CN114269962A - 蒸镀掩模 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 192
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
蒸镀掩模包括：具有多个开口的掩模部，其具有第1膜厚；和具有第2膜厚的保持部，所述第2膜厚大于所述第1膜厚。所述保持部可以由所述掩模部的一部分和与该掩模部的一部分重叠设置的框体部构成。此时，所述掩模部的一部分可以是包括与所述掩模部的外周对应的部分，也可以是包括从所述掩模部的第1边到所述掩模部的与该第1边相对的第2边横穿所述多个开口之间的部分。
Description
技术领域
本发明的一个实施方式涉及蒸镀掩模。
背景技术
发光显示装置能够通过单独地控制设置在各像素的发光元件来显示图像。例如，已知使用有机EL元件作为发光元件的有机EL显示装置。有机EL元件在阳极电极与阴极电极之间具有包含有机EL材料的层(下面，称为“有机EL层”)。有机EL层包含发光层、电子注入层、空穴注入层等功能层。能够通过构成功能层的有机材料的选择，使有机EL元件以各种波长的颜色进行发光。
在形成以低分子化合物为材料的有机EL元件的薄膜时，可使用真空蒸镀法。在真空蒸镀法中，在真空下，利用加热器对蒸镀材料进行加热来使其升华，使升华后的蒸镀材料沉积(蒸镀)在基板的表面来形成薄膜。此时，通过使用具有大量的微细的开口图案的掩模(蒸镀掩模)，能够形成高精细的薄膜图案。
蒸镀掩模可被分为：使用蚀刻形成开口图案的精细金属掩模(FMM)；和使用被称为电铸的技术形成开口图案的电精细成形掩模(EFM)。例如，专利文献1中公开了如下方法：利用电铸形成具有高精细的开口图案的掩模部分，并利用电铸将所形成的掩模部固定在框体部上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-210633号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
专利文献1中公开的蒸镀掩模，结构复杂，制造需要大量的工序数，因此，存在制造成本高的问题。另外，专利文献1中公开的蒸镀掩模是将分别准备的框体部和掩模部结合的结构，因此，位置对准精度和面内产生的应力存在偏差。因此，专利文献1中公开的蒸镀掩模还存在掩模部的蒸镀位置的精度(下面称为“位置精度”)低的问题。而且，还存在如下问题：当为了利用1块蒸镀掩模制造多个有机EL显示装置而使框体部的宽度变窄或使根数减少时，会导致掩模部分的强度降低和由应力引起的翘曲增大。
本发明的一个实施方式的目的之一在于提供一种能够提高掩模部的位置精度的蒸镀掩模。
本发明的一个实施方式的目的之一在于提供一种能够提高掩模部的强度的蒸镀掩模。
本发明的一个实施方式的目的之一在于提供一种轻量化的蒸镀掩模。
本发明的一个实施方式的目的之一在于降低蒸镀掩模的制造成本。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个实施方式的蒸镀掩模包括：具有多个开口的掩模部，其具有第1膜厚；和具有第2膜厚的保持部，所述第2膜厚大于所述第1膜厚。
本发明的一个实施方式的蒸镀掩模包括：由具有多个开口的金属层构成的掩模部；和由(n+1)层的金属层构成的保持部，其包含所述掩模部的一部分和由n层的金属层构成的框体部。
本发明的一个实施方式的蒸镀掩模的制造方法包括：在基板上形成具有多个开口的掩模部的步骤；形成绝缘层的步骤，所述绝缘层覆盖所述多个开口并且使与所述掩模部的外周对应的部分露出；在与所述掩模部的外周对应的部分形成框体部的步骤；将所述绝缘层除去的步骤；和将所述掩模部从所述基板剥离的步骤。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式中的蒸镀腔室的俯视图。
图2是本发明的第1实施方式中的蒸镀腔室的侧视图。
图3是本发明的第1实施方式中的蒸镀源的截面图。
图4是本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的俯视图。
图5是本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的截面图。
