KR101180019B1 - 고고도 전자기파 필터(hemp)용 바이패스모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기존의 수입된 고고도 전자기파 필터는 고고도 전자기파에 대한 전처리과정이 없어, 고고도 전자기파의 높은 레벨로 인해 필터의 내부 전자부품이 파괴되어 망가지는 문제점을 개선하고자, HEMP 파워라인 필터부(20), 써지프로텍터디바이스부(30)로 이루어진 고고도 전자기파필터(1) 중 HEMP 파워라인 필터부(20) 선단 일측에 제1 바이패스모듈(10a), 제2 바이패스모듈(10b), 제3 바이패스모듈(10c), 제4 바이패스모듈(10d)가 포함되어 구성됨으로서, 고고도 전자기파 발생시, 스파크 갭과 지연인덕터를 통해 그라운드 바이패스와 시간지연시켜 전처리과정을 형성시킴으로서, HEMP 파워라인 필터부의 전자부품파괴를 방지할 수가 있고, 기존에 설치된 고고도 전자기파 필터와 호환시켜 설치할 수 있으며, 무엇보다 고고도 전자기파 전압의 빠른 고주파수에 대한 컷오프와 상대적으로 높은 전압레벨을 고정시킬 수 있어 HEMP 방어용 쉘터로 전달되는 파워라인을 고고도 전자기파 전압으로부터 안전하게 보호할 수가 있는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
Description
본 발명은 핵폭발 시 생성되는 고고도 전자기파를 필터링시키는 고고도 전자기파 필터의 선단에 위치되어 고고도 전자기파를 그라운드로 바이패스시킴과 동시에 지연인덕터로 시간지연시키는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈에 관한 것이다.
헴프(HEMP : High-Altitude Electromagnetic Pulse)란 고고도(지표로부터 수십 km부터 수백 km까지)에서 핵무기에 의한 폭발 시 생성되는 전자기파이다.
폭발지점과 지면의 시설사이의 거리가 너무 멀기 때문에 폭발에 의한 전자기 폭풍이나 전자기파의 복사가 대기와 상호작용에 의해서 크게 감쇄된다.
그러나 고고도 전자기파는 효과적으로 대기 속을 전파해서 전자기파에 노출된 전기/전자 장비에 높은 전류와 전압을 유발하므로 회로구성 소자들에 피해를 주거나 오동작을 일으키게 된다.
따라서 전기/전자 장비들이 전자기파에 노출된 상태에서 견디고 장비가 정상동작을 할 수 있게 하는 고고도 전자기파 보호가 절대적으로 필요하게 된다.
하지만, 이러한 고고도 전자기파로부터 전기/전자 장비를 보호하기 위한 필터 연구가 미비하고, 선진국 기술 이전 금지 등으로 인하여 고고도 전자기파 방지용 필터 개발이 전혀 이루어지지 않은 상태에서 수입에만 의존하고 있다.
