TWI574398B - 顯示裝置 - Google Patents
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Description
相關專利申請的交互參照
此申請案主張於2011年12月28日向韓國智慧財產局所提交的韓國專利申請號10-2011-0144979的優先權及效益,其所揭露之內容全部在此被納入以供參考。
本發明的實施例是有關於一種顯示裝置。
一般而言,有機發光顯示裝置具有像是較大視角、較佳對比特徵及較快回應時間之優點。因此,有機發光顯示裝置已受到很大注意,因為有機發光顯示裝置可應用至用於行動裝置的顯示裝置,像是數位相機、攝影機、攝錄像機(camcorder)、個人數位助理(PDA)、智慧型手機、超薄筆記型電腦、平板電腦或可撓式顯示裝置,並且可應用於像是超薄電視之電子產品。
在像是有機發光顯示裝置的顯示裝置中,焊墊被圖樣化在基板的一側以供應外部電源,且電路板電性連接至焊墊。電路板可以各種方式連接至焊墊。舉例來說,導電膜可設置在焊墊與電路板的端點之間,接著可將熱及壓力施加至導電膜以電性連接焊墊及電路板。
當焊墊、電路板及導電膜之間的黏著力未令人滿意的,則接觸電阻大大地增加。此外,黏著力由於在顯示裝置的驅動期間所產生的熱、因殘餘
應力之應力或類似物而隨時間漸少。因此,需要加強焊墊、電路板及導電膜間的黏著力。
本發明的實施例態樣提供一種顯示裝置,其中焊墊、電路板及導電膜之間的黏著力藉由設計具特定圖樣的焊墊而增強。
根據本發明的實施例之一態樣,提供了一種顯示裝置,其包含基板,係包含用以顯示影像的顯示單元、環繞顯示單元的非顯示單元、以及至少一個用以發送電子訊號至顯示單元的第一焊墊;電路板,係設置在基板上且包含至少一個電路端點;以及導電膜,係設置在基板與電路板之間且包含用以電性連接第一焊墊與電路端點之複數個導電粒子及圍繞此些導電粒子之絕緣樹脂。其中,第一焊墊包含複數個精細焊電線,以及熱壓縮操作期間絕緣樹脂分散至其內且位在相鄰的精細焊墊線之間的一區域。
圖樣化在基板上的精細焊墊線的方位可在基板的一個方向至少改變一次。
此些精細焊墊線可以鋸齒狀圖樣排列。
此些精細焊墊線可包含在基板的一個方向彼此分開排列之複數個第一精細焊墊線,以及在基板的另一個方向彼此分開排列之複數個第二精細焊墊線,且第一精細焊墊線及第二精細焊墊線可彼此電性連接以形成網格型圖樣。
此些精細焊墊線可包含在基板的一個方向斜線地彼此分開排列之複數個第一精細焊墊線,以及在基板的另一個方向斜線地彼此分開排列之複
數個第二精細焊墊線,且第一精細焊墊線及第二精細焊墊線可彼此電性連接以形成網格型圖樣。
此複數個精細焊墊線可彼此電性連接以形成蜂巢形圖樣。
顯示裝置可進一步包含在相鄰的精細焊墊線之間的橋接線,用以電性連接相鄰的精細焊墊線,其中精細焊墊線可在基板的一個方向彼此分開排列。
此些精細焊墊線可經由連接線彼此電性連接。
基板可用於有機顯示裝置,以及具有源極區與汲極區及通道區之半導體主動層、在半導體主動層上之閘極絕緣層、在閘極絕緣層上之閘極電極、在閘極電極上且具有接觸孔之層間絕緣層、分別電性連接至源極區與汲極區之源極電極與汲極電極、以及在層間絕緣層上之保護層可位於在基板上之顯示單元,且第一焊墊可在環繞顯示單元的非顯示單元電性連接至閘極電極或源極電極與汲極電極。
顯示裝置可進一步包含在非第一焊墊所位於的一層電性連接至第一焊墊之一第二焊墊。
第二焊墊可在第一焊墊與基板之間。
圖樣化在基板上的精細焊墊線的方位可在基板的一個方向至少改變一次,以及第二焊墊可具有其中精細焊墊線排列在其一個表面上之整塊型(solid type)圖樣。
此些精細焊墊線可包含在基板的一個方向彼此分開排列之複數個第一精細焊墊線,以及在基板的另一個方向彼此分開排列之複數個第二精細
焊墊線,且第一精細焊墊線及第二精細焊墊線可彼此電性連接以形成網格型圖樣,以及第二焊墊可具有其中精細焊墊線排列在其一個表面上之整塊型圖樣。
此些精細焊墊線可包含在基板的一個方向斜線地彼此分開排列之複數個第一精細焊墊線,以及在基板的另一個方向斜線地彼此分開排列之複數個第二精細焊墊線,且第一精細焊墊線及第二精細焊墊線可彼此電性連接以形成網格型圖樣,以及第二焊墊可具有其中精細焊墊線排列在其一個表面上之整塊型圖樣。
複數個精細焊墊線可彼此電性連接以形成蜂巢形圖樣,以及第二焊墊可具有其中精細焊墊線排列在其一個表面上之整塊型圖樣。
顯示裝置可進一步包含在相鄰的精細焊墊線之間的橋接線,用以電性連接相鄰的精細焊墊線,以及此些精細焊墊線可在基板的一個方向彼此分開排列,且第二焊墊可具有其中精細焊墊線排列在其一個表面上之整塊型圖樣。
基板可用於有機顯示裝置,以及具有源極區與汲極區及通道區之半導體主動層、在半導體主動層上之閘極絕緣層、在閘極絕緣層上之閘極電極、在閘極電極上且接觸孔位於其內之層間絕緣層、分別電性連接至源極區與汲極區之源極電極與汲極電極、以及在層間絕緣層上之保護層可位於在基板上之顯示單元,且第一焊墊可在非顯示單元電性連接至閘極電極,以及第二焊墊可在非顯示單元電性連接至源極電極與汲極電極。