图6是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图7是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图8是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图9是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图10是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图11是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图12是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图13是表示本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图14是本发明的第2实施方式中的蒸镀掩模的俯视图。
图15是本发明的第2实施方式中的蒸镀掩模的截面图。
图16是表示本发明的第3实施方式中的蒸镀掩模的制造方法的截面图。
图17是本发明的第4实施方式中的蒸镀掩模的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图等对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明可以在不脱离其主旨的范围内以各种方式实施，不应限定于下面例示的实施方式的记载内容来解释。为了使说明更明确，有时附图与实际的方式相比，示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但是，附图只不过是一个例子，并不是对本发明的解释进行限定。在本说明书和各附图中，有时对于与关于已经出现的附图在前面说明过的构成要素具有相同功能的构成要素，有时标注相同的附图标记而适当省略重复的说明。
在通过对某一个膜进行蚀刻或光照射而形成多个膜的情况下，存在多个膜分别发挥不同的功能或作用的情况。在该情况下，多个膜是通过同一工序形成的膜，因此，具有相同的层结构，并且由相同的材料构成。在本说明书中，这样通过同一工序形成的多个膜分别作为存在于同一层的膜来处理。
在本说明书和权利要求书中，在表达在某个结构体上配置有另一个结构体的方式时，在仅记载为“在……上”的情况下，只要没有特别说明，就定义为包含下述两种情况：以与某个结构体接触的方式，在该结构体的正上方配置另一个结构体的情况；和在某个结构体的上方，隔着其它结构体配置另一个结构体的情况。
另外，在本说明书中，“α包含A、B或C”、“α包含A、B和C中的任一个”、“α包含选自A、B和C中的一个”这样的表达，只要没有特别明示，就不排除α包含A～C中的多个的组合的情况。而且，这些表达也不排除α包含其它要素的情况。
〈第1实施方式〉
[蒸镀装置10的结构]
使用图1至图3，对本发明的一个实施方式中的蒸镀装置10的结构进行说明。蒸镀装置10包括具有多种功能的多个腔室。下面所示的例子是表示多个腔室中的1个蒸镀腔室100的例子。
图1是本发明的第1实施方式中的蒸镀腔室100的俯视图。图2是本发明的第1实施方式中的蒸镀腔室100的侧视图。图3是本发明的第1实施方式中的蒸镀源112的截面图。
如图1所示，蒸镀腔室100与相邻的腔室被负载锁定门102隔开。蒸镀腔室100能够将蒸镀腔室100的内部维持为高真空的减压状态、或者被氮或氩等不活泼气体充满的状态。因此，未图示的减压装置和气体吸排气机构等与蒸镀腔室100连接。
蒸镀腔室100具有能够收纳可形成蒸镀膜的对象物的结构。下面，对使用板状的被蒸镀基板104作为该对象物的例子进行说明。如图1和图2所示，在被蒸镀基板104的下方配置蒸镀源112。蒸镀源112具有大致长方形的形状，沿着被蒸镀基板104的一个边配置。将这样的蒸镀源112称为线源型蒸镀源。在使用线源型的蒸镀源112的情况下，蒸镀腔室100具有用于使被蒸镀基板104相对于蒸镀源112相对移动的结构。在图1中，表示出了蒸镀源112被固定，被蒸镀基板104在蒸镀源112上进行移动的例子，但也可以是被蒸镀基板104被固定，蒸镀源112进行移动。
在蒸镀源112中填充有被蒸镀的材料(下面称为“蒸镀材料”)。蒸镀源112具有用于对蒸镀材料进行加热的加热部122(参照后述的图3)。当利用蒸镀源112的加热部122对蒸镀材料进行加热时，被加热的蒸镀材料会气化(升华)，成为蒸气而从蒸镀源112向被蒸镀基板104去。当蒸镀材料的蒸气到达被蒸镀基板104的表面时，蒸气被冷却而固化，蒸镀材料沉积在被蒸镀基板104的表面。这样，在被蒸镀基板104上(在图2中为被蒸镀基板104的与蒸镀源112相对的面上)形成蒸镀材料的薄膜。
