CN103633113B - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103633113B CN103633113B CN201310115942.XA CN201310115942A CN103633113B CN 103633113 B CN103633113 B CN 103633113B CN 201310115942 A CN201310115942 A CN 201310115942A CN 103633113 B CN103633113 B CN 103633113B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power
- display device
- unit
- electrode
- connection unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 88
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- -1 glycol ester Chemical class 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N AlO Inorganic materials [Al]=O AIRCTMFFNKZQPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/06—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure on insulating boards, e.g. wiring harnesses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
Abstract
一种显示设备，包括基板、位于基板上的显示单元、耦合到显示单元上的密封基板、多个功率焊盘和连接器。所述功率焊盘位于密封基板上且电耦合至显示单元。所述连接器包括壳体单元、电耦合至多个功率焊盘的功率联接单元、和用于保持多个功率焊盘和功率联接单元之间接触的功率接触单元。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年8月21日于韩国知识产权局提交的第10-2012-0091473号韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文中。技术领域
本发明的实施方式涉及可耦合到功率焊盘的显示设备。
背景技术
有机发光显示设备是自发射型显示设备，其具有宽视角、大对比度和快速反应时间的优点。因此，有机发光显示设备可以用于便携式设备，例如数字照相机、摄影机、摄像机、可移动信息终端、智能电话、超薄笔记本和平板个人电脑，还可以用于例如超薄电视机的电子设备。
柔性显示设备便于携带并且可适用于具有各种形状的设备，因此，近年来作为下一代显示设备而得到广泛研究。在这些柔性显示设备中，基于有机发光显示的柔性显示设备最具前景。
为了驱动诸如有机发光显示设备的显示设备，可以使用电耦合至功率焊盘的功率联接单元（例如柔性印刷电线（FPC））。为了将FPC耦合到功率焊盘上，必须通过焊接或锡焊来施加热量。但是，因为显示设备由薄膜材料形成，所以这样可能产生热变形。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种显示设备，该显示设备具有可以耦合到功率焊盘的连接器结构。
根据本发明实施方式的一个方面，提供了一种显示设备，包括基板、位于基板上的显示单元、耦合到显示单元上的密封基板、位于密封基板上且电耦合至显示单元的多个功率焊盘、和连接器，该连接器包括壳体单元、电耦合至多个功率焊盘的功率联接单元、和用于保持多个功率焊盘和功率联接单元之间接触的功率接触单元。
功率联接单元可以包括电路板和导电衬垫，电路板用于将电信号施加到多个功率焊盘，导电衬垫包括电耦合至电路板的第一侧和电耦合至多个功率焊盘的第二侧。
用于提供外部功率的外部电源单元的多条电线可以耦合到电路板上。
导电衬垫可以包括弹性部分和导电部分，导电部分耦合到弹性部分且耦合到电路板和多个功率焊盘上。
导电部分可以围绕弹性部分，导电部分和弹性部分之间具有粘合剂。
导电衬垫的外表面可以被弯曲，以与多个功率焊盘进行大体均匀的面接触。
弹性部分可以包括聚氨基甲酸酯、橡胶或硅酮的至少一种。
导电部分可以包括金属箔。
功率接触单元可以包括使用磁力将密封基板吸引至连接器的磁性材料。
磁性材料可以包括钕磁铁。
功率接触单元可以包括连接到密封基板的外表面的第一表面和与第一表面相对且位于壳体单元中的第二表面。
显示设备还可以包括密封基板和连接器之间的导电板。
功率接触单元可以包括连接到导电板安装表面的第一表面和与第一表面相对且位于壳体单元中的第二表面，导电板可以通过粘合剂连接到密封基板的外表面。
多个功率焊盘可以包括第一功率焊盘和第二功率焊盘，连接器可以包括至少一个功率接触单元、第一和第二功率联接单元，第一和第二功率联接单元位于壳体单元中并且分别电耦合至第一功率焊盘和第二功率焊盘。
多个功率焊盘可以包括均与导电衬垫接触的第一功率焊盘和第二功率焊盘，密封基板可以包括绝缘膜、第一导电膜和第二导电膜，绝缘膜包括背对显示单元的第一表面和面向显示单元的第二表面，第一导电膜位于第一表面上，第二导电膜位于第二表面上，第一功率焊盘可以提供第一功率并且可以位于第一导电膜的表面上，第二功率焊盘可以提供第二功率并且可以位于第二导电膜的表面上。
显示单元可以包括具有正极性的第一电极和具有负极性的第二电极，用于施加电信号的第一连接单元可以位于第一电极和第一导电膜之间以形成第一功率路径，用于施加电信号的第二连接单元可以位于第二电极和第二导电膜之间以形成第二功率路径。
第一连接单元可以包括第一联接单元、接触单元、和第二联接单元，第一联接单元位于与第一电极耦合的线路上，接触单元电耦合至第一联接单元且与第二导电膜中的间隙相对应，第二联接单元位于绝缘膜的边缘处且电耦合至接触单元和第一导电膜。
