JP6106474B2 - 有機el装置 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 155
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 127
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 113
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 40
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 40
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 137
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 For example Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
また、有機EL素子は、一方又は双方が透光性を有する2つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。有機EL装置は、電気的に励起された電子と正孔との再結合のエネルギーによって発光する。
有機EL装置は、自発光デバイスであり、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光させることができる。また、白熱灯や蛍光灯に比べて厚さが極めて薄く、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ない。
また、有機EL装置は、支持基板側から有機EL素子で発生した光を取り出す、いわゆるボトムエミッションと称される有機EL装置と、支持基板と反対側から有機EL素子で発生した光を取り出す、いわゆるトップエミッションと称される有機EL装置がある。
トップエミッション型の有機EL装置は、ボトムエミッション型の有機EL装置に比べて、光の取出効率が高いという利点がある。
すなわち、有機EL装置のダークスポットの形成を防止するためには、有機EL素子への水等の進入を確実に防止することが必要となる。
しかしながら、トップエミッション型の有機EL装置は、透光性を有した封止層しか使用できないため、材料が限られている。つまり、支持基板及び封止層の種類によっては、接合性が悪く、支持基板と封止層の接着強度が十分でない場合がある。
また、照明装置としてトップエミッション型の有機EL装置を使用した場合において、点灯及び消灯を繰り返すと発生する熱によって、各部材で熱膨張・熱収縮が生じる。封止層と支持基板間で、熱膨張係数が大きく異なる場合、封止層と支持基板との界面に隙間ができる場合もある。
すなわち、これらの場合には、封止層と支持基板との界面から水等が進入するおそれがあった。
すなわち、本発明は、金属電極基板上に有機発光層と透明電極層が積層した積層体を備えたトップエミッション型の有機EL装置において、前記金属電極基板は、金属板、金属板と金属電極層の積層構造、及び、絶縁基板と金属電極層の積層構造のいずれかによって形成されており、前記積層体の一部又は全部を封止する封止層を有し、当該封止層は、前記積層体を覆うように積層して、封止層の一部が前記金属電極基板と直接接触しており、金属電極基板と封止層との界面を塞ぐように硬化性接着樹脂が被覆している。
ここでいう「金属電極層」とは、金属板に対して厚みが薄い薄膜である。すなわち、少なくとも100μm未満の平均厚みを有したものであり、蒸着金属膜や電気めっきや無電解めっきで形成した金属膜が好ましく採用できる。
「絶縁基板」とは、薄膜ではなく、絶縁性を有した板状部材であって、自然環境下で変形しないものである。
本発明の構成によれば、前記積層体上に封止層が積層されており、前記金属電極基板と封止層との界面を塞ぐように硬化性接着樹脂が被覆しているため、金属電極基板と封止層との界面の接着強度が小さくても、硬化性接着樹脂によって金属電極基板と封止層との界面からの水等の進入を防止でき、封止性が高く、十分な耐湿性を有する。それ故に、ダークスポットの発生と成長を抑制することができる。
また、本発明の構成によれば、前記補助電極層の一部は、前記第2封止層に埋没されているため、ノイズ等が入りにくく、高信頼性の有機EL装置が実現できる。
本実施形態の有機EL装置1は、回路基板3と反対側、すなわち、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型の有機EL装置である。
また、有機ELユニット2と回路基板3は、図4のようにボンディングワイヤー19,20によって電気的に接続されている。このボンディングワイヤー19,20は、硬化性接着樹脂21によって、全部又はその大部分が埋没されている。
ユニット領域40は、図8のように、有機ELユニット2が駆動時(点灯時)に実際に発光する発光領域42と、発光しない非発光領域43を有している。
発光領域42は、図4のように有機EL素子15が無機封止層14の一部たる第1無機封止層16から露出した領域であって、かつ、金属電極基板10と機能層11と透明電極層12が重畳した領域である。すなわち、実際に有機ELユニット2から光を取り出せる領域である。
非発光領域43は、発光領域42内の有機EL素子15の金属電極基板10に給電可能な第1内側給電領域44と、発光領域42内の有機EL素子15の透明電極層12に給電可能な第2内側給電領域45を有している。
第1外側給電領域46は、発光領域42を基準として、第1内側給電領域44の外側に位置しており、第2外側給電領域47は、発光領域42を基準として、第2内側給電領域45の外側に位置している。
すなわち、有機EL装置1は、図8のように長さ方向lにおいて、片方側から第2外側給電領域47、第2内側給電領域45、発光領域42、第1内側給電領域44、第1外側給電領域46の順に並んでいる。