如图2所示，蒸镀腔室100还包括用于保持被蒸镀基板104和蒸镀掩模300的保持件108、用于使保持件108移动的移动机构110、和用于将蒸镀源112的上表面遮蔽的开闭件114。被蒸镀基板104和蒸镀掩模300的相互的位置关系能够由保持件108维持。能够利用移动机构110使被蒸镀基板104和蒸镀掩模300在蒸镀源112上移动。开闭件114以能够转动的方式设置在蒸镀源112的上方。通过开闭件114在蒸镀源112上转动，能够控制蒸镀源112的蒸镀材料的放出。例如，通过使开闭件114移动至不与蒸镀源112重叠的位置，蒸镀材料的蒸气能够不被开闭件114遮蔽而到达被蒸镀基板104。相反，当开闭件114移动至与蒸镀源112重叠的位置时，蒸镀材料的蒸气被开闭件114遮蔽，无法到达被蒸镀基板104。开闭件114的开闭能够由未图示的控制装置进行控制。
在图1和图2所示的例子中，表示出了线源型的蒸镀源112，但是并不限于该例子，蒸镀源112可以具有任意的形状。例如，蒸镀源112的形状也可以是用于蒸镀的材料有选择地配置在被蒸镀基板104的重心及其附近的、被称为所谓的点源型的形状。在点源型的情况下，被蒸镀基板104与蒸镀源112的相对位置被固定，在蒸镀腔室100设置用于使被蒸镀基板104旋转的机构。另外，在图1和图2所示的例子中，表示出了以基板的主面与水平面平行的方式配置基板的卧式蒸镀装置，但也可以是以基板的主面与水平面垂直的方式配置基板的立式蒸镀装置。
图3是本发明的第1实施方式中的蒸镀源112的截面图。蒸镀源112具有收纳容器120、加热部122、蒸镀保持件124、网状的金属板128和一对引导板132。
收纳容器120是用于保持蒸镀材料的部件。作为收纳容器120，例如可以使用坩埚等部件。收纳容器120以可拆装的方式被保持在加热部122的内部。收纳容器120可以包含例如钨、钽、钼、钛、镍等金属、或者由这些金属构成的合金。收纳容器120也可以包含氧化铝、氮化硼、氧化锆等无机绝缘物。
加热部122以可拆装的方式被保持在蒸镀保持件124的内部。加热部122能够以电阻加热方式对收纳容器120进行加热。具体而言，加热部122具有加热器126。通过对加热器126通电，加热部122被加热，收纳容器120内的蒸镀材料被加热而气化。气化后的蒸镀材料从收纳容器120的开口部130向收纳容器120外放出。以覆盖开口部130的方式配置的网状的金属板128，能够抑制突沸的蒸镀材料向收纳容器120外放出。加热部122和蒸镀保持件124可以包含与收纳容器120相同的材料。
一对引导板132设置在蒸镀源112的上部。引导板132的至少一部分相对于收纳容器120的侧面或铅垂方向倾斜。通过引导板132的倾斜，能够控制蒸镀材料的蒸气的扩展角度(下面，称为“射出角度”)，能够使蒸气的飞行方向具有指向性。射出角度由两个引导板132所成的角度θe决定。角度θe可根据被蒸镀基板104的大小以及蒸镀源112与被蒸镀基板104之间的距离等适当调整。角度θe例如为40°以上80°以下(优选50°以上70°以下)。在本实施方式中，角度θe为60°。由引导板132的倾斜的表面形成的面被称为临界面160a、160b。材料的蒸气大致在被临界面160a、160b夹着的空间飞行。虽然省略了图示，但是在蒸镀源112为点源型的情况下，引导板132设置为圆锥状。
蒸镀材料可以从各种材料中选择，可以是有机化合物或无机化合物中的任一种。作为有机化合物，例如可以使用发光性的材料或载流子传输性的材料。作为无机化合物，可以使用金属、合金或金属氧化物等。也可以是在一个收纳容器120中填充多种材料，使得在气化时多种材料混合。虽然省略了图示，但是也可以使用多个蒸镀源，使得能够同时蒸镀不同的蒸镀材料。
[蒸镀掩模300的结构]
图4是本发明的第1实施方式中的蒸镀掩模的俯视图。蒸镀掩模300具有：薄膜状的掩模部310；和与掩模部310的一部分重叠配置的框体部330。
在掩模部310配置有多个面板区域315。在蒸镀有机EL材料时，以有机EL显示装置的显示区域与各面板区域315重叠的方式配置被蒸镀基板。在各面板区域315中，与有机EL显示装置的像素间距对应地设置有多个开口311。将掩模部310的开口311以外的区域称为非开口部312。非开口部312是包围各开口311的区域。非开口部312相当于各面板区域315中的遮蔽蒸镀材料的部分。