第一联接单元和第二联接单元中的每个都可包括导电带或导电球。
第二衬垫可以位于第二导电膜的外表面，该外表面通过第一导电膜中的第一孔和绝缘膜中的第二孔暴露于外部。
第二连接单元可以位于耦合到第二电极的线路上并且可以电耦合至第二导电膜。
第二连接单元可以包括导电带或导电球。
显示单元可以包括基板上的薄膜晶体管（TFT）、用于绝缘TFT元件的绝缘层、以及有机发光元件，有机发光元件电耦合至TFT且包括第一电极、第一电极上的有机层、和有机层上的第二电极。
附图简要说明
通过参照附图详细地描述示例性实施方式，本发明的实施方式的上述和其他方面将是更加显而易见的，在附图中：
图1是示出根据本发明实施方式的显示设备的剖视图；
图2是示出根据本发明实施方式的图1的显示设备的子像素的电路图；
图3是示出根据本发明实施方式的显示设备的子像素的剖视图；
图4是示出根据本发明实施方式的连接器的立体图；
图5是示出图4所示实施方式的连接器的分解立体图；
图6是示出图4所示实施方式的连接器的下表面的立体图；
图7是示出耦合到功率焊盘的图4所示实施方式的连接器的局部立体图；
图8是示出图4所示实施方式的导电衬垫的剖视图；以及
图9是示出根据本发明另一实施方式的连接器的立体图。
具体实施方式
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关项的任意组合或全部组合。一系列元件的诸如“至少一个”的表述用于修饰该系列的所有元件，而不是修饰该系列元件的单个元件。
因为可以对本发明的示例性实施方式进行各种修改或替换，所以在附图中仅通过举例示出了本发明的具体实施方式，并且在本文中将详细地描述这些具体实施方式。但是，应当理解，这并不试图将本发明的示例性实施方式限定到所公开的具体形式中，相反地，本发明的示例性实施方式应包括落入本发明精神和范围内的所有修改、等同和替代。对于可能导致本发明的主题不清楚的、本发明包括的已知功能和结构，在以下描述中将省略对其的详细说明。
应当理解，虽然在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些术语不应限定这些元件，这些术语仅用于区分各种元件。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式，而不是用于限制本发明的示例性实施方式。如本文中所使用的，除非在上下文中清楚地指明，否则单数形式“一个”和“所述”也旨在包括复数形式，还应当理解，当在本文中使用术语“包括”时，该术语表示存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或增加。
现在将参照附图更加全面地描述本发明的实施方式，在附图中示出了发明的示例性实施方式。在附图中，相同的参考标记表示相同的元件，并且将省略重复的详细说明。
图1是示出根据本发明实施方式的显示设备100的剖视图。
虽然在图1中显示设备100是有机发光显示设备，但是该实施方式并不限于此，显示设备100可以是液晶显示设备、场致发射显示设备、等离子体显示设备、电致发光显示设备或电泳显示设备。
参照图1，显示设备100包括基板110，在基板110上形成至少一个薄膜晶体管（TFT）。基板110可以是由玻璃或塑料形成的绝缘基板。
诸如有机发光二极管（OLED）的有机发光元件120形成在基板110上。有机发光元件120包括第一电极121、第二电极122和有机层123，有机层123位于第一电极121和第二电极122之间。
用于对基板110之上的空间进行密封的密封基板130设置在有机发光元件120之上。
密封基板130包括第一导电膜131、第二导电膜132和绝缘膜133，绝缘膜133位于第一导电膜131和第二导电膜132之间。
第一导电膜131堆放在绝缘膜133的第一表面134上，第一表面134背向有机发光元件120。第二导电膜132接触绝缘膜133的第二表面135，第二表面135面向有机发光元件120。
用于提供第一功率ELVDD的第一功率焊盘（power pad）141形成在第一导电膜131上，用于提供第二功率ELVSS的第二功率焊盘142形成在第二导电膜132上。
第一功率焊盘141电耦合至具有正(+)极性的第一电极121上。用于施加电信号的第一连接单元150形成在第一功率焊盘141和第一电极121之间。
第一连接单元150包括第一联接单元151、接触单元152和第二联接单元153。
第一联接单元151在线路121a上形成为柱形，线路121a电耦合至第一电极121。第一联接单元151可以但不限于是具有高导电性的任意金属构件，例如导电带或导电球。
接触单元152形成在与第二导电膜132相同的水平面上。接触单元152可以使用第二导电膜132形成。也就是说，当使用金属压机（metal press）来压制第二导电膜132时，可以通过去除第二导电膜132的一部分来形成间隔（例如间隙）161，并且通过在接触单元152和第二导电膜132之间的间隔161，接触单元152可以形成为与第二导电膜132绝缘。接触单元152对应于独立形成的第二导电膜132的一部分，间隔161位于接触单元152和第二导电膜132之间。接触单元152电耦合至第一联接单元151。
可替代地，电耦合至第一联接单元151的导电层可以形成在第二导电膜132的边缘的周围，导电层与第二导电膜132的边缘之间具有间距。此外，用于改进绝缘性能的绝缘材料可以施加在第二导电膜132和接触单元152之间。
第二联接单元153形成在与绝缘膜133相同的水平面上，并且形成在绝缘膜133的边缘处。第二联接单元153可以但不限于是例如导电带或导电球的导电构件。第二联接单元153的一侧电耦合至接触单元152，第二联接单元153的另一侧电耦合至第一导电膜131。
用于从外部提供第一功率ELVDD的第一连接器171耦合到位于第一导电膜131外表面上的第一功率焊盘141。