陥入部材5は、上方が開放した箱状体であって、中央に有機ELユニット2を収納可能な陥入部25を有している。
陥入部25は、底面部26と、底面部26の各辺から上方に向かって延びた周壁部27,28,29,30から形成されている。見方を変えると、陥入部25は、厚み方向に延びた有底穴であるとも言える。
底面部26は、金属電極基板10の主面と相似形状をしており、具体的には、多角形状をしている。本実施形態では、四角形状をしている。陥入部25の底面積は、金属電極基板10の主面の面積よりも大きい。
周壁部27,28,29,30の内側面は、陥入部25の内壁を形成している。
本実施形態では、給電部材8は、発光領域42内の透明電極層12と電気的に接続可能な正極端子を担い、給電部材9は、発光領域42内の金属電極基板10と電気的に接続可能な負極端子を担う。
また、給電部材8,9は、陥入部材5の長さ方向lにおいて、陥入部25を挟んで対向している。
金属基板及び金属電極層を構成する金属としては、特に限定されないが、例えば銀(Ag)やアルミニウム(Al)などの金属が挙げられる。
また、絶縁基板を構成するものしては、ソーダ石灰ガラスや無アルカリガラス製のガラス基板などが採用できる。
本実施形態の金属電極基板10は、図3のように、絶縁基板22上に金属電極層23が積層したものを採用している。勿論、機能層11側が金属電極層23である。
第1無機封止層16は、化学気相蒸着によって形成される層であり、具体的には、シランガスやアンモニアガス等を原料としてプラズマCVD法で成膜される層である。第1無機封止層16は、後述するように有機EL装置1の製造工程において、水分含量が少ない雰囲気下で、有機EL素子15の形成工程に連続して成膜できるため、空気や水蒸気に晒さずに成膜でき、使用直後の初期ダークスポットの発生を低減することができる。
第1無機封止層16の素材は、酸素、炭素、窒素の中から選ばれた1種類以上の元素と、ケイ素元素とからなるシリコン合金により形成されている。Si−O、Si−N、Si−H、N−H等の結合を含む窒化珪素や酸化珪素、及び両者の中間固溶体である酸窒化珪素であることが特に好ましい。
第2無機封止層18は、Si、Al、In、Sn、Zn、Zr及びTiからなる群から選ばれる1種以上の元素と、O及びNからなる群から選ばれる1種以上の元素からなる化合物を主成分とするものであり、かつ、化学気相成長法又は原子層堆積法によって形成されるものである。
第2無機封止層18の導電性の有無は、特に限定されないが、補助電極層17の電気伝導を補助する観点から導電性があることが好ましい。
第2無機封止層18の光取出側(金属電極基板10と反対側)の表面は、図7のように複数の凸部24が形成されており、凸部24の高さ(高低差)Dは50nm以上500nm以下となっている。また、凸部24,24間の平均距離W(平均ピッチ)は、凸部24の高さDの2倍以上となっている。
また、第2無機封止層18の表面の凸部24は、設計等によって形成してもよいが、本実施形態では、上記した製造法によって形成されるため、第2無機封止層18の表面は自形によって形成できる。
本体部50は、メッシュ状の部位であり、互いに交差(直交)した横導電部55と縦導電部56から形成されている。
横導電部55は、図3のように幅方向wに延びた長尺状の部位であり、幅方向wにおける透明電極層12の電気伝導を補助する部位である。
縦導電部56は、図3のように長さ方向lに延びた長尺状の部位であり、長さ方向lにおける透明電極層12の電気伝導を補助する部位である。
補助パッド部52,53は、長さ方向lに延びた箔状の部位であり、長さ方向lに並設した各横導電部55のそれぞれの端部を接続する部位である。
補助パッド部54は、幅方向wに延びた箔状の部位であり、幅方向wに並設した各縦導電部56のそれぞれの端部を接続する部位である。
第1電極パッド部51の両端部は、補助パッド部52,53と物理的に接続されている。すなわち、補助パッド部52,53は、幅方向wにおいて、本体部50を挟んで対向する関係となっており、互いに平行となっている。
補助パッド部52,53の一方端部は、第1電極パッド部51と物理的に接続されており、もう一方の端部近傍は、補助パッド部54と物理的に接続されている。すなわち、第1電極パッド部51及び補助パッド部54は、長さ方向lにおいて、本体部50を挟んで対向する関係となっており、互いに平行となっている。
このように、第1電極パッド部51及び補助パッド部52,53,54は本体部50を囲むように形成されている。
ボンディングワイヤー19,20の直径は、50μm以上200μm以下であることが好ましい。
ボンディングワイヤー19,20の直径が50μm未満になると、細すぎて、十分に電気を導電できない場合がある。200μmより大きくなると、太すぎて、陥入部材5と封止部材4の間の隙間が大きくなりすぎ、封止機能が低下するおそれがある。
なお、本実施形態では、硬化性接着樹脂21は、熱硬化性樹脂で形成されており、その中でも、エポキシ樹脂を採用している。
封止部材4の材質としては、透光性、絶縁性、及びガス非透過性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラス基板等が採用できる。
間隔維持部材6は、絶縁性を有している。
また、補助電極層17の本体部50は、図5のように非発光領域43内で第1無機封止層16と第2無機封止層18に挟まれている。補助電極層17の補助パッド部52,53,54は、図5,図6のように非発光領域43に位置しており、非発光領域43内で第1無機封止層16と第2無機封止層18に挟まれている。補助電極層17の第1電極パッド部51は、図4,図5のように、非発光領域43に位置しており、第1無機封止層16と直接接触しているが、第1電極パッド部51の全部又は大部分が第2無機封止層18には被覆されていない。