기존의 수입된 고고도 전자기파 필터는 고고도 전자기파에 대한 전처리과정이 없어, 고고도 전자기파의 높은 레벨로 인해 필터의 내부 전자부품이 파괴되어 망가지는 문제점이 발생되었다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 고고도 전자기파 발생시, 스파크 갭과 지연인덕터를 통해 그라운드 바이패스와 시간지연시켜 전처리과정을 형성시킴으로서, HEMP 파워라인 필터부의 전자부품파괴를 방지할 수가 있고, 기존에 설치된 고고도 전자기파 필터와 호환시켜 설치할 수 있으며, 무엇보다 고고도 전자기파 전압의 빠른 고주파수에 대한 컷오프와 상대적으로 높은 전압레벨을 고정시킬 수 있어 HEMP 방어용 쉘터로 전달되는 파워라인을 고고도 전자기파 전압으로부터 안전하게 보호할 수가 있는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈은
핵폭발시 발생되는 1000~8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 필터링시켜 낮은레벨의 전압으로 경감시키도록 HEMP 파워라인 필터부(20), 써지프로텍터디바이스부(30)가 포함되어 구성되는 고고도 전자기파 필터(1)로 이루어지고,
상기 고고도 전자기파필터(1)는 HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 고고도 전자기파를 스파크갭을 통해 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 지연인덕터를 통해 시간지연시키는 바이패스모듈(10)이 포함되어 구성됨으로서 달성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 고고도 전자기파 발생시, 스파크 갭과 지연인덕터를 통해 그라운드 바이패스와 시간지연시켜 전처리과정을 형성시킴으로서, HEMP 파워라인 필터부의 전자부품파괴를 방지할 수가 있고, 기존에 설치된 고고도 전자기파 필터와 호환시켜 설치할 수 있으며, 무엇보다 고고도 전자기파 전압의 빠른 고주파수에 대한 컷오프와 상대적으로 높은 전압레벨을 고정시킬 수 있어 HEMP 방어용 쉘터로 전달되는 파워라인을 고고도 전자기파 전압으로부터 안전하게 보호할 수가 있는 좋은 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 바이패스모듈이 포함된 고고도 전자기파 필터의 구성요소를 도시한 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 제1 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 4는 본 발명에 따른 제2 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 5는 본 발명에 따른 제3 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 6은 본 발명에 따른 제4 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 7은 본 발명에 따른 스파크갭의 내부 구성요소를 도시한 내부구성도,
도 8은 핵폭발시 발생되는 1000~8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 제1,2,3,4 바이패스모듈에서 저레벨로 필터링되는 과정을 도시한 일실시예도.
도 2는 본 발명에 따른 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 제1 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 4는 본 발명에 따른 제2 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 5는 본 발명에 따른 제3 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 6은 본 발명에 따른 제4 바이패스모듈의 구성요소를 도시한 회로도,
도 7은 본 발명에 따른 스파크갭의 내부 구성요소를 도시한 내부구성도,
도 8은 핵폭발시 발생되는 1000~8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 제1,2,3,4 바이패스모듈에서 저레벨로 필터링되는 과정을 도시한 일실시예도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 첨부하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 바이패스모듈이 포함된 고고도 전자기파 필터의 구성요소를 도시한 구성도에 관한 것으로, 이는 HEMP 파워라인 필터부(20), 써지프로텍터디바이스부(30)로 구성되고, HEMP 파워라인 필터부(20) 선단 일측에 바이패스모듈(10)이 포함되어 구성딘다.
먼저, 본 발명에 따른 바이패스모듈에 관해 설명한다.
상기 바이패스모듈은 HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 고고도 전자기파를 스파크갭을 통해 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 지연인덕터를 통해 시간지연시키는 역할을 한다.
이는 제1 바이패스모듈(10a), 제2 바이패스모듈(10b), 제3 바이패스모듈(10c), 제4 바이패스모듈(10d)로 구성된다.
첫째, 본 발명에 따른 제1 바이패스모듈(10a)에 관해 설명한다.
상기 제1 바이패스모듈(10a)은 HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 동일한 극간격(+,-)을 갖는 스파크 갭이 병렬로 연결되어 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 일측에 지연인덕터(L)가 연결되어 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시키는 역할을 한다.
이는 도 3에서 도시한 바와 같이, 파워라인상에 병렬로 연결된 스파크 갭이 구성된다.
상기 스파크 갭은 방전관 내부에 수은과 아르곤 가스가 충진된 상태에서 2개의 접지극(+,-)이 구성된다.
그리고, 병렬로 연결된 제1a 스파크 갭, 제2a 스파크 갭, 제3a 스파크 갭, 제4a 스파크 갭은 서로 동일한 극간격(+,-)을 갖도록 구성된다.
본 발명에 따른 스파크 갭은 2개의 다른 접지극 사이 또는 절연된 금속체 간의 과전압 발생시에 등전위 확보하는 것으로, 정상 상태에서는 매우 높은 절연저항치 및 낮은 정전용량에 의해 피보호 장비의 정상동작에 영향을 주지않은 특성을 가진다.