導電膜可包含異方性導電膜(ACF)。
積體晶片(IC)可安裝在可撓的電路板上。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
101、401‧‧‧第一基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧半導體主動層
104‧‧‧源極區
105‧‧‧汲極區
106‧‧‧通道區
107‧‧‧閘極絕緣層
108‧‧‧閘極電極
109‧‧‧層間絕緣層
110‧‧‧源極電極
111‧‧‧汲極電極
112‧‧‧保護層
113‧‧‧像素定義層
114‧‧‧有機發光裝置
115‧‧‧第一電極
116‧‧‧有機層
117‧‧‧第二電極
118、402‧‧‧第二基板
121、1300、1400、1500、1600、1700、1800‧‧‧焊墊
200、600‧‧‧導電膜
201‧‧‧導電粒子
202‧‧‧絕緣樹脂
300、700‧‧‧電路板
301‧‧‧端點
400‧‧‧顯示裝置
403‧‧‧顯示單元
404‧‧‧非顯示單元
410、900、1000、1100、1200、1310、1410、1510、1610、1710、1810‧‧‧第一焊墊
411、1321、1421‧‧‧精細焊墊線
412、930、1030、1130、1230、1523、1623‧‧‧連接線
413、940、1040、1140、1240、1322、1422、1524、1624、1724、1824‧‧‧空間
910、1010、1110、1210、1521、1621、1721、1821‧‧‧第一精細焊墊線
920、1020、1522、1622‧‧‧第二精細焊墊線
1220、1822‧‧‧橋接線
1320、1420、1520、1620、1720、1820‧‧‧第二焊墊
本發明之上述及其他特性與態樣將藉由參照附圖詳細地描述其例示性實施例而變得更加明顯,其中:第1圖係為傳統有機發光顯示裝置之部分剖面圖;第2圖係為經排列之第1圖的有機發光顯示裝置、導電膜及電路板之剖面圖;第3圖係為彼此耦合之第2圖的有機發光顯示裝置、導電膜及電路板之剖面圖;第4圖係為根據本發明之一實施例之焊墊圖樣之部分透視圖;第5圖係為第4圖所示實施例之經圖樣化焊墊之透視圖;第6圖係為第5圖所示實施例之連接至焊墊的導電膜之透視圖;第7圖係為第6圖所示實施例之連接至焊墊的電路板之透視圖;第8圖係為顯示根據焊墊的寬度變化之電阻變化之圖表;第9至12圖係為根據本發明之其他實施例之焊墊的圖樣之透視圖;以及第13至18圖係為根據本發明之其他實施例之焊墊的圖樣之透視圖。
雖然本發明允許各種變化及許多實施例,特定實施例將繪示於圖式且詳細描述在所撰寫的說明中。然而,此並非意圖限制本發明至特定實施模式,應理解的是所有未脫離本發明的精神與技術範圍之變化、均等物及取代物
均包含於本發明中。在本發明的實施例說明中,某些相關技藝當被認為可能非必要地模糊本發明實施例的本質則省略其詳細解釋。
雖然像是”第一”、”第二”等名稱可使用於描述各種構件,但這樣的構件非必定限制於上述名稱。上述名稱僅用於區別一個構件與另一個構件。
本說明書所使用的名稱僅用於描述本發明的特定實施例,而非意圖限制本發明。使用單數的詞句包含複數的詞句,除非本文中有清楚地不同含義。在本說明書中,應了解像是”包含”或”具有”等名稱係意圖指出在說明書中所揭露的特徵、數目、步驟、動作、構件、部件或其組合的存在,而非意圖排除存在或可能新增的一或多個其他特徵、數目、步驟、動作、構件、部件或其組合的可能性。
根據本發明之實施例的顯示裝置將參照附圖而在以下更詳細的描述。不管圖號,那些相同或對應的構件給予相同的元件符號,且省略多餘的解釋。按照此處所使用的,”以及/或”一詞包含相關所列項目的一或多個的任何及全部組合。像是”中的至少一個”的詞句在一系列的元件之前時係修飾整個系列的元件,而非修是該系列中的個別元件。
第1圖係為傳統有機發光顯示裝置100之部分剖面圖。參照第1圖,有機發光顯示裝置100包含第一基板,其可為由例如玻璃或塑膠形成的絕緣基板。
緩衝層102形成在第一基板101上,且具有包含有機材料、無機材料或彼此交替堆疊之有機材料與無機材料的結構。緩衝層102阻擋或減少氧氣及水分,且減少或防止自第一基板101所產生的水分或雜質擴散。
圖樣(例如預定圖樣)的半導體主動層103形成在緩衝層102上。當半導體主動層103是由多晶矽形成時,多晶矽是藉由形成且結晶非晶矽而形成。
各種結晶非晶矽的方法包含快速熱退火(RTA)法、固相結晶法(SPC)法、準分子雷射退火(EL)法、金屬誘導結晶(MIC)法、金屬誘導橫向結晶(MILC)法、順序橫向固化(SLS)法等。
