TWI575729B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI575729B
TWI575729B TW102106507A TW102106507A TWI575729B TW I575729 B TWI575729 B TW I575729B TW 102106507 A TW102106507 A TW 102106507A TW 102106507 A TW102106507 A TW 102106507A TW I575729 B TWI575729 B TW I575729B
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丁海龜
柳道亨
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三星顯示器有限公司
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Description

顯示裝置
本發明之實施例係關於一種可耦接至一電力焊墊之顯示裝置。
有機發光顯示裝置係為自發光顯示裝置，其優點在於視角廣、對比率高且回應時間迅速。據此，有機發光顯示裝置可用於例如數位照相機、視訊攝影機、攝錄影機、行動式資訊終端機、智慧型電話、超薄筆記型電腦及平板個人電腦等可攜式裝置中，並可用於例如超薄電視機等電子裝置中。
最近，人們已在研究易於攜帶且可應用於具有各種形狀之裝置之撓性顯示裝置作為下一代顯示裝置。在此等撓性顯示裝置中，基於有機發光顯示之撓性顯示裝置似乎最具希望。
為驅動例如一有機發光顯示裝置等顯示裝置，可使用一電力連接單元，例如電性耦接至一電力焊墊(power pad)之一撓性印刷電纜(flexible printed cable；FPC)。為耦接該撓性印刷電纜至該電力焊墊，須藉由焊接或軟焊來加熱。然而，因顯示裝置係由一薄膜材料形成，故可能會發生熱變形。
本發明之實施例提供一種具有一連接器結構之顯示裝置，該連接器結構可耦接至一電力焊墊。
根據本發明實施例之一態樣，提供一種顯示裝置，其包含：一基板；一顯示單元，位於該基板上；一密封基板，耦接至該顯示單元；複數個電力焊墊(power pad)，位於該密封基板上並電性耦接至該顯示單元；以及一連接器，包含一殼體單元、 一電力連接單元及一電力接觸單元，該電力連接單元電性耦接至該等電力焊墊，該電力接觸單元用於維持該等電力焊墊與該電力連接單元接觸。
該電力連接單元可包含：一電路板，用於施加一電子訊號至該等電力焊墊；以及一導電墊圈，包含一第一側及一第二側，該第一側電性耦接至該電路板，該第二側則電性耦接至該等電力焊墊。
用於供應外部電力之一外部電源供應單元之複數條導線可耦接至該電路板。
該導電墊圈可包含：一彈性部；以及一導電部，耦接至該彈性部，並耦接至該電路板及該等電力焊墊。
該導電部可環繞該彈性部且該導電部與該彈性部之間具有一黏合劑。
該導電墊圈之一外表面可為彎曲的，以使得該導電墊圈之一實質均勻面積與該等電力焊墊接觸。
該彈性部可包含聚氨基甲酸酯(polyurethane)、橡膠、或聚矽氧(silicone)至少其中之一。
該導電部可包含一金屬箔。
該電力接觸單元可包含一磁性材料，以利用磁力將該密封基板吸引至該連接器。
該磁性材料可包含一釹磁鐵。
該電力接觸單元可包含一第一表面及一第二表面。該第一表面附著至該密封基板之一外表面，以及該第二表面與該第一表面相對並位於該殼體單元中。
該顯示裝置可更包含位於該密封基板與該連接器間之一導電板。
該電力接觸單元可包含一第一表面及一第二表面。該第一表面附著至該導電板之一安裝表面，以及該第二表面與該第一表面相對並位於該殼體單元中，並且該導電板可藉由一黏合劑而附著至該密封基板之一外表面。
該等電力焊墊可包含一第一電力焊墊及一第二電力焊墊，並且該連接器可包含至少一電力接觸單元、一第一電力連接單元以及一第二電力連接單元。該第一電力連接單元及該第二電力連接單元位於該殼體單元中並分別電性耦接至該第一電力焊墊及該第二電力焊墊。
該等電力焊墊可包含分別接觸一導電墊圈之一第一電力焊墊及一第二電力焊墊。該密封基板可包含：一絕緣膜，包含一第一表面及一第二表面，該第一表面面離該顯示單元，該第二表面面向該顯示單元；一第一導電膜，位於該第一表面上；以及一第二導電膜，位於該第二表面上。該第一電力焊墊可用於供應一第一電力且可位於該第一導電膜之一表面上。該第二電力焊墊可用於供應一第二電力並可位於該第二導電膜之一表面上。
該顯示單元可包含一第一電極及一第二電極，該第一電極具有一正極性，該第二電極具有一負極性。用於施加一電子訊號之一第一連接單元可位於該第一電極與該第一導電膜之間以形成一第一電力路徑，並且用於施加一電子訊號之一第二連接單元可位於該第二電極與該第二導電膜之間以形成一第二電力路徑。
該第一連接單元可包含：一第一連接元件，位於一線路(wiring line)上，該線路耦接至該第一電極；一接觸單元，電性耦接至該第一連接元件並對應於該第二導電膜中之一間隙；以及一第二連接元件，位於該絕緣膜之一邊緣處並電性耦接至該接觸單元及該第一導電膜。
