CN112011765B - 蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法 - Google Patents

蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法。该真空蒸镀装置能够防止蒸镀中的热变形,从而高精度地以所希望的图案成膜。一种真空蒸镀装置,其在蒸镀室(1)中设置有蒸发源(2)和蒸发源移动机构或者基板移动机构,所述蒸发源隔着掩模对基板进行蒸镀,所述蒸发源移动机构在进行蒸镀时使所述蒸发源(2)相对于所述基板相对移动,所述基板移动机构在进行蒸镀时使所述基板相对于所述蒸发源相对移动,其中,所述蒸发源移动机构或所述基板移动机构构成为:在对所述基板开始蒸镀之前,利用所述蒸发源(2)进行所述掩模的预先加热。

Description

蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法
本申请是申请日为2016年06月14日、发明名称为“真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法”、申请号为201610416499.3的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法。
背景技术
一种蒸镀装置,其使从蒸发源蒸发的成膜材料隔着形成有规定的掩模图案的掩模堆积在基板上而形成薄膜,在该蒸镀装置中存在这样的情况:掩模在蒸镀中(成膜中)从蒸发源受热而发生热变形,由于该掩模的热变形而导致掩模与基板的位置发生偏移,从而使得形成在基板上的薄膜的图案从所希望的位置偏移。特别是,在手机或电视等的显示面板等有机电子器件的制造中,使用了具有高精细的图案的掩模,因此热变形的影响较大。
因此,例如如专利文献1所公开的,为了抑制热变形,提出了使用由作为低热膨胀材料的因瓦合金材料构成的掩模这一方案,但是,即使对掩模使用低热膨胀材料,也难以使线膨胀系数为0,在这样的情况下,热变形有时依然会成为问题。
专利文献1:日本特开2004-323888号公报
发明内容
本发明是鉴于上述的现状而完成的,目的在于提供一种能够抑制掩模在蒸镀中的热变形从而高精度地以所希望的图案成膜的真空蒸镀装置。
参照附图对本发明的主旨进行说明。
本发明的第1形态涉及真空蒸镀装置,其在蒸镀室1中设置有蒸发源2和蒸发源移动机构或者基板移动机构,所述蒸发源隔着掩模对基板进行蒸镀,所述蒸发源移动机构在进行蒸镀时使所述蒸发源2相对于所述基板相对移动,所述基板移动机构在进行蒸镀时使所述基板相对于所述蒸发源相对移动,其特征在于,所述蒸发源移动机构或所述基板移动机构构成为:在对所述基板开始蒸镀之前,利用所述蒸发源2进行所述掩模的预先加热。
另外,涉及一种真空蒸镀装置,其特征在于,在用于使从所述蒸发源2蒸发出来的成膜材料的成膜速度稳定的蒸镀前的预热中,利用从该蒸发源2发出的热进行所述掩模的预先加热。
另外,涉及一种真空蒸镀装置,其特征在于,该真空蒸镀装置构成为,在所述蒸发源2上设有挡板7,在闭合该挡板7的状态下使所述蒸发源与所述掩模的相对位置关系变化来进行所述掩模的预先加热。
另外,涉及一种真空蒸镀装置,其特征在于,所述蒸发源移动机构构成为,使所述连续蒸镀中的最初进行蒸镀的基板与掩模的位置对准和所述掩模的预先加热同时进行。
另外,涉及一种真空蒸镀装置,其特征在于,在所述蒸镀室1中,在与所述蒸发源的移动方向垂直的方向上并排设置有多个用于对所述基板进行蒸镀的蒸镀区域3、4,针对多个所述蒸镀区域3、4,在所述蒸镀区域外分别设有使所述蒸发源退避的退避区域,所述蒸发源移动机构构成为,使所述蒸发源2在与所述蒸镀区域3、4的并排设置方向相同的方向上移动而能够从一个蒸镀区域移动到另一个蒸镀区域,所述蒸发源移动机构构成为:在对分别配置于多个所述蒸镀区域3、4中的掩模进行预先加热时,在对配置在一个蒸镀区域中的掩模加热后,使所述蒸发源2在不退避到所述退避区域中的情况下在所述蒸镀区域3、4的并排设置方向上移动,从而移动至另一个蒸镀区域。