ボンディングワイヤー19は、図4のように給電部材8と接触するように陥入部材5の上面(周壁部27の突出方向先端面)と封止部材4の下面によって挟持されており、その状態で硬化性接着樹脂21によって固定されている。すなわち、給電部材8、ボンディングワイヤー19、及び硬化性接着樹脂21のそれぞれの少なくとも一部が、陥入部材5及び封止部材4によって挟持されている。
ボンディングワイヤー20は、図4のように給電部材9と接触するように陥入部材5の上面(周壁部29の突出方向先端面)と封止部材4の下面によって挟持されており、その状態で硬化性接着樹脂21によって固定されている。すなわち、給電部材9、ボンディングワイヤー20、及び硬化性接着樹脂21のそれぞれの少なくとも一部が、陥入部材5及び封止部材4によって挟持されている。
有機EL装置1は、図示しない真空蒸着装置及びCVD装置によって成膜し、図示しないパターニング装置(本実施形態では、レーザースクライブ装置)を使用してパターニングを行い、製造される。
具体的には、真空蒸着装置によって、金属電極基板10に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層などを順次積層し、機能層11を成膜し、その後、スパッタ装置又はCVD装置によって、図9のように、この基板(金属電極基板10に機能層11が積層した基板)に透明電極層12を成膜する。
このとき、金属電極基板10は、図3に示される機能層11が張り出した張出部35,36を形成している。言い換えると、この金属電極基板10の張出部35,36は、透明電極層12に覆われておらず、外部に露出している。
まず、有機ELユニット2の上面(光取出側面)の一部をマスクで覆い、CVD装置によって、図10のように第1無機封止層16を成膜する。
このとき、第1無機封止層16は、非発光領域43内の有機EL素子15を覆っているが、発光領域42内の有機EL素子15を覆っていない。すなわち、第1無機封止層16は、発光領域42内の有機EL素子15の周囲を囲むような開口37を形成しており、当該開口37から透明電極層12が露出している。
このとき、第1電極パッド部51及び補助パッド部52,53,54は、いずれも第1無機封止層16上に設けられている。本体部50は、開口37から露出した透明電極層12と、その周りを囲む第1無機封止層16に跨がって設けられている。また、本体部50の横導電部55及び縦導電部56の隙間から透明電極層12が露出している。
金属電極基板10の第2電極パッド部60は、補助電極層17から露出している。
このとき、補助電極層17の大部分が第2無機封止層18によって被覆されている。具体的には、補助電極層17のうち、第1電極パッド部51の一部が露出して露出部57を形成しており、その他の部位は、被覆されている。また、金属電極基板10の第2電極パッド部60は、第2無機封止層18から露出している。
以上が、無機封止層積層工程である。
このとき、陥入部25の底面部26に金属電極基板10が載置されており、面方向(縦方向及び横方向)において、金属電極基板10と、陥入部25の周壁部27,28,29,30のそれぞれの内側面の間に隙間が形成されている。
このとき、第1電極パッド部51と給電部材8は、ボンディングワイヤー19によって電気的に接続されており、第2電極パッド部60と給電部材9は、ボンディングワイヤー20によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤー19,20は、各部材との接続点以外は、接触していない。
このとき、非発光領域43内の有機ELユニット2の大部分は、硬化性接着樹脂21が被覆している。ボンディングワイヤー19,20は、全体が埋没しており、各部材との接続点以外は、接触していない状態となっている。また、給電部材8,9も大部分が硬化性接着樹脂21によって被覆されており、ボンディングワイヤー19,20との接続点も被覆されている。
また、このときの所定の温度T1は、硬化性接着樹脂21が硬化する温度であり、摂氏60度以上摂氏100度以下となっている。
摂氏60度未満になると、十分に硬化性接着樹脂21内の水分が蒸発せず、内部に水分が残るおそれがある。また、硬化性接着樹脂21を硬化させるのに時間がかかり、製造効率が低下するおそれがある。摂氏100度より高くなると、温度が高すぎて、有機EL素子15に悪影響を及ぼすおそれがある。
封止部材4の端面は、幅方向及び長さ方向において、陥入部材5の端面と面一となっている。
なお、ここでの説明では、図17のように、給電部材8に外部電源の正極を取り付け、給電部材9に外部電源の負極を取り付けた場合について説明する。
このとき、図18のように、補助電極層17の本体部50内の電気伝導を補助パッド部52,53,54によって補助されており、本体部50全体が均一に同電位となっている。そのため、発光領域42内の透明電極層12に均等に電流が伝わる。
発光領域42内の透明電極層12に伝わった電流は、図17のように、発光領域42内で機能層11を通過し金属電極基板10まで至る。このとき、機能層11に電圧がかかり、機能層11内の発光層が発光する。このとき、上記したように電流が均等に拡散した状態で透明電極層12を通過しているため、機能層11内の発光層に均等に電圧が加わり、輝度むらなく発光する。
発光領域42内の金属電極基板10に至った電流は、発光領域42内の金属電極基板10から第1内側給電領域44内の第2電極パッド部60からボンディングワイヤー20を介して給電部材9に伝わり、外部電源に戻る。
有機EL装置100は、各有機ELユニット2の金属電極基板10を対向するように重ね合わせられており、各有機ELユニット2の駆動時における光取出方向が互いに逆方向を向いている。すなわち、下方向及び上方向の両方に光が取り出される。そのため、発光面積が2倍となり、発光量を増やすことができる。
回路基板101は、回路基板3と陥入部材の形状が異なる。具体的には、回路基板101の陥入部材102は、筒状をしている。
2 有機ELユニット
3,101 回路基板