各該第一連接元件及該第二連接元件可分別包含一導電膠帶(conductive tape)或一導電球。
該第二電力焊墊可位於該第二導電膜之一外表面上。該外表面透過該第一導電膜中之一第一孔及該絕緣膜中之一第二孔而暴露於外。
該第二連接單元可位於一線路上並可電性耦接至該第二導電膜，該線路耦接至該第二電極。
該第二連接單元可包含一導電膠帶或一導電球。
該顯示單元可包含：一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)，位於該基板上；一絕緣層，用於使該薄膜電晶體之一元件絕緣；以及一有機發光元件，電性耦接至該TFT，並包含一第一電極、一有機層以及一第二電極，該有機層位於該第一電極上，該第二電極位於該有機層上。
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧有機發光元件
121‧‧‧第一電極
121a‧‧‧線路
122‧‧‧第二電極
122a‧‧‧線路
123‧‧‧有機層
130‧‧‧密封基板
131‧‧‧第一導電膜
131a‧‧‧第一孔
132‧‧‧第二導電膜
133‧‧‧絕緣膜
133a‧‧‧第二孔
134‧‧‧第一表面
135‧‧‧第二表面
141‧‧‧第一電力焊墊
142‧‧‧第二電力焊墊
150‧‧‧第一連接單元
151‧‧‧第一連接元件
152‧‧‧接觸單元
153‧‧‧第二連接元件
161‧‧‧空間
171‧‧‧第一連接器
172‧‧‧第二連接器
180‧‧‧第二連接單元
200‧‧‧子畫素
210‧‧‧畫素電路
300‧‧‧顯示裝置
301‧‧‧基板
302‧‧‧阻擋層
303‧‧‧半導體主動層
304‧‧‧源極區
305‧‧‧汲極區
306‧‧‧通道區
307‧‧‧閘極絕緣膜
308‧‧‧閘電極
309‧‧‧層間絕緣膜
310‧‧‧接觸孔
311‧‧‧源電極
312‧‧‧汲電極
313‧‧‧保護膜
314‧‧‧接觸孔
315‧‧‧第一電極
316‧‧‧畫素界定層
317‧‧‧有機層
318‧‧‧第二電極
319‧‧‧密封基板
400‧‧‧連接器
410‧‧‧殼體單元
420‧‧‧電力連接單元
421‧‧‧電路板
422‧‧‧導電墊圈
423‧‧‧彈性部
424‧‧‧耐熱黏合劑
425‧‧‧導電部
426‧‧‧導線
430‧‧‧電力接觸單元
431‧‧‧第一表面
432‧‧‧第二表面
440‧‧‧導電板
441‧‧‧安裝表面
530‧‧‧密封基板
551‧‧‧電力焊墊
900‧‧‧連接器
910‧‧‧殼體單元
930‧‧‧電力接觸單元
Cst‧‧‧電容器
D‧‧‧資料線
ELVDD‧‧‧第一電力
ELVSS‧‧‧第二電力
OLED‧‧‧有機發光元件
S‧‧‧掃描線
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
藉由參照附圖詳細描述本發明之實例性實施例，本發明實施例之上述及其他態樣將變得更加顯而易見，附圖中：第1圖係為例示根據本發明一實施例之一顯示裝置之剖面圖；第2圖係為電路圖，其例示根據本發明一實施例之第1圖所示實施例之顯示裝置之一子畫素；第3圖係為例示根據本發明一實施例之一顯示裝置之一子畫素之剖面圖；第4圖係為例示根據本發明一實施例之一連接器之立體圖；第5圖係為例示第4圖所示實施例之連接器之立體分解圖；第6圖係為例示第4圖所示實施例之連接器之一底面之立體圖；第7圖係為例示第4圖所示實施例之連接器在耦接至一電力焊墊時之局部剖視立體圖；第8圖係為例示第4圖所示實施例之一導電墊圈之剖面圖；以及第9圖係為例示根據本發明另一實施例之一連接器之立體圖。
本文中所用之用語「及/或」包含相關聯之所列項其中之一或多者之任一及所有組合。例如「至少其中之一」等表達方式在位於一系列元件之前時係修飾所有元件而非修飾該等元件其中之個別元件。
儘管本發明之實例性實施例可具有各種修改形式及替代形式，然而於附圖中係以實例方式顯示且將在本文中詳細說明其具體實施例。然而，應理解，並非旨在將本發明之實例性實施例限制於所揭露之特定形式，相反，本發明之實例性實施例將涵蓋落於本發明之精神及範圍內之所有修改形式、等效形式及替代形式。在下文中，當本文所包含之習知功能及配置可能會混淆本發明之標的物時，將省略對此等習知功能及配置之詳細說明。
應理解，儘管在本文中可使用用語「第一」、「第二」等來描述各種元件，然而此等元件不應受此等用語限制，此等用語僅用於區分各元件。
本文中所用之用語係用於描述具體實施例，而並非旨在限制本發明之實例性實施例。本文中所用之單數形式「一」及「該」旨在亦包括複數形式，除非上下文另外明確指示。更應理解，用語「包含」及/或「包括」在本文中使用時係用於指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。
現在，將參照附圖更充分地說明本發明之實施例，在該等附圖中顯示本發明之實例性實施例。在附圖中，相同之參考編號表示相同之元件，且將不對相同元件重複進行詳細解釋。
第1圖係為例示根據本發明一實施例之一顯示裝置100之剖面圖。