源極區104與汲極區105是藉由掺雜N型或P型雜質離子而形成在半導體主動層103中。未摻雜雜質的通道區106是形成在源極區104與汲極區105之間。
閘極絕緣層107沉積在半導體主動層103的頂部,且可為例如是由SiO2形成的單層或由SiO2與SiNx形成的雙層。
閘極電極108形成在閘極絕緣層107之頂部的一區域(例如一預定區域),且連接至提供薄膜電晶體開/關訊號之閘極線(未顯示)。閘極電極108可使用單一或多個金屬,且可為像是Mo、MoW、Cr、Al、Al合金、Mg、Ni、W、Au等的單層,或這些單層的多層混合物。
層間絕緣層109形成在閘極電極108的頂部。源極電極110經由接觸孔電性連接至源極區104,且汲極電極111經由接觸孔電性連接至汲極區105。
保護層112(例如鈍化層以及/或平坦化層)形成在源極電極110與汲極電極111的頂部。保護層112可由像是苯環丁烯(BCB)或丙烯醯基(acryl)的有機材料或像是SiNx的無機材料所形成。保護層112可為單層或雙層或多層,且可具有各種改良。
有機發光裝置114的第一電極115形成在保護層112的頂部,以及由有機材料形成的像素定義層(例如pixel definition layer、pixel defining layer或
PDL)113是形成以覆蓋部份的第一電極115。第一電極115電性連接至源極電極110與汲極電極111之一。
有機層(或有機發光層)116形成在第一電極115上,係藉由蝕刻部份的第一電極115而曝露至外部。有機發光裝置114的第二電極117形成在有機層116上。
第一電極115與第二電極117藉由有機層116而彼此絕緣的,且具有不同極性的電壓被施加穿過有機發光裝置114以發光。
第一電極115在包含於有機發光裝置114的電極之中作為陽極,且可由各種導電材料形成。第一電極115可為透明電極或反射電極。
舉例來說,當第一電極115是透明電極時,第一電極115可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或In2O3形成。當第一電極115是反射電極時,第一電極115可藉由使用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鉛(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其任何化合物形成反射層,以及藉由掺雜ITO、IZO、ZnO或In2O3於反射層而形成。
第二電極117在包含於有機發光裝置114的電極之中作為陰極,且可為透明電極或反射電極。
當第二電極117是透明電極時,第二電極117可藉由沉積具有低功函數的金屬,即Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及其化合物,以便面對有機層116的方位,然後藉由形成由像是ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明電極材料組成的輔助電極層或匯流電極線於其上而形成。
當第二電極117是反射電極時,第二電極117可藉由完全地沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物至第二電極117上而形成。
當第一電極115是透明電極或反射電極時,第一電極115可具有對應於每一子像素之開口形狀的形狀。第二電極117可藉由完全地沉積透明電極或反射電極在顯示區域上而形成。第二電極117可能未必被完全地沉積(例如在整個顯示區域上),且可形成為任何各種圖樣。就這一點而言,第一電極115與第二電極117的位置可被反轉。
有機層116可由低分子量或高分子量的有機材料所形成。若有機層116是由低分子量的有機材料所形成,電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等可被堆疊成單一或複合結構以形成有機層116。低分子量的有機層可藉由使用真空蒸鍍法而形成。
當有機層116是高分子量的有機材料時,有機層116通常包含HTL與EML。高分子量的有機層可藉由網板印刷法、噴墨印刷法或類似方法而形成。
然而,本發明並不限於此,有機層116可以各種方式形成。
第二基板118是位在有機發光裝置114的頂部。第二基板118可為玻璃基板或可撓的基板,且可藉由塗佈絕緣材料的方法而形成。
第2圖係經排列之第1圖的有機發光顯示裝置100、導電膜200及電路板300之剖視圖。第3圖係彼此耦合之第2圖的有機發光顯示裝置100、導電膜200及電路板300之剖視圖。參照第2及3圖,複數個焊墊121排列在有機發光顯示裝置100之第一基板101的一側。焊墊121可電性連接至有機發光顯示裝置100裡面的任一導電層,舉例來說,閘極電極108(看第1圖)、源極電極110或汲極電極111。