在蒸镀时，以被蒸镀基板104中的蒸镀区域(作为形成薄膜的对象的区域)与开口311重叠、且被蒸镀基板104中的非蒸镀区域与非开口部312重叠的方式，进行蒸镀掩模300与被蒸镀基板104的位置对准。蒸镀材料的蒸气通过开口311到达被蒸镀基板104，由此蒸镀材料沉积在蒸镀区域上形成薄膜。
在俯视时，框体部330以包围掩模部310的多个面板区域315的方式与掩模部310的一部分(与外周对应的部分)重叠设置。框体部330由膜厚大于掩模部310的膜厚的金属层构成。即，本实施方式的蒸镀掩模300为由具有比掩模部310的膜厚大的膜厚的部分(后述的保持部350)来保持掩模部310的结构。
图5是本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300的截面图。具体而言，图5所示的截面图表示沿着图4的A-A’线的截面。如图4和图5所示，在与薄膜状的掩模部310的外周对应的部分，重叠设置有框体部330。即，在图5所示的蒸镀掩模300中，由点划线包围的区域(保持部350)由掩模部310的膜厚和框体部330的膜厚的合计膜厚的金属层构成。即，通过在掩模部310的一部分重叠设置框体部330，保持部350能够作为用于保持掩模部310的框发挥作用。
在上述的结构中，掩模部310由薄膜状的镀层构成。掩模部310的膜厚d1为5μm以上10μm以下。框体部330由比掩模部310厚的镀层构成。框体部330的膜厚d2为100μm以上500μm以下。掩模部310和框体部330均是使用被称为电铸的技术形成的镀层(金属层)。
在本实施方式中，作为构成掩模部310和框体部330的金属材料，均使用因瓦合金(invar)。因瓦合金的热膨胀系数比镍等的热膨胀系数低，接近玻璃的热膨胀系数。因此，通过使蒸镀掩模300的构成材料为因瓦合金，具有下述优点：在蒸镀时，蒸镀掩模与被蒸镀基板(通常使用玻璃基板)之间的由热膨胀引起的偏移变小，蒸镀的位置精度提高。但是，并不限于该例子，只要是能够使用电铸形成薄膜的金属材料，就可以使用任何材料。另外，并不限于掩模部310和框体部330由相同的金属材料构成的例子，也可以是由不同的金属材料构成。
如上所述，本实施方式的蒸镀掩模300，通过在掩模部310的一部分(例如，与外周对应的区域)重叠配置框体部330来构成保持部。因此，掩模部310存在于从各面板区域315到框体部330的下方，在框体部330的下方不具有台阶差。因此，在利用磁铁等使蒸镀掩模300紧贴于被蒸镀基板104时，能够使蒸镀掩模300与被蒸镀基板104稳定地紧贴，蒸镀的位置精度提高。另外，在从蒸镀掩模300剥离被蒸镀基板104时，不易发生蒸镀掩模300的变形，蒸镀掩模300的耐久性提高。另外，与以往的蒸镀掩模相比，保持部的强度变强，因此，掩模部310的强度也提高。而且，与以往的蒸镀掩模相比，能够使框体部330的膜厚减小，因此，能够实现蒸镀掩模300整体的轻量化。
[蒸镀掩模300的制造方法]
使用图6至图13，对本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300的制造方法进行说明。图6至图13是表示本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300的制造方法的截面图。
图6是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，形成导电性的剥离层430的工序的截面图。如图6所示，在基板410上的大致整个面上形成剥离层430。作为基板410，优选平坦性高的基板，特别优选玻璃基板。在该情况下，基板410的厚度可以为0.5mm以上1mm以下。作为剥离层430的材料，优选ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等金属氧化物材料、或者包含Al(铝)、Mo(钼)、Ti(钛)、Cu(铜)、Cr(铬)等金属的导电性材料。关于剥离层430的厚度，在通过电解镀敷形成掩模部310的情况下，优选能够赋予充分的导电性以使得镀层能够生长的厚度。例如，在剥离层430的材料为ITO的情况下，剥离层430的厚度优选为50nm以上500nm以下。
图7是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，形成第1绝缘层450的工序的截面图。在基板410上的大致整个面上涂敷感光性树脂材料后，通过光刻和蚀刻进行感光性树脂材料的图案化。由此，在剥离层430上形成用于形成掩模部310的第1绝缘层(抗蚀剂层)450。形成第1绝缘层450的区域对应于图4和图5所示的掩模部310的配置多个开口311的区域。
