或可 增加一或多個其它特徵、數量、步驟、動作、元件、部件或其組合的可能性。

根據本發明特定實施例之一中可撓性顯示設備將參照附圖做更詳細的描述。無論圖號，那些相同或是對應的元件將給予相同的元件符號，並且多餘的解釋可被忽略。

第1圖係繪示根據本發明一實施例之可撓式顯示設備100之結構。

參照第1圖，可撓式顯示設備100包含顯示影像於第一可撓式基板101上之顯示單元131。複數個像素區形成於顯示單元131中，並且當電壓(舉例而言，預定電壓)施加於顯示單元131時，則光自複數個像素區中發射出。非顯示區132形成於顯示單元131之外側。密封劑140圍繞著顯示單元131設置(舉例而言，位於)。複數個焊墊150形成於設置在密封劑140外側之非顯示區132上。

此外，當可撓式顯示設備100為有機發光顯示設備時，複數個電線導線(舉例而言，用以供應驅動電壓Vdd至像素區之驅動導線的驅動電壓供應線，以及用以供應電力至像素區之有機發光裝置之一個電極的電力供應線)或各種電路單元(例如用以控制應用至相素區之訊號的垂直驅動電路單元及水平驅動電路單元)係為設置於顯示單元131外側。

電路板170設置於焊墊150上。電路板170可為可撓式印刷電纜(flexible printed cable,FPC)且包含可撓式薄膜171。對應於複數個焊墊150的電路終端172被圖樣化於可撓式薄膜171的一側上，也就 是說，在面向各焊墊150之可撓式薄膜171的一側上。積體電路(IC)173裝設於可撓式薄膜171之另一側。進一步，用以強化可撓式顯示設備100之強度及剛性的加強件160被圖樣化於第一可撓式基板101的邊緣。

第2圖係根據本發明之一實施例繪示顯示於第1圖中之顯示單元131的一個子像素1100。

參照第2圖，第一可撓式基板101被包含於子像素1100中。第一可撓式基板101可由具有比重較玻璃基板小的材料所形成。第一可撓式基板101應為輕量、耐用(例如不易碎)及可撓，舉例而言，例如塑膠薄膜之聚合物。

當第一可撓式基板101的厚度降低時，第一可撓式基板101變得更輕量且可變為更適合用於薄膜顯示器。然而，將形成於第一可撓式基板101上之元件及薄層在可撓式顯示設備100製造時，需要具有能夠被第一可撓式基板101支撐的厚度及質量。

為此，第一可撓式基板101為具有約10~100微米厚度的薄基版。當第一可撓式基板101的厚度為小於10微米時，將形成於第一可撓式基板101上之元件及薄層的形狀在第一可撓式基板101製造時無法穩定地維持。當第一可撓式基板101的厚度為大於100微米時，第一可撓式基板101的可撓性特性無法輕易地維持。第一可撓式基板101可由例如聚亞醯胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚芳香酯(PAR)或玻璃纖維強化塑膠(FRP)的聚合物所形成。

第一障壁層102形成於第一可撓式基板101上。第一障壁層102可由例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlO)或氮氧化鋁(AlON)的無機材料，或例如丙烯醯基(acryl)或聚亞醯胺(PI)的有機材料，或是藉由交互堆疊有機材料及無機材料所形成。舉例而言，第一障壁層102用以阻擋氧氣及濕氣，以避免濕氣或產生自第一可撓式基板101之雜質的擴散或以調整在結晶過程中之熱傳導速率，使得半導體的結晶可順利的進行。

薄膜電晶體(TFT)形成於第一障壁層102上。根據第2圖之實施例的薄膜電晶體為頂部閘極型薄膜電晶體(top gate type thin film transistor)，但在其他實施例中可為具有另一種結構的薄膜電晶體，例如底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate type thin film transistor)。當薄膜電晶體為頂部閘極型薄膜電晶體時，半導體主動層105、閘極絕緣層103、閘極電極109、層間絕緣層104、源極電極110、汲極電極111以及保護層(鈍化層及/或平面化層)113為形成於第一障壁層102上。源極電極110及汲極電極111也可各被稱為源極/汲極電極。

當半導體主動層105由多晶矽形成時，形成無晶矽並結晶為多晶矽。多種方法可用以作為結晶無晶矽的方法，例如快速熱退火(rapid thermal annealing,RTA)、固相結晶(solid phase crystallization,SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing,ELA)、金屬誘發結晶(metal-induced crystallization,MIC)、金屬誘發側向結晶(metal-induced lateral crystallization,MILC)以及順序橫向固化(sequential lateral solidification,SLS)。

一種不涉及高溫熱處理的方法可被用以形成半導體主動層105於第一可撓式基板101上。舉例而言，當利用低溫多晶矽(low temperature poly-silicon,LTPS)製程進行結晶時，半導體主動層105的活化係藉由短暫照射雷射於半導體主動層105上，以使關於第一可撓式基板101的整個製程可在低於300℃的溫度下進行。因此，薄膜電晶體可形成於由聚合物形成之第一可撓式基板101上。

半導體主動層105包含藉由將半導體主動層105摻雜N型雜質離子或P型雜質離子而形成的源極區106及汲極區107。半導體主動層105更包含設置於源極區106及汲極區107之間的通道區108，且其未摻雜雜質。源極區106及汲極區107也可各被稱為源極/汲極區。

閘極絕緣層103可氣相沉積於半導體主動層105上。舉例而言，閘極絕緣層103可形成為由二氧化矽(SiO₂)形成之單層，或是二氧化矽及氮化矽(SiNx)形成之雙層。閘極電極109形成於閘極絕緣層103之區域(舉例而言，預定區域)上。閘極電極109係連接至用以應用開/關訊號於薄膜電晶體的閘極線。閘極電極109可由例如鉬、鎢化鉬、鉻、鋁、鋁合金、鎂、鋁、鎳、鎢或金之單一金屬或多個金屬所形成且可形成為單層，或是其混合物形成多層。

層間絕緣層104形成於閘極電極109上。此外，源極電極110及汲極電極111為藉由層間絕緣層104中對應之第一接觸孔112而分別電性連接至源極區106及汲極區107。層間絕緣層104可由例如二氧化矽或氮化矽之絕緣無機材料或絕緣有機材料所形成。第一接觸孔112可藉由選 擇性地自薄膜電晶體移除閘極絕緣層103及層間絕緣層104的一部分而形成。

保護層113形成於源極電極110及汲極電極111上。舉例而言，保護層113為用以保護薄膜電晶體或平面化薄膜電晶體。保護層113，舉例而言，可被配置為各種形狀，可由有機材料(例如苯環丁烯或丙烯醯基)或無機材料(例如氮化矽)所形成，可以各種方式修改以及可形成為單層、雙層或多層。

顯示裝置，例如有機發光二極體(OLED)裝置，為形成於薄膜電晶體上。雖然第2圖之實施例繪示顯示裝置為有機發光二極體裝置，本發明之態樣並不限制於此，並且其他顯示裝置於其他實施例中可形成於薄膜電晶體上。

在薄膜電晶體上，第一電極115為藉由第二接觸孔114穿過保護層113，而電性連接至源極電極110或汲極電極111，以形成有機發光二極體裝置。第一電極115用以作為，舉例而言，設置於有機發光二極體裝置上之電極的陽極，並且可由各種導電材料所形成。第一電極115可形成為透明電極或反射電極。

當第一電極115形成為透明電極時，第一電極115可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In₂O₃)或其組合。當第一電極115形成為反射電極時，第一電極115可藉由利用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射層，以及接著藉由形成氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、三氧化二銦或其化合物 於反射層上而形成。像素定義層(PDL)116為藉由利用覆蓋於有機發光二極體裝置之第一電極115之一部分的有機材料而形成於保護層113上。

在第一電極115上，有機層117形成於藉由蝕刻像素定義層116的一部分而暴露之第一電極115的一部分上。有機發光二極體裝置的第二電極118為形成於有機層117上。第一電極115及第二電極118可藉由有機層117而彼此絕緣，並且藉由施加不同極性之電壓至有機層117而自有機層117發光。

在第2圖之實施例中，有機層117被圖樣化以對應至各子像素1100，也就是說，為方便解釋，各子像素1100之各圖樣化的第一電極115。本發明之態樣不限於此，並且在其他實施例中，有機層117可與相鄰子像素1100的有機層117形成為一體。在進一步的實施例中，有機層117的一部分可形成於各子像素1100中，並且有機層117的另一個部分可與相鄰子像素1100的有機層117形成為一體。在更進一步的實施例中，有機層117的各種修改係為可能的。

有機層117可由低分子量有機材料或聚合物有機材料所形成。當有機層117為由低分子量有機材料形成時，有機層117可形成為包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)的單一結構，或是其複合結構。當有機層117由低分子量有機材料形成時，可用的有機材料可為銅鈦菁(CuPc)、N,N'-二(荼-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁(Alq₃)或其類似物。這些低分子量有機材料可為藉由利用真空沉積與利用光罩或其類似物而形成。

當有機層117為由聚合物有機材料形成時，有機層117可具有包含電洞傳輸層及發射層的結構。在這方面，聚(3,4-二氧乙基噻吩)(PEDOT)可被用作電洞傳輸層，並且聚苯乙烯(polyphenylene vinylene,PPV)為主或聚茀(polyfluorene)為主的聚合物有機材料可被用作發射層。這些聚合物有機材料可藉由利用網印、噴墨印刷或其類似方法而形成。其應被注意，具有上述配置的有機層117不限於此，且各種實施例可應用於有機層117。

相似於第一電極115，第二電極118可形成為透明電極或反射電極。當第二電極118為透明電極時，在具有低功函數的金屬(例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其化合物)氣相沉積於有機層117上後，由透明電極材料(例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、三氧化二銦或其化合物)形成之輔助電極或匯流排電極線可被用以形成透明電極。當第二電極118為反射電極時，可藉由氣相沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂或其化合物於有機層117的整個表面上，而形成反射電極。

無論第一電極115形成為透明電極或反射電極，第一電極115可形成為具有對應於各子像素1100之開口的形狀。舉例而言，可藉由氣相沉積透明電極或反射電極於顯示區的整個表面上，而形成第二電極118。然而，第二電極118並無必要限制於藉由氣相沉積透明電極或反射電極於顯示區的整個表面上。進一步，第二電極118可形成為各種圖樣。此外，第一電極115及第二電極118的位置可相反於所繪示的位置。

第二可撓式基板120結合於有機發光二極體裝置的頂部。第二可撓式基板120可由例如塑膠薄膜之聚合物所形成，其實質上相同於形成第一可撓式基板101的材料。第二可撓式基板120為可輕易彎曲的薄基板。於其他實施例中，在有機發光二極體裝置製造後，可藉由堆疊無機層在有機發光二極體裝置上，而封裝有機發光二極體裝置。

第二障壁層119可形成於面對有機發光二極體裝置之第二可撓式基板120的一側上。第二障壁層119可由例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁或氮氧化鋁的無機材料，或例如丙烯醯基或聚亞醯胺的有機材料所形成。於其他實施例中，可藉由交互堆疊有機材料及無機材料而形成第二障壁層119。舉例而言，第二障壁層119用以阻擋氧氣及濕氣，以避免氧氣及濕氣或產生自第二可撓式基板120之雜質的擴散或以調整在結晶過程中之熱傳導速率，使得半導體的結晶可順利的進行。

具有上述結構之可撓式顯示設備100更包含用以強化可撓式顯示設備100之強度及剛性的加強件160。加強件160係形成為一種圖樣(舉例而言，預定圖樣)，舉例而言，當電路板170的電路終端172係藉由利用熱熔接連接至焊墊150時，以減少或最小化第一可撓式基板101或第二可撓式基板120的膨脹及收縮。

第3圖係為藉由圖樣化第1圖所示之加強件160而形成的部分之平面圖。第4圖係為沿第3圖之線IV-IV之橫剖面圖。

參照第3及4圖，加強件160形成於第一可撓式基板101上。加強件160係沿著第一可撓式基板101之一個邊緣排列。加強件160可包含與焊墊150相配合之複數個強化線161。因此，複數個強化線161可在 第一可撓式基板101之X方向排列為彼此分離一距離(舉例而言，預定距離)，或是在第一可撓式基板101之X方向排列為固定間隔。此外，各強化線161可於第一可撓式基板101的Y方向中形成為特定圖樣(舉例而言，在X方向具有延伸之拉鍊狀，並與相鄰強化線161之延伸形成互補圖樣，如第3圖所示)。

加強件160可包含具有在Y方向中與焊墊150相配合之實心部，以及自實心部延伸向互補圖樣中之相鄰強化線之X方向中之延伸部的強化線161。因此，加強件160可具有複數個強化線161於第一可撓式基板101上排列為以特定圖樣彼此相鄰固定間隔，及/或彼此分離一距離(舉例而言，預定距離)，且空間162形成於相鄰強化線161之間的結構。

在第3圖的實施例中，各強化線161於第一可撓式基板101的Y方向中圖樣化為拉鍊形，並且未形成強化線161的空間162形成於相鄰強化線161之間。各具有拉鍊形圖樣之強化線161構成具有規則圖樣的一聚集體，使得強化線161反覆地排列於第一可撓式基板101之X方向中。

本發明之態樣並不限制於此，並且在其他實施例中，各強化線161可具有於其中加強件160未形成一圖樣的形狀。舉例而言，加強件160可形成為彼此分離的特定圖樣，例如複數個蛇紋形圖樣、複數個鋸齒形圖樣、複數個網形圖樣、複數個蜂巢形圖樣、複數個直形圖樣、複數個曲形圖樣、複數個圓形圖樣以及複數個多角形圖樣。

複數個強化線161為直接形成於第一可撓式基板101的表面上。複數個強化線161為由金屬所形成。雖然各強化線161可獨立地形成於第一可撓式基板101上，在製造過程的其他實施例中，各強化線161 可由形成第2圖之閘極電極109及共存地形成於顯示單元中之閘極電極109(請見第1圖之131)的材料之相同材料所形成。然而，複數個強化線161未直接連接至形成於顯示單元131中的電極，並且因此不必要限制於此。

絕緣層180可形成於各強化線161之上表面上。絕緣層180為由絕緣材料所形成。絕緣層180具有覆蓋第一可撓式基板101之X方向中之複數個強化線161的尺寸。

複數個焊墊150為圖樣化於絕緣層180上。複數個焊墊150於第一可撓式基板101之X方向中，為固定間隔或彼此分離一距離(舉例而言，預定距離)。舉例而言，焊墊150可如同強化線161之重複相同的X方向分離(距離或間隔)，如第3圖所示。複數個焊墊150為由金屬所形成。

雖然複數個焊墊150可藉由執行額外的製程而形成於第一可撓式基板101上，當源極電極110或汲極電極111形成於顯示單元131中時，也可以形成源極電極110或汲極電極111之相同製程及相同材料形成複數個焊墊150。在此方面，複數個焊墊150可電性連接至形成於顯示單元131中之閘極電極109、源極電極110或汲極電極111。此外，複數個焊墊150藉由利用熱熔接而電性連接至電路板170的電路終端172。

複數個焊墊150可在垂直方向重疊於複數個強化線161，並且藉由絕緣層180而彼此電氣絕緣，如第3~4圖所示。本發明的態樣不限於此，然而於其他實施例中，藉由形成各強化線161為特定圖樣，舉例而 言，魚骨圖樣，而不形成絕緣層180，各強化線161及對應至各強化線161之焊墊150可於垂直方向中彼此接觸。

各強化線161的熱膨脹係數可為小於第一可撓式基板101的熱膨脹係數。為此，第一可撓式基板101為由聚合物所形成，且各強化線161為由金屬所形成。此外，複數個焊墊150排列於第一可撓式基板101的X方向。因此，當從上述來看時，構成聚集體(具有規則圖樣)之複數個強化線161可如同焊墊150，排列於第一可撓式基板101的X方向。此外，複數個強化線161的聚集體可具有覆蓋(舉例而言，包含)焊墊150的尺寸(舉例而言，周長)。

在可撓式顯示設備100中，複數個強化線161以彼此分離之特定圖樣排列於非顯示區132上，以及焊墊150排列於複數個強化線161上，使得焊墊150的至少一部分於垂直方向中與強化線161重疊。因此，當電路板170的電路終端172藉由利用熱熔接而連接至焊墊150時，第一可撓式基板101的膨脹或收縮可藉由複數個強化線161而減少或最小化。因此，電路板170的電路終端172可輕易地於其正常位置連接至焊墊150。

如上所述，在根據本發明之一實施例的可撓式顯示設備中，以一形狀(舉例而言，預定形狀)圖樣化具有沿著可撓式基板之一邊緣而彼此分離之複數個強化線的加強件，使得可撓式顯示設備之可撓性特性可維持，並且電路板之電路終端與可撓式基板之焊墊的連結可被強化。

當本發明已經參照其例示性實施例特別地顯示及敘述時，發明所屬技術領域具通常知識者將理解在未脫離本發明由後附之申請專利範圍中所定義之精神與範疇內，可對其進行形式與細節之各種變化。

100‧‧‧可撓式顯示設備

101‧‧‧第一可撓式基板

131‧‧‧顯示單元

132‧‧‧非顯示區

140‧‧‧密封劑

150‧‧‧焊墊

160‧‧‧加強件

170‧‧‧電路板

171‧‧‧可撓式薄膜

172‧‧‧電路終端

173‧‧‧積體電路

Claims (17)

1. 一種可撓式顯示設備，包括：一基板，一顯示單元、一非顯示區及至少一焊墊位於其上，該顯示單元係用以顯示一影像，該非顯示區形成於該顯示單元之外側，以及該至少一焊墊用以輸入一電子訊號至該顯示單元；以及一電路板，其係包含複數個電路終端，以電性連接至該至少一焊墊，一加強件，其係形成於該非顯示區中，且包括複數個強化線之一加強件形成於該基板上，該些強化線係被圖樣化以減少或避免該基板之熱變形；其中該至少一焊墊形成於各該強化線上，且與各該強化線電性絕緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該些強化線係配置為於該基板之一方向彼此分離一第一距離，並且係配置於該基板之另一方向，以構成具一規則圖樣之一聚集體。
3. 如申請專利範圍第2項所述之可撓式顯示設備，其中該些強化線之該些圖樣係為彼此分離，以及一空間係形成於相鄰之該些強化線之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之可撓式顯示設備，其中所述該些強化線之該些圖樣係包括選自於由複數個蛇紋形圖樣、複數個鋸齒形圖樣、複數個網形圖樣、複數個蜂巢形圖樣、複數個直形圖樣、複數個曲形圖樣、複數個圓形圖樣以及複數個多角形 圖樣所組成之群組之圖樣。
5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該至少一焊墊係重疊於該些強化線之至少一部分。
6. 如申請專利範圍第5項所述之可撓式顯示設備，其中該些強化線係配置於該至少一焊墊及該基板之間。
7. 如申請專利範圍第5項所述之可撓式顯示設備，其中一絕緣材料係更沉積於該加強件及該至少一焊墊之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該至少一焊墊係配置於該基板之一第一方向，各該些強化線係配置於該第一方向，以及配置該些強化線之一聚集體之一周長，以容納位於與該第一方向交叉之該基板之一第二方向之該至少一焊墊之一周長。
9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中各該些強化線之一熱脹係數係為小於該基板之一熱脹係數。
10. 如申請專利範圍第9項所述之可撓式顯示設備，其中該基板係由一聚合物所形成，以及各該些強化線係由一金屬所形成。
11. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該基板係包括一可撓性基板。
12. 如申請專利範圍第11項所述之可撓式顯示設備，其中該基板係由選自於由聚亞醯胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、 聚芳香酯(PAR)以及玻璃纖維強化塑膠(FRP)所組成之群組中之材料所形成。
13. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該至少一焊墊係配置於該基板之該非顯示區上，以及該加強件係於該基板及該至少一焊墊之間被圖樣化。
14. 如申請專利範圍第13項所述之可撓式顯示設備，其中一絕緣材料係更沉積於該至少一焊墊及該加強件之間。
15. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，其中該顯示單元包括至少一子像素，其係包括：一半導體主動層，其係具有一源極區及一汲極區以及一通道區；一閘極絕緣層，其係形成於該半導體主動層上；一閘極電極，其係形成於該閘極絕緣層上；一層間絕緣層，其係形成於該閘極電極上，並且具有形成於該層間絕緣層中之一接觸孔；一源極電極及一汲極電極，其係分別電性連接於該源極區及該汲極區；一保護層，其係包括形成於該層間絕緣層上之一鈍化層、一平坦化層或其組合；以及一顯示裝置，其中該至少一焊墊係電性連接至該閘極電極或該源極電極及該汲極電極。
16. 如申請專利範圍第15項所述之可撓式顯示設備，其中該至少一焊墊係以與形成該閘極電極之一材料之一相同材料而圖樣化，以及該加強件係以與形成該源極電極及該汲極電極之一材料之一相同材料而圖樣化。
17. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式顯示設備，更包括安裝於該電路板上之一積體電路(IC)，其中該電路板係包括一可撓式薄膜。