電路板300位在第一基板101上方,且可為撓性印刷排線(FPC),其是可撓的基板。複數個端點301排列在電路板300上。
導電膜200是插入在第一基板101與電路板300之間。導電膜200可為電流在其厚度方向流動的薄膜,且在長度或寬度方向可為絕緣的,像是異方性導電膜(ACF)。導電膜200包含用以形成供電路徑(electric path)的複數個導電粒子201,像是導電球,以及藉由固定導電粒子201而改善接觸可靠度且確保相鄰焊墊121之間的電性絕緣的絕緣樹脂202。
為了電性連接電路板300至第一基板101,焊墊121與端點301在垂直方向彼此對應(例如彼此直線排列)。因此,導電膜200是插入在焊墊121與端點301之間,且接著導電粒子201藉著使用像是熱壓機(hot bar)之壓縮設備供應自上述焊墊121的熱和壓力而電性連接焊墊121與端點301。
絕緣樹脂202分散至未包含焊墊121及端點301彼此耦合的所在部分的空間內,因而防止相鄰焊墊121之間及相鄰端點301之間的電性連接。
此處,當有機發光顯示裝置100使用在像是超薄電視之大型電子設備中時,需要施加大量電流至有機發光顯示裝置100,因而增加電阻。
為降低電阻,當導電膜200的導電粒子201數目增加時,相鄰焊墊121或相鄰端點301彼此電性連接,因而導致電性短路。如此,因導電膜200的絕緣特性退化,增加導電粒子201數目則有所限制。
因此,每一焊墊121可形成為整塊圖樣(solid pattern),像是四邊形的整塊圖樣。然而,當熔合導電膜200時,很難確保絕緣樹脂202可分散至空間內,因此導電粒子201的連接作用降低,因而降低導電膜200相對於焊墊121或端點301的黏著力。
如此,為加強導電性,需要連接大量的導電粒子201,並且需要確保熔合導電膜200時絕緣樹脂202可分散至空間內。
第4圖係為根據本發明之一實施例之焊墊圖樣之部分透視圖。參照第4圖,顯示裝置400包含第一基板401及耦合至第一基板401之第二基板402。用以在顯示裝置400驅動期間顯示影像之顯示單元(例如顯示區域)403以及形成在顯示單元403周圍之非顯示單元(例如非顯示區域)404係位於顯示裝置400中。
當顯示裝置400為有機發光顯示裝置100(看第1圖)時,半導體主動層103、閘極絕緣層107、閘極電極108、層間絕緣層109、源極電極110、汲極電極111、保護層112、第一電極115、有機層116、第二電極117及類似物被圖樣化於顯示單元403。
複數個第一焊墊410在第一基板401的一側。第一焊墊410沿著第一基板401的一側(例如在X軸方向)排列。第一焊墊410可電性連接至顯示單元403的任一導電層,舉例來說,閘極電極108、源極電極110或汲極電極111。此處,在形成於顯示單元403周圍之非顯示單元404中,第一焊墊410電性連接至閘極電極108、源極電極110或汲極電極111,但本發明並不限於此。
第一焊墊410包含複數個精細焊墊線411。複數個精細焊墊線411在第一基板401的X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。精細焊墊線411的末端經由連接線412而彼此電性連接。
精細焊墊線411的方位(例如精細焊墊線411的方向)在Y軸方向至少改變一次以被圖樣化於第一基板401上。換言之,每一精細焊墊線411在第一基板401的Y軸方向並非為一個線性圖樣,以及精細焊墊線411的方位如鋸齒狀圖樣在某個方向改變而例如連續地延伸。當每一精細焊墊線411具有線性圖樣時,精細焊墊線411易遭受特定的殘留應力。另一方面,如本發明之實施例所描述,
當精細焊墊線411形成為鋸齒狀圖樣時,應力被適當地分散,因此精細焊墊線411抵抗殘留應力。
此處,具有鋸齒狀圖樣的空間413形成在精細焊墊線411之間。因空間413形成在精細焊墊線411之間,當熔合導電膜200時可確保絕緣樹脂202可分散至其內的空間(看第3圖)。
第一焊墊410可透過分開的製程而形成在第一基板401上。此時,例如閘極電極108、源極電極110或汲極電極111之導電層可在第一焊墊410形成於第一基板401上時同時形成於顯示單元403上。
第一焊墊410的電性連接狀態將參照第5至7圖而說明。第5圖係為第4圖所示實施例中經圖樣化的第一焊墊410之透視圖。第6圖係為第5圖的實施例之連接至第一焊墊410的導電膜600之透視圖。第7圖係為第6圖的實施例之連接至導電膜600的電路板700之透視圖。
參照第5圖,第一焊墊410被圖樣化在第一基板401的一側。第一焊墊410包含複數個精細焊墊線411。精細焊墊線411經由連接線412在一末端彼此電性連接。精細焊墊線411的方位至少改變一次以在Y軸方向連續地延伸。在本實施例中,每一精細焊墊線411具有鋸齒狀圖樣。開放迴路型空間413形成在精細焊墊線411之間。