图8是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，形成掩模部310的工序的截面图。在图8中，通过对剥离层430通电的电解镀敷法，在没有形成第1绝缘层450的区域(露出的剥离层430之上)析出由因瓦合金构成的镀层(金属层)，形成掩模部310。掩模部310的膜厚优选为5μm以上10μm以下的范围。此外，在此说明了由因瓦合金形成掩模部310的例子，但是也可以使用镍或镍合金等其它金属材料。
另外，在本实施方式中，说明了使用具有导电性的剥离层430进行电解镀敷的例子，但是并不限于该例子，例如也可以是不形成剥离层430而通过无电解镀敷法形成掩模部310。具体而言，首先，在形成有第1绝缘层450的区域(在该情况下，为玻璃基板410露出的区域)和第1绝缘层450之上，通过无电解镀敷法形成由因瓦合金构成的镀层。然后，通过将第1绝缘层450除去，来将第1绝缘层450之上的镀层除去。通过这样的被称为“剥离”的处理，能够形成具有多个开口的掩模部310。
图9是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，形成第2绝缘层470的工序的截面图。在基板410上的大致整个面上涂敷感光性树脂材料后，通过光刻和蚀刻进行感光性树脂材料的图案化。由此，在掩模部310上形成用于形成框体部330的第2绝缘层(抗蚀剂层)470。形成第2绝缘层470的区域对应于图4和图5所示的框体部330的内侧的区域。
图10是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，形成框体部330的工序的截面图。在图10中，通过对剥离层430和掩模部310通电的电解镀敷法，在没有形成第2绝缘层470的区域(露出的掩模部310之上)析出由因瓦合金构成的镀层(金属层)，形成框体部330。框体部330的膜厚优选为100μm以上500μm以下的范围。此外，在此说明了由因瓦合金形成框体部330的例子，但是也可以使用镍或镍合金等其它金属材料。另外，在图10中，框体部330超过第2绝缘层470的膜厚而向上方生长，但是不优选框体部330的生长以覆盖第2绝缘层470的方式进行。因此，可以使第2绝缘层470的膜厚足够厚，以使得框体部330能够沿着第2绝缘层470的侧壁生长至期望的膜厚。
图11是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，将第1绝缘层450和第2绝缘层470除去的工序的截面图。通过将第1绝缘层450和第2绝缘层470除去，在框体部330的内侧，掩模部310的一部分露出。另外，在掩模部310的各面板区域315形成多个开口311。在多个开口311的内部，剥离层430露出。
图12是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，将掩模部310和框体部330切断的工序的截面图。在本实施方式中，首先，通过激光的照射等将掩模部310和框体部330的外缘切断。在本实施方式中，给出调节激光的输出而有选择地切断掩模部310和框体部330的例子，但也可以是将剥离层430与掩模部310和框体部330一起切断。作为激光，可以使用二氧化碳激光、固体激光、准分子激光等。
图13是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，将掩模部310从基板410剥离的工序的截面图。在图13中，使用溶解液将剥离层430除去。作为剥离层430，例如在使用ITO的情况下，作为溶解液，例如可以使用草酸。剥离层430中，剥离层430的侧面和因掩模部310的多个开口311而露出的部分优先溶解，整体逐渐被溶解液侵蚀而被除去。如图13所示，剥离层430被溶解而消失，从而能够将掩模部310从基板410剥离。
此外，可以在基板410的外缘的区域，在图8和图9所示的工序中形成第1绝缘层450和第2绝缘层470。在该情况下，在除去了第1绝缘层450时，在所除去的地方，剥离层430露出。当采用这样的结构时，在使剥离层430与溶解液接触时，在基板410的外缘的区域露出的剥离层430优先溶解。因此，溶解液容易进入到基板410与掩模部310之间，能够高效率地将剥离层430溶解。