그리고, 스파크갭 사이에 일정한 전압치에 이르면 전위차가 다른 두개의 접지극(+,-)은 등전위가 된다.
따라서, 스파크 갭이 방전을 시작하자마자 대부분의 에너지는 자체에 흡수되거나 주위에 위험을 주지 않고 방사된다. 그리고, 방전후 에너지는 소호되고 전원측에서 흐르는 속류도 차단되어 원래의 절연 상태로 되돌아 간다.
이러한 스파크 갭의 특성을 이용해서 고고도 전자기파에 대응시키기 위해, 스파크 갭의 극간격(+,-)을 동일하게 해서 병렬로 복수개로 연결시켜 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시키는 제1 바이패스모듈(10a)을 구성한 것이다.
본 발명에 따른 제1 바이패스모듈(10a)은 제1a 스파크 갭(10a-1), 제2a 스파크 갭(10a-2), 제3a 스파크 갭(10a-3), 제4a 스파크 갭(10a-4)이 병렬로 연결되어 구성되고, 제4a 스파크 갭(10a-4) 일측에 제1 지연인덕터(10a-5)가 포함되어 구성된다.
상기 제1a 스파크 갭(10a-1), 제2a 스파크 갭(10a-2), 제3a 스파크 갭(10a-3), 제4a 스파크 갭(10a-4)은 그라운드 연결된다.
상기 제1a 스파크 갭(10a-1)은 파워라인으로 전달된 고고도 전자기파를 1차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제2a 스파크 갭(10a-2)은 제1 스파크 갭(11)을 통과한 고고도 전자기파를 2차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제3a 스파크 갭(10a-3)은 제2 스파크 갭(12)을 통과한 고고도 전자기파를 3차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제4a 스파크 갭(10a-4)은 제3 스파크 갭(13)을 통과한 고고도 전자기파를 4차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제1 지연인덕터(10a-5)는 제1a 스파크 갭(10a-1), 제2a 스파크 갭(10a-2), 제3a 스파크 갭(10a-3), 제4a 스파크 갭(10a-4)을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시킨다.
둘째, 본 발명에 따른 제2 바이패스모듈(10b)에 관해 설명한다.
상기 제2 바이패스모듈(10b)은 HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 극간격(+,-)이 0.5씩 증가하는 스파크 갭이 병렬로 연결되어 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 일측에 지연인덕터(L)가 연결되어 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 스파크 갭은 방전관 내부에 수은과 아르곤 가스가 충진된 상태에서 2개의 접지극(+,-)이 구성된다.
그리고, 병렬로 연결된 제1b 스파크 갭(10b-1), 제2b 스파크 갭(10b-2), 제3b스파크 갭(10b-3), 제4b 스파크 갭(10b-4)은 서로 다른 극간격(+,-)을 갖도록 구성되고, 제4b 스파크 갭(10b-4) 일측에 제2 지연인덕터(10b-5)가 포함되어 구성된다.
본 발명에서는 고고도 전자기파에 대응시키기 위해, 스파크 갭의 극간격(+,-)이 0.5씩 증가하도록 병렬로 복수개로 연결시켜 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시킨다.
즉, 도 4에서 도시한 바와 같이, 제1b 스파크갭(10b-1)은 2mm의 극간격(+,-)으로 형성시키고, 이어지는 제2b 스파크갭(10b-2)은 2.5mm의 극간격(+,-)으로 형성시키며, 이어지는 제3b 스파크갭(10b-3)은 3mm의 극간격(+,-)으로 형성시키고, 이어지는 제4b 스파크갭(10b-4)은 3.5mm의 극간격(+,-)을 형성시킴으로서, 순차적으로 대응용량을 크게 설정해서 고고도 전자기파를 저레벨로 필터링시키기 위함이다.