本发明的第2形态涉及蒸镀膜的制造方法,其特征在于,该蒸镀膜的制造方法具有如下工序:将基板设置于蒸镀室中的工序;对收纳于蒸发源中的成膜材料加热并使成膜速度稳定的工序;以及隔着掩模使所述成膜材料的蒸气附着在所述基板上的工序,在使所述成膜速度稳定的工序的期间,使所述蒸发源与所述基板的相对位置关系变化,并利用所述蒸发源的热来加热所述掩模。
本发明的第3形态涉及有机电子器件的制造方法,所述有机电子器件具备多个元件,所述元件在基板上具备被一对电极夹着的有机层,其特征在于,所述有机电子器件的制造方法具有如下工序:将形成有多个电极的基板设置在蒸镀室中的工序;使具备多个开口的掩模相对于所述基板位置对准的工序;对收纳在蒸发源中的成膜材料加热并使成膜速度稳定的工序;以及隔着所述掩模使所述成膜材料的蒸气附着在所述基板上从而形成所述有机层的至少一部分的工序,在使所述成膜速度稳定的工序的期间,使所述蒸发源与所述基板的相对位置关系变化,利用所述蒸发源的热来加热所述掩模。
根据本发明,能够抑制掩模在蒸镀中的热变形,从而能够高精度地以所希望的图案成膜。
附图说明
图1是本实施例的概要说明立体图。
图2是本实施例的概要说明俯视图。
图3是本实施例的概要说明俯视图。
图4是本实施例的概要说明俯视图。
图5的(a)是使用本发明的真空蒸镀装置制作出的有机EL显示装置的立体图,(b)是沿(a)中的A-B线的剖视图。
标号说明
1:蒸镀室;
2:蒸发源;
3、4:蒸镀区域;
7:挡板。
具体实施方式
根据附图对本发明的真空蒸镀装置的实施方式具体地进行说明。
本发明的实施方式的真空蒸镀装置是在蒸镀室中具备下述部分的真空蒸镀装置:蒸发源(材料收纳部),其隔着掩模对基板进行蒸镀;和蒸发源移动机构,其在进行蒸镀时使所述蒸发源相对于所述基板相对移动。该蒸发源移动机构具有如下功能:使蒸发源与基板的相对位置关系变化,更具体来说,使蒸发源和基板在与基板的成膜面平行的面方向上的相对位置关系变化。并且,以下述方式构成所述蒸发源移动机构:在维持所述蒸镀室的真空状态来对所述基板开始蒸镀之前,使所述蒸发源相对于所述掩模相对移动,利用从该蒸发源发出的热对所述掩模进行预先加热。在本实施方式中,通过蒸发源移动机构使蒸发源移动,由此使蒸发源与基板的相对位置关系变化,但也可以在蒸镀室中设置基板移动机构,通过使基板移动来改变蒸发源与基板的相对位置关系,也可以使基板和蒸发源都移动来改变蒸发源与基板的相对位置关系。因此,在此所说的蒸发源移动机构和基板移动机构也都能够称为蒸发源与基板的相对位置关系变化机构。
在图1、2中示出了本发明的真空蒸镀装置的一个实施例。图1是以能够看到真空蒸镀装置的内部的方式将蒸镀室1的壁拆除一部分后的立体图,图2是从蒸镀室1的上表面侧观察的俯视图。在蒸镀室1中,在与成膜移动方向垂直的方向(蒸镀区域移动方向)上并排设置有多个用于对基板进行蒸镀的蒸镀区域3、4。并且,在所述蒸镀区域3、4之外,针对所述蒸镀区域3、4分别设置有用于使蒸发源2退避的退避区域。
并且,在各蒸镀区域3、4中设置有分别保持掩模和基板的掩模座(省略图示)。从分别与各蒸镀区域3、4对应的各搬出搬入口8、9分别搬入的基板在通过设于各蒸镀区域3、4中的校准机构分别与掩模位置对准后,在与掩模重合地被固定的状态下分别设置并保持于掩模座。
并且,蒸镀区域是指使从蒸发源2蒸发的成膜材料附着于基板上的区域。
在本实施例中,为了使利用从所述蒸发源2释放出的蒸气形成的蒸镀膜的成膜速度稳定,以下述方式构成蒸发源移动机构:在蒸镀开始前的预热中,利用从该蒸发源2发出的热对所述掩模进行预先加热。具体来说,在蒸镀开始前,将基板的长度方向和宽度方向中的任意方向作为成膜移动方向,使蒸发源2在蒸镀区域3、4内在该成膜移动方向上往复移动来进行热适应运转。该移动不一定必须是往复运动,也可以是圆运动等。并且,如果与未进行预热的情况相比较成膜速度的变动得到抑制,则该预热是用于使成膜速度稳定的加热。优选的是,预热使成膜速度的变动处于预先确定的规定的范围内。不过,关于是否处于规定的范围内,无需在每次成膜时都进行验证,可以通过预备实验等决定预热时间。
该预热是为了以使收纳于蒸发源2中的成膜材料的脱气和成膜速度稳定的方式使成膜材料的熔融状态稳定而进行的,例如使蒸发源2升温至与成膜时的加热温度相同的温度并加热几分钟的程度来进行该预热。并且,本实施例的蒸发源2如图2所示那样由3个线源构成。