通过使用溶解液将剥离层430除去，能够在抑制多余的负荷的同时将掩模部310从基板410剥离。另外，通过以在剥离后在掩模部310的背面不会残留剥离层430的方式将剥离层430除去，能够防止由残留的膜的应力引起的掩模变形。防止这样的掩模变形，有助于提高蒸镀的位置精度。但是，并不限于该例子，例如在基板410为玻璃基板的情况下，可以在利用保护层来保护掩模部310的同时，使用氢氟酸等溶解液将基板410溶解。
如上所述，本实施方式的蒸镀掩模300的制造方法，在利用镀层形成掩模部310之后，在其一部分利用比掩模部310厚的镀层形成框体部330。这样，根据本实施方式，能够利用比以往结构少的工序数制造蒸镀掩模300，因此，能够降低蒸镀掩模300的制造成本。另外，框体部330是膜厚较厚的镀层，因此结构简单。因此，具有下述优点：能够增加作为掩模部310有效地发挥作用的面积，能够增加能够由蒸镀掩模300一次进行处理的显示面板的数量。由此，能够降低各个有机EL显示装置的制造成本。
〈第2实施方式〉
使用图14对本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300A进行说明。图14是本发明的第2实施方式中的蒸镀掩模300A的平面图。图15是本发明的第2实施方式中的蒸镀掩模300A的截面图。在本实施方式中，框体部330A以外的构成要素，与第1实施方式的蒸镀掩模300相同，因此，使用与第1实施方式相同的附图标记并省略详细的说明。
如图14和图15所示，蒸镀掩模300A中，在掩模部310上呈格子状设置有框体部330A。即，呈格子状设置的保持部350保持掩模部310。在掩模部310配置有多个面板区域315。在各面板区域315设置有多个开口311和非开口部312。
如上所述，本实施方式的蒸镀掩模300A中，不仅在与掩模部310的外周对应的部分设置有框体部330A，而且在其它部分也设置有框体部330A。例如，在本实施方式中，说明了框体部330A呈格子状设置的例子，但是并不限于该例子，也可以是框体部330A在纵向或横向上呈条纹状设置。即，也可以是框体部330A以从掩模部310的第1边到掩模部310的与该第1边相对的第2边横穿多个开口311之间的方式设置。
根据本实施方式，能够得到与第1实施方式的蒸镀掩模300同样的效果，并且能够进一步提高蒸镀掩模300A的强度。
〈第3实施方式〉
使用图16对本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300的制造方法进行说明。图16是表示本发明的第3实施方式中的蒸镀掩模300的制造方法的截面图。在本实施方式中，除了在基板410与剥离层430之间形成树脂层420以外，与第1实施方式中的蒸镀掩模300的制造方法相同，因此，使用与第1实施方式相同的附图标记并省略详细的说明。
图16是表示在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模300的制造方法中，将掩模部310从基板410剥离的工序的截面图。在本实施方式中，在基板410上形成剥离层430之前，形成树脂层420。作为树脂层420的材料，例如可以使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、氟树脂或硅氧烷树脂等树脂材料。树脂层420的膜厚优选为0.5μm以上2μm以下。
如图16所示，在本实施方式中，从基板410的背面侧(与形成有树脂层420的面相反的一侧)对树脂层420照射激光。树脂层420中的靠近基板410的区域吸收激光而变性。这样变性后的树脂层420能够用溶解液容易地除去，因此，能够通过剥离将基板410从树脂层420剥离。在将基板410剥离之后，对残留的树脂层420进行蚀刻将其除去。除去树脂层420之后，使用溶解液将露出的剥离层430除去，由此能够得到蒸镀掩模300。
如上所述，根据本实施方式，能够在将基板410剥离之后进行剥离层430的除去，因此，能够更高效率地将剥离层430溶解。
〈第4实施方式〉
使用图17对本发明的一个实施方式中的蒸镀掩模300B进行说明。图17是表示本发明的第4实施方式中的蒸镀掩模300B的截面图。在本实施方式中，除了框体部330B为将多个金属层层叠的结构以外，与第1实施方式中的蒸镀掩模300相同，因此，使用与第1实施方式相同的附图标记并省略详细的说明。
本实施方式的框体部330B，从靠近掩模部310的一侧起依次设置有金属层330Ba～330Be。在本实施方式中，金属层330Ba～330Be均由因瓦合金构成，但是并不限于该例子，也可以是使用镍等其它金属材料。另外，金属层的层叠数并不限于该例子，可以为任意的数量。