因此，当电耦合至第一电极121的线路121a、第一联接单元151、接触单元152、第二联接单元153和第一导电膜131彼此电耦合时，形成第一功率路径，并且当包括如下所述的导电衬垫的第一连接器171连接到第一功率焊盘141时，可以提供第一功率ELVDD。
第二功率焊盘142电耦合至具有负(-)极性的第二电极122，并且第二功率焊盘142形成在当第一导电膜131和绝缘膜133中分别形成孔131a和133a时所暴露的第二导电膜132的外表面处。
也就是说，第一孔131a形成在第一导电膜131中（在第一导电膜131的厚度方向中）。第二孔133a形成在绝缘膜133中（在绝缘膜133的厚度方向中）。第二孔133a与第一孔131a连通。
通过第一孔131a和与第一孔131a连通的第二孔133a，第二导电膜132的外表面的一部分暴露到外部。第二功率焊盘142形成在第二导电膜132的外表面的暴露部分处。
为了在第二功率焊盘142和第二电极122之间施加电信号，形成第二连接单元180。第二连接单元180在电耦合至第二电极122的线路122a上形成为柱形，并且第二连接单元180电耦合至第二导电膜132的下表面。第二连接单元180可以但不限于是具有高导电性的金属构件，例如导电带或导电球。可替代地，在没有第二连接单元180的情况下，第二导电膜132可以直接耦合至第二电极122。
用于从外部提供第二功率ELVSS的第二连接器172耦合到在第二导电膜132的外表面的暴露部分处形成的第二功率焊盘142上。在本实施方式中，用于在具有不同极性的第二连接器172和第一导电膜131之间进行绝缘的绝缘膜也可以形成在形成有第一孔131a的第一导电膜131的内壁上。
因此，当电耦合至第二电极122的线路122a、第二连接单元180和第二导电膜132彼此电耦合时，形成第二功率路径，并且当包括如下所述的导电衬垫的第二连接器172连接到第二功率焊盘142时，可以提供第二功率ELVSS。
在如上所述构造的显示设备100中，因为使用冲孔将第一孔131a和第二孔133a分别形成在第一导电膜131和绝缘膜133中，所以可以通过将第一连接器171和第二连接器172分别耦合第一功率焊盘141和第二功率焊盘142来提供功率。
将被冲孔的区域可以根据将提供功率的位置进行变化，或者根据模块的结构进行变化。可以通过使密封基板130的一部分折叠以电耦合该部分的端部而形成的功率路径，来提供第一功率ELVDD和第二功率ELVSS，从而取代冲孔。
图2是示出根据本发明实施方式的图1的显示设备的子像素200的电路图。
参照图2，子像素200包括诸如OLED的有机发光元件和像素电路210，像素电路210耦合到数据线D和扫描线S上并且控制有机发光元件OLED。
在图1中，有机发光元件的阳极（例如第一电极121）耦合到像素电路210，有机发光元件的阴极（例如第二电极122）电耦合至提供第二功率ELVSS的电源。
如上所述构造的有机发光元件OLED产生光（例如具有预定亮度的光），以对应于像素电路210提供的电流。
当扫描信号施加到扫描线S时，像素电路210控制与施加给数据线D的数据信号对应的、提供给有机发光元件OLED的电流的量。为此，像素电路210包括耦合到数据线D和扫描线S的第一TFT TR1、耦合到第一TFT TR1和提供第一功率ELVDD的电源的第二TFT TR2、以及耦合到第一TFT TR1和第二TFT TR2的电容Cst。
在第一TFT TR1中，栅电极耦合到扫描线S以接收扫描信号，第一电极耦合到数据线D，并且第二电极耦合到电容Cst的接线端。在本实施方式中，第一电极设成源电极和漏电极中的一个，第二电极设成源电极和漏电极中的另外一个。例如，当第一电极设成漏电极时，第二电极设成源电极。当从扫描线S施加扫描信号时，耦合到扫描线S和数据线D的第一TFT TR1被开启，并且将来自数据线D的数据信号施加到电容Cst，因此以与数据信号对应的电压对电容Cst进行充电。
在第二TFT TR2中，栅电极耦合到电容Cst的一个接线端，第一电极耦合到第一功率ELVDD的电源。第二TFT TR2的第二电极耦合到电容Cst的另一接线端和有机发光元件OLED的正极。
第二TFT TR2控制从第一功率ELVDD的电源通过有机发光元件OLED流入第二功率ELVSS的电源的、与电容Cst中存储的能量对应的电流的值。
电容Cst的一个接线端耦合到第二TFT TR2的栅电极，电容Cst的另一接线端耦合到有机发光元件的阳极。电容Cst以与数据信号对应的电压进行充电。
如上所述构造的子像素200可以通过将与电容Cst所充的能量相对应的电流提供给有机发光元件来显示图像（例如具有预定亮度的图像）。
图3是示出根据本发明的实施方式的显示设备300的子像素的剖视图。图3的显示设备300是有机发光显示设备。
参照图3，显示设备300包括基板301，基板301可以是玻璃基板或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺（PI）的塑料基板。
阻挡层302形成在基板301上，并且可以由诸如SiOx、SiNx、SiON、AlO或AlON的无机材料或者诸如丙烯醛基或聚酰亚胺的有机材料形成，或者可以通过交替地堆叠有机材料和无机材料形成。阻挡层302阻挡氧气和湿气，减少或防止湿气或基板301产生的杂质扩散，以及调整结晶期间的热量传播速度，从而帮助半导体的结晶。
TFT形成在阻挡层302上。虽然在图3中TFT是顶栅型TFT，但是本发明并不限于此，TFT可以是底栅型TFT。
半导体有源层303形成在阻挡层302上。当半导体有源层303由聚硅酮（polysilicone）形成时，无定形硅酮（silicone）可以被形成然后被结晶以形成聚硅酮。结晶无定形硅酮的方法的示例包括：快速热退火（RTA）、固相结晶（SPC）、二聚体激光退火（ELA）、金属诱导结晶（MIC)、金属诱导横向结晶（MILC）、连续横向固化（SLS）和低温聚硅酮（LTPS）。
通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子，在半导体有源层303上形成源极区304和漏极区305。源极区304和漏极区305之间的区域是沟道区306，沟道区306没有掺杂杂质。