儘管顯示裝置100在第1圖中係為一有機發光顯示裝置，然而本實施例並不僅限於此，且顯示裝置100可為一液晶顯示裝置、一場致發光顯示裝置、一電漿顯示裝置、一電致發光顯示裝置(electroluminescent display device)或一電泳顯示裝置(electrophoretic display device)。
參照第1圖，顯示裝置100包含一基板110。至少一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)形成於基板110上。基板110可為由玻璃或塑膠形成之一絕緣基板。
一有機發光元件120(例如一有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED))形成於基板110上。有機發光元件120包含一第一電極121、一第二電極122、以及位於第一電極121與第二電極122間之一有機層123。
一密封基板130設置於有機發光元件120上方，以用於密封基板110上方之一空間。
密封基板130包含一第一導電膜131、一第二導電膜132、以及位於第一導電膜131與第二導電膜132間之一絕緣膜133。
第一導電膜131堆疊於絕緣膜133之一第一表面134上，且第一表面134面離有機發光元件120。第二導電膜132接觸絕緣膜133之一第二表面135，且第二表面135面向有機發光元件120。
用於供應一第一電力ELVDD之一第一電力焊墊141形成於第一導電膜131上，且用於供應一第二電力ELVSS之一第二電力焊墊142形成於第二導電膜132上。
第一電力焊墊141電性耦接至具有一正(+)極性之第一電極121。用於施加一電子訊號之一第一連接單元150形成於第一電力焊墊141與第一電極121之間。
第一連接單元150包含一第一連接元件151、一接觸單元152以及一第二連接元件153。
第一連接元件151具有形成於一線路(wiring line)121a上之一柱形狀，線路121a電性耦接至第一電極121。第一連接元件151可為，但不限於，例如一導電膠帶(conductive tape)或一導電球等具有高導電率之任何金屬構件。
接觸單元152係與第二導電膜132形成於同一水平面上。接觸單元152可藉由使用第二導電膜132而形成。換言之，當藉由使用一金屬壓機(metal press)而沖切第二導電膜132時，可藉由移除第二導電膜132之一部分而形成一空間(例如間隙)161，且接觸單元152可被形成為與第二導電膜132絕緣且接觸單 元152與第二導電膜132之間具有空間161。接觸單元152對應於第二導電膜132之一獨立形成之部分且接觸單元152與第二導電膜132之間具有空間161。接觸單元152電性耦接至第一連接元件151。
作為另外一種選擇，電性耦接至第一連接元件151之一導電層可圍繞第二導電膜132之一邊緣形成且該導電層與第二導電膜132之間具有一間隔。而且，用於改良絕緣性質之一絕緣材料可被施加於第二導電膜132與接觸單元152之間。
第二連接元件153係與絕緣膜133形成於同一水平面上，且形成於絕緣膜133之一邊緣處。第二連接元件153可為，但不限於，例如一導電膠帶或一導電球等導電構件。第二連接元件153之一側電性耦接至接觸單元152，且第二連接元件153之另一側電性耦接至第一導電膜131。
用於自外部供應第一電力ELVDD之一第一連接器171耦接至位於第一導電膜131之一外表面上之第一電力焊墊141。
由此，當電性耦接至第一電極121之線路121a、第一連接元件151、接觸單元152、第二連接元件153以及第一導電膜131彼此電性耦接時，形成一第一電力路徑；且當包含一導電墊圈(將於下文中予以解釋)之第一連接器171附著至第一電力焊墊141時，可供應第一電力ELVDD。
第二電力焊墊142電性耦接至具有一負(-)極性之第二電極122且形成於第二導電膜132之一外表面處，當孔131a及133a分別形成於第一導電膜131及絕緣膜133中時，會暴露出該外表面。
換言之，第一孔131a形成於第一導電膜131中(沿第一導電膜131之一厚度方向)。第二孔133a形成於絕緣膜133中(沿絕緣膜133之一厚度方向)。第二孔133a與第一孔131a相連通。
第二導電膜132之外表面之一部分透過彼此相連通 之第一孔131a及第二孔133a而暴露於外。第二電力焊墊142形成於第二導電膜132之外表面之所暴露部分處。
一第二連接單元180形成於第二電力焊墊142與第二電極122之間，以用於施加一電子訊號。第二連接單元180具有形成於一線路122a上之一柱形狀且電性耦接至第二導電膜132之一底面，線路122a電性耦接至第二電極122。第二連接單元180可為，但不限於，例如一導電膠帶或一導電球等具有高導電率之一金屬構件。作為另外一種選擇，無需第二連接單元180，第二導電膜132可直接耦接至第二電極122。
用於自外部供應第二電力ELVSS之一第二連接器172耦接至形成於第二導電膜132之外表面之所暴露部分處之第二電力焊墊142。在本實施例中，一絕緣膜亦可形成於其中形成有第一孔131a之第一導電膜131之一內壁上，以用於使具有不同極性之第二連接器172與第一導電膜131之間絕緣。