상기 제2 지연인덕터(10b-5)는 제1b 스파크 갭(10b-1), 제2b 스파크 갭(10b-2), 제3b 스파크 갭(10b-3), 제4b 스파크 갭(10b-4)을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시킨다.
셋째, 본 발명에 따른 제3 바이패스모듈(10c)에 관해 설명한다.
상기 제3 바이패스모듈(10c)은 제2c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제1c 스파크 갭+ 제3a 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제2c 스파크 갭+ 제3b 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제3c 스파크 갭+ 제3c 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제4c 스파크 갭+ 제3d 지연인덕터(L)가 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스와 시간지연을 1차,2차,3차, 4차로 실행시키는 역할을 한다.
상기 제1c,2c,3c,4c스파크 갭은 방전관 내부에 수은과 아르곤 가스가 충진된 상태에서 2개의 접지극(+,-)이 구성된다.
상기 제3 바이패스모듈(10c)은 도 5에 도시한 바와 같이, 제1c 스파크 갭(10c-1), 제3a 지연인덕터(10c-2), 제2c 스파크 갭(10c-3), 제3b 지연인덕터(10c-4), 제3c 스파크 갭(10c-5), 제3c 지연인덕터(10c-6), 제4c 스파크 갭(10c-7), 제3d 지연인덕터(10c-8)로 구성된다.
상기 제1c 스파크 갭(10c-1), 제2c 스파크 갭(10c-3), 제3c 스파크 갭(10c-5), 제4c 스파크 갭(10c-7)은 서로 동일한 극간격(+,-)을 갖도록 구성된다.
상기 제1c 스파크 갭(10c-1)은 파워라인으로 전달된 고고도 전자기파를 1차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제3a 지연인덕터(10c-2)는 제1c 스파크 갭(10c-1)을 통과한 고고도 전자기파를 1차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제2c 스파크 갭(10c-3)은 제3a 지연인덕터(10c-2)를 통과한 고고도 전자기파를 2차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제3b 지연인덕터(10c-4)는 제2c 스파크 갭(10c-3)을 통과한 고고도 전자기파를 2차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제3c 스파크 갭(10c-5)은 제3b 지연인덕터(10c-4)을 통과한 고고도 전자기파를 3차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제3c 지연인덕터(10c-6)는 제3c 스파크 갭(10c-5)을 통과한 고고도 전자기파를 3차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제4c 스파크 갭(10c-7)은 제3c 지연인덕터(10c-6)을 통과한 고고도 전자기파를 4차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제3d 지연인덕터(10c-8)는 제4c 스파크 갭(10c-7)을 통과한 고고도 전자기파를 4차 시간지연시키는 역할을 한다.
본 발명에서는 고고도 전자기파에 대응시키기 위해, 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제1c 스파크 갭(10c-1)에 제3a 지연인덕터(L)(10c-2)을 형성하여, 1차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제2c 스파크 갭(10c-3)에 제3b 지연인덕터(L)(10c-4)을 형성하여, 2차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제3c 스파크 갭(10c-5)에 제3c 지연인덕터(L)(10c-6)을 형성하여, 3차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제4c스파크 갭(10c-7)에 제3d 지연인덕터(L)(10c-8)을 형성하여, 4차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시킨다.
넷째, 본 발명에 따른 제4 바이패스모듈(10d)에 관해 설명한다.
상기 제4 바이패스모듈(10d)은 0.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제1d 스파크 갭+ 제4a 지연인덕터(L), 1.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제2d 스파크 갭+ 제4b 지연인덕터(L), 1.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제3d 스파크 갭+ 제4c 지연인덕터(L), 2.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제4d 스파크 갭+ 제4d 지연인덕터(L)가 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스와 시간지연을 1차,2차,3차, 4차로 실행시키는 역할을 한다.
상기 제1d,2d,3d,4d스파크 갭은 방전관 내부에 수은과 아르곤 가스가 충진된 상태에서 2개의 접지극(+,-)이 구성된다.