栅极绝缘膜307沉积在半导体有源层303上，并且具有由SiO2形成的单层结构或具有由SiO2和SiNx形成的双层结构。
栅电极308形成在栅极绝缘膜307的一部分上，并且耦合到用于向TFT施加开/关信号的栅极线（未示出）上。栅电极308可以由单一金属或多种金属形成。例如，栅电极308可以具有由钼（Mo）、钼钨（MoW）、铬（Cr）、铝（Al）、镁（Mg）、镍（Ni）、钨（W）或金（Au）形成的单层结构，或者可以具有由上述金属组合形成的多层结构。
层间绝缘膜309形成在栅电极308上，源电极311电耦合至源极区304，并且漏电极312通过接触孔310电耦合至漏极区305。
层间绝缘膜309可以由诸如SiO2或SiNx的绝缘材料或绝缘有机材料形成。接触孔310可以通过选择性地去除栅极绝缘膜307和层间绝缘膜309的部分来形成。
钝化膜313形成在源电极311和漏电极312上。钝化膜313实现平面化并且保护其下的TFT。钝化膜313可以不同地形成，并且例如可以由诸如苯并环丁烯（BCB）或丙烯醛基的有机材料或诸如SiNx的无机材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。
其上形成有TFT的基板301对应于其上形成有TFT的基板110（图1）。
显示元件形成在TFT上。虽然在图3中示出了有机发光元件（例如OLED），但是本实施方式并不限于此，而是可以使用任意的各种显示元件。
第一电极315通过接触孔314电耦合至源电极311或漏电极312，以形成有机发光元件。用作有机发光元件阳极的第一电极315可以由各种导电材料形成，并且根据将形成的有机发光元件类型可以是透明电极或反射电极。例如，当第一电极315是透明电极时，第一电极315可以包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）或In2O3，并且当第一电极315是反射电极时，反射膜可以由银（Ag)、镁(Mg)、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）或其混合物形成，然后ITO、IZO、ZnO或In2O3可以形成在反射膜上。
由有机材料形成的像素限定层（PDL）316形成在钝化膜313上，以保护有机发光元件的第一电极315的一部分。
有机层317形成在当蚀刻PDL316的一部分时的第一电极315的暴露部分上。有机发光元件的第二电极318形成在有机层317上。
第一电极315和第二电极318通过有机层317进行绝缘，当具有不同极性的电压施加到有机层317上时，光就从有机层317发出。
虽然为了便于说明，有机层317被图案化以对应于每个子像素，即图3中的第一电极315，但是有机层317可以与相邻子像素的有机层317整体地形成。可替代地，有机层317的某些层可以单独地形成在每个子像素中，并且有机层317的其它层可以与一个或多个相邻子像素的一个或多个有机层317整体地形成。
有机层317例如可以由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。当有机层317由低分子有机材料形成时，有机层317可以具有包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层（EML）、电子传输层（ETL）或电子注入层（EIL）的单层结构或包括上述各种组合的多层结构。并且，通常用于形成有机层317的低分子有机材料的示例可以包括：酞菁铜（CuPc）、N,N'-二（萘-1-基）-N,N'-二苯基-联苯胺（NPB）、和三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。可以使用真空淀积等形成低分子有机材料。
当有机层317由聚合物有机材料形成时，有机层317可以具有包括HTL和EML的结构，HTL可以由聚（3,4-乙烯二氧噻吩）（PEDOT）形成，EML可以由聚亚苯基乙烯（PPV）基或聚芴基聚合物有机材料形成。聚合物有机材料可以通过使用丝网印刷或喷墨印刷形成。
有机层317不局限于上述实施方式和示例，有机层317可以通过各种其他方式形成。
与第一电极315类似，用作阴极的第二电极318可以是透明电极或反射电极。当第二电极318是透明电极时，可以通过将具有低功函数的金属（例如锂（Li）、钙（Ca）、氟化锂/钙（LiF/Ca）、LiF/Al、Al、Mg、或其混合物）沉积在有机层317上以及在该金属上形成具有形成透明电极的材料（例如ITO、IZO、ZnO或In2O3）的辅助电极，来形成第二电极318。
当第二电极318是反射电极时，第二电极318通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其混合物形成。
当第一电极315形成为透明电极或反射电极时，第一电极315可以形成为具有与子像素的开口的形状一致的形状。当第二电极318形成为透明电极或反射电极时，第二电极318可以在显示区的整个表面上沉积材料来形成，但是第二电极318不必沉积在整个表面上，并且可以形成为各种图案。在本实施方式中，可以反转第一电极315和第二电极318的位置。
包括第一电极315、第二电极318和有机层317的有机发光元件对应于图1的包括第一电极121、第二电极122和有机层123的有机发光元件。同样地，包括TFT和有机发光元件的显示单元形成在基板301上。
密封基板319耦合到有机发光元件上。密封基板319对应于图1的包括第一导电膜131、第二导电膜132和绝缘膜133的密封基板130。
图4是示出根据本发明实施方式的连接器400的立体图。图5是示出图4所示的实施方式的连接器400的分解立体图。图6是示出图4所示实施方式的连接器400的下表面的立体图。图7是是示出耦合到功率焊盘551的图4所示的实施方式的连接器400的局部立体图。
图4的连接器400对应于第一连接器171和第二连接器172，第一连接器171和第二连接器172分别耦合到图1所示实施方式的密封基板130上形成的第一功率焊盘141和第二功率焊盘142上。此外，设有两个连接器400，并且两个连接器400分别耦合到两个功率焊盘551（参见图7）。