由此，當電性耦接至第二電極122之線路122a、第二連接單元180以及第二導電膜132彼此電性耦接時，形成一第二電力路徑；且當包含一導電墊圈(將於下文中予以解釋)之第二連接器172附著至第二電力焊墊142時，可供應第二電力ELVSS。
在如上所述構造之顯示裝置100中，因第一孔131a及第二孔133a分別藉由沖孔而形成於第一導電膜131及絕緣膜133中，故可藉由分別將第一連接器171及第二連接器172耦接至第一電力焊墊141及第二電力焊墊142而供應電力。
被沖孔之面積可根據欲在何處供應電力或根據一模組之一結構而變化。可經由一電力路徑供應第一電力ELVDD及第二電力ELVSS。該電力路徑係藉由折疊密封基板130之一部分以電性耦接該部分之各端部而形成，而非藉由沖孔而形成。
第2圖係為一電路圖，其例示根據本發明一實施例之第1圖所示顯示裝置之一子畫素200。
參照第2圖，子畫素200包含一有機發光元件(例 如一有機發光二極體)以及一畫素電路210，畫素電路210耦接至一資料線D以及一掃描線S且控制該有機發光元件OLED。
在第1圖中，該有機發光元件之一陽極(例如第一電極121)耦接至畫素電路210，且該有機發光元件之一陰極(例如第二電極122)電性耦接至一電力供應源。該電力供應源供應第二電力ELVSS。
如上所述構造之有機發光元件OLED產生光(例如具有一預定亮度之光)以對應於自畫素電路210所供應之電流。
當一掃描訊號被施加至掃描線S時，畫素電路210對應於被施加至資料線D之一資料訊號而控制被供應至有機發光元件OLED之電流量。為此，畫素電路210包含一第一薄膜電晶體TR1、一第二薄膜電晶體TR2以及一電容器Cst。第一薄膜電晶體TR1耦接至資料線D及掃描線S。第二薄膜電晶體TR2耦接至第一薄膜電晶體TR1及用於供應第一電力ELVDD之一電力供應源。電容器Cst耦接至第一薄膜電晶體TR1及第二薄膜電晶體TR2。
在第一薄膜電晶體TR1中，一閘電極耦接至掃描線S以接收一掃描訊號，一第一電極耦接至資料線D，且一第二電極耦接至電容器Cst之一端子。在本實施例中，該第一電極被設置為一源電極及一汲電極其中之一者，且該第二電極被設置為該源電極及該汲電極其中之另一者。例如，當該第一電極被設置為一汲電極時，該第二電極被設置為一源電極。當自掃描線S施加一掃描訊號時，耦接至掃描線S及資料線D之第一薄膜電晶體TR1開啟，且自資料線D施加一資料訊號至電容器Cst，藉此對電容器Cst充以對應於該資料訊號之一電壓。
在第二薄膜電晶體TR2中，一閘電極耦接至電容器Cst之一端子，且一第一電極耦接至第一電力ELVDD之電力供應源。第二薄膜電晶體TR2之一第二電極耦接至電容器Cst之另一端子以及有機發光元件OLED之陽極。
第二薄膜電晶體TR2對應於電容器Cst中所儲存之能量而控制自第一電力ELVDD之電力供應源經由有機發光元件 OLED流動至第二電力ELVSS之電力供應源之電流量。
電容器Cst之一端子耦接至第二薄膜電晶體TR2之閘電極，且電容器Cst之另一端子耦接至該有機發光元件之陽極。電容器Cst被充以對應於一資料訊號之一電壓。
如上所述構造之子畫素200可藉由供應與電容器Cst中所充能量相對應之一電流至該有機發光元件而顯示一影像(例如具有一預定亮度之一影像)。
第3圖係為例示根據本發明一實施例之一顯示裝置300之一子畫素之剖面圖。第3圖之顯示裝置300係為一有機發光顯示裝置。
參照第3圖，顯示裝置300包含一基板301，基板301可為一玻璃基板、或為包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)或聚醯亞胺(polyimide；PI)之一塑膠基板。
一阻擋層302形成於基板301上，且可由一無機材料(例如矽氧化物(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、一氧化鋁(AlO)或氮氧化鋁(AlON))、或一有機材料(例如壓克力(acryl)或聚醯亞胺)形成，或者可藉由交替地堆疊一有機材料與一無機材料而形成。阻擋層302阻擋氧氣及濕氣，減少或防止自基板301所產生之濕氣或雜質擴散，並調節結晶期間之一熱傳遞速率，藉此有助於一半導體之結晶。
一薄膜電晶體形成於阻擋層302上。儘管該薄膜電晶體於第3圖中係為一頂部閘極型薄膜電晶體，然而本實施例並不僅限於此，且該薄膜電晶體可為一底部閘極型薄膜電晶體。
一半導體主動層303形成於阻擋層302上。當半導體主動層303係由聚矽氧烷(polysilicone)形成時，可形成非晶聚矽氧且隨後使其結晶而形成聚矽氧烷。使非晶聚矽氧結晶之方法之實例包括快速熱退火(rapid thermal annealing；RTA)、固相結晶(solid phase crystallization；SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing；ELA)、金屬誘導結晶(metal induced crystallization；MIC)、金屬誘導橫向結晶(metal induced lateral crystallization；MILC)、順序橫向固化(sequential lateral solidification；SLS)以及低溫聚矽氧烷製程(low temperature polysilicone；LTPS)。
