TWI568036B

TWI568036B - 發光元件

Info

Publication number: TWI568036B
Application number: TW104138827A
Authority: TW
Inventors: 陳信助; 葉文勇; 林軒宇; 劉軍廷; 劉玟泓
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2015-11-23
Filing date: 2015-11-23
Publication date: 2017-01-21
Also published as: TW201719938A; CN106784342A; CN106784342B; CN106505083B; CN106505083A

Description

發光元件

本揭露是有關於一種發光元件。

有機發光二極體 (organic light emitting diode，OLED)具有一些傳統燈源無法實現的特性，如高量子效率、大面積、省電、輕薄可撓曲等優點。然而，有機發光二極體元件中的有機發光層容易受到水氣和氧氣的侵入而變質，這將導致有機發光二極體元件的壽命降低。因此，有機發光層的封裝在有機發光二極體元件的製作過程中是非常重要一環。

本揭露提供一種發光元件，可良好的密封發光層並具有較窄邊框。

本揭露的一種發光元件包括第一基板、第一電極層、發光層、第二電極層、第二基板、第一導電件以及第二導電件。第一電極層、發光層與第二電極層依序配置於第一基板上。第二基板具有一第一線路以及一第二線路。第二電極層位於第二基板與發光層之間。第一導電件配置於第一基板與第二基板之間。第一電極層透過第一導電件電性連接第二基板上的第一線路。第二導電件配置於第一基板與第二基板之間。第二電極層透過第二導電件電性連接第二基板上的第二線路，其中第二導電件位在第二電極層的面積之內。

基於上述，發光元件的發光層可以使用提供線路用的基板來封裝，這有助於利用線路中的導體面積強化水氣的阻隔以減緩發光層受到入侵的水氣而變質的現象。另外，在本揭露的實施例中，第二電極層以及用以導通第二電極層與線路的導電件都位在發光層的面積內，這有助於縮減發光元件的邊框。

為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1 是依照本揭露一實施例的一種發光元件的示意圖且圖2為圖1的發光元件的製作方法的示意圖，其中為了清楚表示發光元件各構件的結構，圖1將至少部分元件以爆炸圖的方式呈現。請參照圖1與圖2，發光元件100包括第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層140、第二基板150、第一導電件160、第二導電件170、密封層180以及水氣阻擋層190。發光元件100的製作方法可以包括以下步驟。首先，將第一電極層120、發光層130與第二電極層140依序形成於第一基板110上以製作發光結構EL。

第一電極層120與第二電極層140可以採用導電材料製作，其中第一電極層120可以進一步具有透光特性以允許發光層130發出的光線射出。舉例而言，第一電極層120可以是透明電極層而由透光金屬氧化物、透明有機導電材料、具備足夠透光性的導電網格層、奈米金屬線構成的導電層中的至少一者構成，其中透光金屬氧化物包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫、氧化銦等。或是，第一電極層120可以為複合材料組成，例如由具備有透光性的導電網格所構成的網格層以及由奈米金屬線所構成的金屬線層共同組成。第二電極層140則除了上述材質之外，還可以選用金屬或金屬合金來製作。另外，為了降低第一電極層120連接至第一導電件160的接觸阻抗或是為了使發光層130在操作時的電流密度更為均勻，第一電極層120上可以設置有多個接點122。接點122可以由金屬材料製作，也選擇與第二電極層140在相同的製作步驟中製作出來。

發光層130的材質包括有機發光材料或是其他可以藉由第一電極層120與第二電極層140的驅動而發光的材料。以發光層130的材質為有機發光材料來說，在第一基板110上形成發光結構EL之後，可以進一步形成水氣阻擋層190以將發光結構EL包覆而阻絕外界水氣進入發光層130。水氣阻擋層190可以由氧化物或氮化物，像是氮化矽以及/或氧化矽等無機材質來製作。並且，水氣阻擋層190可以為多層結構。水氣阻擋層190也可選擇性地摻雜有吸水或是吸氧材料。另外，水氣阻擋層190上可設置有一開口192，其暴露出第二電極層140。