在本实施方式中，通过使用多个金属层330Ba～330Be构成框体部330B，能够控制在框体部330B产生的应力。具体而言，成为如下结构：通过将具有不同的应力的金属层层叠来控制框体部330B的整体的应力，使由框体部330B的应力引起的蒸镀掩模300B的翘曲减少。
金属层330Ba～330Be的应力能够通过各种方法进行控制。例如，可以是改变金属层330Ba～330Be各自的膜厚来使应力不同，也可以是改变组成来使应力不同。在改变组成的情况下，例如可以通过改变电解镀敷的条件(例如电解液的组成、通电时的电流量等)，来改变金属层的组成。在本实施方式中，使构成金属层330Ba、金属层330Bc和金属层330Be的因瓦合金的镀敷条件与构成金属层330Bb和金属层330Bd的因瓦合金的镀敷条件不同。即，本实施方式的框体部330B为组成不同的金属层交替层叠的结构。但是，并不限于该例子，可以适当地决定在怎样的镀敷条件下形成各金属层330Ba～330Be。
另外，在本实施方式中，表示出了金属层330Ba～330Be的膜厚相同的例子，但也可以是将不同膜厚的金属层组合。另外，也可以是将膜厚和镀敷条件作为参数，将各种膜厚或组成的金属层组合来构成框体部330B。这样，在本实施方式中，框体部330B通过将多个金属层330Ba～330Be层叠而构成，保持部350通过在掩模部310上重叠框体部330B而形成。因此，在框体部330B由n层的金属层构成的情况下，保持部350是在n层的金属层加上1层的金属层(掩模部310)从而由(n+1)层的金属层构成。
此外，在本实施方式中，说明了框体部330B由多个金属层330Ba～330Be构成的例子，但是掩模部310也可以由多个金属层构成。例如，可以是掩模部310和框体部330B这两者由多个金属层构成，也可以是掩模部310和框体部330B中的仅任一者由多个金属层构成。在任一情况下，保持部350通过在掩模部310上重叠框体部330B而形成。因此，在框体部330B由n层的金属层构成，且掩模部310由m层的金属层构成的情况下，保持部350由(n+m)层的金属层构成。
作为本发明的实施方式的上述的各实施方式，只要不相互矛盾，就可以适当组合来实施。本领域技术人员以各实施方式的蒸镀掩模为基础，适当地进行构成要素的增加、删除或设计变更而得到的实施方式，或者进行工序的增加、省略或条件变更而得到的实施方式，只要包含本发明的主旨，就也包含在本发明的范围内。
另外，即使是与由上述的各实施方式的技术方案带来的作用效果不同的其它作用效果，只要是根据本说明书的记载可知的作用效果、或者本领域技术人员根据本说明书的记载能够容易地预料的作用效果，当然可理解为是由本发明带来的作用效果。
附图标记说明
10…蒸镀装置，100…蒸镀腔室，102…负载锁定门，104…被蒸镀基板，108…保持件，110…移动机构，112…蒸镀源，114…开闭件，120…收纳容器，122…加热部，124…蒸镀保持件，126…加热器，128…金属板，130…开口部，132…引导板，160a、160b…临界面，300、300A、300B…蒸镀掩模，310…掩模部，310B…框体部，311…开口，312…非开口部，315…面板区域，330、330A、330B…框体部，330Ba～330Be…金属层，350…保持部，410…基板，420…树脂层，430…剥离层，450…第1绝缘层(抗蚀剂层)，470…第2绝缘层(抗蚀剂层)。
Claims (15)
1.一种蒸镀掩模，其特征在于，包括：
具有多个开口的掩模部，其具有第1膜厚；和
具有第2膜厚的保持部，所述第2膜厚大于所述第1膜厚。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述保持部由所述掩模部的一部分和与该掩模部的一部分重叠设置的框体部构成。
3.一种蒸镀掩模，其特征在于，包括：
由具有多个开口的金属层构成的掩模部；和
由(n+1)层的金属层构成的保持部，其包括所述掩模部的一部分和由n层的金属层构成的框体部。
4.如权利要求2或3所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述掩模部的一部分包括与所述掩模部的外周对应的部分。
5.如权利要求2或3所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述掩模部的一部分包括从所述掩模部的第1边到所述掩模部的与该第1边相对的第2边横穿所述多个开口之间的部分。