一源極區304及一汲極區305藉由摻雜N型雜質離子或P型雜質離子而形成於半導體主動層303上。源極區304與汲極區305間之一區域係為一通道區306，通道區306未摻雜有雜質。
一閘極絕緣膜307沈積於半導體主動層303上，並具有由二氧化矽(SiO2)形成之一單層結構或具有由二氧化矽及氮化矽(SiNx)形成之一雙層結構。
一閘電極308形成於閘極絕緣膜307之一部分上，並耦接至一閘極線(圖未示出)以用於施加一薄膜電晶體開/關訊號。閘電極308可由一單一金屬或複數種金屬形成。例如，閘電極308可具有由鉬(Mo)、鉬鎢合金(MoW)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鎢(W)或金(Au)形成之一單層結構，或可具有由上述金屬之一組合形成之一多層結構。
一層間絕緣膜309形成於閘電極308上，一源電極311電性耦接至源極區304，且一汲電極312經由接觸孔310而電性耦接至汲極區305。
層間絕緣膜309可由一絕緣材料(例如二氧化矽或氮化矽)或一絕緣有機材料形成。接觸孔310可藉由選擇性地移除閘極絕緣膜307及層間絕緣膜309之某些部分而形成。
一保護膜313形成於源電極311及汲電極312上。保護膜313使得能夠進行平坦化並保護其下面之薄膜電晶體。保護膜313可以各種形式形成，並且可由例如一有機材料(例如苯並環丁烯(benzocyclobutene；BCB)或壓克力)或一無機材料(例如氮化矽)形成，且可具有一單層結構或一多層結構。
上面形成有薄膜電晶體之基板301對應於上面形成 有薄膜電晶體之基板110(第1圖)。
一顯示元件形成於該薄膜電晶體上。儘管在第3圖中顯示一有機發光元件(例如有機發光二極體)，然而本實施例並不僅限於此，且可使用各種顯示元件其中之任一種。
一第一電極315經由一接觸孔314電性耦接至源電極311或汲電極312，以形成該有機發光元件。第一電極315用作該有機發光元件之一陽極，其可由各種導電材料其中之任一種形成，並且可根據欲形成之有機發光元件之類型而為一透明電極或一反射電極。例如，當第一電極315係為一透明電極時，第一電極315可包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)；當第一電極315係為一反射電極時，一反射膜可由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、或其一化合物形成，且可隨後於該反射膜上形成銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或氧化銦。
由一有機材料形成之一畫素界定層(pixel-defining layer；PDL)316形成於保護膜313上，以覆蓋該有機發光元件之第一電極315之一部分。
當畫素界定層316之一部分被蝕刻時，一有機層317形成於第一電極315之一暴露部分上。該有機發光元件之一第二電極318形成於有機層317上。
第一電極315及第二電極318藉由有機層317而彼此絕緣，且當具有不同極性之電壓被施加至有機層317時，會自有機層317發光。
儘管為便於解釋，有機層317被圖案化成對應於每一子畫素(即，第3圖中之第一電極315)，然而有機層317可與一相鄰子畫素之有機層317一體形成。作為另外一種選擇，有機層317之某些層可於每一子畫素中個別地形成，而有機層317之其他層可與一或多個相鄰子畫素之一或多個有機層317一體形成。
有機層317可由例如一低分子有機材料或一聚合物 有機材料形成。當有機層317係由一低分子有機材料形成時，有機層317可具有包含一電洞注入層(hole injection layer；HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、一發射層(emissive layer；EML)、一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)或一電子注入層(electron injection layer；EIL)之一單層結構、或具有包含上述層之一組合之一多層結構。而且，用於形成有機層317之低分子有機材料之實例可包括銅酞菁(copper phthalocyanine；CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine；NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum；Alq3)。該等低分子有機材料可藉由利用真空沈積或類似工藝而形成。