4 封止部材
5,102 陥入部材
8 給電部材(正極端子)
9 給電部材(負極端子)
10 金属電極基板
11 機能層(有機発光層)
12 透明電極層
14 無機封止層(封止層)
15 有機EL素子(積層体)
17 補助電極層
18 第2無機封止層(封止層,第2封止層)
21 硬化性接着樹脂
22 絶縁基板
23 金属電極層
25 陥入部
27,28,29,30 周壁部(内側面)
42 発光領域
50 本体部
Claims (4)
- 金属電極基板上に有機発光層と透明電極層が積層した積層体を備えたトップエミッション型の有機EL装置において、
前記金属電極基板は、金属板、金属板と金属電極層の積層構造、及び、絶縁基板と金属電極層の積層構造のいずれかによって形成されており、
前記積層体の一部又は全部を封止する封止層を有し、
当該封止層は前記積層体の大部分を覆うように積層し、封止層の一部が前記金属電極基板と直接接触しており、
金属電極基板と封止層との界面を塞ぐように硬化性接着樹脂が被覆しており、
金属電極基板を平面視すると、駆動時に発光する発光領域を有し、
前記封止層は、前記発光領域内の積層体を封止する第2封止層を有し、
当該第2封止層は、透光性を有するものであって、かつ、金属電極基板と封止部材との間に介在されて、封止部材との間に空間を形成しており、
前記発光領域内の透明電極層上に直接接触する本体部を有した補助電極層を備え、
当該本体部は、メッシュ状の部位であって、かつ、前記透明電極層よりも高い導電率を有するものであり、
前記補助電極層の一部は、前記第2封止層に埋没されていることを特徴とする有機EL装置。 - 有機発光層を基準として、前記封止層の外側に透光性及びガス非透過性を有した封止部材を有し、
当該封止部材と前記金属電極基板は、前記硬化性接着樹脂によって接着されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 陥入部を有した陥入部材を有し、
当該陥入部は、少なくとも内側面を有した穴であって、内部に金属電極基板が設置されており、
前記内側面と金属電極基板の端面との間には、前記硬化性接着樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL装置。 - 前記積層体を複数有し、
一の積層体の金属電極基板と他の積層体の金属電極基板は、対向するように配されており、
前記一の積層体と他の積層体は、駆動時に互いに異なる方向に光が取り出されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機EL装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013050244A JP6106474B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 有機el装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013050244A JP6106474B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 有機el装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175295A JP2014175295A (ja) | 2014-09-22 |
JP6106474B2 true JP6106474B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=51696293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013050244A Expired - Fee Related JP6106474B2 (ja) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | 有機el装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6106474B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004014316A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Rohm Co Ltd | 両面表示有機エレクトロルミネセンスディスプレイモジュール及び情報端末 |
JP3650101B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
KR100565639B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 |
JP2006114399A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Canon Inc | 有機el素子 |
JP2006228519A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2008293787A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Rohm Co Ltd | El素子 |
JP2013030334A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2013
- 2013-03-13 JP JP2013050244A patent/JP6106474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014175295A (ja) | 2014-09-22 |
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