상기 제4 바이패스모듈(10d)은 도 6에 도시한 바와 같이, 제1d 스파크 갭(10d-1), 제4a 지연인덕터(10d-2), 제2d 스파크 갭(10d-3), 제4b 지연인덕터(10d-4), 제3d 스파크 갭(10d-5), 제4c 지연인덕터(10d-6), 제4d 스파크 갭(10d-7), 제4d 지연인덕터(10d-8)로 구성된다.
상기 제1d 스파크 갭(10d-1), 제2d 스파크 갭(10d-3), 제3d 스파크 갭(10d-5), 제4d 스파크 갭(10d-7)은 서로 동일한 극간격(+,-)을 갖도록 구성된다.
상기 제1d 스파크 갭(10d-1)은 파워라인으로 전달된 고고도 전자기파를 1차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제4a 지연인덕터(10d-2)는 제1d 스파크 갭(10d-1)을 통과한 고고도 전자기파를 1차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제2d 스파크 갭(10d-3)은 제4a 지연인덕터(10d-2)를 통과한 고고도 전자기파를 2차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제4b 지연인덕터(10d-4)는 제2d 스파크 갭(10d-3)을 통과한 고고도 전자기파를 2차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제3d 스파크 갭(10d-5)은 제4b 지연인덕터(10d-4)을 통과한 고고도 전자기파를 3차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제4c 지연인덕터(10d-6)는 제3d 스파크 갭(10d-5)을 통과한 고고도 전자기파를 3차 시간지연시키는 역할을 한다.
상기 제4d 스파크 갭(10d-7)은 제4c 지연인덕터(10d-6)을 통과한 고고도 전자기파를 4차 위상 부정합으로 제거하면서 감소시키는 역할을 한다.
상기 제4d 지연인덕터(10d-8)는 제4d 스파크 갭(10d-7)을 통과한 고고도 전자기파를 4차 시간지연시키는 역할을 한다.
본 발명에서는 고고도 전자기파에 대응시키기 위해, 0.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제1d 스파크 갭(10d-1)에 제4a 지연인덕터(L)(10d-2)을 형성하여, 1차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 1.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제2d 스파크 갭(10d-3)에 제4b 지연인덕터(L)(10d-4)을 형성하여, 2차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 1.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제3d 스파크 갭(10d-5)에 제4c 지연인덕터(L)(10d-6)을 형성하여, 3차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시키고, 이어지는 일측에 2.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제4d 스파크 갭(10d-7)에 제4d 지연인덕터(L)(10d-8)을 형성하여, 4차로 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시킨다.
다음으로, 본 발명에 따른 HEMP 파워라인 필터부(20)에 관해 설명한다.
상기 HEMP 파워라인 필터부(20)는 제1 바이패스모듈(10a), 제2 바이패스모듈(10b), 제3 바이패스모듈(10c), 제4 바이패스모듈(10d)에서 통과하고 남은 고고도 전자기파를 저역통과시켜 여과시키는 역할을 한다.
이는 100db(10KHz에서 2.9GHz)성능을 갖는 파워라인 필터이다.
다음으로, 본 발명에 따른 써지 프로텍터 디바이스부(30)에 관해 설명한다.
상기 써지 프로텍터 디바이스부(30)는 HEMP 파워라인 필터부에서 저역통과시켜 여과하고 남은 써지를 차단하여 HEMP 방어용 쉘터 내부의 장비를 보호하는 역할을 한다.
이는 복수개의 바리스타가 병렬로 연결되어 구성된다.
이하, 본 발명에 따른 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈의 구체적인 동작과정에 관해 설명한다.
먼저, 핵폭발시 1000~8000 A(암페어)의 고고도 전자기파가 발생되면, 제1 바이패스모듈(10a), 제2 바이패스모듈(10b), 제3 바이패스모듈(10c), 제4 바이패스모듈(10d)를 통해 그라운드 바이패스와 동시에 시간지연시킨다.