另外，提供第二基板150以及將密封層180與第二導電件170整合在一起的複合密封結構SL。第二基板150上設置有第一線路154與第二線路156，且第一線路154與第二線路156在第二基板150的表面150S被暴露出來。製作發光元件100的過程中，可以先將承載於一暫時承載基材(未繪示)上的複合密封結構SL貼附至第二基板150的表面15S上，再將暫時承載基材(未繪示)移除。複合密封結構SL中的第二導電件170連接至第二線路156並且密封層180不會覆蓋第一線路154。也就是說，第一線路154會被複合密封結構SL暴露出來。

接著，在第一基板110與第二基板150之間設置第一導電件160，並且進行一壓合步驟。在壓合步驟之前，第一導電件160可選擇先配置於第一線路154上。在壓合步驟中，將第二基板150的表面150S面向第一基板110上的發光結構EL，且將第一導電件160對準於第一電極層120上的接點122以及將第二導電件170對準於開口192，即可完成圖1的發光元件100。或是，在壓合步驟之前，第一導電件160可選擇先配置於第一電極層120的接點122之上。在壓合步驟中，將第二基板150的表面150S面向第一基板110上的發光結構EL，且將第一導電件160對準於第一線路154以及將第二導電件170對準於開口192，即可完成圖1的發光元件100。也就是說，發光元件100的製作方法僅需要一次的壓合步驟就可以完成，這有助於簡化發光元件100的製作流程。

密封層180例如是光可固化材料，因此在上述壓合步驟之後可以進行光固化步驟，對密封層180照射可使其固化的輻射線以將密封層180固化。光固化步驟中所照射的輻射線可以依照光可固化材料的特性而選擇。如果光可固化材料是一種在紫外光下可固化的材料，則光固化步驟選用紫外光。在其他實施例中，除了光固化步驟外，也可以以在不影響發光層130性質的前提下進行合適溫度的加熱步驟使得密封層180固化，或是讓第一導電件160與第二導電件170固化。舉例而言，第一導電件160與第二導電件170是銲料，例如銲錫時，加熱步驟是一低溫回銲步驟，且加熱步驟的溫度(50℃~150℃)低於發光層130的耐受溫度。

此外，第一導電件160與第二導電件170可選用不需加溫即可具有貼附性質的導電膠，例如銅膠、銀膠等。另外，導電膠可以是以具有抗水氧功能膠材為基質，並且在基質當中混入導電粒子。在一實施例中，基質包括不飽和聚酯、環氧樹脂、雙馬來醯亞胺、聚醯亞胺、熱塑性高分子樹脂等或是其分子結構帶有1或2個環氧基。基質中可添加硬化劑，使其產生交聯反應並且具有阻水氧功能，其中硬化劑例如有脂肪胺(aliphatic amines)、聚醯胺(Polyamide)、環狀脂肪胺(cycloaliphatic amines)、芳香族胺(aromatic amines)、酸酐(acid anhydrides)、路易氐酸（lewis acid）、咪唑（imidazoles）、二氰二醯胺（dicyandiamide）、胺基(-NH ₂)、過氧化物或氫氧基(-OH)等。在一實施例中，基質可含有催化劑，以降低硬化溫度，其中催化劑可包括三氟化硼(BF ₃)、二甲基胺((CH ₃) ₂NH)。進一步來說，為提升機械性質，導電膠材可以添加有CTBN(carboxy-teminated polybutadiene acrylonitrile，簡稱CTBN)或ATBN(amino-terminated polybutadiene acrylonitrile，簡稱ATBN)。為了具有阻水性與導電性，導電粒子包括導電高分子，例如聚乙炔、聚塞吩、聚比咯、聚苯胺、聚苯等。導電粒子也可選擇為金屬粒子、碳、石墨與導電纖維中至少一者。如此，不須進行加熱或是低溫回銲即可將第一導電件160與第二導電件170設置於第一基板110與第二基板150之間。此外，導電膠材之片電阻可以小於等於100Ω/□。或是，導電膠材之水氧穿透率(WVTR)小於等於10 ^-2克/公尺 ²/天(g/m ²/day)。