參照第6圖,導電膜600係在第一焊墊410上。導電膜600可為ACF。如參考第2圖以上所述,導電膜600包含像是導電球之導電粒子,且亦包含用以固定(例如懸置)導電粒子之絕緣樹脂。
參照第7圖,電路板700係在導電膜600上。電路板700可為積體晶片(IC)安裝於其上之FPC。雖然未顯示於圖式中,端點被圖樣化在電路板700面對導電膜600的一表面上。
第一焊墊410、導電膜600及電路板700係以垂直方向排列,接著藉由使用熱壓機而自電路板700上方施加熱和壓力以電性連接第一焊墊410和電路板700。
包含於導電膜600內的絕緣樹脂被分散至形成在精細焊墊線411之間的空間413內,因此增強電路板700端點與精細焊墊線411之間的電性連接,因而增加導電膜600的黏著力。
第8圖係為顯示根據焊墊的寬度變化之電阻變化之圖表。第8圖中,線條A表示被形成以具有一個整塊圖樣的傳統焊墊,而線條B表示根據本實施例之具有精細焊墊線411的第一焊墊410。
參照第8圖,在線條A中,電阻隨著用於電源供應的焊墊尺寸增加(例如增加至某一尺寸)而線性地減少,且電阻自焊墊的某一尺寸便不在減少。此是由於導電粒子的連接作用減少的事實,因其可能不能保證包含於導電膜內的絕緣樹脂由於壓力而可被分散至空間內。
線條B為線性地減少,因此最大電流量係線性地增加,且熱產生量減少。此是由於導電粒子的連接作用及黏著力增加的事實,因包含於導電膜600內的絕緣樹脂被分散至形成在精細焊墊線411之間的空間413內。
第9至12圖係為根據本發明之其他實施例之第一焊墊900至1200的圖樣之透視圖。參照第9圖,第一焊墊900被圖樣化在第一基板401的一側。第
一焊墊900包含電性連接至複數個第二精細焊墊線920之複數個第一精細焊墊線910。
第一精細焊墊線910在第一基板401的X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。第二精細焊墊線920在第一基板401的Y軸方向彼此以預定間距分隔排列。第一精細焊墊線910和第二精細焊墊線920彼此電性連接以形成網格型圖樣。電性連接至第一精細焊墊線910和第二精細焊墊線920的連接線930被圖樣化在第一精細焊墊線910和第二精細焊墊線920的外側。
複數個空間(例如區域)940分別形成在第一精細焊墊線910與第二精細焊墊線920之間。每一空間940具有四邊形的剖面,且形成為封閉迴路形狀。因此,當熔合導電膜時,包含於導電膜內的絕緣樹脂被分散至空間940內,以及增加包含於導電膜內的導電粒子的連接作用及導電膜的黏著力。
參照第10圖,第一焊墊1000被圖樣化在第一基板401的一側。第一焊墊1000包含電性連接至複數個第二精細焊墊線1020之複數個第一精細焊墊線1010。
第一精細焊墊線1010在第一基板401的一個方向彼此以間距(例如預定間距)斜線地分隔排列。第二精細焊墊線1020在第一基板401的另一個方向彼此以間距(例如預定間距)斜線地分隔排列。第一精細焊墊線1010和第二精細焊墊線1020彼此電性連接以形成網格型圖樣。電性連接至第一精細焊墊線1010和第二精細焊墊線1020的連接線1030被圖樣化在第一精細焊墊線1010和第二精細焊墊線1020的外側。
此處,複數個空間1040分別形成在第一精細焊墊線1010與第二精細焊墊線1020之間,因而確保包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。每一空間1040形成為封閉迴路形狀。
參照第11圖,第一焊墊1100被圖樣化在第一基板401的一側。第一焊墊1100包含彼此電性連接以形成蜂巢形圖樣之複數個第一精細焊墊線1110。連接線1130被圖樣化在第一精細焊墊線1110的一側。
此處,複數個空間1140的每一個形成在個別的第一精細焊墊線1110之間,因而輕易地確保包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。每一空間1140形成為封閉迴路形狀。
參照第12圖,第一焊墊1200被圖樣化在第一基板401的一側且包含在第一基板401的X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列之複數個第一精細焊墊線1210。第一精細焊墊線1210形成為具有寬度較橋接線1220寬度大的條紋狀(stripe shape)。第一精細焊墊線1210經由複數個橋接線1220彼此電性連接。連接線1230被圖樣化在第一精細焊墊線1210的一側以彼此電性連接第一精細焊墊線1210。
複數個空間1240形成在由橋接線1220及相鄰的第一精細焊墊線121所界定的部分中,因而確保包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