参照图4至图7，连接器400包括壳体单元410、功率联接单元420和功率接触单元430，功率联接单元420位于壳体单元410中且电耦合至密封基板530的功率焊盘551，功率接触单元430实现功率焊盘551和功率联接单元420之间的电接触。
功率联接单元420中包括至少一个电路板421。用于提供第一功率ELVDD或第二功率ELVSS的电路图案形成在电路板421上。
导电衬垫422耦合到电路板421上。导电衬垫422的一侧电耦合至电路板421，另一侧电耦合至功率焊盘551。为此，如图8所示，导电衬垫422包括弹性部分423，弹性部分423具有弹性并且具有由诸如聚氨基甲酸酯、橡胶或硅酮的弹性材料形成的垫圈形状。弹性部分423可以进行抗热处理。
导电部分425形成在弹性部分423的外表面上并且围绕弹性部分423，在导电部分425和弹性部分423之间具有耐热粘合剂424。导电部分425可以由金属箔形成。例如，导电部分425可以通过在聚酰亚胺上形成铜箔而形成。诸如镀锡层的金属电镀层可以进一步形成在铜箔的外表面上。
当导电衬垫422保持15%或以上的压缩率时，导电衬垫422可以确保与功率焊盘551进行可靠的面接触。因此，面向功率焊盘551的导电衬垫422外表面被弯曲，以确保与功率焊盘551进行更均匀（或大体均匀）的面接触。
用于提供电源的外部电源单元的多条电线426耦合到电路板421的一端。
包括电路板421和导电衬垫422的功率联接单元420安装在壳体单元410中。
用于当连接器400耦合到功率焊盘551时保持接触的附加设备也可以被使用。例如，当使用诸如焊接或锡焊的热结合方法时，可能产生对密封基板530的损伤。因此，为了避免、减少或防止这种损伤，功率接触单元430可以通过使用磁力来保持功率焊盘551和连接器400之间的接触。
功率接触单元430可以包括磁性材料，例如钕磁铁。功率接触单元430位于导电衬垫422周围，并且具有面向密封基板530的第一表面431和与第一表面431相对的第二表面432。第一表面431连接到密封基板530的外表面，第二表面432插入到壳体单元410中。
在本实施方式中，还可以在功率接触单元430和密封基板530之间设置导电板440。例如，当密封基板530的外表面由铜形成时，密封基板530不连接到由磁性材料形成的功率接触单元430上。因此，功率接触单元430可能不能保持连接器400和功率焊盘551之间的接触。
为了避免这个问题或者为了在一定程度上减少这个问题，导电板440设置在密封基板530的外表面上并且可以使用双面胶固定在密封基板530的外表面上。功率接触单元430的第一表面431连接到导电板440的安装表面441上。
导电板440耦合到壳体单元410中，在壳体单元410中收纳包括电路板421和导电衬垫422的功率联接单元420以及功率联接单元430。
现在将描述如上所述构造的连接器400耦合到功率焊盘551的状态。
其上形成有电路图案层的电路板421插在壳体单元410中。作为从外部电源单元提供功率的路径的多条电线426耦合到电路板421上。
导电衬垫422的一侧电耦合至电路板421的下表面。导电衬垫422的另一侧接触在密封基板530上形成的功率焊盘551。因此，第一功率ELVDD或第二功率ELVSS可以提供给显示设备。
由于导电衬垫422具有15%或以上的压缩率并且由于面向功率焊盘551的导电衬垫422的外表面被弯曲，因此导电衬垫422可以与功率焊盘551进行更均匀（或大体均匀）的面接触。
为了保持导电衬垫422和功率焊盘551之间的接触，功率接触单元430连接到导电板440上。使用双面胶将导电板440固定到密封基板530的外表面，功率接触单元430连接到导电板440的安装表面441。
这样，因为功率接触单元430连接到导电板440，所以可以通过连接器400将第一功率ELVDD或第二功率ELVSS提供给功率焊盘551。
因为已经解释了将第一功率ELVDD和第二功率ELVSS分别提供给显示设备中具有正极性的第一电极和具有负极性的第二电极的第一功率路径和第二功率路径，所以将不再对其进行描述。
图9是示出根据另一本发明实施方式的连接器900的立体图。
在图4中，示出了用于将第一功率ELVDD和第二功率ELVSS提供给显示设备的第一衬垫和第二衬垫的两个连接器400。
在图9中，采用一个连接器900而非两个连接器400来提供第一功率ELVDD和第二功率ELVSS。为此，包括多个导电衬垫422（参见图4）的多个功率联接单元420（参见图4）设置在连接器900的壳体单元910中。
此外，至少一个功率接触单元930形成在壳体单元910中，以便在多个功率联接单元420的多个导电衬垫422同时耦合到密封基板上形成的多个衬垫上时保持接触。功率接触单元930由磁性材料形成，并且设置在导电衬垫422周围。
这样，因为用于提供第一功率ELVDD和第二功率ELVSS的两个连接器组合成一个连接器900，并且因为功率接触单元的数目、连接器耦合的次数或连接器的数目被减小，所以可以降低成本。
如上所述，因为根据本发明的实施方式的显示设备构造成使得包括导电衬垫的连接器接触在密封基板上形成以提供电源的功率焊盘，因此不需要焊接或锡焊。这样，可以避免对显示设备的损伤。此外，当提供功率时，因为具有磁力的功率接触单元设置在形成功率焊盘的密封基板和连接器之间，所以可以保持接触并且可以稳定地提供功率。
虽然参照示例性的实施方式示出和描述了本发明的实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，可以对本文进行细节或形式上的变化，而不背离权利要求其等同所限定的本发明的精神和范围。
Claims (21)
1.一种显示设备，包括：
基板；
显示单元，位于所述基板上；
密封基板，耦合到所述显示单元上；
多个功率焊盘，位于所述密封基板上并且电耦合至所述显示单元；以及
连接器，包括壳体单元、功率联接单元和功率接触单元，所述功率联接单元电耦合至所述多个功率焊盘，所述功率接触单元用于保持所述多个功率焊盘和所述功率联接单元之间的接触，