另外,可以在进行蒸发源2的预热的期间同时进行最初要蒸镀的基板与掩模的位置对准。
即,优选的是,利用基板与掩模的校准和蒸发源2的预先加热等蒸镀准备期间,来进行掩模的预先加热。
为了进一步缩短至成膜开始所需要的时间,优选的是,设定蒸发源2的预热温度和蒸发源2的基于蒸发源移动机构的移动速度,以便在完成基板与掩模的校准的时刻结束掩模的预先加热。由此,能够削减仅用于掩模的预先加热的待机时间,从而利用蒸镀准备期间来进行掩模的预先加热,从而能够防止掩模在蒸镀中由于从蒸发源2发出的热而热变形。另外,用于预先加热的热源是蒸发源2,无需准备其它热源,而且利用了蒸发源2在预热时所发出的热,因此,能够高效地进行预热。
并且,在以往技术中,蒸发源的预热是将蒸镀源配置在退避区域(蒸镀材料不会附着于基板上的区域)中来进行的,因此,蒸发源的预热无助于掩模的预热。
优选构成为:如图1那样在所述蒸发源2上设置挡板7,使该挡板7在闭合的状态下相对于所述掩模往复移动来进行所述掩模的预先加热。具体来说,挡板7以开闭滑动移动自如的方式设在蒸发源2的上方位置。并且,即使在设有挡板7的情况下,挡板7被蒸发源2加热,掩模也被该加热了的挡板7加热。如本例所代表的那样,下述结构是本发明的优选的实施方式:在使蒸发源的挡板闭合的状态下,一边使蒸发源与基板的相对位置变化,一边加热蒸发源。通过像这样构成,能够以蒸发源存在于基板正下方的状态高效地预先加热掩模,并且,还能够防止在预先加热阶段在基板上附着有膜。并且,只要能够遮蔽从蒸发源释放出的蒸气以免其附着于基板上即可,也不一定必须在蒸发源上设置挡板。
另外,在本实施例中,以如下方式构成所述蒸发源移动机构:使所述蒸发源2在与所述蒸镀区域3、4的并排设置方向相同的方向(蒸镀区域移动方向)上移动,从而能够从一个蒸镀区域3移动至另一个蒸镀区域4。
具体来说,在本实施例中,在蒸镀室1的底面上设置有在蒸镀区域移动方向上延伸的轨道10,并且还设置有能够相对于该轨道10往复滑动移动的框状的蒸镀区域移动用滑动件6。并且,构成为:在该蒸镀区域移动用滑动件6的上表面设有在成膜移动方向上延伸的轨道11,并且还设置有能够相对于该轨道11往复滑动移动的成膜移动用滑动件5,蒸发源2和挡板7设置在该成膜移动用滑动件5上。而且,在成膜移动用滑动件5的底面连结有用于使成膜移动用滑动件5移动的臂部件12。并且,驱动该臂部件12使成膜移动用滑动件5(蒸发源2)在成膜移动方向或者蒸镀区域移动方向上移动的控制装置被设置在蒸镀室1的外部,构成了蒸发源移动机构。
因此,能够使一个蒸发源2在一个蒸镀区域3中沿成膜移动方向往复移动而进行预先加热或者成膜后,沿着蒸镀区域移动方向移动并在另一个蒸镀区域4中同样地进行预先加热或者成膜。
另外,在本实施例中,以下述方式构成所述蒸发源移动机构:在对分别配置于所述多个蒸镀区域3、4中的掩模预先加热时,使所述蒸发源2在不退避到所述退避区域中的情况下在所述蒸镀区域3、4的并排设置方向上移动,从一个蒸镀区域3移动到另一个蒸镀区域4。
在图3中,以粗线表示在对基板开始蒸镀后的蒸镀源2的轨迹。在对设置在一个蒸镀区域3中的基板成膜的情况下,使蒸发源2以从夹着蒸镀区域3在轨道10延伸的方向上设置的2个退避区域中的一个退避区域穿过蒸镀区域3到达另一个退避区域的方式,往复移动规定的次数。在对设置在蒸镀区域3中的基板成膜后对设置于另一个蒸镀区域4中的基板进行成膜的情况下,位于蒸镀区域3的外侧的退避区域中的蒸发源2在蒸镀区域移动方向上移动,直至到达蒸镀区域4的外侧的退避区域。然后,反复进行下述动作:使蒸发源2以从夹着蒸镀区域4在轨道10延伸的方向上设置的2个退避区域中的一个退避区域穿过蒸镀区域4到达另一个退避区域的方式,往复移动规定的次数。这样,能够对设置在各蒸镀区域3、4中的基板分别进行成膜。
对此,在图4中,以粗线表示在开始蒸镀之前进行掩模的预先加热时的蒸镀源2的轨迹。在对设置在一个蒸镀区域3中的掩模预先加热的情况下,如图4所示,使蒸发源2在蒸镀区域3中沿着轨道11在成膜移动方向上往复移动规定的次数。然后,在对设置在另一个蒸镀区域中的掩模预先加热的情况下,使蒸镀源2在不移动至蒸镀区域3的外侧的退避区域中的情况下从蒸镀区域3的端部起在蒸镀区域移动方向上移动,直至到达另一个蒸镀区域4的对应的端部。然后,重复进行使蒸发源2在蒸镀区域4中沿成膜移动方向往复规定的次数这样的动作,来对设置在蒸镀区域4中的掩模预先加热。这样,能够对掩模预先加热,直至设置在蒸镀区域3、4中的掩模热饱和。