當有機層317係由一聚合物有機材料形成時，有機層317可具有包含一電洞傳輸層及一發射層之一結構，並且該電洞傳輸層可由聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)(poly-(3,4)-ethylenedioxythiophene；PEDOT)形成，而該發射層可由聚對苯撐乙炔基(poly-phenylenevinylene-based；PPV-based)或聚芴基(polyfluorene-based)聚合物有機材料形成。該等聚合物有機材料可藉由絲網印刷或噴墨印刷而形成。
有機層317並不限於上述實施例及實例，且有機層317可以各種其他方式形成。
類似於第一電極315，用作一陰極之第二電極318可為一透明電極或一反射電極。當第二電極318係為一透明電極時，第二電極318可藉由如下方式形成：於有機層317上沈積具有一低功函數之一金屬(例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或其一化合物)，並由用於形成一透明電極之一材料(例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或氧化銦)形成一輔助電極於該金屬上。
當第二電極318係為一反射電極時，第二電極318係藉由沈積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或其一化合物而形成。
當第一電極315被形成為一透明電極或一反射電極時，第一電極315可被形成為具有與子畫素之一開口之一形狀相適形之一形狀。當第二電極318被形成為一透明電極或一反射電極時，第二電極318可藉由沈積一材料於一顯示區域之一整個表面上而形成(儘管第二電極318無須沈積於整個表面上)，且可以各種圖案其中之任一種形成。在本實施例中，第一電極315與第二電極318之位置可顛倒。
包含第一電極315、第二電極318及有機層317之有機發光元件對應於第1圖所示包含第一電極121、第二電極122及有機層123之有機發光元件。由此，包含薄膜電晶體及有機發光元件之一顯示單元形成於基板301上。
一密封基板319耦接至有機發光元件。密封基板319對應於第1圖所示包含第一導電膜131、第二導電膜132及絕緣膜133之密封基板130。
第4圖係為例示根據本發明一實施例之一連接器400之立體圖。第5圖係為例示第4圖所示實施例之連接器400之立體分解圖。第6圖係為例示第4圖所示實施例之連接器400之一底面之立體圖。第7圖係為例示第4圖所示實施例之連接器400在耦接至一電力焊墊551時之局部剖視立體圖。
第4圖所示之連接器400對應於第一連接器171及第二連接器172，第一連接器171及第二連接器172分別耦接至形成於第1圖所示實施例之密封基板130上之第一電力焊墊141及第二電力焊墊142。而且，提供二連接器400，且該二連接器400分別耦接至二電力焊墊551(參見第7圖)。
參照第4圖至第7圖，連接器400包含一殼體單元410、一電力連接單元420及一電力接觸單元430，電力連接單元420位於殼體單元410中且電性耦接至一密封基板530之電力焊墊551，電力接觸單元430使電力焊墊551與電力連接單元420之間能夠進行電性接觸。
電力連接單元420中包含至少一電路板421。用於供 應第一電力ELVDD或第二電力ELVSS之一電路圖案形成於電路板421上。
一導電墊圈422耦接至電路板421。導電墊圈422之一側電性耦接至電路板421，而導電墊圈422之另一側則電性耦接至電力焊墊551。為此，如第8圖所示，導電墊圈422包含一彈性部423，彈性部423具有彈性且具有由一彈性材料(例如聚氨基甲酸酯(polyurethane)、橡膠或聚矽氧)形成之一墊圈形狀。彈性部423可經過一耐熱處理(resistance heat treatment)。
一導電部425形成於彈性部423之一外表面上並環繞彈性部423，且導電部425與彈性部423之間具有一耐熱黏合劑424。導電部425可由一金屬箔形成。例如，導電部425可藉由形成一銅箔於聚醯亞胺上而形成。一金屬鍍覆層(例如一錫鍍覆層)可更形成於該銅箔之一外表面上。
當導電墊圈422維持15%或更大之一壓縮率時，導電墊圈422可確保以一可靠面積與電力焊墊551接觸。相應地，導電墊圈422之面向電力焊墊551之一外表面係為彎曲的，以確保以一更均勻(或實質均勻)之面積與電力焊墊551接觸。
用於供應電力之一外部電源供應單元之複數條導線426耦接至電路板421之一端。
包含電路板421及導電墊圈422之電力連接單元420安裝於殼體單元410中。
可使用一額外裝置以維持當連接器400被耦接至電力焊墊551時之接觸。例如，當使用例如焊接或軟焊等熱接合方法時，可能會對密封基板530造成損壞。據此，為避免、減少或防止此種損壞，電力接觸單元430可利用磁性而維持電力焊墊551與連接器400間之接觸。
電力接觸單元430可包含一磁性材料，例如一釹磁鐵。電力接觸單元430位於導電墊圈422周圍，且具有一第一表面431及一第二表面432，第一表面431面向密封基板530，第二表面432則與第一表面431相對。第一表面431附著至密封基板 530之一外表面，且第二表面432被插入殼體單元410中。