其中，所述功率联接单元包括导电衬垫，所述导电衬垫包括：
弹性部分；以及
导电部分，耦合到所述弹性部分并且耦合到所述多个功率焊盘。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述功率联接单元还包括用于将电信号施加给所述多个功率焊盘的电路板，以及
其中，所述导电衬垫包括通过所述导电部分电耦合至所述电路板的第一侧和电耦合至所述多个功率焊盘的第二侧。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中，配置为待耦合到提供外部功率的外部电源单元的多条电线耦合到所述电路板。
4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电部分围绕所述弹性部分，在所述导电部分和所述弹性部分之间具有粘合剂。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电衬垫的外表面被弯曲，以与所述多个功率焊盘进行均匀的面接触。
6.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述弹性部分包括聚氨基甲酸酯、橡胶或硅酮的至少一种。
7.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电部分包括金属箔。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述功率接触单元包括使用磁力将所述密封基板吸引至所述连接器的磁性材料。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中，所述磁性材料包括钕磁铁。
10.如权利要求8所述的显示设备，其中，所述功率接触单元包括连接到所述密封基板的外表面的第一表面和与所述第一表面相对的且位于所述壳体单元中的第二表面。
11.如权利要求8所述的显示设备，还包括位于所述密封基板和所述连接器之间的导电板。
12.如权利要求11所述的显示设备，其中，所述功率接触单元包括连接到所述导电板的安装表面的第一表面和与所述第一表面相对的且位于所述壳体单元中的第二表面，
其中，所述导电板通过粘合剂连接到所述密封基板的外表面。
13.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个功率焊盘包括第一功率焊盘和第二功率焊盘，以及
其中，所述连接器包括至少一个功率接触单元、第一功率联接单元和第二功率联接单元，所述第一功率联接单元和所述第二功率联接单元位于所述壳体单元中并且分别电耦合至所述第一功率焊盘和所述第二功率焊盘。
14.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个功率焊盘包括第一功率焊盘和第二功率焊盘，所述第一功率焊盘和所述第二功率焊盘的每个均接触所述导电衬垫，
其中，所述密封基板包括：
绝缘膜，包括背向所述显示单元的第一表面和面向所述显示单元的第二表面；
第一导电膜，位于所述第一表面上；以及
第二导电膜，位于所述第二表面上，
其中，所述第一功率焊盘用于提供第一功率，并且位于所述第一导电膜的表面上，以及
其中，所述第二功率焊盘用于提供第二功率，并且位于所述第二导电膜的表面上。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述显示单元包括具有正极性的第一电极和具有负极性的第二电极，
其中，用于施加电信号的第一连接单元位于所述第一电极和所述第一导电膜之间，以形成第一功率路径，以及
用于施加电信号的第二连接单元位于所述第二电极和所述第二导电膜之间，以形成第二功率路径。
16.如权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一连接单元包括：
第一联接单元，位于耦合到所述第一电极的线路上；
接触单元，电耦合至所述第一联接单元并且对应于所述第二导电膜中的间隙；以及
第二联接单元，位于所述绝缘膜的边缘并且电耦合至所述接触单元和所述第一导电膜。
17.如权利要求16所述的显示设备，其中，所述第一联接单元和所述第二联接单元中的每个均包括导电带或导电球。
18.如权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二功率焊盘位于所述第二导电膜的、通过所述第一导电膜中的第一孔和所述绝缘膜中的第二孔暴露于外部的外表面上。
19.如权利要求18所述的显示设备，其中，所述第二连接单元位于耦合到所述第二电极的线路上并且电耦合至所述第二导电膜。
20.如权利要求19所述的显示设备，其中，所述第二连接单元包括导电带或导电球。
21.如权利要求1所述的显示设备、其中，所述显示单元包括：
薄膜晶体管，位于所述基板上；
绝缘层，用于绝缘所述薄膜晶体管的元件；以及
有机发光元件，电耦合至所述薄膜晶体管并且包括第一电极、位于所述第一电极上的有机层和位于所述有机层上的第二电极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0091473 | 2012-08-21 | ||
| KR1020120091473A KR101926072B1 (ko) | 2012-08-21 | 2012-08-21 | 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103633113A CN103633113A (zh) | 2014-03-12 |
| CN103633113B true CN103633113B (zh) | 2018-02-13 |
Family
ID=50147192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310115942.XA Active CN103633113B (zh) | 2012-08-21 | 2013-04-03 | 显示设备 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8994266B2 (zh) |