在进行掩模的预先加热时,与蒸镀的情况不同,不使蒸发源2移动到退避区域,由此能够更高效地进行掩模的预先加热。
如以上所说明,在本实施例中,在进行蒸镀时,在开始蒸镀之前分别对各蒸镀区域的掩模预先加热,在使其热饱和后,对依次配置在各蒸镀区域3、4中的基板连续地进行蒸镀。通过这样进行成膜,蒸镀中的掩模的热变形得到抑制,在蒸镀中形成于基板上的薄膜的图案不容易变化,从而能够稳定地实现高精度的成膜。
由于蒸镀室1的内部保持真空状态,因此,在开始蒸镀之前对各掩模预先加热后,能够维持掩模的热饱和的状态。因此,即使连续地对多个基板进行蒸镀,也能够稳定地实现高精度的成膜。
并且,本发明并不限于本实施例等,各结构要素的具体结构都能够适当地设计。
接下来,对下述实施例进行说明:使用本发明的真空蒸镀装置,制造出有机EL显示装置作为有机电子器件的例子。
首先,针对要制造的有机EL显示装置进行说明。图5的(a)是有机EL显示装置40的整体图,图5的(b)表示1个像素的截面结构。
如图5的(a)所示,在显示装置40的显示区域41中,呈矩阵状配置有多个像素42,所述像素42具备多个发光元件。虽然详细情况在后面叙述,但发光元件分别具有如下结构:该结构具备被一对电极夹着的有机层。并且,在此所说的像素是指在显示区域41中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的显示装置的情况下,由显示互不相同的发光的第1发光元件42R、第2发光元件42G、第3发光元件42B的组合构成了像素42。像素42多由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合构成,但也可以是黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合,只要是至少一种颜色以上,就不特别限制。
图5的(b)是图5的(a)中的A-B线处的局部截面示意图。像素42具有有机EL元件,该有机EL元件在基板43上具备第1电极(阳极)44、正孔输送层45、发光层46R、46G、46B中的任意、电子输送层47以及第2电极(阴极)48。其中,正孔输送层45、发光层46R、46G、46B、电子输送层47相当于有机层。另外,在本实施方式中,发光层46R是发出红色的有机EL层,发光层46G是发出绿色的有机EL层,发光层46B是发出蓝色的有机EL层。发光层46R、46G、46B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时记述为有机EL元件)对应的图案。另外,第1电极44针对每个发光元件分离地形成。正孔输送层45、电子输送层47、第2电极48可以与多个发光元件42共同形成,也可以针对每个发光元件分别形成。并且,为了防止第1电极44和第2电极48由于异物而短路,在第1电极44之间设有绝缘层49。而且,由于有机EL层会因为水分和氧而劣化,因此设置有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层50。
为了在发光元件单位中形成有机EL层,采用了隔着掩模成膜的方法。近年,显示装置的高精细化不断推进,在有机EL层的形成中使用了开口的宽度为数十μm的掩模。在使用了这样的掩模进行成膜的情况下,如果掩模在成膜中从蒸发源受热而热变形,则掩模与基板的位置错位,从而导致形成在基板上的薄膜的图案从所希望的位置偏移而形成。因此,对于这些有机EL层的成膜,适合采用本发明的真空蒸镀装置。
接下来,对有机EL显示装置的制造方法的例子具体地进行说明。
首先,准备基板43,在该基板43上形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和第1电极44。