在本實施例中，一導電板440可更設置於電力接觸單元430與密封基板530之間。例如，當密封基板530之外表面係由銅形成時，密封基板530並不附著至由一磁性材料形成之電力接觸單元430。因此，電力接觸單元430可能不會維持連接器400與電力焊墊551間之接觸。
為避免或防止此種問題或降低此種問題之程度，導電板440設置於密封基板530之外表面上，且可利用雙面膠帶(double-sided tape)而固定至密封基板530之外表面。電力接觸單元430之第一表面431附著至導電板440之一安裝表面441。
導電板440耦接至殼體單元410，在殼體單元410中容納有包含電路板421及導電墊圈422之電力連接單元420、以及電力接觸單元430。
現在，將解釋其中如上所述構造之連接器400耦接至電力焊墊551之一狀態。
上面形成有一電路圖案層之電路板421安裝於殼體單元410中。該等導線426係作為自外部電源供應單元供應電力時所經之路徑，其耦接至電路板421。
導電墊圈422之一側電性耦接至電路板421之一底面。導電墊圈422之另一側則接觸形成於密封基板530上之電力焊墊551。藉此，第一電力ELVDD或第二電力ELVSS可被供應至一顯示裝置。
因導電墊圈422具有15%或更大之一壓縮率且因導電墊圈422之面向電力焊墊551之外表面係為彎曲的，故導電墊圈422可使得以一更均勻(或實質均勻)之面積與電力焊墊551接觸。
為維持導電墊圈422與電力焊墊551間之接觸，電力接觸單元430附著至導電板440。導電板440利用雙面膠帶而固定至密封基板530之外表面，且電力接觸單元430附著至導電板440之安裝表面441。
由此，因電力接觸單元430附著至導電板440，故第一電力ELVDD或第二電力ELVSS可經由連接器400而被供應至電力焊墊551。
上文已對第一電力ELVDD及第二電力ELVSS分別被供應至顯示裝置中具有一正極性之一第一電極及具有一負極性之一第二電極時所經之一第一電力路徑及一第二電力路徑予以解釋，故不再贅述。
第9圖係為例示根據本發明另一實施例之一連接器900之立體圖。
在第4圖中，顯示二連接器400，其用於供應第一電力ELVDD及第二電力ELVSS至一顯示裝置之一第一焊墊及一第二焊墊。
在第9圖中，使用一個連接器900而非該二連接器400來供應第一電力ELVDD及第二電力ELVSS。為此，於連接器900之一殼體單元910中設置包含複數個導電墊圈422(參見第4圖)之複數個電力連接單元420(參見第4圖)。
而且，於殼體單元910中形成至少一電力接觸單元930，以當電力連接單元420之導電墊圈422被同時耦接(同時地耦接)至形成於一密封基板上之複數個焊墊時維持接觸。電力接觸單元930係由一磁性材料形成且設置於導電墊圈422周圍。
由此，因將用於供應第一電力ELVDD及第二電力ELVSS之二連接器組合成一個連接器900，且因電力接觸單元之數目、連接器被耦合之次數或連接器之數目減少，故可降低成本。
綜上所述，因根據本發明實施例之顯示裝置被構造成使包含一導電墊圈之一連接器接觸形成於一密封基板上之一電力焊墊以供應電力，故無需使用焊接或軟焊。據此，可避免對顯示裝置造成損壞。而且，當供應電力時，因具有磁性之一電力接觸單元設置於上面形成有電力焊墊之密封基板與連接器之間，故可維持接觸且可穩定地供應電力。
儘管已參照本發明之實例性實施例對本發明進行了 具體顯示及說明，然而所屬技術領域具有通常知識者將理解，可在不背離由隨附申請專利範圍及其等效範圍所界定之本發明之精神及範圍之條件下對本發明作出形式及細節上之各種改變。
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧有機發光元件
121‧‧‧第一電極
121a‧‧‧線路
122‧‧‧第二電極
122a‧‧‧線路
123‧‧‧有機層
130‧‧‧密封基板
131‧‧‧第一導電膜
131a‧‧‧第一孔
132‧‧‧第二導電膜
133‧‧‧絕緣膜
133a‧‧‧第二孔
134‧‧‧第一表面
135‧‧‧第二表面
141‧‧‧第一電力焊墊
142‧‧‧第二電力焊墊
150‧‧‧第一連接單元
151‧‧‧第一連接元件
152‧‧‧接觸單元
153‧‧‧第二連接元件
161‧‧‧空間
171‧‧‧第一連接器
172‧‧‧第二連接器
180‧‧‧第二連接單元

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板；一顯示單元，位於該基板上；一密封基板，耦接至該顯示單元；複數個電力焊墊(power pad)，位於該密封基板上並電性耦接至該顯示單元；以及一連接器，包含一殼體單元、一電力連接單元及一電力接觸單元，該電力連接單元電性耦接至該等電力焊墊，該電力接觸單元用於維持該等電力焊墊與該電力連接單元接觸；其中，該電力連接單元包含：一電路板，用於施加一電子訊號至該等電力焊墊；以及一導電墊圈，包含一彈性部、一導電部、一第一側及一第二側，該導電部耦接至該彈性部並耦接至該電路板及該等電力焊墊，該第一側電性耦接至該電路板，該第二側電性耦接至該等電力焊墊。