| KR (1) | KR101926072B1 (zh) |
| CN (1) | CN103633113B (zh) |
| TW (1) | TWI575729B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9337441B2 (en) * | 2014-04-15 | 2016-05-10 | Universal Display Corporation | OLED lighting panel and methods for fabricating thereof |
| CN104576708B (zh) * | 2015-01-28 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled像素结构 |
| CN104953044B (zh) * | 2015-05-06 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性oled及其制作方法 |
| TWI568036B (zh) * | 2015-11-23 | 2017-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
| US9778772B2 (en) | 2015-09-16 | 2017-10-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Bendable device with display in movable connection with body |
| US9923135B2 (en) | 2015-11-23 | 2018-03-20 | Industrial Technology Research Institute | Light-emitting assembly |
| JP2017123459A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | プリント回路基板 |
| CN107817633A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-20 | 惠科股份有限公司 | 信号传输装置及显示装置 |
| KR20200039866A (ko) | 2018-10-05 | 2020-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102420239A (zh) * | 2010-09-24 | 2012-04-18 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示设备 |
| CN102439753A (zh) * | 2009-05-21 | 2012-05-02 | 通用电气公司 | 包括具有磁性材料的电极的oled照明装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW465122B (en) * | 1999-12-15 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
| JP3787518B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2006-06-21 | ポリマテック株式会社 | シーリングコネクタ及び小型情報通信機器の内部音響構造 |
| JP2007005223A (ja) | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 押釦スイッチ用カバー部材 |
| KR101018871B1 (ko) | 2008-09-29 | 2011-03-04 | 주식회사 이송이엠씨 | 전자회로기판 표면 실장용 그라운드 폼 가스켓 및 그 제조방법 |
| KR101595455B1 (ko) | 2009-08-10 | 2016-02-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101275792B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2013-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101394540B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2014-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101201720B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101808730B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101804554B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101772142B1 (ko) * | 2010-11-29 | 2017-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 유기 발광 표시 장치용 밀봉 기판의 제조 방법 |
| KR101771162B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101839954B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| TWI409764B (zh) * | 2010-12-29 | 2013-09-21 | Au Optronics Corp | 發光模組 |