在形成有第1电极44的基板43上通过旋涂法形成丙烯酸树脂,并以在形成有第1电极44的部分处形成开口的方式通过光刻法使丙烯酸树脂形成图案,从而形成绝缘层49。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将形成有绝缘层49的基板43搬入真空蒸镀装置,使正孔输送层45作为共用的层成膜在显示区域的第1电极44上。通过真空蒸镀形成了正孔输送层45。实际上,由于正孔输送层45形成为比显示区域41大的尺寸,因此不需要高精细的掩模。
接下来,使用蒸镀掩模,在要配置用于发出红色的元件的部分处,形成发出红色的发光层46R。首先,将形成至正孔输送层45的基板43搬入图1的真空蒸镀装置的蒸镀区域3,进行与掩模的位置对准(校准),该掩模具有与待形成第1发光元件42R的区域对应的开口。
在所使用的掩模不是热饱和的状态的情况下,存在如下担忧:掩模在成膜中从蒸发源受热而发生热变形,从而使掩模与基板的位置发生偏移,发光层46R无法形成在所希望的位置。因此,希望在对基板43开始蒸镀之前,利用蒸镀源2的热进行预先加热,直至掩模热饱和。对于掩模是否实现了热饱和,可以确认掩模的温度是否稳定,具体来说,可以确认受到蒸镀源2的热而上升的掩模的温度的时间变动是否处于规定的范围内。规定的范围可以根据成膜所要求的精度来决定。
另一方面,在蒸镀源2中收纳有作为发光层46R的材料的有机EL材料,作为用于使有机材料蒸发并附着于基板上的准备,进行预热。预热是指:为了使收纳于蒸发源2中的成膜材料的熔融状态稳定,以与成膜时的加热温度相同的温度对蒸发源2加热几分钟。关于成膜材料的熔融状态是否稳定,可以对使用未图示的膜厚监视器所得到的成膜速度(蒸镀速率)的时间变化进行观察来判断。当成膜材料的熔融状态稳定时,从蒸发源2释放出的成膜材料的蒸气的量稳定,因此,成膜速度的变动处于规定的范围内。
在本例中,利用在蒸发源2的预热中发出的热和预热所需要的时间进行掩模的预先加热。具体来说,在闭合挡板7而使蒸气不附着于基板的状态下,使蒸镀源2在蒸镀区域内往复运动来加热掩模。如果掩模的温度在至预热完成为止的期间内稳定,则在蒸镀源2的预热完成的同时成为能够成膜的状态。为了在蒸镀源2的预热完成的同时开始成膜,如果在进行掩模的预先加热的期间内预先进行基板与掩模的位置对准,则效率更高。并且,在即使预热完成但掩模的温度仍然不稳定的情况下,继续通过蒸镀源2加热掩模,直至掩模的温度稳定为止。
在确认到掩模实现了热稳定且基板与掩模的校准完成这一情况后,使蒸镀源2移动至夹着蒸镀区域3在轨道10延伸的方向上设置的2个退避区域中的一个退避区域内。然后,打开挡板7,使蒸镀源2开始朝向另一个退避区域移动,由此开始蒸镀,使蒸镀源2在2个退避区域之间往复移动,形成发光层46R。
这样,根据本例,在发光层46R的成膜中,掩模没有变形,因此,能够以规定的图案在基板上形成发光层46R。而且,不仅无需另行设置加热设备,而且也无需仅为了掩模的预先加热而花费时间。即,能够一边进行蒸发源2的预热,一边利用在预热中产生的热或用于预热的等待时间,非常高效地进行掩模的预先加热。
接着,与发光层46R的成膜相同地使用掩模形成发出绿色的发光层46G,该掩模具有与待形成第2发光元件42G的区域对应的开口。接下来,使用具有与待形成第3发光元件42B的区域对应的开口的掩模,形成发出蓝色的发光层46B。在分别形成发光层46G、46B时,与在形成发光层46R之前所进行的相同,使蒸镀源2相对于掩模相对移动,在确认到掩模热饱和后开始成膜。
在发光层46R、46G、46B各自的成膜中使用了一次的掩模在真空的蒸镀室中待机,直至下一个基板被设置。因此,掩模的热被真空保持,因此掩模的热饱和状态得到维持。因此,能够省略对下一个基板开始成膜之前的掩模的预先加热。如果在对掩模和基板进行校准而使它们接触时掩模的热向基板逃逸而导致掩模的温度下降的情况下、或者在要变更蒸镀膜的成膜速率的情况下,可以在对新设置的基板开始蒸镀之前同样地利用来自蒸镀源2的热对掩模进行预先加热。
在完成了发光层46G、46B的成膜后,在整个显示区域41上形成电子输送层47。电子输送层47形成为对第1至第3发光层共用的层。
将形成至电子输送层47的基板移动至溅镀装置,形成第2电极48,然后移动至等离子CVD装置形成保护层50,完成有机EL显示装置40。
如果形成有绝缘层49的图案的基板43在搬入真空蒸镀装置并完成保护层50的成膜之前暴露在包含水分或氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层由于水分或氧而劣化。因此,在本例中,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或惰性气体气氛下进行。
在上述例子中,在发光层的成膜时进行了掩模的预先加热,但是,在形成其它层时也可以进行掩模的预先加热。
这样得到的有机EL显示装置对于每个发光元件都能够高精度地形成发光层。因此,如果采用上述制造方法,则能够抑制由发光层的位置偏移所引起的有机EL显示装置的不良情况的发生。
并且,在此,对有机EL显示装置的制造方法进行了叙述,但不限于此,对于在蒸镀时使用掩模形成有机层的图案的所有有机电子器件的制造方法都能够同样地应用本发明。另外,不限于有机膜,对于无机膜的形成,也能够同样地应用本发明。

Claims (8)

1.一种蒸镀装置的控制方法,所述蒸镀装置具备:
蒸发源,其隔着掩模朝向基板释放成膜材料;
挡板;以及
移动构件,其使所述蒸发源和所述基板的至少一方相对于另一方相对移动,
其特征在于,
所述蒸镀装置的控制方法具有:
使所述挡板移动至第1位置的工序,其中,在所述第1位置,所述挡板将所述基板相对于所述蒸发源遮蔽;
使所述挡板移动至第2位置的工序,其中,在所述第2位置,所述挡板使所述基板相对于所述蒸发源露出;以及
在所述蒸发源释放材料并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动的工序。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制方法,其特征在于,
所述蒸发源具有对所述成膜材料进行加热的加热构件,
在所述加热构件对所述成膜材料进行加热并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制方法,其特征在于,
在所述蒸发源释放材料并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动,然后,在所述蒸发源释放材料并且所述挡板处于所述第2位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制方法,其特征在于,
所述蒸镀装置还具备校准构件,所述校准构件执行所述基板与所述掩模的位置对准,
在所述校准构件进行所述位置对准的期间,在所述蒸发源释放材料并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制方法,其特征在于,
所述蒸镀装置还具备:
基板保持构件,其保持所述基板;和
掩模保持构件,其保持所述掩模,
在所述基板保持构件保持所述基板、所述掩模保持构件保持所述掩模、所述蒸发源释放材料并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动。
6.根据权利要求5所述的蒸镀装置的控制方法,其特征在于,
所述基板保持构件具有在互不相同的多个场所保持所述基板的多个保持部,
在所述蒸发源针对在所述多个场所中分别保持的所述基板释放材料、并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动。
7.一种蒸镀装置的控制方法,所述蒸镀装置具备:
蒸发源,其具有对成膜材料进行加热的加热构件,并隔着掩模朝向基板释放成膜材料;
挡板;以及
移动构件,其使所述蒸发源和所述基板的至少一方相对于另一方相对移动,
其特征在于,
所述蒸镀装置的控制方法具有:
使所述挡板移动至第1位置的工序,其中,在所述第1位置,所述挡板将所述基板相对于所述蒸发源遮蔽;
使所述挡板移动至第2位置的工序,其中,在所述第2位置,所述挡板使所述基板相对于所述蒸发源露出;以及
在所述加热构件对所述成膜材料进行加热并且所述挡板处于所述第1位置的状态下,所述移动构件使所述蒸发源和所述基板相对移动的工序。
8.一种成膜方法,其特征在于,
所述成膜方法具有:
通过权利要求1或7所述的控制方法对所述掩模进行加热的工序;和
在所述基板上进行成膜的工序。
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