另外，由圖1可知，在發光元件110中，發光結構EL的第二電極層140以及要連接第二電極層140的第二導電件170都位在發光層130的面積之內。因此，發光層130之外的周邊面積僅需提供第一電極層120與第一導電件160所需要的設置面積，這有助於縮減發光元件100的邊框寬度。相較之下，如果將第二電極層140向外擴展到發光層130的面積之外，使第一電極層120與部分第二電極層140同於位於第一基板110的同一平面位置上，則發光層130之外的周邊面積勢必要預留一定的空間(例如至少3毫米)以讓同一平面上的第一電極層120與部分第二電極層140彼此隔絕，來確保兩者的電性獨立。此時，發光層130之外的周邊面積將無法縮減而不能達到窄邊框的結構設計。因此，本實施例利用複合密封結構SL使得不同平面位置的第一電極層120與第二電極層140可以連接至第二基板150，有助於應用於窄邊框的產品中。

圖3為圖1的發光元件的剖面示意圖。請參照圖1與圖3，在發光元件100中，第一電極層120、發光層130與第二電極層140依序配置且堆疊於第一基板110上而構成發光結構EL。密封層180設置於發光結構EL與第二基板150之間，使得發光結構EL封裝於第一基板110與第二基板150之間。第二基板150包括絕緣基質152以及配置於絕緣基質152上的第一線路154與第二線路156。第一電極層120透過第一導電件160電性連接至第一線路154，而第二電極層140透過第二導電件170電性連接至第二線路156。水氣阻擋層190覆蓋發光結構EL，並至少包覆住發光層130與第二電極層140。另外，第二基板150上還可選擇的設置有導熱圖案158，且導熱圖案158連接第二線路156以藉由導熱圖案158的熱傳導作用將發光結構EL運作時所產生的熱導出，這有助於維持或延長發光元件100的使用壽命。另外，導熱圖案158的外型可以設計為接觸第二線路156的一端具有第一面積，而暴露於外表面150O的一端具有第二面積，且第二面積大於第一面積。或是，導熱圖案158的外型可以設計為其寬度由第二線路156向外表面150O逐漸增加。

發光結構EL中，第二電極層140的面積整體都位在發光層130的面積之內，而第一電極層120的面積則除了有部分重疊於發光層130的面積之外，還有另一部分由發光層130的面積向外擴展出來而定義出周邊區PR。為了實現構件之間的電性連接，第二導電件170位在第二電極層140的面積之內，而第一導電件160則位在周邊區PR中。因此，第一導電件160設置於發光結構EL的周邊而且圍繞第二導電件170。第二導電件170設置於密封層180中且貫穿密封層180。另外，水氣阻擋層190位於密封層180與第二電極層140之間並且第二導電件170也貫穿水氣阻擋層190而連接至第二電極層140。因此，水氣阻擋層190具有容納第二導電件170的開口192。

在本實施例中，第二基板150可以視為電路板，其在絕緣基質152內可設置一或多層的導體層，且不同導體層可以按照不同設計被圖案化以實現所需要的導電路徑。換言之，第二基板150本身可以為壓合電路板、印刷電路板、可撓性電路板等。舉例來說，暴露於第二基板150的表面120S的第一線路154與第二線路156可以由第二基板150內的同一個導體層圖案化而成，且第一線路154與第二線路156在第二基板150中並無實體上的連接，以確保第一線路154與第二線路156可提供兩個獨立的電性傳導路徑。另外，導熱圖案158可由第二基板150中的另一個導體層構成。在此，導熱圖案158可以在厚度方向上延伸以在第二基板150的外表面150O暴露出來。在一實施例中，第二基板150的外表面150O上可以貼附一散熱層(未繪示)以提高導熱圖案158所提供的散熱效率。