| KR101860507B1 (ko) * | 2011-07-21 | 2018-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101180019B1 (ko) | 2012-01-25 | 2012-09-05 | 김창일 | 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 바이패스모듈 |
-
2012
- 2012-08-21 KR KR1020120091473A patent/KR101926072B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-01-08 US US13/736,761 patent/US8994266B2/en active Active
- 2013-02-25 TW TW102106507A patent/TWI575729B/zh active
- 2013-04-03 CN CN201310115942.XA patent/CN103633113B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102439753A (zh) * | 2009-05-21 | 2012-05-02 | 通用电气公司 | 包括具有磁性材料的电极的oled照明装置 |
| CN102420239A (zh) * | 2010-09-24 | 2012-04-18 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8994266B2 (en) | 2015-03-31 |
| KR20140024774A (ko) | 2014-03-03 |
| TW201409681A (zh) | 2014-03-01 |
| KR101926072B1 (ko) | 2018-12-07 |
| US20140054557A1 (en) | 2014-02-27 |
| TWI575729B (zh) | 2017-03-21 |
| CN103633113A (zh) | 2014-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103633113B (zh) | 显示设备 | |
| CN109509771B (zh) | 显示装置 | |
| CN1949309B (zh) | 柔性平板显示器 | |
| CN101064318B (zh) | 用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | |
| US9370116B2 (en) | Display device | |
| TW546986B (en) | Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof | |
| TWI584457B (zh) | 有機發光顯示裝置與製造有機發光顯示裝置的方法 | |
| US9491870B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US10748853B2 (en) | Flexible display device | |
| US20130168679A1 (en) | Semiconductor display device having patterned pads and in contact with a circuit board by themal adhesive resin material | |
| CN107658386A (zh) | 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置 | |
| US20140055924A1 (en) | Flexible display device | |
| CN103107181A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| KR20130049079A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 | |
| CN1964062A (zh) | 有机发光显示设备 | |
| TW200813961A (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| CN106960861B (zh) | 显示装置 | |
| CN101174380A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR102491881B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| CN100468144C (zh) | 平面显示面板和具有该平面显示面板的平板显示器件 | |
| CN103715223B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
| US11048350B2 (en) | Display device | |
| US20230035664A1 (en) | Display and electronic device | |
| CN103247661B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN113066818B (zh) | 一种显示屏和电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |