KR101196339B1 - 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈 - Google Patents

고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101196339B1
KR101196339B1 KR1020120007486A KR20120007486A KR101196339B1 KR 101196339 B1 KR101196339 B1 KR 101196339B1 KR 1020120007486 A KR1020120007486 A KR 1020120007486A KR 20120007486 A KR20120007486 A KR 20120007486A KR 101196339 B1 KR101196339 B1 KR 101196339B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing
hemp
voltage
electromagnetic wave
resistor
Prior art date
Application number
KR1020120007486A
Other languages
English (en)
Inventor
김창일
조규식
강영록
Original Assignee
김창일
강영록
조규식
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김창일, 강영록, 조규식 filed Critical 김창일
Priority to KR1020120007486A priority Critical patent/KR101196339B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101196339B1 publication Critical patent/KR101196339B1/ko

Links

Images

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
    • E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
    • E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
    • E06B3/32—Arrangements of wings characterised by the manner of movement; Arrangements of movable wings in openings; Features of wings or frames relating solely to the manner of movement of the wing
    • E06B3/34—Arrangements of wings characterised by the manner of movement; Arrangements of movable wings in openings; Features of wings or frames relating solely to the manner of movement of the wing with only one kind of movement
    • E06B3/42—Sliding wings; Details of frames with respect to guiding
    • E06B3/46—Horizontally-sliding wings
    • E06B3/469—Arrangements at the overlapping vertical edges of the wings that engage when closing
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
    • E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
    • E06B7/00—Special arrangements or measures in connection with doors or windows
    • E06B7/16—Sealing arrangements on wings or parts co-operating with the wings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 기존의 고고도 전자기파 필터가 고고도 전자기파 발생시, HEMP 방어용 쉘터 안쪽의 UPS(무정전전원공급장치 : Uninterubtable Power Supply System) 및 경보장치로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 전달시켜주는 장치가 없어서, 고고도 전자기파에 대한 선대응이 늦어져 HEMP 방어용 쉘터내에서 비상 전원구동실패, 외부의 통신차단과 같은 2차 피해가 발생되는 문제점을 개선하고자, HEMP 바이패스부, 지연인덕터부, HEMP 파워라인 필터부, 써지프로텍터디바이스부로 이루어진 고고도 전자기파필터(1) 중 HEMP 바이패스부 일측에 HEMP 센싱회로부가 포함되어 구성됨으로서, 고고도 전자기파 발생시, HEMP 바이패스부의 스파크 갭으로 1차 바이패스시켜 선처리 후, HEMP 센싱회로부에서 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시킬 수 있어, 기기고장이나 폭발없이 안전하게 HEMP 방어용 쉘터 안쪽의 UPS(무정전전원공급장치 : Uninterubtable Power Supply System) 및 경보장치로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 전달시켜 줄 수 있고, 이로 인해 HEMP 방어용 쉘터 안쪽에서 선대응시스템으로 비상전원을 구동시키고, 외부와 통신시스템을 구축시킬 수 있는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.

Description

고고도 전자기파 필터(ＨＥＭＰ)용 센싱회로모듈{THE SENSING MOUDULE OF HIGH-ALTITUDE ELECTROMAGNETIC PULSE}
본 발명은 고고도 전자기파 발생시, HEMP 바이패스부의 스파크 갭으로 1차 바이패스시켜 선처리 후, HEMP 센싱회로부에서 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시킬 수 있어, 기기고장이나 폭발없이 안전하게 HEMP 방어용 쉘터 안쪽의 UPS(무정전전원공급장치 : Uninterubtable Power Supply System) 및 경보장치로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 전달시켜 줄 수 있는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈에 관한 것이다.
헴프(HEMP : High-Altitude Electromagnetic Pulse)란 고고도(지표로부터 수십 km부터 수백 km까지)에서 핵무기에 의한 폭발 시 생성되는 전자기파이다.
폭발지점과 지면의 시설사이의 거리가 너무 멀기 때문에 폭발에 의한 전자기 폭풍이나 전자기파의 복사가 대기와 상호작용에 의해서 크게 감쇄된다.
그러나 고고도 전자기파(E1,E2,E3)는 효과적으로 대기 속을 전파해서 전자기파에 노출된 전기/전자 장비에 높은 전류와 전압을 유발하므로 회로구성 소자들에 피해를 주거나 오동작을 일으키게 된다.
따라서 전기/전자 장비들이 전자기파에 노출된 상태에서 견디고 장비가 정상 동작을 할 수 있게 하는 고고도 전자기파 보호가 절대적으로 필요하게 된다.
하지만, 이러한 고고도 전자기파로부터 전기/전자 장비를 보호하기 위한 필터 연구가 미비하고, 선진국 기술 이전 금지 등으로 인하여 고고도 전자기파 방지용 필터 개발이 전혀 이루어지지 않은 상태에서 수입에만 의존하고 있다.
기존의 수입된 고고도 전자기파 필터는 고고도 전자기파에 대한 전처리과정과 후처리과정이 없어, 고고도 전자기파의 높은 레벨로 인해 필터의 내부 전자부품이 파괴되어 망가지는 문제점이 발생되었다.
또한, 기존의 고고도 전자기파 필터는 고고도 전자기파 발생시, HEMP 방어용 쉘터 안쪽의 UPS(무정전전원공급장치 : Uninterubtable Power Supply System) 및 경보장치로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 전달시켜주는 장치가 없어서, 고고도 전자기파에 대한 선대응이 늦어져 HEMP 방어용 쉘터내에서 비상 전원구동실패, 외부의 통신차단과 같은 2차 피해가 발생되는 문제점이 있었다.
그리고, 고고도 전자기파 필터에 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜주는 센싱부가 구성되어도, 고고도 전자기파에 의해 모두 타버리거나 폭발해버리는 문제점이 있어서, 제대로 고고도 전자기파 전압을 센싱시킬 수가 없었다.
대한민국등록특허 10-0785910(등록일자 2007.12.07) 대한민국등록특허 10-1000610(등록일자 2010.12.06) 대한민국등록특허 10-1033864(등록일자 2011.05.02) 대한민국등록특허 10-1036816(등록일자 2011.05.18) 대한민국등록특허 10-1046167(등록일자 2011.06.28)
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 고고도 전자기파 발생시, HEMP 바이패스부의 스파크 갭으로 1차 바이패스시켜 선처리 후, HEMP 센싱회로부로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시킬 수 있어, 기기고장이나 폭발없이 안전하게 HEMP 방어용 쉘터 안쪽의 UPS(무정전전원공급장치 : Uninterubtable Power Supply System) 및 경보장치로 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 전달시켜 줄 수 있고, 이로 인해 HEMP 방어용 쉘터 안쪽에서 선대응시스템으로 비상전원을 구동시키고, 외부와 통신시스템을 구축시킬 수 있는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈은
핵폭발시 발생되는 1000～8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 필터링시켜 낮은레벨의 전압으로 경감시키도록 HEMP 바이패스부, 지연인덕터부, HEMP 파워라인 필터부, 써지프로텍터디바이스부가 포함되어 구성되는 고고도 전자기파필터(1)로 이루어지고,
상기 HEMP 바이패스부는 상기 HEMP 바이패스부(10)는 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 1000대 1이상의 분압비를 갖는 직렬저항으로 분압시켜 그라운드 바이패스시키는 직렬저항부(21)와,
직렬저항부 사이에 전기적으로 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드로 드롭화시키면서 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 일정한 센싱전압을 발생시키는 다이오드드롭화회로부(22)와,
다이오드드롭화회로부로부터 센싱된 센싱전압을 EMP 방어용 쉘터로 전달시키는 센싱전압출력부(23)로 이루어진 EMP 센싱회로모듈(20)이 1:1로 포함되어 구성됨으로서 달성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 고고도 전자기파 발생시, HEMP 바이패스부의 스파크 갭으로 1차 바이패스시켜 선처리된 상태에서 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시키기 때문에, HEMP 센싱회로부의 전자부품을 안전하게 보호할 수 있고, 고고도 전자기파 발생과 동시에 고고도 전자기파 발생 신호를 센싱시켜 빠른시간에 HEMP 방어용 쉘터 안쪽으로 바로 전달시킬 수 있어, HEMP 방어용 쉘터 내에서 선대응할 수 있는 시간을 벌 수 있고, 미리 선대응시스템으로 비상전원을 구동시키고, 외부와 통신시스템을 구축시킬 수 있는 좋은 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 센싱회로모듈이 포함된 고고도 전자기파 필터의 구성요소를 도시한 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 센싱회로모듈이 병렬로 연결된 HEMP 바이패스부에 1:1로 대응되어 병렬로 연결된 것을 도시한 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 센싱회로모듈이 단독으로 구성된 HEMP 바이패스부에 1:1로 대응되어 단독으로 연결된 것을 도시한 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 센싱회로모듈에 절연보호관(20a)이 커버형태로 포함되어 구성된 것을 도시한 일실시예도,
도 5는 핵폭발시 발생되는 1000～8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 센싱회로모듈에서 센싱해서 HEMP 방어용 쉘터의 선대응시스템으로 전달시키는 과정을 도시한 일실시예도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 첨부하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 센싱회로모듈이 포함된 고고도 전자기파 필터의 구성요소를 도시한 구성도에 관한 것으로, 이는 HEMP 바이패스부(10), 센싱회로모듈(20), 지연인덕터부(30), HEMP 파워라인 필터부(40), 써지프로텍터디바이스부(50)로 구성된다.
먼저, 본 발명에 따른 센싱회로모듈(20)에 관해 설명한다.
상기 센싱회로모듈은 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 1000대 1이상의 분압비를 갖는 직렬저항으로 분압시킨 후, 그라운드로 바이패스시키고, 직렬저항사이에 전기적으로 연결된 직렬 다이오드를 통해 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 일정하게 출력시키는 역할을 한다.
이는 도 2에서 도시한 바와 같이, 직렬저항부(21), 다이오드드롭화회로부(22), 센싱전압출력부(23)로 구성된다.
상기 직렬저항부(21)는 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 1000대 1이상의 분압비를 갖는 직렬저항으로 분압시켜 그라운드 바이패스시키는 역할을 한다.
이는 도 2 내지 도 4에서 도시한 바와 같이, 제1 저항(R1), 제2 저항(R2)으로 구성된다.
그리고, N1은 파워라인과 직렬저항부사이의 제1 접점을 말하고, N2는 직렬저항부와 센싱전압출력부 사이에 연결된 제2 접점을 말한다.
상기 제1 저항(R1)은 고고도 전자기파 전압을 전달받아 다이오드드롭화회로부의 전류를 제한시키는 역할을 한다.
즉, 고고도 전자기파의 전계강도가 50Kv/m이상이므로 나선에 의한 최대 유입을 가정해서 감쇄없이 전계가 전도되었을 경우, 50Kv이상이 유입된다.
이때, 50Kv이상의 고고도 전자기파에 대해 제1저항과 제2저항은 1000대 1 이상의 분압비로 저항이 구성된다.
그리고, 제1저항(R1)은 HEMP 바이패스부에서 1차 선처리된 50Kv, 3000A의 용량을 갖는 고고도 전자기파가 들어오면, 최대 500Kv로 고고도 전자기파가 들어온다는 가정하에 500KΩ～2000KΩ의 수동소자로 구성되어, 다이오드드롭화회로부의 전류를 1A이하로 제한되도록 구성된다.
이처럼, 제1저항을 500KΩ～2000KΩ로 구성하는 이유는 500KΩ이하에서는 다이오드드롭화회로부의 전류를 1A이하로 제한할 수가 없고, 2000KΩ이상에서는 비용 비싸기 때문에 500KΩ～2000KΩ으로 구성하는 것이 바람직하고, 무엇보다 HEMP 바이패스부에서 1차 선처리시켜주고, 고고도 전자기파에 대해 1000대 1 이상의 분압비로 저항을 구성되어, 다이오드드롭화회로부의 전류를 1A이하로 제한되도록 하기 위함이다.
상기 제2 저항(R2)은 제1 저항과 직렬로 연결되어, 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스시키면서 다이오드드롭화회로부의 안전동작전압을 유기시키는 역할을 한다.
본 발명에서는 제1저항과 제2저항이 1000대 1 이상의 분압비로 구성되기 때문에, 제2저항은 0.5KΩ～2KΩ으로 구성된다.
여기서, 제2 저항(R2)은 다이오드 드롭 전압 이상이 걸리도록 구성된다.
즉, 제1저항(R1)과 제2저항(R2)에 대한 분압비인 1000대 1 이상의 분압비를 통해 구성된다.
일예로, 상용 전압 통상 220V나 380V의 경우 제2 저항의 최대 유기 전압은 0.38V이다.
이로 인하여, N2(제2접점)에 5.6V이상 전압은 N1(제1접점)에서 약 6000V이상의 고고도 전자기파전압이 유기시 작동한다.
즉, 제2 저항은 다이오드드롭화회로부의 안전동작전압으로서, 6000V 이상의 고고도 전자기파전압시 약 5.6V 안전동작전압을 발생시킨다.
상기 다이오드드롭화회로부(22)는 직렬저항부 사이에 전기적으로 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드로 드롭화시키면서 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 일정한 센싱전압을 발생시키는 역할을 한다.
이는 제1다이오드, 제2다이오드, 제3다이오드, 제4다이오드, 제5다이오드, 제6다이오드, 제7다이오드, 제8다이오드로 직렬로 연결되어 직렬저항부의 제1저항과 제2저항사이에서 인입되는 전압을 그라운드로 드롭화시키면서, 5.6V로 센싱전압을 출력시키도록 구성된다.
본 발명에서는 제1다이오드, 제2다이오드, 제3다이오드, 제4다이오드, 제5다이오드, 제6다이오드, 제7다이오드, 제8다이오드는 각각 0.7V로 총 5.6V로 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 일정하게 출력시킨다.
상기 센싱전압출력부(23)는 다이오드드롭화회로부로부터 센싱된 센싱전압을 EMP 방어용 쉘터로 전달시키는 역할을 한다.
이는 전기적으로 연결된 센싱라인으로 구성되어, 고고도 전자기파가 발생시 HEMP 센싱부에서 센싱된 센싱신호를 바로 HEMP 방어용 쉘터 안쪽으로 전달시킬 수가 있다.
도 5에서 도시한 바와 같이, 고고도 전자기파(E1)의 경우 25ns로 굉장히 빠른 시간에 전달된다.
S1의 신호로서, 25ns의 고고도 전자기파(E1)를 검지하기 위해서 스위칭 주파수가 약 1GH에서 수백메가헤르츠의 신호가 발생됨으로서 이를 감안하여 센싱전압을 센싱시키도록 구성된다.
본 발명에서는 6000V 이상의 고고도 전자기파전압시 약 5.6V를 S1의 센싱신호로 구성된다.
본 발명에 따른 센싱전압출력부는 일반 노이즈와 구분되는 특징으로서, 전압고 전류에 있어서 구분 영역으로 일반 노이즈와 달리 0.5W～5W의 전력원으로 사용할 수 있도록 구성된다.
상기 직렬저항부, 다이오드드롭화회로부, 센싱전압출력부는 원통관형상으로 이루어지고, 절연체로 형성되어 두께(t) 10mm～500mm을 갖으면서 각 회로를 절연시켜 외압으로부터 보호하는 절연보호관(20a)이 커버형태로 포함되어 구성된다.
상기 절연보호관은 절연저항(Ω) 5×1012, 내열도(℃) 155℃, 압축강도(kg/㎜2) 39, 굴곡강도(kg/㎜2) 51인 에폭시(EPOXY); 절연저항(Ω) 5×107, 내열도(℃) 180～220℃, 굴곡강도(kg/㎜2) 9인 마이카(MICA); 절연저항(Ω) 5×103이상, 내열도(℃) 140～150℃, 압축강도(kg/㎜2) 38, 굴곡강도(kg/㎜2) 28인 페놀(PHENOL); 절연저항(Ω) 5×1014, 내열도(℃) 200～250℃, 압축강도(kg/㎜2) 8, 굴곡강도(kg/㎜2) 10인 실리콘; 또는 실리콘 블렌드 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상인 것으로서,
더욱 바람직하게는 절연특성을 강화시킨 EPDM/실리콘 블렌드이며,
상기 EPDM/실리콘 블렌드는 절연저항(Ω) 5×1014, 내열도(℃) 200～250℃, 압축강도(kg/㎜2) 8, 굴곡강도(kg/㎜2) 10인 실리콘 70 ～ 90wt％와,
P-SMA(poly(styrene-co-maleic anhydride)) 4 ～ 10wt％와,
밀도(density;g/cc) 0.9, 유전상수(dielectric constant;60Hz) 2.872, 인장 강도(tensile strength;kg/㎠) 72.98인 EPDM(ethylene propylene diene M-class rubber) 5 ～ 20wt％와,
과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide) 1 ～ 3wt％의 혼합으로 조성된 혼합물로 제조되는 것으로서,
상기 실리콘과 P-SMA(poly(styrene-co-maleic anhydride))를 혼련기에서 5 ～ 10분간 블렌드하고, 여기에 EPDM을 투여하여 5 ～ 10분간 블렌드한 후 과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide)를 투입하여 혼합물을 조성한다.
상기 실리콘과 EPDM의 사용량이 하한치 값보다 낮은 양으로 사용할 경우에는 절연특성이 떨어지는 문제가 있고, 상한치 값보다 높은 양으로 사용할 경우에는 균일한 물성을 이루기 어렵기 때문에 상기 실리콘과 EPDM의 사용량은 상기한 범위 내에서 결정하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 P-SMA의 사용량이 4wt％ 미만인 경우에는 성분들간의 균일한 배합이 어렵고, 10wt％를 초과하게 되는 경우에는 성분 배합에 있어 향상되는 특성을 확인하기 어렵기 때문에, 상기 P-SMA의 사용량은 4 ～ 10wt％의 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
또한, 과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide)의 사용량이 1wt％ 미만인 경우에는 경화가 제대로 이루어지지 않고, 3wt％를 초과하게 되는 경우에는 특별한 변화가 없어 무의미하므로, 상기 과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide)의 사용량은 1 ～ 3wt％의 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로는 절연저항(Ω) 5×1014, 내열도(℃) 200～250℃, 압축강도(kg/㎜2) 8, 굴곡강도(kg/㎜2) 10인 실리콘 80wt％와,
P-SMA(poly(styrene-co-maleic anhydride)) 8wt％와,
밀도(density;g/cc) 0.9, 유전상수(dielectric constant;60Hz) 2.872, 인장 강도(tensile strength;kg/㎠) 72.98인 EPDM(ethylene propylene diene M-class rubber) 10wt％와,
과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide) 2wt％의 혼합으로 절연보호관용 혼합물을 조성한다.
또한, 본 발명에 따른 센싱회로모듈은 도 3에서 도시한 바와 같이, HEMP 바이패스부가 단독으로 구성되어 있으면, 1:1로 대응되어 단독으로 구성되거나, 또는 도 2에서 도시한 바와 같이, 병렬로 연결된 HEMP 바이패스부에 1:1로 대응되어 병렬로 연결되어 구성된다.
다음으로, 본 발명에 따른 HEMP 바이패스부(10)에 관해 설명한다.
상기 HEMP 바이패스부(10)는 고고도 전자기파를 병렬형 바이패스회로를 통해 1차, 2차로 바이패스시켜 그라운드 접지시키는 역할을 한다.
이는 제1 스파크 갭(11), 제2 스파크 갭(12)이 병렬로 연결되어 구성되고, 제1 스파크 갭(11)과 제2 스파크 갭(12) 일측에 1:1로 센싱회로모듈이 구성된다.
다음으로, 본 발명에 따른 지연인덕터부(30)에 관해 설명한다.
상기 지연인덕터부(30)는 고고도 전자기파를 200μH～1000μH 값으로 시간 지연시키는 역할을 한다.
이는 200μH～1000μH 값을 갖도록 복수개의 병렬로 연결된 인덕터가 구성된다.
다음으로, 본 발명에 따른 HEMP 파워라인 필터부(40)에 관해 설명한다.
상기 HEMP 파워라인 필터부(40)는 HEMP 바이패스부의 후단쪽 동일선상에 위치되고, 지연인덕터부로부터 전달되는 고고도 전자기파를 저역통과시켜 여과시키는 역할을 한다.
이는 100db(10KHz에서 2.9GHz)성능을 갖는 파워라인 필터이다.
다음으로, 본 발명에 따른 써지 프로텍터 디바이스부(50)에 관해 설명한다.
상기 써지 프로텍터 디바이스부(50)는 HEMP 파워라인 필터부에서 저역통과시켜 여과하고 남은 써지를 차단하여 HEMP 방어용 쉘터 내부의 장비를 보호하는 역할을 한다.
이는 바리스타가 복수개로 구성된다.
이하, 본 발명에 따른 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈의 구체적인 동작과정에 관해 설명한다.
먼저, 핵폭발시 1000～8000 A(암페어)의 고고도 전자기파가 발생되면, HEMP 바이패스부에서 고고도 전자기파를 병렬형 바이패스회로를 통해 1차, 2차로 바이패스시켜 그라운드 접지시킨다.
다음으로, 센싱회로모듈의 직렬저항부가 구동되어 HEMP 바이패스부의 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 1000대 1이상의 분압비를 갖는 직렬저항으로 분압시킨 후, 그라운드로 바이패스시킨다.
다음으로, 센싱회로모듈의 직렬다이오드부가 구동되어 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 5.6V로 일정하게 출력시켜 HEMP 방어용 쉘터로 전달시킨다.
끝으로, HEMP 방어용 쉘터 안쪽에서 고고도 전자기파 센싱신호를 전달받아 선대응시스템으로 비상전원을 구동시키고, 외부와 통신시스템을 구축시킨다.
10 : HEMP 바이패스부 20 : 센싱회로모듈
30 : 지연인덕터부 40 : HEMP 파워라인 필터부
50 : 써지프로텍터디바이스부

Claims (6)

  1. 핵폭발시 발생되는 1000～8000 A(암페어)의 고고도 전자기파를 HEMP 방어용 쉘터에 인입되기 전에 필터링시켜 낮은레벨의 전압으로 경감시키도록 HEMP 바이패스부(10), 지연인덕터부(30), HEMP 파워라인 필터부(40), 써지프로텍터디바이스부(50)가 포함되어 구성되는 고고도 전자기파필터(1)에 있어서,
    상기 HEMP 바이패스부(10)는 스파크 갭을 통과한 고고도 전자기파를 1000대 1이상의 분압비를 갖는 직렬저항으로 분압시켜 그라운드 바이패스시키는 직렬저항부(21)와,
    직렬저항부 사이에 전기적으로 연결되어 고고도 전자기파를 그라운드로 드롭화시키면서 고고도 전자기파 전압을 센싱시켜 일정한 센싱전압을 발생시키는 다이오드드롭화회로부(22)와,
    다이오드드롭화회로부로부터 센싱된 센싱전압을 EMP 방어용 쉘터로 전달시키는 센싱전압출력부(23)로 이루어진 EMP 센싱회로모듈(20)이 1:1로 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 직렬저항부(21)는
    고고도 전자기파 전압을 전달받아 다이오드드롭화회로부의 전류를 제한시키는 제1 저항(R1)과,
    제1 저항과 직렬로 연결되어, 고고도 전자기파를 그라운드 바이패스시키면서 다이오드드롭화회로부의 안전동작전압을 유기시키는 제2 저항(R2)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다이오드드롭화회로부(22)는
    다이오드가 복수개로 직렬로 연결되어 직렬저항부의 제1저항과 제2저항사이에서 인입되는 전압을 그라운드로 드롭화시키면서, 5.6V로 센싱전압을 출력시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 센싱회로모듈(20)은 병렬로 연결된 HEMP 바이패스부에 1:1로 대응되어 병렬로 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 직렬저항부(21), 다이오드드롭화회로부(22), 센싱전압출력부(23)는
    원통관형상으로 이루어지고, 절연체로 형성되어 두께(t) 10㎜～500㎜을 갖으면서 각 회로를 절연시켜 외압으로부터 보호하는 절연보호관(20a)이 커버형태로 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연보호관(20a)은
    절연저항(Ω) 5×1014, 내열도(℃) 200～250℃, 압축강도(kg/㎜2) 8, 굴곡강도(kg/㎜2) 10인 실리콘 70 ～ 90wt％와
    P-SMA(poly(styrene-co-maleic anhydride)) 4 ～ 10wt％와,
    밀도(density;g/cc) 0.9, 유전상수(dielectric constant;60Hz) 2.872, 인장 강도(tensile strength;kg/㎠) 72.98인 EPDM(ethylene propylene diene M-class rubber) 5 ～ 20wt％와,
    과산화디벤조일(Dibenzoyl peroxide) 1 ～ 3wt％의 혼합으로 조성된 것임을 특징으로 하는 고고도 전자기파 필터용 센싱회로모듈.
KR1020120007486A 2012-01-25 2012-01-25 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈 KR101196339B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120007486A KR101196339B1 (ko) 2012-01-25 2012-01-25 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120007486A KR101196339B1 (ko) 2012-01-25 2012-01-25 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101196339B1 true KR101196339B1 (ko) 2012-11-01