6.如权利要求2或3所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述框体部具有包括多个金属层的层叠结构。
7.如权利要求6所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述多个金属层包括膜厚彼此不同的金属层。
8.如权利要求2或3所述的蒸镀掩模，其特征在于：
所述掩模部和所述框体部由含有因瓦合金的金属层构成。
9.一种蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成具有多个开口的掩模部的步骤；
形成绝缘层的步骤，所述绝缘层覆盖所述多个开口并且使与所述掩模部的外周对应的部分露出；
在与所述掩模部的外周对应的部分形成框体部的步骤；
将所述绝缘层除去的步骤；和
将所述掩模部从所述基板剥离的步骤。
10.如权利要求9所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于：
所述掩模部和所述框体部通过电解镀敷法形成。
11.如权利要求9所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于：
所述掩模部和所述框体部使用含有因瓦合金的材料形成。
12.如权利要求9所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括：
在形成所述掩模部之前，在所述基板上形成导电性的剥离层的步骤。
13.如权利要求12所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于：
所述导电性的剥离层由包含金属氧化物的导电性材料构成。
14.如权利要求9所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于：
所述框体部包括膜厚彼此不同的金属层。
15.如权利要求9所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于：
所述框体部包括通过条件彼此相同的电解镀敷法形成的金属层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-160592 | 2019-09-03 | ||
| JP2019160592A JP2021038436A (ja) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 蒸着マスク |
| PCT/JP2020/025998 WO2021044718A1 (ja) | 2019-09-03 | 2020-07-02 | 蒸着マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114269962A true CN114269962A (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=74848303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080059113.2A Pending CN114269962A (zh) | 2019-09-03 | 2020-07-02 | 蒸镀掩模 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021038436A (zh) |
| CN (1) | CN114269962A (zh) |
| WO (1) | WO2021044718A1 (zh) |
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2020
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021038436A (ja) | 2021-03-11 |
| WO2021044718A1 (ja) | 2021-03-11 |
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|---|---|---|---|
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