如此,不像傳統焊墊是形成以具有一個整塊圖樣,第4及9至12圖所示的第一焊墊410、910、1000、1100及1200包含複數個包含在導電膜內的導電粒子、複數個精細焊墊線、以及形成在相鄰的精細焊墊線之間且具有約數微米至約數十毫米大小的空間,而非形成為一個整塊型圖樣的焊墊。
第13至18圖係為根據本發明之其他實施例之焊墊1300、1400、1500、1600、1700及1800的圖樣之透視圖。參照第13圖,焊墊1300包含電性連接至第二焊墊1320之第一焊墊1310。第一焊墊1310和第二焊墊1320形成雙層結構。
第一焊墊1310被直接圖樣化在第一基板401的上表面上,以及被形成以具有整塊型圖樣和四邊形的剖面。
第二焊墊1320被圖樣化在第一焊墊1310的上表面上,且包含複數個精細焊墊線1321。在第一焊墊1310的上表面上的精細焊墊線1321在X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列,因此用以連接精細焊墊線1321彼此的連接線可能不必要形成。
精細焊墊線1321的方位至少改變一次以被圖樣化在第一焊墊1310的上表面上。在本實施例中,每一精細焊墊線1321被形成以具有鋸齒狀圖樣。
此處,複數個空間1322形成在相鄰的精細焊墊線1321之間,因而確保熔合導電膜時包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
同時,第一焊墊1310和第二焊墊1320可透過分開的製程而個別地形成。然而,當顯示裝置400為有機發光顯示裝置100(看第1圖)時,第一焊墊1310可和閘極電極108在相同時間形成,而第二焊墊1320可和汲極電極111在相同時間形成。
在環繞顯示單元403所形成的非顯示單元404中,第一焊墊1310電性連接至閘極電極108,而第二焊墊1320電性連接至源極電極110或汲極電極111,但本發明並不限於此。
參照第14圖,焊墊1400包含電性連接至第二焊墊1420之第一焊墊1410。第一焊墊1410和第二焊墊1420形成雙層結構。
第一焊墊1410具有整塊型圖樣,其中第一焊墊1410被直接圖樣化在第一基板401的上表面上,以及具有四邊形的剖面。
第二焊墊1420被圖樣化在第一焊墊1410的上表面上,且包含複數個精細焊墊線1421,其在第一基板401的X軸方向延伸且在Y軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。精細焊墊線1421排列在第一焊墊1410的上表面上,因此用以連接精細焊墊線1421彼此的連接線可能不必要形成。
此處,複數個空間1422形成在未形成精細焊墊線1421的部分中,因而確保熔合導電膜時包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
參照第15圖,焊墊1500包含電性連接至第二焊墊1520之第一焊墊1510。第一焊墊1510和第二焊墊1520形成雙層結構。
第一焊墊1510具有整塊型圖樣,其中第一焊墊1510被直接圖樣化在第一基板401的上表面上,以及具有四邊形的剖面。
第二焊墊1520被圖樣化在第一焊墊1510的上表面上,且包含電性連接至複數個第二精細焊墊線1522之複數個第一精細焊墊線1521。
第一精細焊墊線1521在第一基板401的X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。第二精細焊墊線1522在第一基板401的Y軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。第一精細焊墊線1521和第二精細焊墊線1522彼此電性連接以形成網格型圖樣。電性連接至第一精細焊墊線1521和第二精細焊墊線1522的連接線1523被圖樣化在第一精細焊墊線1521和第二精細焊墊線1522的外側。
複數個空間1524分別形成在第一精細焊墊線1521與第二精細焊墊線1522之間。每一空間1524具有四邊形的剖面且形成為封閉迴路形狀。因此,當熔合導電膜時,包含於導電膜內的絕緣樹脂被分散至空間1524內,以及增加包含於導電膜內的導電粒子的連接作用及導電膜的黏著力。
參照第16圖,焊墊1600包含電性連接至第二焊墊1620之第一焊墊1610。第一焊墊1610和第二焊墊1620形成雙層結構。
第一焊墊1610具有整塊型圖樣,其中第一焊墊1610被直接圖樣化在第一基板401的上表面上,以及具有四邊形的剖面。
第二焊墊1620被圖樣化在第一焊墊1610的上表面上。第二焊墊1620包含電性連接至複數個第二精細焊墊線1622之複數個第一精細焊墊線1621。
第一精細焊墊線1621在第一基板401的一個方向彼此以間距(例如預定間距)斜線地分隔排列。第二精細焊墊線1622在第一基板401的另一個方向彼此以間距(例如預定間距)斜線地分隔排列。電性連接至第一精細焊墊線1621和第二精細焊墊線1622的連接線1623被圖樣化在第一精細焊墊線1621和第二精細焊墊線1622的外側。