Family

ID=47563743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120007486A KR101196339B1 (ko) 2012-01-25 2012-01-25 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101196339B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131178A (ko) * 2020-04-23 2021-11-02 국방과학연구소 광데이터링크 시스템을 이용한 hemp 측정 방법 및 장치, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 컴퓨터 프로그램

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107642B1 (ko) 2011-08-04 2012-01-20 주식회사 누리플랜 이엠피 방호시설

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107642B1 (ko) 2011-08-04 2012-01-20 주식회사 누리플랜 이엠피 방호시설

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131178A (ko) * 2020-04-23 2021-11-02 국방과학연구소 광데이터링크 시스템을 이용한 hemp 측정 방법 및 장치, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 컴퓨터 프로그램
KR102353314B1 (ko) 2020-04-23 2022-01-19 국방과학연구소 광데이터링크 시스템을 이용한 hemp 측정 방법 및 장치, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 컴퓨터 프로그램

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11102918B2 (en) Electromagnetic pulse/high altitude electromagnetic pulse (EMP/HEMP) filter system
US7339458B2 (en) Power line communications interface and surge protector
RU2431912C1 (ru) Устройство защиты от импульсных сигналов
US7529073B2 (en) Protecting medium voltage inductive coupled device from electrical transients
US20150077889A1 (en) Protective device
JP2003070156A (ja) 避雷システムおよび避雷ユニット
KR101196339B1 (ko) 고고도 전자기파 필터(ｈｅｍｐ)용 센싱회로모듈
WO2012067342A1 (ko) Ｔｎ-ｃ 공통접지를 이용한 낙뢰방호장치
CN203574361U (zh) 一种led控制用rf射频设备天馈防雷器
KR101180021B1 (ko) 고고도 전자기파(ｈｅｍｐ) 센싱모듈
CN105071367B (zh) 信息系统入口端电磁脉冲综合防护设备
JP4668279B2 (ja) 電力線搬送通信用信号結合装置
CN110190480B (zh) Usb数据线
KR101936103B1 (ko) 의사선로를 구비한 다중 보호등급을 위한 서지 및 전자기펄스 보호장치
JP2000261957A (ja) サージ吸収装置とこれを用いた屋内配線方法
JP2010207057A (ja) 避雷器
US20090128977A1 (en) Method to protect Ethernet connected products
KR101180022B1 (ko) 독립형 고고도 전자기파(ｈｅｍｐ) 센싱모듈
MXPA04008884A (es) Producto de acero y metodo de manufactura.
CN203617703U (zh) 复合式防雷器
JP2003199248A (ja) サージ保護ユニット及び保安器
JP2005204371A (ja) ブロッキングフィルタ
JP3149639B2 (ja) 雷サージ吸収回路
RU2273955C1 (ru) Устройство присоединения для каналов высокочастотной связи к линии электропередачи
Fiedler Protecting against electromagnetic pulses

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150825

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170822

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180825

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191030

Year of fee payment: 8