이어서, HEMP 파워라인 필터부(20)에서 MOV(Metal of Varistor)의 고유커패시턴스를 이용하여 제1 바이패스모듈(10a), 제2 바이패스모듈(10b), 제3 바이패스모듈(10c), 제4 바이패스모듈(10d)에서 통과하고 남은 고고도 전자기파를 저역통과시켜 여과시킨다.
이어서, 써지 프로텍터 디바이스부(30)에서 HEMP 파워라인 필터부에서 저역통과시켜 여과하고 남은 써지를 차단하여 HEMP 방어용 쉘터 내부의 장비를 보호한다.
10a : 제1 바이패스모듈 10b: 제2 바이패스모듈
10c : 제3 바이패스모듈 10d : 제4 바이패스모듈
20 : HEMP 파워라인 필터부 30 : 써지프로텍터디바이스부
10c : 제3 바이패스모듈 10d : 제4 바이패스모듈
20 : HEMP 파워라인 필터부 30 : 써지프로텍터디바이스부
Claims (5)
- 핵폭발시 발생되는 1000~8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 필터링시켜 낮은레벨의 전압으로 경감시키도록 HEMP 파워라인 필터부(20), 써지프로텍터디바이스부(30)가 포함되어 구성되는 고고도 전자기파필터(1)로 이루어지고,
상기 고고도 전자기파필터(1)는 HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 고고도 전자기파를 스파크갭을 통해 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 지연인덕터를 통해 시간지연시키는 바이패스모듈(10)이 포함되어 구성되는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈에 있어서,
상기 바이패스모듈(10)은
HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제1a 스파크 갭(10a-1), 제2a 스파크 갭(10a-2), 제3a 스파크 갭(10a-3), 제4a 스파크 갭(10a-4)이 병렬로 연결되어 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 제4a 스파크 갭(10a-4) 일측에 제1 지연인덕터(L)(10a-5)가 연결되어 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시키는 제1 바이패스모듈(10a)이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 바이패스모듈(10)은
HEMP 파워라인 필터부(20)의 선단 일측에 극간격(+,-)이 0.5씩 증가하는 스파크 갭이 병렬로 연결되어 고고도 전자기파를 바이패스시켜 그라운드 접지시키고, 일측에 지연인덕터(L)가 연결되어 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 시간지연시키는 제2 바이패스모듈(10b)이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈. - 제1항에 있어서, 상기 바이패스모듈(10)은
제2c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제1c 스파크 갭+ 제3a 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제2c 스파크 갭+ 제3b 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제3c 스파크 갭+ 제3c 지연인덕터(L), 제1c 스파크 갭과 동일한 극간격(+,-)을 갖는 제4c 스파크 갭+ 제3d 지연인덕터(L)가 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스와 시간지연을 1차,2차,3차, 4차로 실행시키는 제3 바이패스모듈(10c)이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈. - 제1항에 있어서, 상기 바이패스모듈(10)은
0.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제1d 스파크 갭+ 제4a 지연인덕터(L), 1.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제2d 스파크 갭+ 제4b 지연인덕터(L), 1.5mm 극간격(+,-)을 갖는 제3d 스파크 갭+ 제4c 지연인덕터(L), 2.0mm 극간격(+,-)을 갖는 제4d 스파크 갭+ 제4d 지연인덕터(L)가 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스와 시간지연을 1차,2차,3차, 4차로 실행시키는 제4 바이패스모듈(10d)이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 바이패스모듈.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120007487A KR101180019B1 (ko) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 고고도 전자기파 필터(hemp)용 바이패스모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020120007487A KR101180019B1 (ko) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 고고도 전자기파 필터(hemp)용 바이패스모듈 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR101180019B1 true KR101180019B1 (ko) | 2012-09-05 |
Family
ID=47073834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020120007487A KR101180019B1 (ko) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 고고도 전자기파 필터(hemp)용 바이패스모듈 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR101180019B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8994266B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
-
2012
- 2012-01-25 KR KR1020120007487A patent/KR101180019B1/ko active IP Right Grant
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US8994266B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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