此處,複數個空間1624分別形成在第一精細焊墊線1621與第二精細焊墊線1622之間,因而確保包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
參照第17圖,焊墊1700包含電性連接至第二焊墊1720之第一焊墊1710。第一焊墊1710和第二焊墊1720形成雙層結構。
第一焊墊1710具有整塊型圖樣,其中第一焊墊1710被直接圖樣化在第一基板401的上表面上,以及具有四邊形的剖面。
第二焊墊1720被圖樣化在第一焊墊1710的上表面上。第二焊墊1720包含複數個第一精細焊墊線1721。每一第一精細焊墊線1721具有六角形的剖面。第一精細焊墊線1721彼此連接以形成蜂巢形圖樣。
複數個空間1724形成在各別的第一精細焊墊線1721之間,因而確保熔合導電膜時包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
參照第18圖,焊墊1800包含電性連接至第二焊墊1820之第一焊墊1810。第一焊墊1810和第二焊墊1820形成雙層結構。
第一焊墊1810具有整塊型圖樣,其中第一焊墊1810被直接圖樣化在第一基板401的上表面上。
第二焊墊1820被圖樣化在第一焊墊1810的上表面上。第二焊墊1820包含複數個第一精細焊墊線1821。第一精細焊墊線1821在基板401的X軸方向彼此以間距(例如預定間距)分隔排列。相鄰的第一精細焊墊線1821經由複數個橋接線1822彼此電性連接。
複數個空間1824形成在相鄰的第一精細焊墊線1821之間且未形成橋接線1822的部分中,因而確保包含於導電膜內的絕緣樹脂可分散至空間內。
如此,不像傳統形成以具有一個整塊圖樣的焊墊,第13至18圖所示的焊墊1300至1800具有雙層結構,其包含具整塊型圖樣的第一焊墊,以及包含形成在其上的複數個精細焊墊線和形成在相鄰的精細焊墊線之間的複數個空間之第二焊墊,因而降低電阻、增加黏著力及增加可靠度。
如此,在本發明實施例之顯示裝置中,焊墊、電路板以及導電膜是藉由圖樣化焊墊成為特定圖樣而彼此電性連接,且因此增加在焊墊、電路板以及導電膜之間的黏著力,因而降低接觸電阻。
並且,絕緣樹脂包含於導電膜中的所在空間或區域形成在相鄰的精細焊電線之間,因而確保大多數在導電膜中的導電球與焊墊及電路板之間的電性接觸區域。
此外,因使用導電膜,可使用由相對不昂貴的FPC形成的電路板。
再者,焊墊的圖樣可在例如被圖樣化於基板上之顯示單元的閘極電極之導電層形成時而同時形成,因而減少顯示裝置的製造成本。
並且,因焊墊、電路板及導電膜之間的黏著力增加,即使大量電流流動,仍可保證可靠度。
雖然本發明已參照其例示性實施例而特別地呈現及描述,該領域之熟知技術者將理解的是,可在未脫離下述申請專利範圍所界定之本發明的精神與範疇及其均等物的情況下,在其中做各種形式上或細節上的改變。
101‧‧‧第一基板
121‧‧‧焊墊
200‧‧‧導電膜
201‧‧‧導電粒子
202‧‧‧絕緣樹脂
300‧‧‧電路板
301‧‧‧端點
Claims (18)
- 一種顯示裝置,其包括:一基板,包括用以顯示一影像的一顯示單元、環繞該顯示單元的一非顯示單元、以及至少一個用以發送一電子訊號至該顯示單元的一第一焊墊;一電路板,係在該基板上且包括至少一個電路端點;以及一導電膜,係在該基板與該電路板之間且包括:複數個導電粒子,用以電性連接該第一焊墊與該電路端點;以及一絕緣樹脂,係圍繞該些導電粒子;其中該第一焊墊包括:複數個精細焊墊線,該些精細焊墊線經由一連接線彼此電性連接;以及在熱壓縮操作期間該絕緣樹脂分散至其內的一區域,係位在相鄰的該些精細焊墊線之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中圖樣化在該基板上的該些精細焊墊線的方位在該基板的一個方向至少改變一次。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置,其中該些精細焊墊線以鋸齒狀圖樣排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該些精細焊墊線包括: 複數個第一精細焊墊線,係在該基板的一個方向彼此分開排列;以及複數個第二精細焊墊線,係在該基板的另一個方向彼此分開排列;其中該些第一精細焊墊線及該些第二精細焊墊線彼此電性連接以形成一網格型圖樣。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該些精細焊墊線包括:複數個第一精細焊墊線,係在該基板的一個方向斜線地彼此分開排列;以及複數個第二精細焊墊線,係在該基板的另一個方向斜線地彼此分開排列;其中該些第一精細焊墊線及該些第二精細焊墊線彼此電性連接以形成一網格型圖樣。