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中複數條導線耦接至該電路板且用以耦接至一外部電源供應單元以供應外部電力。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電部環繞該彈性部且該導電部與該彈性部之間具有一黏合劑。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電墊圈之一外表面係為彎曲的，以使得該導電墊圈之一實質均勻面積與該等電力焊墊接觸。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該彈性部包含聚氨基甲酸酯(polyurethane)、橡膠、或聚矽氧(silicone)至少其中之一。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該導電部包含一金屬箔。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該電力接觸單元包含一磁性材料，以利用磁力將該密封基板吸引至該連接器。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該磁性材料包含一釹磁鐵。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該電力接觸單元包含一第一表面及一第二表面，該第一表面附著至該密封基板之一外表面，該第二表面與該第一表面相對並位於該殼體單元中。
  10. 如請求項7所述之顯示裝置，更包含位於該密封基板與該連接器間之一導電板。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該電力接觸單元包含一第一表面及一第二表面，該第一表面附著至該導電板之一安裝表面，該第二表面與該第一表面相對並位於該殼體單元中，其中該導電板藉由一黏合劑而附著至該密封基板之一外表面。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等電力焊墊包含一第一電力焊墊及一第二電力焊墊，其中該連接器包含至少一電力接觸單元、一第一電力連接單元以及一第二電力連接單元，該第一電力連接單元及該第二電力連接單元位於該殼體單元中並分別電性耦接至該第一電力焊墊及該第二電力焊墊。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等電力焊墊包含分別接觸該導電墊圈之一第一電力焊墊及一第二電力焊墊，其中該密封基板包含：一絕緣膜，包含一第一表面及一第二表面，該第一表面面離該顯示單元，該第二表面面向該顯示單元；一第一導電膜，位於該第一表面上；以及一第二導電膜，位於該第二表面上，其中，該第一電力焊墊係用於供應一第一電力且位於該第一導電膜之一表面上，以及其中，該第二電力焊墊係用於供應一第二電力並位於該第二導電膜之一表面上。
  14. 如請求項13所述之顯示裝置，其中該顯示單元包含一第一電極及一第二電極，該第一電極具有一正極性，該第二電極具有一負極性，其中，用於施加一電子訊號之一第一連接單元位於該第一電極與該第一導電膜之間以形成一第一電力路徑，以及用於施加一電子訊號之一第二連接單元位於該第二電極與該第二導電膜之間以形成一第二電力路徑。
  15. 如請求項14所述之顯示裝置，其中該第一連接單元包含：一第一連接元件，位於一線路(wiring line)上，該線路耦接至該第一電極；一接觸單元，電性耦接至該第一連接元件並對應於該第二導電膜中之一間隙；以及一第二連接元件，位於該絕緣膜之一邊緣處並電性耦接至該接觸單元及該第一導電膜。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中各該第一連接元件及該第二連接元件分別包含一導電膠帶(conductive tape)或一導電球。
  17. 如請求項14所述之顯示裝置，其中該第二電力焊墊位於該第二導電膜之一外表面上，該外表面透過該第一導電膜中之一第一孔及該絕緣膜中之一第二孔而暴露於外。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置，其中該第二連接單元位於一線路上並電性耦接至該第二導電膜，該線路耦接至該第二電極。
  19. 如請求項18所述之顯示裝置，其中該第二連接單元包含一導電膠帶或一導電球。
  20. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示單元包含：一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)，位於該基板上；一絕緣層，用於使該薄膜電晶體之一元件絕緣；以及一有機發光元件，電性耦接至該TFT，並包含一第一電極、一有機層以及一第二電極，該有機層位於該第一電極上，該 第二電極位於該有機層上。
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