圖4是依照本揭露另一實施例的一種發光元件的示意圖，其中為了清楚表示發光元件各構件的結構，圖4將部分元件以爆炸圖的方式呈現。另外，圖5為圖4的發光元件的剖面示意圖。請參照圖4與圖5，發光元件200包括第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層240、第二基板250、第一導電件160、第二導電件270、密封層180以及水氣阻擋層190。在本實施例中，第一基板110、第一電極層120、發光層130、第一導電件160、密封層180以及水氣阻擋層190大致相似於圖1至圖3中所揭露的實施例，因此這些構件的配置關係與性質可以參照前述實施例的記載，而不另做說明。另外，在本實施例中，第二基板250中的絕緣基質152與第一線路154大致與前述實施例相似，因此不另做說明。

具體來說，第一電極層120、發光層130與第二電極層240依序堆疊於第一基板110上以構成發光結構EL2，其中第二電極層240經圖案化而包括多個電極圖案242。電極圖案242彼此輪廓上獨立而無連接以使各電極圖案242獨立的控制其所在面積中的發光層130的發光效果。同時，發光元件200的第二導電件270包括多個導電圖案272，其中各導電圖案272用以將其中一個電極圖案242導通至第二基板250上的第二線路256並且導電圖案272可以透過第二線路256的結構而在電性上彼此連接。在一實施例中，請參照圖6，其依照一實施例繪示第二電極層240、第二導電件270與第二線路256的示意圖。第二線路256可以設置為網狀線路。發光元件200運作時，若基於電流過度集中而產生亮點BP，則可以找出對應於亮點BP所在位置的電極圖案242(即標註為X的電極圖案242)，並將網狀的第二線路256中對應此電極圖案242的線路斷開(即形成斷開處CX)。如此一來，對應於亮點BP的電極圖案242(即標註為X的電極圖案242)將不會再產生電流而可以避免亮點BP處的大電流導致發光層130損壞或是使發光元件200失效。

另外，由圖5可知，設置於第二基板150的導熱圖案258也可以分別對應於電極圖案242。舉例而言，各導熱圖案258垂直投影至第一基板110上的面積可以重疊於其中一個電極圖案242垂直投影至第一基板110上的面積。如此一來，各個電極圖案242所受到的熱可以分別藉由對應的導熱圖案258傳導出去以達到理想的散熱效果。另外，在第二基板250中，還可以設置有導熱層258L以將這些導熱圖案258連接在一起，以達到更有效率的導熱效果。

圖7是根據本揭露又一實施例的發光元件的剖面示意圖。請參照圖7，發光元件300包括第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層240、第二基板350、第一導電件160、第二導電件270以及水氣阻擋層190，其中第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層240、第一導電件160、第二導電件270以及水氣阻擋層190的配置位置、結構與性質可以參照前述實施例，而不另贅述。

在本實施例中，第二基板350包括絕緣基質152、第一線路154、第二線路356以及阻擋金屬層358，且絕緣基質152與第一線路154的配置位置、結構與性質可以參照前述實施例。第一線路154與阻擋金屬層358可以是由第二基板350中的同一個導體層構成，並且第二線路356則由第二基板350中的另一個導體層構成。由圖7可知，第一線路154與阻擋金屬層358所在的導體層位於第二線路356所在的導體層與第二導電件270之間。亦即，阻擋金屬層358位在第二線路356與第二電極層240之間。

阻擋金屬層358在第二基板350的表面350S暴露出來而接觸密封層180。並且，阻擋金屬層358的面積遮蓋住發光層130的面積。此外，為了提供第二線路356與第二電極層240之間的電性連接，阻擋金屬層358具有對應於第二導電件270的開口358O。同時，第二線路356具有延伸至開口358O中的凸出部356P以使第二導電件270電性連接在開口358O中的凸出部356P，且阻擋金屬層358電性隔離於第二線路356並電性隔離於第二導電件270。

阻擋金屬層358為金屬材質，因此阻擋金屬層358可以阻絕水氣入侵至發光元件300內部，這有助於降低發光層130因為入侵的水氣而損壞的機率。換言之，阻擋金屬層358可以作為發光元件300中的水氣屏蔽結構。另外，由於阻擋金屬層358電性上隔絕於第二線路356與第二導電件270，可以讓第二線路356與第二導電件270維持其既有的電性連接關係。舉例而言，第二線路356可以類似於前述實施例的第二線路256為網狀線路，而在亮點發生時提供修補的功能。進一步而言，阻擋金屬層358可以連接至接地電位。

圖8是依照本揭露在一實施例的發光元件的剖面示意圖。請參照圖8，發光元件400包括第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層140、第二基板150、第三基板402、第一導電件460以及第二導電件470。第一電極層120、發光層130與第二電極層140依序配置於第一基板110上。第二電極層140的面積整體都位在發光層130的面積之內。第二基板150具有一第一線路154以及一第二線路156。第二電極層140位於第二基板150與發光層130之間。第三基板402位於第二基板150與第二電極層140之間。第一導電件460與第二導電件470都貫穿第三基板402而配置於第一基板110與第二基板150之間。第一電極層120透過第一導電件460電性連接第二基板150上的第一線路154。第二導電件470則將第二電極層140電性連接至第二基板150上的第二線路156，其中第二導電件470位在第二電極層140的面積之內。在本實施例中，第一基板110、第一電極層120、發光層130、第二電極層140與第二基板150這些構件都沿用前述實施例所標註的元件符號，因此這些構件的配置關係、結構與性質等可以參照前述實施例而不另做描述。另外，本實施例的第二電極層140可以採用前述實施例中的第二電極層240，而第二基板150可以採用前述實施例中的第二基板250或第二基板350。

在本實施例中，發光元件400更包括一第一導電接合件404以及一第二導電接合件406，其中第一導電接合件404配置於第一導電件460與第一電極層120之間，且第二導電接合件406配置於第二導電件470與第二電極層140之間。此外，第一導電接合件404與發光層130之間存在一空隙VD。也就是說，發光元件400採用空隙封裝的方式，這可以省略密封層而簡化了結構的設計也使得製作方式更為精簡。此外，發光元件400可以更包括有接合框膠408以將第一基板110與已經貼在一起的第二基板150與第三基板402接合在一起，其中接合框膠408圍設在發光元件400的周邊。

在本實施例中，第三基板402可以為玻璃基板或是厚度小於0.5mm甚至小於0.1mm的薄玻璃基板。在製作發光元件時，可以先將第二基板150與第三基板402貼在一起，再將第三基板402貼附於第二電極層140上。因此，第三基板402可以直接接觸第二電極層140。在一實施例中，第一導電接合件404與第二導電接合件406各自包括導電膠或銲料。另外，為了實現與導電接合件之間的電性連接，第一導電件460與第二導電件470分別具有一接觸末端，且接觸末端可在材質與疊層上做調整以提升接合特性。

舉例而言，第二導電件470具有一接觸末端470T，且接觸末端470T是指第二導電件470接近第二電極層140的一端。接觸末端470T包括由第二基板150朝向第二電極層140依序疊置的一第一材料層M1、一第二材料層M2以及一第三材料層M3，其中第一材料層M1的材質包括鈦，第二材料層M2的材質包括銅，第三材料層M3的材質包括錫銀合金。另外，接觸末端470T整體的阻抗可以為18歐姆/平方單位至30歐姆/平方單位。第一材料層M1的厚度可以為50奈米到100奈米，第二材料層M2的厚度可以為100奈米到500奈米，而第三材料層M3的厚度可以為1微米導100微米。此外，第一材料層M1、第二材料層M2以及第三材料層M3的製作方式可以由物理氣相沉積(PVD)、電化學電鍍(electrochemical plating，ECP)或其他可以於玻璃基板的細窄孔隙中沉積金屬的方法。

在前述實施例中，發光元件100至400可以應用於照明領域而提供大的照明面積。發光元件100至400的結構設計使以包含一個發光結構為範例進行說明，不過在其他的實施例中，單一個發光元件中也可以包括多個發光結構。單一個發光元件中包括多個發光結構時，不同發光結構發出的光線可選擇地具有不同波長範圍。因此，前述實施例的結構僅是舉例說明之用，並非限定本揭露的範圍。另外，前述實施例所描述的數值也僅是舉例之用。

綜上所述，本揭露實施例的發光元件可以採用簡單的組裝步驟製作(例如進行一次的壓合步驟就完成發光元件)來製作，因此有助於提升製作發光元件的效率並節省製作時程。同時，本揭露實施例的發光元件不須將第一基板上電性獨立的兩個電極層都延伸到同一平面位置就可以將發光結構連接至第二基板上對應的線路，這有助於縮減發光層之外的周邊區的面積，而達到窄邊框的結構設計。在本揭露一實施例中，發光元件可採用空隙封裝，而節省密封層的材料成本與簡化整體製作流程。在部分實施例中，連接於第二基板與發光結構的電極之間的導電件可以設置於薄基板中，且導電件經由材質與疊層的調整可以達到理想的傳導效率與性質。在部分實施例中，第二基板中的金屬層可以為發光層提供水氣屏蔽的作用而有助於降低發光層因為水氣入侵而損壞的機率。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400‧‧‧發光元件
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧第一電極層
122‧‧‧接點
130‧‧‧發光層
140、240‧‧‧第二電極層
150、250、350‧‧‧第二基板
150S、350S‧‧‧表面
150O‧‧‧外表面
152‧‧‧絕緣基質
154‧‧‧第一線路
156、256、356‧‧‧第二線路
158、258‧‧‧導熱圖案
160、460‧‧‧第一導電件
170、270、470‧‧‧第二導電件
180‧‧‧密封層
190‧‧‧水氣阻擋層
192、358O‧‧‧開口
242、X‧‧‧電極圖案
258L‧‧‧導熱層
272‧‧‧導電圖案
356P‧‧‧凸出部
358‧‧‧阻擋金屬層
402‧‧‧第三基板
404‧‧‧第一導電接合件
406‧‧‧第二導電接合件
408‧‧‧接合框膠
470T‧‧‧接觸末端
BP‧‧‧亮點
CX‧‧‧斷開處
EL、EL2‧‧‧發光結構
M1‧‧‧第一材料層
M2‧‧‧第二材料層
M3‧‧‧第三材料層
PR‧‧‧周邊區
SL‧‧‧複合密封結構
VD‧‧‧空隙

圖1 是依照本揭露一實施例的一種發光元件的示意圖。圖2為圖1的發光元件的製作方法的示意圖。圖3為圖1的發光元件的剖面示意圖。圖4是依照本揭露另一實施例的一種發光元件的示意圖。圖5為圖4的發光元件的剖面示意圖。圖6為依照一實施例繪示第二電極層、第二導電件270與第二線路256的示意圖。圖7是根據本揭露又一實施例的發光元件的剖面示意圖。圖8是依照本揭露在一實施例的發光元件的剖面示意圖。

100‧‧‧發光元件

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第一電極層

130‧‧‧發光層

140‧‧‧第二電極層

150‧‧‧第二基板

150S‧‧‧表面

150O‧‧‧外表面

152‧‧‧絕緣基質

154‧‧‧第一線路

156‧‧‧第二線路

158‧‧‧導熱圖案

160‧‧‧第一導電件

170‧‧‧第二導電件

180‧‧‧密封層

190‧‧‧水氣阻擋層

192‧‧‧開口

EL‧‧‧發光結構

Claims

一種發光元件，包括：一第一基板；一第一電極層，配置於該第一基板上；一發光層，配置於該第一電極層上；一第二電極層，配置於該發光層上，且該第二電極層的面積整體都位在該發光層的面積之內；一第二基板，具有一第一線路、一第二線路以及一阻擋金屬層，該阻擋金屬層配置於該第二線路與該第二電極層之間，該阻擋金屬層的面積遮蓋該發光層的面積，且該第二電極層位於該第二基板與該發光層之間；一第一導電件，配置於該第一基板與該第二基板之間，該第一電極層透過該第一導電件電性連接該第二基板上的該第一線路；以及一第二導電件，配置於該第一基板與該第二基板之間，該第二電極層透過該第二導電件電性連接該第二基板上的該第二線路，其中該第二導電件位在該第二電極層的面積之內。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一導電件與該第二導電件至少一者的片電阻小於或等於100Ω/□。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一導電件與該第二導電件至少一者的水氧穿透率小於或等於10^-2克/公尺²/天。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一密封層，配置於該第二電極層與該第二基板之間，其中該第二導電件貫穿該密封層且被該密封層圍繞。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件，更包括一水氣阻擋層，該發光層與該第二電極層包覆於該水氣阻擋層與該第一電極層之間，其中該第二導電件更貫穿該水氣阻擋層以電性連接該第二電極層。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件，其中該第二導電件包括多個導電圖案，該第二電極層包括彼此輪廓上獨立的多個電極圖案，且該些導電圖案分別連接該些電極圖案。
如申請專利範圍第6項所述的發光元件，其中該些導電圖案透過該第二線路彼此電性連接。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件，其中該密封層的材質包括光可固化材料。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件，其中該阻擋金屬層接觸該密封層。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件，其中該阻擋金屬層具有對應於該第二導電件的開口，該第二線路具有延伸至該開口中的凸出部以使該第二導電件電性連接在該開口中的該凸出部，且該阻擋金屬層電性隔離於該第二線路並電性隔離於該第二導電件。
如申請專利範圍第9項所述的發光元件，其中該阻擋金屬層連接至接地電位。
如申請專利範圍第4項所述的發光元件，其中該第二基板更包括至少一導熱圖案，該至少一導熱圖案連接該第二線路且該第二線路位於該導熱圖案與該第二導電件之間。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包括一第三基板，該第三基板位於該第二基板與該第二電極層之間，該第二導電件貫穿該第三基板以將該第二電極層與該第二基板上的該第二線路電性連接。
如申請專利範圍第13項所述的發光元件，更包括一第一導電接合件以及一第二導電接合件，該第一導電接合件配置於該第一導電件與該第一電極層之間，該第二導電接合件配置於該第二導電件與該第二電極層之間，且該第一導電接合件與該發光層之間存在一空隙。
申請專利範圍第14項所述的發光元件，其中該第一導電接合件與該第二導電接合件各自包括導電膠或銲料。
如申請專利範圍第13項所述的發光元件，其中該第三基板直接接觸該第二電極層。
如申請專利範圍第13項所述的發光元件，其中該第三基板為一玻璃基板。
如申請專利範圍第13項所述的發光元件，其中該第二導電件具有一接觸末端，該接觸末端接近該第二電極層。
如申請專利範圍第18項所述的發光元件，其中該接觸末端包括由該第二基板朝向該第二電極層依序疊置的一第一材料層、一第二材料層以及一第三材料層。
如申請專利範圍第19項所述的發光元件，其中該第一材料層的材質包括鈦。
如申請專利範圍第19項所述的發光元件，其中該第二材料層的材質包括銅。
如申請專利範圍第19項所述的發光元件，其中該第三材料層的材質包括錫銀合金。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一電極層的面積大於該第二電極層的面積而由該第二電極層向外擴展而定義出一周邊區，該第一導電件位於該周邊區。
如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第二基板包括一絕緣基質，且該第一線路與該第二線路內埋於該絕緣基質中。