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該複數個精細焊墊線彼此電性連接以形成一蜂巢形圖樣。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其進一步包括在相鄰的該些精細焊墊線之間的一橋接線,用以電性連接相鄰的該些精細焊墊線,其中該些精細焊墊線在該基板的一個方向彼此分開排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該基板是用於一有機顯示裝置; 其中具有一源極區與一汲極區及一通道區之一半導體主動層、在該半導體主動層上之一閘極絕緣層、在該閘極絕緣層上之一閘極電極、在該閘極電極上且具有一接觸孔之一層間絕緣層、分別電性連接至該源極區與該汲極區之一源極電極與一汲極電極、以及在該層間絕緣層上之一保護層係位於在該基板上之該顯示單元;以及其中該第一焊墊在環繞該顯示單元的該非顯示單元電性連接至該閘極電極或該源極電極與該汲極電極。
- 一種顯示裝置,其包括:一基板,包括用以顯示一影像的一顯示單元、環繞該顯示單元的一非顯示單元、至少一個用以發送一電子訊號至該顯示單元的一第一焊墊、以及在非該第一焊墊所位於的一層電性連接至該第一焊墊之一第二焊墊;一電路板,係在該基板上且包括至少一個電路端點;以及一導電膜,係在該基板與該電路板之間且包括:複數個導電粒子,用以電性連接該第一焊墊與該電路端點;以及一絕緣樹脂,係圍繞該些導電粒子;其中該第一焊墊包括:複數個精細焊墊線;以及在熱壓縮操作期間該絕緣樹脂分散至其內的一區域,係位在相鄰的該些精細焊墊線之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該第二焊墊係在 該第一焊墊與該基板之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中圖樣化在該基板上的該些精細焊墊線的方位在該基板的一個方向至少改變一次,以及其中該第二焊墊具有其中該些精細焊墊線排列在其一個表面上之一整塊型(solid type)圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該些精細焊墊線包括:複數個第一精細焊墊線,係在該基板的一個方向彼此分開排列;以及複數個第二精細焊墊線,係在該基板的另一個方向彼此分開排列;其中該些第一精細焊墊線及該些第二精細焊墊線彼此電性連接以形成一網格型圖樣;以及其中該第二焊墊具有其中該些精細焊墊線排列在其一個表面上之一整塊型圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該些精細焊墊線包括:複數個第一精細焊墊線,係在該基板的一個方向斜線地彼此分開排列;以及複數個第二精細焊墊線,係在該基板的另一個方向斜線地彼此分開排列;其中該些第一精細焊墊線及該些第二精細焊墊線彼此電性連接以形成一網格型圖樣;以及 其中該第二焊墊具有其中該些精細焊墊線排列在其一個表面上之一整塊型圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該複數個精細焊墊線彼此電性連接以形成一蜂巢形圖樣,以及其中該第二焊墊具有其中該些精細焊墊線排列在其一個表面上之一整塊型圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其進一步包括在相鄰的該些精細焊墊線之間的一橋接線,用以電性連接相鄰的該些精細焊墊線;其中該些精細焊墊線在該基板的一個方向彼此分開排列;以及其中該第二焊墊具有其中該些精細焊墊線排列在其一個表面上之一整塊型圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該基板是用於一有機顯示裝置;其中具有一源極區與一汲極區及一通道區之一半導體主動層、在該半導體主動層上之一閘極絕緣層、在該閘極絕緣層上之一閘極電極、在該閘極電極上且一接觸孔位於其內之一層間絕緣層、分別電性連接至該源極區與該汲極區之一源極電極與一汲極電極、以及在層間絕緣層上之一保護層係位於在該基板上之顯示單元;以及其中該第一焊墊在該非顯示單元電性連接至該閘極電極,以及該第二焊墊在該非顯示單元電性連接至該源極電極與該汲極電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該導電膜包括一 異方性導電膜(ACF)。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中一積體晶片(IC)安裝在可撓的該電路板上。
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